光罩基底衬底收纳容器的制造方法
【专利说明】
[0001] [相关申请]
[0002] 本申请是主张基于在2013年9月11日对日本专利厅提出申请的日本专利特愿 2013-188177号的优先权。将日本专利特愿2013-188177号中记载的全部内容以参照的方式 直接并入本申请中。另外，贯穿整个本申请所引用的全部文献以参照的方式直接并入本申 请中。
技术领域
[0003] 本发明涉及一种收纳在表面涂布有半导体或液晶等的制造步骤的光刻工艺所使 用的化学增幅型光阻的光罩基底衬底的容器。
【背景技术】
[0004] 以半导体为代表的设计电路的设计规则(design rule)正逐年推进电路的进一步 微细化。伴随于此，针对于用以形成电路的光罩，对其线宽、形状、间距等电路图案所要求的 条件也越严格。作为电路的形成方法，迄今为止一直使用光刻法，作为用以应对此种微细化 的光阻材料，大多使用适合于波长更短、分辨率更高的化学增幅型光阻。使用化学增幅型光 阻的光刻法是通过准分子激光等光照射、或电子束的照射而产生该光阻材料中的催化剂物 质，在后续步骤中进行热处理，由此使该催化剂物质与高分子反应，使光或电子照射部分可 溶(正型）、或不溶化(负型），由此获得所需的电路图案的方法。迄今为止，关于在进行光或 电子照射之前保管、搬送涂布有该光阻材料的衬底的收纳容器，就为了容易进行输送、搬送 而理想为轻量，此外可以廉价且大量制造等方面而言，业界使用以各种塑料作为基材并通 过射出成型等所制造的收纳容器。
[0005] 然而，由这些以塑料为材料的塑料制收纳容器所产生的各种挥发性有机物成分在 保管及搬送光罩基底的过程中，对在光罩基底上所涂布的光阻材料的催化剂作用、其可溶 化作用或不溶化作用产生某些影响，使通过光或电子束照射及热处理、显影所形成的在光 罩基底上的光阻图案产生例如线宽的放大/缩小等尺寸变化或图案的变形、或者崩塌等，结 果担忧发生无法获得如设计般的图案的不良情况。针对由此种塑料材料引起的问题，业界 着眼于氮化合物，提出了由不含氮原子的高分子材料所构成的收纳容器、或作为释气成分 的含氮化合物总量为特定量以下的收纳容器(例如参照专利文献1)。
[0006] [现有技术文献]
[0007] [专利文献]
[0008] 专利文献1:日本专利特开2003-140324号公报
【发明内容】
[0009][发明需要解决的问题]
[0010]然而，所述收纳容器或因受到由不含氮原子的单体所获得的高分子材料(塑料材 料)限定而选择适合于本用途的塑料材料，因此必须测定释气成分中的含氮化合物总量，而 有耗费时间与成本的问题。因此，针对于使适合于本用途的塑料材料的选择更简化，利用使 用所选择的材料而成形的塑料制收纳容器保管、搬送光罩基底的过程中、或收纳容器的开 启及关闭操作的过程中有可能因收纳容器本身的摩擦等所产生的微小粒子、或存在于气体 环境中的粒子会因静电而附着在光罩基底或收纳容器本身的污染，需要进一步的改善。
[0011]本发明是为了解决所述问题而完成的者，目的在于抑制对光阻图案产生的影响并 且降低因在保管、搬送或容器操作的过程中所有可能产生的尘埃或粒子的附着引起的光罩 基底的污染，提高光罩基底的质量及良率。
[0012][解决问题的技术方案]
