等离子体显示器及其制造方法

专利名称：等离子体显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及显示装置，尤其涉及等离子体显示器及其制造方法。
相关技术描述参考图40，传统等离子体装置包括彼此相对设置的两个玻璃基片1和2(下文称为前基片1和后基片2)。在前基片1的内表面上形成多个电极4，形成覆盖电极4的包括例如MgO化合物制成的保护层的介电层3。此外，在后基片2的内表面上形成多个电极6。电极6与形成在前基片1上的电极4垂直设置。为了形成作为完成气体放电的空间的放电单元7，在后基片2上形成多个阻挡肋8。即，在每个电极6的两边平行形成阻挡肋8。覆盖电极6、在每个放电单元7中的阻挡肋8表面上形成具有高反射性的介电层5。而且，在每个放电单元7中的介电层5上形成R(红)、G(绿)、B(蓝)荧光层(phosphorlayer)9。
在放电单元7中提供例如Ne或He这样的放电气体的状态下密封按以上构造的基片1和2。电压选择性地提供给与从密封的基片1和2伸出的电极4和6连接的端子，从而在放电单元7中的电极4和6之间产生放电。放电的结果是，在外部显示从荧光层9发射的激发光。
以下给出了如何制造这种等离子体显示器中的后基片2的例子。
首先，通过印刷等构图和形成多个电极6，然后将它们烧结固定在原始玻璃基片上。接着，在形成电极6的原始基片上沉积烧结具有高反射性的介电层5。然后在原始玻璃基片上沉积阻挡肋材料，覆盖电极6和介电层5。接着，在用光致抗蚀剂例如干膜抗蚀剂(DFR)构图之后，例如通过喷砂工艺去除形成光致抗蚀剂处以外的阻挡肋材料。
即，通过喷嘴喷射颗粒直径约20-30μm的玻璃珠或磨料例如碳酸钙，除去未被构图的光致抗蚀剂覆盖的阻挡肋材料的部分。因此，光致抗蚀剂图案下的格子壁材料被剩下，形成阻挡肋8。尽管介电层5的部分在喷砂处理期间被暴露出来，但由于介电层5通过烧结被硬化使得它作得比阻挡肋材料硬，因此通过喷砂处理进行的清除在介电层5的表面停止。接着，进行烧结，完成阻挡肋8的制造，从而形成放电单元7。
在以上处理之后，用丝网印刷工艺在被阻挡肋8分隔的每个放电单元7中形成荧光象素。丝网印刷工艺是这样一种工艺，其利用通过设置丝网完成的印刷技术，与荧光材料混合的膏提供于放电单元7中，然后干燥。
阻挡肋是这样一种材料，它使用作粘合剂的有机材料的量尽可能最少，以便在干燥后保持阻挡肋8的形状，使得容易通过喷砂处理进行清除。由于按如上所述烧结介电层5，因此难以通过喷砂处理清除介电层5。但是，在烧结期间通过对玻璃加热(在这种情况下使原始的玻璃基片加热)，玻璃经历了变形(例如收缩)。因此，最好降低烧结温度或者减少烧结操作数来避免这种变形。
由Hiroyuki等申请的名为“等离子体显示板的制造”的日本公开专利No.8-212918公开了一种方法，其中，直接腐蚀另一个玻璃基片以形成阻挡肋。用这种方法，不需象上述方法那样执行烧结处理来形成阻挡肋。从而避免了玻璃变形问题。
用这种方法，在形成每个格子壁之后，用传统的丝网印刷工艺形成设置在阻挡肋之间的电极和介电层。但是，由于阻挡肋的高度为150μm(微米)或更大，因此它变成了向阻挡肋的底部和阻挡肋之间提供材料的一种复杂工艺，从而使丝网印刷工艺的应用很困难。
发明概述因此，本发明的目的是提供一种等离子体显示器及其制造方法，其中不需要形成阻挡肋的烧结工艺，可以用丝网印刷工艺来形成电极和介电层。
另一个目的是提供一种在制造等离子体显示器过程中步骤较少的等离子体显示器。
再一个目的是提供一种更容易制造、制造成本更低但仍保持或超过一般等离子体显示器质量的等离子体显示器。
再一个目的是提供一种等离子体显示器的制造方法，该方法不需要向主阻挡肋之间的最内部部分提供用于电极和介电层的材料。
为了实现以上以及其它目的，本发明提供了一种等离子体显示器及其制造方法。等离子体显示器包括彼此相对设置的第一和第二基片；在面对第二基片的第一基片表面上形成的多个第一电极；覆盖第一电极形成的第一介电层；在面对第一基片的第二基片表面上形成的多个主阻挡肋，主阻挡肋定义了多个放电单元；在主阻挡肋之间的第二基片上形成的多个电极阻挡肋；在放电单元内形成的荧光层；以及设置在放电单元中的放电气体，其中主阻挡肋一体地形成于第二基片，并且按顺序在每个电极阻挡肋的末端上形成第二电极和第二介电层。
