Coa基板、彩色滤光膜及彩色滤光膜的形成方法
【专利摘要】本发明提供了一种COA基板、彩色滤光膜及彩色滤光膜的形成方法。该方法包括以下步骤：采用多种色阻在阵列基板上形成色阻层，相邻的两种色阻之间存在凸起的叠加区；在色阻层上形成钝化层；在钝化层上形成光阻层；将叠加区所对应的光阻层去除；将叠加区所对应的钝化层去除，以使叠加区的色阻显露出来。该彩色滤光膜包括色阻层和钝化层；色阻层形成在阵列基板之上，色阻层由多种颜色的色阻形成，相邻的两种色阻之间存在叠加区；钝化层上、叠加区所对应的位置处的钝化层被去除以使色阻层显露出来。COA基板包括上述彩色滤光膜。本发明能有效降低ODF对组后因色阻残留气体释放导致的液晶气泡的产生，无需增加额外的费用，也不用牺牲开口率。
【专利说明】
COA基板、彩色滤光膜及彩色滤光膜的形成方法
技术领域
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种COA基板、彩色滤光膜及彩色滤光膜的形成方法。
【背景技术】
[0002]当前，液晶面板的形成通常采用C0A(Color-filter on Array)工艺，COA工艺是在阵列面板的玻璃完成Array制作后，再接着进行彩色滤光片的制作，也就是所谓阵列上的彩色滤光器(Color Filter On Array)技术，该技术能解决阵列基板和彩膜基板的对位压盒精度要求高的问题。
[0003]但是，COA工艺产品在形成彩色滤光片的时候，色阻内残留气体，在模组组装过程中，特别是在特定的条件下，例如高温或者高湿条件下，色阻内的残留气体释放，很容易产生液晶气泡，液晶气泡的产生严重影响产品质量。
[0004]目前，改善液晶气泡的问题的技术主要有加大彩膜过孔的直径或者彩色图案与黑矩阵之间的交叠区的管控，但是，这些方法会增加光罩改版的成本以及会牺牲开口率。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种COA基板、彩色滤光膜及彩色滤光膜的形成方法，能够解决现有技术存在的增加光罩成本及牺牲开口率的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种COA工艺中彩色滤光膜的形成方法，该方法包括以下步骤:采用多种色阻在阵列基板上形成色阻层，相邻的两种色阻之间存在凸起的叠加区；在所述色阻层上形成钝化层;在所述钝化层上形成光阻层；将所述叠加区所对应的所述光阻层去除；将所述叠加区所对应的所述钝化层去除，以使所述叠加区的色阻显露出来。
[0007]其中，将所述叠加区所对应的所述钝化层去除，以使所述叠加区的色阻显露出来的步骤之后，还包括:将所述叠加区凸起的色阻去除，以降低所述叠加区凸起的高度。
[0008]其中，将所述叠加区的色阻去除，以降低所述叠加区凸起的高度的步骤中，采用干式蚀刻的方式将所述叠加区凸起的色阻去除。
[0009]其中，将所述叠加区所对应的钝化层去除，以使所述叠加区的色阻显露出来的步骤中，采用蚀刻的方式将所述叠加区对应的钝化层去除。
[0010]其中，将所述叠加区所对应的光阻层去除的步骤中，采用氧等离子体烧光阻的方式将所述叠加区所对应的所述光阻层去除。
[0011 ]其中，在所述钝化层上形成光阻层的步骤中，所述光阻层的高度为1-4μπι。
[0012]其中，将所述叠加区所对应的所述光阻层去除之后，其余区域的所述光阻层的高度大于lym。
[0013]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种COA工艺中形成的彩色滤光膜，该彩色滤光膜包括色阻层和钝化层;所述色阻层形成在阵列基板之上，所述色阻层由多种颜色的色阻形成，相邻的两种色阻之间存在叠加区；所述钝化层上、所述叠加区所对应的位置处的钝化层被去除以使所述色阻层显露出来。
[0014]其中，所述色阻层上叠加区的高度与未叠加的区域的高度一致。
[0015]为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是:提供一种COA基板，改COA基板包括上述彩色滤光膜。
[0016]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本发明通过将色阻层的叠加区对应的光阻层和钝化层去除，使得该叠加区的色阻显露出来，从而能在后期制程，如ITO退火及PI PMO制程中，高温长时间烘烤可以将色阻层内的残留气体排出，因而防止ODF对组后因色阻残留气体的释放导致液晶气泡产生。本发明只需要更改制程条件，无需更改光罩，因而不会产光罩的额外费用，也无需牺牲开口率，即能有效降低ODF对组后因色阻残留气体释放导致的液晶气泡的产生。
