配向膜厚度均一性的优化方法及液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶显示技术领域，具体是一种配向膜厚度均一性的优化方法以及利 用该优化方法得到的液晶显示面板。
【背景技术】
[0002] 随着触控技术和显示技术的发展，触控显示面板已经被广泛应用于智能手机、平 板电脑等智能电子产品中，为人机交互带来更便捷地体验。
[0003] 通常地，液晶显示面板的主要结构包括彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管 阵列基板（TFT Array Substrate，Thin Film Transistor Array Substrate)、设置在彩膜 基板和薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层(Liquid Crysta 1 Layer)和间隔物(PS，Photo Spacer)、以及密封胶框(Sealant)。其中，在彩膜基板的下表面、薄膜晶体管阵列基板的上 表面均涂布了一层配向膜(PI)，作用是使液晶分子按照一定的方向和角度排列，因此配向 膜对于液晶显示面板而言是必不可少的，而且配向膜的厚度是否均一会对液晶显示面板的 光学品质产生一定影响。
[0004] 如图1所示，在薄膜晶体管阵列基板2-侧的钝化层100(PV，Passivation)上设有 用于控制液晶盒内液晶产生偏转的透明ΙΤ0膜层500,结合图2可知，该ΙΤ0膜层并不是沉积 在钝化层上的一整面图层，而是通过刻蚀工艺得到的图案化图形，因此才会有如图1所示的 同一 ΙΤ0膜层500并不是连续设置，而是之间有一定间隔。故在薄膜晶体管阵列基板2上表面 涂布整面配向膜600时，部分配向膜是覆盖在ΙΤ0膜层上的，同时也有部分配向膜是覆盖在 处于ΙΤ0膜层间隔处的钝化层100上的，这就导致了配向膜的厚度不一致的问题。
[0005] 如图3所示，涂布于非ΙΤ0层区域（即涂布于钝化层100)上的配向膜600厚度为H1， 涂布于ΙΤ0膜层500上的配向膜600厚度为H2，二者之间的差值ΛΗ=Η1-Η2，该差值可称为配 向膜厚度的断差（即涂布于ΙΤ0层上的配向膜厚度与涂布于非ΙΤ0层区域上的配向膜厚度之 差）。配向膜的断差主要是受到ΙΤ0层厚度的影响，ΙΤ0层厚度导致了配向膜在不同区域有不 同的厚度。图4(a)-l至(a)-3中，ΙΤ0膜层的厚度依次为500人、丨000Α和2000Α，图4(b)-l 至(b)_3是在图4(a)-l至(a)-3中ΙΤ0膜层上涂布配向膜后，产生断差的示意图。从这些图的 对比可以看出，ΙΤ0膜层的厚度越大，配向膜的断差ΛΗ越大。考虑到配向膜在液晶显示面板 中所起到的作用可知，配向膜的厚度一致性对于液晶显示面板的显示效果有着重要影响， 因此实有必要对现有相关技术进行改进和优化以解决上述结构中存在的配向膜厚度不一 致、出现断差的问题。
【发明内容】
[0006] 为克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种。
[0007] 本发明提供一种配向膜厚度均一性的优化方法，所述配向膜用于液晶显示面板， 所述优化方法包括以下步骤：
[0008] 提供沉积有钝化层的薄膜晶体管阵列基板;在所述钝化层上涂布光阻；将所述薄 膜晶体管阵列基板划分为不同区域，对处于不同区域的光阻分别进行半色调掩膜曝光和普 通掩膜曝光;对进行半色调掩膜曝光和普通掩膜曝光后的所述光阻进行显影;对显影后的 所述光阻和钝化层进行刻蚀;刻蚀后，去除所述光阻；去除所述光阻后，沉积ITO膜层;对所 述ITO膜层进行刻蚀，得到ITO膜层上表面与钝化层上表面处于同一平面的薄膜晶体管阵列 基板;在所述ITO膜层上表面和所述钝化层上表面涂布配向膜。
[0009] 作为一种实施方式，在本发明所述优化方法中，将所述薄膜晶体管阵列基板划分 为不同区域，对处于不同区域的光阻分别进行半色调掩膜曝光和普通掩膜曝光是将所述薄 膜晶体管阵列基板划分为第一区域和第二区域，对处于第一区域的所述光阻进行半色调掩 膜曝光，对处于第二区域的所述光阻进行普通掩膜曝光。进一步地，对处于第一区域的所述 光阻进行半色调掩膜曝光是采用半色调掩膜对第一区域的所述光阻进行不完全曝光，第一 区域将对应形成ΙΤ0膜层，对处于第二区域的所述光阻进行普通掩膜曝光是采用普通掩膜 对第二区域的所述光阻进行完全曝光，第二区域将对应形成接触孔。作为一种实施方式，在 本发明所述优化方法中，对进行半色调掩膜曝光和普通掩膜曝光后的所述光阻进行显影 后，使处于所述第一区域的光阻形成若干间隔设置的凹槽，所述第二区域内形成贯穿于所 述光阻的开孔。