根据本发明的特征，在每个主格子壁的末端上形成第三介电层，第三介电层的上表面的高度和第二介电层的上表面的高度基本相同。
根据本发明的另一个特征，在每个主格子壁的末端上形成第三介电层，第三介电层的上表面的高度高于第二介电层的上表面的高度。
根据本发明的另一个特征，其中第二电极之一形成在主阻挡肋和电极阻挡肋中每个阻挡肋的末端。
根据本发明的另一个特征，其中第二电极之一形成在每个电极阻挡肋的末端。
根据本发明的另一个特征，电极阻挡肋与第二基片整体形成。
根据本发明的另一个特征，将每个放电单元分成多个其中形成了相同荧光层的隔离的放电单元。
根据本发明的另一个特征，每个放电单元被分成两个隔离的放电单元。
根据本发明的另一个特征，隔离的放电单元具有凹表面，每个隔离的放电单元的宽度和深度作成与通过特殊的隔离的放电单元显示的颜色相对应。
根据本发明的另一个特征，显示蓝色的隔离的放电单元比显示绿色的隔离的放电单元的宽度大，显示绿色的隔离的放电单元的比显示红色的隔离的放电单元的宽度大。
该方法包括以下过程在等离子体显示基片上整体形成多个主阻挡肋，主阻挡肋定义了多个放电单元；在主阻挡肋之间形成电极阻挡肋；在每个电极阻挡肋的末端上形成电极；以及在每个电极上形成介电层。
根据本发明的另一个特征，主阻挡肋和电极阻挡肋同时形成。
根据本发明的另一个特征，主阻挡肋、电极阻挡肋和电极同时形成。
根据本发明的另一个特征，主阻挡肋、电极阻挡肋、电极和介电层同时形成。


结合附图参考以下的详细说明可以更好地理解本发明的优点，附图中，相同的参考符号表示相同或相似的部件，其中图1是根据本发明第一优选实施例的等离子体显示器的局部分解透视图；图2是图1的等离子体显示器的截面图，其中等离子体显示器被装配，视图是从图1中箭头A方向看的；图3是沿图2中线B-B剖开的截面图；图4-6、8、9是描述根据本发明第一优选实施例的等离子体显示器制造过程的截面图；图7是图6中区域C的放大截面图；图10-12是描述根据本发明第二优选实施例的等离子体显示器制造过程的截面图；图13-15是描述根据本发明第三优选实施例的等离子体显示器制造过程的截面图；图16和17是描述根据本发明第四优选实施例的等离子体显示器制造过程的截面图；图18-20是描述根据本发明第五优选实施例的等离子体显示器制造过程的截面图；图21-23是描述根据本发明第六优选实施例的等离子体显示器制造过程的截面图；图24是描述根据本发明第七优选实施例的等离子体显示器的局部分解透视图；图25是图24的等离子体显示器的截面图，其中等离子体显示器被装配，视图是从图24中箭头D方向看的；
图26是沿图25中线E-E剖开的截面图；图27-30、32-35是描述根据本发明第七优选实施例的等离子体显示器制造过程的截面图；图31是图30的区域F的放大截面图；图36是根据本发明第八优选实施例的等离子体显示器的局部分解透视图；图37是图36的等离子体显示器的截面图，其中等离子体显示器被装配，视图是从图36中箭头G方向看的；图38是沿图37中线H-H剖开的截面图；图39是描述隔离的放电单元的宽度和长度之间的关系以及荧光层区域的截面图；以及图40是传统等离子体显示器的局部分解透视图。
优选实施例的详细描述图1是根据本发明优选实施例的等离子体显示器的局部分解透视图，图2是图1等离子体显示器的截面图，其中等离子体显示器被装配，视图是从图1中箭头A方向看的；图3是沿图2中线B-B剖开的截面图，图4-9是从图1中箭头A方向看的视图，用于描述图1的等离子体显示器的制造过程。
参考图1-3，根据本发明第一优选实施例的等离子体显示器包括彼此相对设置的两个玻璃基片11和12，(下文称为第一基片11和第二基片12)。在第一基片11的内表面上形成多个第一电极14，形成覆盖第一电极14的包括例如MgO的化合物制成的保护层13a的第一介电层13。
至于第二基片12，从与第一基片11相对的第二基片12的表面伸出多个主阻挡肋15，其在第二基片12上一体形成。通过主阻挡肋15的形成定义多个放电单元16，在主阻挡肋15之间并且以与主阻挡肋15相同的方式形成多个电极阻挡肋17。固定在每个电极阻挡肋17的末端上的是第二电极18和第二介电层19，第二电极18和第三介电层19′可以设置在每个主阻挡肋15的末端。