【附图说明】
[0017]图1是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法第一实施例的流程示意图；
[0018]图2是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中形成光阻层之后的结构示意图；
[0019]图3是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的光阻层时的结构示意图；
[0020]图4是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的光阻层后的结构示意图；
[0021]图5是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的钝化层后的结构示意图；
[0022]图6是本发明形成的彩色滤光膜在后期制程中残留气体排出的示意图；
[0023]图7是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法第二实施例的流程示意图；
[0024]图8是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中形成光阻层之后的结构示意图；
[0025]图9是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的光阻层时的结构示意图；
[0026]图10是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的光阻层后的结构示意图；
[0027]图11是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的钝化层后的结构示意图；
[0028]图12是本发明形成的彩色滤光膜叠加区的色阻去除后在后期制程中残留气体排出的示意图；
[0029]图13是本发明COA基板实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0030]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行详细说明。
[0031]请参阅图1，图1是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法第一实施例的流程示意图。
[0032]本发明提供的一种COA工艺中彩色滤光膜的形成方法，该方法包括以下步骤:
[0033]SlOl、采用多种色阻在阵列基板上形成色阻层11，相邻的两种色阻之间存在凸起的叠加区111。
[0034]色阻层11由不同颜色的色阻形成，例如，红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，当然，在其它实施例中，还可以包括白色色阻等色阻，在实际制作时，由于诸如曝光、显影和固化等制程之后，相邻色阻的边缘发生重叠而形成叠加区111，该叠加区111的厚度较非叠加区厚度大，因而向上凸起，该凸起的叠加区通常称为“牛角”。其中，阵列基板可以为TFT阵列基板。
[0035]S102、在色阻层11上形成钝化层12。
[0036]其中，该钝化层12为PV钝化层，PV钝化层可以由氮化硅等材料形成，起保护作用。
[0037]S103、在钝化层12上形成光阻层13。
[0038]光阻层13的形成是为了通过黄光制程而形成所需要的图案。光阻层13形成之后的结构如图2所示，图2是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中形成光阻层之后的结构示意图。
[0039]S104、将叠加区111所对应的光阻层13去除。
[0040]步骤S104将叠加区111对应的光阻层13去除，可以使得叠加区111的钝化层12显露出来，以便于步骤S105的进行。如图3和图4所示，图3是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的光阻层时的结构示意图。图4是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的光阻层后的结构示意图。
[0041 ] S105、将叠加区111所对应的钝化层12去除，以使叠加区111的色阻显露出来。如图5所示，图5是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的钝化层后的结构示意图。