[0010] 进一步地，对显影后的所述光阻和钝化层进行刻蚀是对处于第一区域的光阻及其 下方的钝化层进行刻蚀，使处于第一区域的所述钝化层形成若干间隔设置的凹槽，同时对 所述第二区域的所述钝化层进行刻蚀，形成贯穿于所述第二区域的钝化层的接触孔。
[0011] 进一步地，刻蚀后去除所述光阻是采用有机溶液除去所述钝化层上的全部所述光 阻。
[0012] 进一步地，去除所述光阻后沉积ΙΤ0膜层是在钝化层的上表面沉积形成ΙΤ0膜层。
[0013] 作为一种实施方式，在本发明所述优化方法中，对所述ΙΤ0膜层进行刻蚀，得到处 于所述第一区域中的所述ΙΤ0膜层上表面与处于所述第一区域中的所述钝化层上表面处于 同一平面的薄膜晶体管阵列基板。
[0014] 进一步地，所述配向膜整面涂布在所述ΙΤ0膜层上表面和所述钝化层上表面，使所 述配向膜上表面为平面。
[0015] 进一步地，处于所述第一区域内的所述配向膜下表面为平面。
[00?6]优选地，所述钝化层的材料为SiNx。
[0017] 一种采用上述优化工艺方法得到的液晶显示面板，包括相对设置的彩膜基板和薄 膜晶体管阵列基板、以及设置于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层； 其中，在所述薄膜晶体管阵列基板上表面依次设有钝化层和ΙΤ0膜层，且所述钝化层的上表 面与所述ΙΤ0膜层的上表面处于同一平面，在所述钝化层上表面和所述ΙΤ0膜层上表面涂布 有配向膜。
[0018] 与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
[0019] 在本发明中，通过利用半色调掩膜工艺实现ΙΤ0膜层与钝化层的上表面处于同一 平面的效果，从而使配向膜整面涂布在相应位置ΙΤ0膜层与钝化层呢个上表面时，其厚度一 致、均一性良好，不会出现因 ΙΤ0膜层与钝化层之间有断差而导致配向膜厚度出现断差的问 题。此外，本发明的优化方法并未增加其它的制程过程，从而在保证工艺步骤不繁琐复杂的 同时，使配向膜厚度均一性得到优化，进而有助于提高液晶显示面板的显示品质。
【附图说明】
[0020 ]图1是现有技术中液晶显示面板的剖面结构示意图。
[0021]图2是现有技术中薄膜晶体管阵列基板一侧设置ΙΤ0膜层的分布示意图。
[0022]图3是图1中A处的局部放大示意图。
[0023]图4(a)_l至(a)_3是现有技术中在钝化层上设置不同厚度ΙΤ0膜层的示意图。
[0024] 图4(b)_l至(b)_3是在图4(a)_l至(a)_3中不同厚度ΙΤ0膜层上涂布配向膜后产生 断差的示意图。
[0025] 图5至图13是本发明实施例一配向膜厚度均一性优化方法的工艺流程。
[0026 ]图14是本发明实施例二液晶显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】 [0027] 实施例一
[0028] 本实施例提供一种配向膜厚度均一性的优化方法，所述配向膜用于薄膜晶体管阵 列基板，所述优化方法包括以下步骤：
[0029] 如图5所示，提供一沉积有钝化层100的薄膜晶体管阵列基板（图未示），该钝化层 的材料为SiNx。
[0030] 如图6所示，在该钝化层100上涂布光阻200。
[0031] 对光阻的不同区域分别进行半色调掩膜曝光和普通掩膜曝光，具体为：如图7所 示，将薄膜晶体管阵列基板划分为第一区域91和第二区域92,使用半色调掩膜对处于第一 区域91的光阻200进行不完全曝光，该第一区域将对应形成ΙΤ0膜层;使用普通光罩对处于 第二区域92的光阻200进行完全曝光，该第二区域将对应形成接触孔以及形成于接触孔中 的ΙΤ0膜层。
[0032] 如图8所示，对进行半色调掩膜曝光和普通掩膜曝光后的光阻进行显影，具体为： 对第一区域91进行显影，由于该第一区域91为不完全曝光，因此显影后使该第一区域仅除 去部分光阻，从而使处于第一区域的光阻朝向自身内部凹陷形成若干间隔设置的凹槽;对 第二区域92进行显影，由于对第二区域92为完全曝光，因此显影后该第二区域的光阻全部 被除去，从而使第二区域形成贯穿光阻的开孔。
[0033]接着，对显影后