用上述结构，主阻挡肋15、放电单元16、电极阻挡肋17、第二电极18和第二以及第三介电层19和19′都形成在同一个方向上，即平行形成。第一基片11的第一电极14与第二基片12的元件垂直形成。此外，在以对主阻挡肋15之间基本上中心的位置上设置电极阻挡肋17(即，放电单元6的宽度的中心)。分别形成在电极阻挡肋17和主阻挡肋15上的介电层19和19′覆盖形成在阻挡肋17和15末端上的第二电极18。
在本发明的优选实施例中，在基本相同的高度上形成主阻挡肋15和电极阻挡肋17，每个形成在主阻挡肋15上的第二电极18的厚度作得与在电极阻挡肋17上形成的每个第二电极18基本相同，主阻挡肋15上形成的每个第三介电层19′的厚度作得与电极阻挡肋17上形成的每个第二介电层19基本相同。因此，第三介电层19′的上表面的高度与第二介电层19的上表面的高度基本相同。
在各个第二电极18之中，形成在电极阻挡肋17上的第二电极18实现了与形成在第一基片11上的第一电极14的电连接，目的是在第二电极18和第一电极14之间的区域中实现放电。另一方面，形成在主阻挡肋15上的第二电极18用于确保主阻挡肋15的第三介电层19′的高度基本与电极阻挡肋17的第二介电层19的高度相同，使得当将第二基片12装配到第一基片11上时，在主阻挡肋15的上端部和第一基片11的第一介电层13的保护层3a之间不形成间隙。
每个电极格子壁17将主阻挡肋15之间形成的每个放电单元16分成多个隔离的放电单元。在本发明中，每个放电单元16被等分成两个隔离的放电单元16A和16B。放电单元16A和16B被用作在其中完成气体放电的空间。在隔离的放电单元16A和16B的底部表面上形成R、G、B(红、绿、蓝)荧光层20。
在一个放电单元16中形成红、绿或蓝荧光层20。但是，由于在主阻挡肋15之间形成了电极阻挡肋17，因此在每对隔离的放电单元16A和16B中形成的荧光层20具有相同颜色。
以一个放置在另一个顶部之上的方式设置上述结构的第一基片11和第二基片12之后，在放电单元16中提供放电气体例如Ne或He这样的状态下密封第一基片11和第二基片12。电压被选择性地提供给从密封的基片1 1和12伸出的第一电极14和第二电极18连接的端子，从而在放电单元16中第一电极14和第二电极18之间产生放电。放电的结果是，在外部显示从放电单元16(即隔离的放电单元16A和16B)中荧光层20发射的激发光。
但是，由于仅形成在电极阻挡肋17上的第二电极18实现了与第一基片11的第一电极14的电连接以便实现上述放电，因此主阻挡肋15的第二电极18为不电连接以及充当浮动(float)电极，或者可以使它们接地以便它们不影响放电操作。
下面概略描述制造上述结构的等离子体显示器的第二基片12。即，第二基片12的制造包括主格子壁形成过程，其中切割原始玻璃基片并且与被切割的玻璃整体形成主阻挡肋15；电极格子壁形成过程，其中与主阻挡肋15之间的原始玻璃基片整体形成电极阻挡肋17；电极形成过程，其中在主阻挡肋15和电极阻挡肋17的末端上形成第二电极18；介电层形成过程，其中分别在形成于主阻挡肋15和电极阻挡肋17上的第二电极18上形成第二介电层19和第三介电层19′；以及荧光层形成过程，其中在每个放电单元16即每个隔离的放电单元16A和16B中形成荧光层20。
主格子壁形成过程和电极格子壁形成过程同时完成。因此，下文将这两个过程简称为格子壁形成过程。
下面更详细地描述每个第二基片12的制造过程。首先，在格子壁形成过程中，在清洗然后干燥原始玻璃基片之后，将作为防喷砂的片型光致抗蚀剂例如干膜抗蚀剂(dry film resist，DFR)施加到原始玻璃基片的上表面(该过程的结果未示出)。
接着，参考图4，用掩模曝光并显影光致抗蚀剂，使得以对应于主阻挡肋15和电极阻挡肋17的位置和上表面形状的预定图案形成光致抗蚀剂12P。参考数字12A表示原始玻璃基片。
随后，参考图5，利用喷砂工艺(sand blast process)除去未形成原始玻璃基片12A的光致抗蚀剂12P的区域至预定深度和形状，从而形成主阻挡肋15和电极阻挡肋17。图中，在此喷砂工艺之后剥离光致抗蚀剂12P。