[0042]由于步骤S104中将叠加区111的光阻层13去除了，使得钝化层12显露出来，所以叠加区111的钝化层12没有了光阻层13的保护，因而可以将叠加区111对应的钝化层12去除，使得叠加区111的色阻显露出来，相当于在钝化层12和光阻层13上，叠加区111的位置处形成了开口，从而可以在后期的制程中高温环境下(例如，ITO结晶温度为230° /30min)，色阻层11内的残留气体能从该开口处排出，如图6所示，图6是本发明形成的彩色滤光膜在后期制程中残留气体排出的示意图。这样即使钝化层12过孔与色阻层13过孔有交叠区导致PV缺失也不会造成液晶气泡风险，因而能防止ODF(Onedropf i 11，液晶滴下式)对组后因色阻残留气体的释放导致液晶气泡产生。
[0043]区别于现有技术，本发明通过将色阻层11的叠加区111对应的光阻层13和钝化层12去除，使得该叠加区111的色阻显露出来，从而能在后期制程，如ITO退火及PI PMO制程中，高温长时间烘烤可以将色阻层11内的残留气体排出，因而防止ODF对组后因色阻残留气体的释放导致液晶气泡产生。本发明只需要更改制程条件，无需更改光罩，因而不会产光罩的额外费用，也无需牺牲开口率，即能有效降低ODF对组后因色阻残留气体释放导致的液晶气泡的产生。
[0044]请参阅图7，图7是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法第二实施例的流程示意图。
[0045]本实施例的COA工艺中彩色滤光膜的形成方法具体包括以下步骤:
[0046]S201、采用多种色阻在阵列基板上形成色阻层21，相邻的两种色阻之间存在凸起的叠加区211。
[0047]多种色阻在诸如曝光、显影和固化等制程之后，相邻色阻的边缘发生重叠而形成叠加区211，该叠加区211的厚度较非叠加区厚度大，因而向上凸起，该凸起的叠加区211通常称为“牛角”。
[0048]S202、在色阻层上形成钝化层22。
[0049]本实施例的钝化层22由氮化硅形成，其保护作用。
[0050]S203、在钝化层上形成光阻层23。
[0051]光阻层23的形成以通过黄光制程形成所需要的图案。步骤S203中，形成的光阻层23的高度为1-4μπι。光阻层23形成之后的结构如图8所示，图8是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中形成光阻层之后的结构示意图。
[0052]S204、将叠加区211所对应的光阻层23去除。
[0053]步骤S204中，由于叠加区211对应的光阻层23的厚度比非叠加区对应的光阻层23的厚度薄，因而采用氧等离子体(plasma+02)烧光阻的方式将叠加区211所对应的光阻层23去除，该过程中，氧气被加速了的电子轰击成氧离子、自由基后，氧化性极强，光阻层23很快被氧化形成二氧化碳和水，而被真空栗抽走，从而达到去除光阻的目的。将叠加区211所对应的光阻层23去除之后，确包其余区域的光阻层23的高度大于Ιμπι。如图9和图10所示，图9是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的光阻层时的结构示意图。图10是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的光阻层后的结构示意图。
[0054]S205、将叠加区211所对应的钝化层22去除，以使叠加区211的色阻显露出来。
[0055]步骤S205中，采用蚀刻的方式将叠加区211对应的钝化层22去除，具体为干式蚀刻的方式，例如Plasma+SF6。如图11所示，图11是本发明COA工艺中彩色滤光膜的形成方法中去除叠加区对应的钝化层后的结构示意图。
[0056]S206、将叠加区211凸起的色阻去除，以降低叠加区211凸起的高度。
[0057]步骤S206可以在步骤S205中采用干式蚀刻的方式将钝化层22去除的时候，采用过蚀刻的方式将叠加区211凸起的色阻去除，从而降低了叠加区211凸起的高度。如图12所示，图12是本发明形成的彩色滤光膜叠加区的色阻去除后在后期制程中残留气体排出的示意图。
[0058]在一个实施例中，叠加区211相对凸起的色阻完全被去除干净，以使得该叠加区211的色阻的厚度与非叠加区的色阻的厚度一致，从而使得色阻层21表面平坦，有利于后续PI涂布制程中PI液的均匀扩散，提升产品的良率和竞争力。
[0059]本发明还提供了一种采用⑶A工艺形成的彩色滤光膜，该彩色滤光膜包括色阻层11和钝化层12。