[0013] 本发明者们为了解决所述问题进行努力研究，结果发现:作为保管及搬送涂布有 化学增幅型光阻的光罩基底的收纳容器，通过使用由构成收纳容器的塑料材料所产生的己 内酰胺为一定量以下且其表面电阻值为1.0E+13欧姆以下的塑料材料，而防止在光罩基底 的保管后进行曝光、感光及显影而形成的光阻图案的线宽及形状等所产生的不良情况，获 得高精细的光阻图案，并且保护光罩基底或收纳容器本身免受在保管、搬送光罩基底的过 程中所有可能产生的微小尘埃及粒子、以及存在于气体环境中的粒子的附着，从而完成了 本发明。
[0014] 即，本发明的一形态是一种光罩基底衬底收纳容器，其用于收纳、搬送或保管光罩 基底衬底，且其构成零件中的至少1个包含以40°C保持60分钟下通过动态顶空法测定的释 气中的己内酰胺量以正癸烷换算计每树脂单位重量成为O.Olppm以下的热塑性树脂，并且 包含该热塑性树脂材料的构成零件的表面电阻值为1.0E+13欧姆以下。
[0015] 另外，本发明的另一形态尤其是一种光罩基底衬底收纳容器，其在热塑性树脂中 添加有碳填料。
[0016] 另外，本发明的另一形态尤其是一种光罩基底衬底收纳容器，其将热塑性树脂设 为持续性抗静电树脂。
[0017] 另外，本发明的另一形态是一种光罩基底衬底收纳容器，其具备形成收纳光罩基 底衬底的空间的上盖、及与上盖卡合的下箱，且至少使上盖及下箱由所述热塑性树脂材料 构成。
[0018] [发明的效果]
[0019] 根据本发明，能够抑制因由容器所产生的挥发性有机物成分对光阻图案产生的影 响并且更确实地降低因在保管、搬送光罩基底衬底的过程中、或容器操作的过程中所有可 能产生的尘埃或粒子的附着引起的光罩基底的污染，提高光罩基底的质量及良率。
【附图说明】
[0020] 图1是表示本发明的实施方式的光罩基底衬底收纳容器的分解立体图。
【具体实施方式】
[0021] 以下，对本发明的光罩基底衬底收纳容器的实施方式进行说明。但是，本发明并不 限定于下述实施方式。
[0022]图1是表示本发明的实施方式的光罩基底衬底收纳容器的分解立体图。
[0023]该实施方式的光罩基底衬底收纳容器1如图1所示，主要具备:使光罩基底衬底2竖 立于垂直方向并以一定间隔整齐排列而能够收纳光罩基底衬底2的匣盒3、收纳匣盒3的下 箱4、从下箱4的上方卡止的上盖5、及从其上方压住光罩基底衬底2的压住构件6。
[0024] 下箱4形成为使其上方开口的有底箱型。在上方的开口部的周缘形成有边缘部。在 外周部的相对向的各一对边缘部分别形成有一对卡止用的卡止凹部。匣盒3具有一对端壁、 及连结这些端壁的另一对侧壁，在侧壁的内侧以相对向的方式以一定间隔形成有收纳光罩 基底衬底2的收纳槽。上盖5形成为具有朝下开口的箱型而得以覆盖下箱4的开口而封闭。在 上盖5的开口部形成有边缘部。在彼此相对向的各一对边缘部以向下方外延的方式分别形 成有一对卡止爪。卡止爪分别与下箱4的卡止凹部嵌合而固定下箱4与上盖5。
[0025] 上盖5在其内表面朝下安装有个别地接触而压住光罩基底衬底2的构件且具备保 持槽的压住构件6。在该实施方式中，所述光罩基底衬底收纳容器1的构成中，至少使下箱4 与上盖5由以40°C保持60分钟的条件下通过动态顶空法测定的己内酰胺量以正癸烷换算计 每树脂单位重量成为〇. Olppm以下、更优选低于0.0 lppm的热塑性树脂形成。