结果，在主阻挡肋15和电极阻挡肋17之间形成隔离的放电单元16A和16B。即，在主阻挡肋15之间形成的每个放电单元16由于电极阻挡肋17的形成而被分割，对每个电极阻挡肋17形成一对隔离的放电单元16A和16B。
至于喷砂工艺，由于碳酸钙或玻璃珠这样的材料对由钠长石玻璃(Sodalime glass)这样的材料制成的原始玻璃基片12A不提供充分的切割强度，因此有可能不能实现期望的想除去的原始玻璃基片12A的部分。因此，最好将硅碳刚石粉末或氧化铝这样的坚硬材料用作喷砂工艺。
在这种情况下，最好根据其对原始玻璃基片12A的粘合强度和对抗喷砂性来选择DFR(干膜抗蚀剂)(例如，Tokyo Ohka Kogyo有限公司生产的BF403)。
此外，在格子壁形成过程中，已经描述了用喷砂工艺在原始玻璃基片12A中整体形成主阻挡肋15和17的工艺。但是，本发明不限于这种格子壁形成方法，可以利用其它工艺例如化学腐蚀工艺形成阻挡肋。
接着，顺序完成电极形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程。更详细地说，在电极形成过程中，用丝网印刷工艺在主阻挡肋15和电极阻挡肋17的末端上沉积银膏(例如Namics公司生产的XFP-5369-50L)。此时，能仅将银膏沉积在主阻挡肋15和电极阻挡肋17的上表面上，或者沉积银膏使得它在主阻挡肋15和电极阻挡肋17上表面两侧下方沉积预定距离。
随后，上面施加了银膏的原始玻璃基片12A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约550℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，使得如图6所示完成第二电极18的形成。如上所述，在主阻挡肋15上形成第二电极18，使得主阻挡肋15的高度与电极阻挡肋17的高度相同，即，使得如图7所示不形成与第一基片11的第一介电层13的间隙(g)。因此，形成在主阻挡肋15上的第二电极18充当浮动电极，因为不与这些第二电极18形成电连接。或者，可以使主阻挡肋15上形成的第二电极18接地，以确保第二电极18不影响气体放电过程。第二电极18的厚度最好约5μm。
下面，在介电层形成过程中，沉积介电胶(例如Sumitomo Metal MiningCo.Ltd.生产的GLP-86087)以利用丝网印刷工艺覆盖第二电极18。此时，能仅沉积介电胶，使得第二电极18的上表面被覆盖，或者沉积介电胶，使得它也可以在第二电极18上表面两侧向下沉积预定距离，或者沉积介电胶，使得它继续在主阻挡肋15和电极阻挡肋17两侧下方预定距离。
随后，上面施加了介电胶的原始玻璃基片12A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约550℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，使得如图8所示完成第二介电层19和第三介电层19′的形成。第二介电层19和第三介电层19′的厚度最好约为10μm。
下面，在荧光层形成过程中，参考图1，将三种类型的荧光胶(红、绿和蓝荧光胶)选择性地印刷在每个放电单元16的最内部分上，即每个被分隔的放电单元16A和16B的最内部分。此时，沉积荧光胶，使得在由其中一个电极阻挡肋17分割的隔离的放电单元16A和16B对中提供相同颜色的荧光胶。
作为用于制造荧光膏的荧光粉体，将绿荧光材料(例如Kasei Optonix公司生产的PlGl)、红荧光材料(例如同一公司生产的KX504A)和蓝荧光材料(例如同一公司生产的KX501A)以适当量混合至丝网印刷工具(例如Okuno化学工业有限公司生产的丝网印刷工具(screen-printing vehicle))。用丝网印刷工艺以一定图案形成荧光胶。随后，上面施加了荧光胶的原始玻璃基片12A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约450℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，使得如图9所示完成荧光层20的形成。
