[0021] 本发明所用试剂及原料均市售可得。本发明的清洗液由上述成分简单均匀混合即 可制得。
[0022] 表1实施例及对比例清洗液的组分和含量
[0023]
[0027] 效果实施例
[0028] 为了进一步考察该类剥离液的清洗情况，本发明采用了如下技术手段：即将晶圆 微球植入工艺中凸球已经电镀完成后含有光刻胶残留物的晶圆，分别浸入清洗液中在25°C 至80°C下利用恒温振荡器以约60转/分的振动频率振荡30~120分钟，然后经漂洗后用 高纯氮气吹干。光刻胶残留物的清洗效果和清洗液对晶片的腐蚀情况如表2所示。
[0029] 表2部分实施例和对比例的晶圆清洗情况
[0030]
[0033]从表2可以看出，本发明的光刻胶剥离液对晶圆微球植入工艺中凸球已经电镀完 成后含有光刻胶残留物的晶圆具有良好的清洗效果，同时对金属铝和铜的腐蚀具有良好的 抑制作用，使用温度范围广。从对比例1与实施例5可以看出：在其它组分一样且操作条件 相同的条件下，虽然两者对光刻胶残留物的清洗没有看出明显差别，但是对比例1对金属 铜铝的具有严重的腐蚀，这是由于作为腐蚀抑制剂的糖酸或糖酸内酯的含量过低，不能有 效的来保护金属铜铝的腐蚀。从实施例15和对比例2、对比例3以及对比例4可以看出，单 独使用带有颜料亲和基团的星型共聚物或过低含量的糖酸或糖酸内酯，以及在糖酸或糖酸 内酯含量过低的情况下与含有颜料亲和基团的星状共聚物复配，都不能有效的控制金属铜 铝的腐蚀。糖酸或糖酸内酯可以单独使用作为金属铜铝的腐蚀抑制剂，糖酸或糖酸内酯与 颜料亲和基团的星状共聚物复配可以进一步增强其对金属铜铝的保护。但是颜料亲和基团 的共聚物不能单独使用并完全替代糖酸或糖酸内酯。从对比率5和实施例5可以看出，糖 酸或糖酸内酯的含量过多，超过6.0%时，会显著降低对光刻胶残留物的清洗效果。综上，说 明了糖酸或糖酸内酯作为主要的金属腐蚀抑制剂单独使用或者与带有颜料亲和基团的星 状共聚物复配使用可以有效的控制金属的腐蚀，并且可以达到高效的光刻胶清洗能力。 [0034] 综上，本发明的积极进步效果在于：本发明的以糖酸或糖酸内酯单独使用作为主 要的腐蚀抑制剂以及糖酸或糖酸内酯与带有颜料亲和基团的星状共聚物复配作为金属腐 蚀抑制剂的清洗液对基材如金属铝和铜等基本无腐蚀；同时能够有效地去除光刻胶残留 物，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。
[0035] 应当理解的是，本发明所述wt%均指的是质量百分含量。
[0036] 以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限 制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和 替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和 修改，都应涵盖在本发明的范围内。
【主权项】
1. 一种金属低刻蚀光刻胶剥离液，其特征在于，包含（1)季胺氢氧化物，（2)醇胺，（3) 溶剂，（4)糖酸或糖酸内酯。2. 如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，其中所述的季胺氢氧化物的含量为质量 百分比0. 1-10%，所述的醇胺含量为质量百分比0. 1-20%，所述的糖酸或糖酸内酯含量为 质量百分比〇. 05~10%，所述的溶剂为余量。3. 如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，其中所述的季胺氢氧化物的含量为质量 百分比0. 5-8%，所述的醇胺含量为质量百分比0. 5-10%，所述的糖酸或糖酸内酯含量为 质量百分比〇. 1-5%,所述的溶剂为余量。4. 如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，其中所述的季铵氢氧化物为选自四甲基 氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵 和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。5. 如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，其中所述的醇胺为选自单乙醇胺、N-甲基 乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙 基）乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。6. 如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，其中所述的所述的糖酸或糖酸内酯为五 元糖酸或糖酸内酯和/或六元糖酸或糖酸内酯。7. 如权利要求6所述的清洗液，其特征在于，其中所述的糖酸或糖酸内酯选自D-核糖 酸、L-核糖酸、核糖酸-1，4-内酯、D-(+)核糖酸-Y _内酯、葡萄糖酸、D-葡萄糖醛酸、D-葡 萄糖酸_ Y -内酯、L-葡糖酸-1，5-内酯、D-葡糖醛酸-3,6-内酯、D-甘露糖酸-1，4-内酯、 L-甘露糖酸-1，4-内酯、甘露糖二酸、甘露糖二酸-1，4-内酯、葡萄糖二酸、D-葡萄糖二酸 1，4-内酯中的一种或几种。8. 如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，其中所述清洗液还含有带有颜料亲和基 团的星型共聚物。9. 如权利要求8所述的清洗液，其特征在于，其中所述的颜料亲和基团星状结构的共 聚物含量为质量百分比IOppm~3 %。10. 如权利要求9所述的清洗液，其特征在于，其中所述的颜料亲和基团星状结构的共 聚物含量为质量百分比〇. 05-3%。11. 如权利要求8所述的清洗液，其特征在于，其中所述的带有颜料亲和基团的星型共 聚物为含有羟基、氨基或羧基的颜料亲和基团的星型聚合物。12. 如权利要求8所述的清洗液，其特征在于，其中所述的带有颜料亲和基团的星型共 聚物为含颜料亲和基团的聚丙烯酸酯类星型共聚物。13. 如权利要求12所述的清洗液，其特征在于，其中所述的带有颜料亲和基团的聚丙 烯酸酯类星型聚合物为含有羟基、氨基的聚丙烯酸酯类星型共聚物。14. 如权利要求13所述的清洗液，其特征在于，其中所述的含有羟基、氨基的聚丙烯酸 酯类星型共聚物为聚丙烯酸星型共聚物、苯乙烯与丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、丙烯 酸、马来酸酐与苯乙烯三元星型共聚体系，丙烯酸甲酯及丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、 丙烯酸与马来酸的二元共聚物，丙烯酸与及丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、丙烯酸与丙 烯酸丁酯及丙烯酰胺的三元星型共聚物。15. 如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的有机溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮、 吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。16.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的亚砜为二甲基亚砜和甲乙基亚砜 中的一种或多种；所述的砜为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮为2-咪唑 烷酮和1，3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮和 N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的 酰胺为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚为二乙二醇单丁醚和二 丙二醇单甲醚中的一种或多种。
【专利摘要】本发明公开了一种新型清洗液含有：a)季胺氢氧化物；(b)醇胺；(c)溶剂；(d)糖酸或糖酸内酯。该光刻胶剥离液含有糖酸或糖酸内酯作为主要的金属腐蚀抑制剂，糖酸或糖酸内酯可单独使用，也可以与具有颜料亲和基团的星状共聚物复配使用，使得该剥离液在有效的去除晶圆上的光刻胶的同时，能有效的保护基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在对晶圆清洗后可以用水直接漂洗。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
【IPC分类】G03F7/42
【公开号】CN105022237
【申请号】CN201410165928
【发明人】刘江华, 刘兵, 彭洪修
【申请人】安集微电子科技(上海)有限公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2014年4月23日