[0026]为了降低粒子的附着，下箱4与上盖5是以使表面电阻值成为1.0E+13欧姆以下的 方式由抗静电材料或导电性材料形成。另外，优选使匣盒3及压住构件6中的至少一个如所 述般由以40°C保持60分钟的条件下通过动态顶空法测定的己内酰胺量以正癸烷换算计每 树脂单位重量成为〇. Olppm以下、更优选低于0.0 lppm的热塑性树脂形成。此外，己内酰胺对 图案特性造成影响的过程虽然并没有明确，但认为以40°C保持60分钟下通过动态顶空法所 检测出的释气中的游离己内酰胺所含有的酰胺键在光罩基底衬底的保管及搬送的过程中 会移动至化学增幅型光阻，而对曝光、感光、显影时的催化剂作用产生某些不良影响。
[0027] 进而，优选将热塑性树脂设为持续性抗静电树脂。此处，所谓持续性抗静电性树 月旨，是指使亲水性聚合物而非碳等填料分散在基底树脂中，而使抗静电功能持续保持的树 月旨。和使碳等填料分散在基底树脂中而成者相比，持续性抗静电树脂具有低发尘性的优点。 作为持续性抗静电树脂所使用的基底树脂，可以适宜地使用485(&(^71〇11；[1：1'；[16-butadiene-styrene，丙稀腈-丁二稀-苯乙稀)树脂、丙稀酸系树脂或聚丙稀树脂。另外，作 为亲水性聚合物，可以例示高分子固体电解质、尤其是具有聚乙二醇成分的聚合物，更具体 而言，可以例示:聚乙二醇甲基丙烯酸酯共聚物、聚(环氧乙烷/环氧丙烷)共聚物、聚乙二醇 系聚酯酰胺、聚(表氯醇/环氧乙烷)共聚物等。
[0028] 另外，也可以在热塑性树脂中添加碳等填料。在如此般向热塑性树脂中添加碳等 填料的情况下，和设为持续性抗静电树脂的情形相比，能够使表面电阻值较低，为1.0E+10 欧姆以下。此外，关于持续性抗静电树脂，表面电阻值难以成为1.0E+10欧姆以下。结果能够 降低因静电等引起的粒子在收纳容器或光罩基底的附着。此处，作为热塑性树脂，可以列 举:聚丙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二酯、丙烯酸系树脂、ABS树脂等。另外，作为碳填料， 可以使用碳黑、乙炔黑、碳纤维、奈米碳管等。
[0029] 此外，本发明的实施方式的光罩基底衬底收纳容器并不限定于如所述般收纳多个 光罩基底衬底的容器，也可以为逐片地收纳光罩基底的单片式容器。另外，可以制成外部气 体的密闭型容器，也可以制成经由化学过滤器而与外部气体相通的收纳容器等。
[0030] [实施例]
[0031] 接着，对本发明的实施例及比较例一并进行说明。此外，本发明并不限定于以下的 实施例。
[0032] 以下，对实施例1~6进行说明，将评价结果示于表1。
[0033] (实施例1)
[0034] 使用市售的丙烯酸系持续性抗静电树脂A，通过射出成形，制造如图1所示的能够 收纳可竖立多片152mm见方的光罩基底衬底的匣盒的上盖及下箱两者。在所制造的上盖的 顶面的平坦部，使用表面高阻抗测定器(SHISHIDO ELECTROSTATIC股份有限公司制造)测定 表面电阻值，结果表面电阻值为1.0E+11 Ω。另外，从上盖的一部分切割下〇. lg，准确称量后 放入试样槽内，在高纯度氦气环境下以40°C进行60min的加热脱附，通过气相色谱质谱分析 仪(GC-MS)对产生的气体成分进行分析，通过以正癸烷所制作的校准曲线，换算相当于己内 酰胺成分的波峰面积值，进而除以试样重量，而以（ppm)的形式求出。结果己内酰胺低于 0.0 lppm。此处，己内酰胺成分是通过以相符的MS光谱为数据基础（NIST (National Institute of Standards and Technology，美国国家标准与技术研究院））进行对照而特 定出。
[0035] 另外，使用市