在上述过程之后，将如上所述制造的第二基片12与完成的第一基片11紧密接触，在第一基片11和第二基片12交接处并且在放电单元16中提供放电气体例如Ne或He的状态下用密封剂玻璃(未示出)密封第一基片11和第二基片12。与第一电极14和第二电极18的端子(未示出)实现连接，以允许向那里施加电压。因此，完成了等离子体显示器。
在根据第一优选实施例的等离子体显示器中，对于第二基片12，与原始玻璃基片12A整体形成每个主阻挡肋15，在每个主阻挡肋15之间与原始玻璃基片12A整体形成电极阻挡肋17，在电极阻挡肋17的上端部上形成第二电极18和第二介电层19。
此外，第二基片12的制造过程包括格子壁形成过程，其中与原始玻璃基片12A整体形成主阻挡肋15；电极格子壁形成过程，其中在主阻挡肋15之间与原始玻璃基片12A整体形成电极阻挡肋17；电极形成过程，其中在电极阻挡肋17的末端上形成第二电极18；介电层形成过程，其中在第二电极18的上表面上形成第二介电层19。
因此，在根据本发明的等离子体显示器及其制造方法中，由于通过切割原始玻璃基片12A与原始玻璃基片12A整体形成主阻挡肋15和电极阻挡肋17，因此不需要象现有技术那样烧结以硬化主阻挡肋15和电极阻挡肋17。即，不需要象现有技术方法中那样进行硬化，现有方法是通过沉积格子壁材料而不是选择性地除去该材料来形成阻挡肋。
而且，不象现有技术那样在主阻挡肋15和电极阻挡肋17之间的最内部分处形成本发明第一优选实施例的第二电极18和第二介电层19，而是在电极阻挡肋17的最上端部处形成。结果，当用丝网印刷工艺形成第二电极18和第二介电层19时，不要求象现有技术中那样象主阻挡肋15之间的最内部分提供用于这些元件的材料的困难工艺。
因此，在本发明的第一优选实施例中，在主阻挡肋15的形成过程中不需要烧结过程，此外，可以在第二电极18和第二介电层19的形成过程中应用丝网印刷工艺。
此外，关于根据本发明第一优选实施例的等离子体显示器中的第二基片12，通过在主阻挡肋15和电极阻挡肋17上形成相同厚度的第二电极18，分别在电极阻挡肋17和主阻挡肋15的第二电极18上形成相同厚度的第二介电层19和第三介电层19′，主阻挡肋15的介电层19′的最上表面与电极阻挡肋17的第二介电层19的最上表面的高度相同。根据这种结构，当将第一基片11装配到第二基片12上时不形成间隙，使得完全密封放电单元16和隔离的放电单元16A和16B。
在根据本发明第一优选实施例的等离子体显示器的制造方法中，主格子壁形成过程和电极格子壁形成过程同时完成。通过同时形成以及利用这些过程形成两种类型的阻挡肋15和17，减少了加工的整个步数，从而使制造成本最小。此外，这使主阻挡肋15的高度容易精确地制成与电极阻挡肋17的高度相同。
在根据本发明的第一优选实施例的制造方法中，尽管以格子壁形成过程、电极形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程的顺序完成了这些过程，但本发明不限于这种过程顺序。可以在电极形成过程之后完成介电层形成过程，在格子壁形成过程之后完成荧光层形成过程。
下面描述根据本发明第二、第三和第四优选实施例的制造方法。
下面参考图10-12描述本发明的第二优选实施例。
在根据本发明的第一优选实施例的制造方法中，以格子壁形成过程、电极形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程的顺序完成第二基片12的制造过程。但是，在本发明的第二优选实施例中，以电极形成过程、格子壁形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程的顺序完成第二基片12的制造过程。
在本发明的第二优选实施例中，介电层形成过程、荧光层形成过程以及在制造第二基片12之后完成等离子体显示器的过程与本发明第一优选实施例相同，因此不再赘述。另外，对于和第一优选实施例中那些相同的元件，使用相同的参考标号，其具体说明从略。