[0060]色阻层11形成在阵列基板(图未示)之上，色阻层11由多种颜色的色阻形成，相邻的两种色阻之间存在叠加区111。
[0061 ] 色阻层11由不同颜色的色阻形成，例如，红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，当然，在其它实施例中，还可以包括白色色阻等。在实际制作时，由于诸如曝光、显影和固化等制程之后，相邻色阻的边缘发生重叠而形成叠加区111，该叠加区111的厚度较非叠加区厚度大，因而向上凸起，该凸起的叠加区111通常称为“牛角”。其中，阵列基板可以为TFT阵列基板。
[0062]钝化层12上、叠加区111所对应的位置处的钝化层12被去除以使色阻层11显露出来。相当于在钝化层12上相对于叠加区111的位置处的钝化层12被去除形成了开口，从而可以在后期的制程中高温环境下(例如，ITO结晶温度为230°/30min)，色阻层11内的残留气体能从该开口处排出，因而防止0DF(0nedropfill，液晶滴下式)对组后因色阻残留气体的释放导致液晶气泡产生。
[0063]在另一个实施例中，如图12所示，色阻层21上叠加区211的高度与未叠加的区域的高度一致。即，在将叠加区211的钝化层22去除之后，再将叠加区211的凸起的色阻去除，从而降低了叠加区211的高度。使得色阻层21的表面平坦，有利于后续PI涂布制程中PI液的均匀扩散，提升产品的良率和竞争力。
[0064]请参阅图13，图13是本发明COA基板实施例的结构示意图。
[0065]本发明还提供了一种COA基板，该COA基板包括阵列基板31、彩色滤光膜32和透明电极33等，其中，彩色滤光膜32为上述任一实施例的彩色滤光膜32。
[0066]综上所述，本发明能有效降低ODF对组后因色阻残留气体释放导致的液晶气泡的产生，无需增加额外的费用，也不用牺牲开口率。
[0067]以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种COA工艺中彩色滤光膜的形成方法，其特征在于，包括以下步骤: 采用多种色阻在阵列基板上形成色阻层，相邻的两种色阻之间存在凸起的叠加区； 在所述色阻层上形成钝化层； 在所述钝化层上形成光阻层； 将所述叠加区所对应的所述光阻层去除； 将所述叠加区所对应的所述钝化层去除，以使所述叠加区的色阻显露出来。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述叠加区所对应的所述钝化层去除，以使所述叠加区的色阻显露出来的步骤之后，还包括: 将所述叠加区凸起的色阻去除，以降低所述叠加区凸起的高度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述叠加区的色阻去除，以降低所述叠加区凸起的高度的步骤中，采用干式蚀刻的方式将所述叠加区凸起的色阻去除。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述叠加区所对应的钝化层去除，以使所述叠加区的色阻显露出来的步骤中，采用蚀刻的方式将所述叠加区对应的钝化层去除。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述叠加区所对应的光阻层去除的步骤中，采用氧等离子体烧光阻的方式将所述叠加区所对应的所述光阻层去除。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述钝化层上形成光阻层的步骤中，所述光阻层的高度为1-4μηι。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述叠加区所对应的所述光阻层去除之后，其余区域的所述光阻层的高度大于Ιμπι。8.一种COA工艺中形成的彩色滤光膜，其特征在于，包括色阻层和钝化层； 所述色阻层形成在阵列基板之上，所述色阻层由多种颜色的色阻形成，相邻的两种色阻之间存在叠加区； 所述钝化层上、所述叠加区所对应的位置处的钝化层被去除以使所述色阻层显露出来。9.根据权利要求8所述的彩色滤光膜，其特征在于，所述色阻层上叠加区的高度与未叠加的区域的高度一致。10.—种COA基板，其特征在于，包括权利要求8或9所述的彩色滤光膜。
【文档编号】G02F1/1335GK106054473SQ201610361975
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年5月27日
【发明人】洪日, 谢克成
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司