首先，在电极形成过程中，在清洗然后干燥原始玻璃基片12A之后，在对应于形成主阻挡肋15和电极阻挡肋17的位置上沉积银膏，覆盖对应于这些元件最上表面的区域(即，对应于第二电极18的位置和形状)。接着，上面施加有银膏的原始玻璃基片12A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约550℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，如图10所示完成对应于阻挡肋15和17的位置和形状的第二电极18的形成。
接着，在格子壁形成过程中，抗喷砂的片型光致抗蚀剂例如DFR被施加到上面形成第二电极18的原始玻璃基片12A的上表面上。然后用掩模使光致抗蚀剂曝光和显影，使得如图11所示以预定图案形成光致抗蚀剂12P，其中预定图案对应于主阻挡肋15和电极阻挡肋17的位置和形状，即对应于第二电极18的位置和形状。
随后，参考图12，利用喷砂工艺除去未形成原始玻璃基片12A的光致抗蚀剂12P的区域至预定深度和形状，从而出现主阻挡肋15和电极阻挡肋17。图中，在该工艺后将光致抗蚀剂12P剥离。
结果，在主阻挡肋15和电极阻挡肋17之间形成隔离的放电单元16A和16B。即，由于电极阻挡肋17的形成将主阻挡肋15之间形成的每个放电单元16分开，为每个电极格子壁17形成一对隔离的放电单元16A和16B。
接着，象第一优选实施例那样形成第二介电层19、第三介电层19′以及荧光层20，完成第二基片12的制造，此后，象本发明第一优选实施例那样完成制造等离子体显示器的其它过程。
因此，在本发明的第二优选实施例中，可以以电极形成过程、格子壁形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程的顺序完成第二基片12的制造过程，从而制造与本发明第一优选实施例相同的等离子体显示器。此外，通过根据本发明第一优选实施例的制造过程获得的相同的优点可以通过根据本发明的第二优选实施例的制造过程获得。
更具体地，根据本发明的第二优选实施例的制造过程，不需要象现有技术那样进行烧结以硬化阻挡肋15和17。即，不需要象现有技术方法那样进行硬化，其中通过沉积格子壁材料然后选择性地除去该材料来形成阻挡肋。此外，在第二电极18和第二介电层19以及第三介电层19′的形成过程中应用丝网印刷工艺。
下面参考图13-15描述本发明的第三优选实施例。
根据本发明的第三优选实施例的制造方法几乎与本发明的第二优选实施例相同。但是，在第三优选实施例中，在通过喷砂选择性地除去原始玻璃基片12A之后的烧结银膏和除去光致抗蚀剂12P的过程是在一个过程中完成的。
在本发明的第三优选实施例中，介电层形成过程、荧光层形成过程和第二基片12制造后完成等离子体显示器的过程与本发明的第一优选实施例相同，因此不再赘述。此外，对于与第一优选实施例相同的部分使用相同的参考数字，因此也不再提供这些元件的描述。
首先，在电极形成过程中，在清洗然后干燥原始玻璃基片12A之后，在对应于将形成主阻挡肋15和电极阻挡肋17的位置上沉积银膏18A，如图13所示覆盖对应于这些元件的最上形状的区域(即对应于第二电极18的位置和形状)。接着，将上面施加了银膏18A的原始玻璃基片12A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟。不进行银膏18A的烧结。
接着，在格子壁形成过程中，防喷砂的光致抗蚀剂被施加到上面沉积了银膏18A的原始玻璃基片12A的上表面，然后用掩模使光致抗蚀剂曝光和显影，从而如图14所示以预定图案形成光致抗蚀剂12P，其中预定图案对应于主阻挡肋15和电极阻挡肋17的位置和形状，即对应于银膏18A的位置和形状。随后，利用喷砂工艺除去未形成原始玻璃基片12A的光致抗蚀剂12P的区域至预定厚度和形状，从而形成主阻挡肋15和电极阻挡肋17。
在上述过程之后，同时完成格子壁形成过程的光致抗蚀剂12P的除去和电极形成过程的银膏18A的烧结。即，参考图15，在约550℃(摄氏度)的温度下烧结银膏18A约10分钟，形成第二电极18，同时，除去光致抗蚀剂12P。
结果，在主阻挡肋15和电极阻挡肋17之间形成隔离的放电单元16A和16B。即，由于电极阻挡肋17的形成将在主阻挡肋15之间形成的每个放电单元16分开，对于每个电极格子壁17形成一对隔离的放电单元16A和16B。接着，如本发明第一优选实施例那样形成第二介电层19和第三介电层19′以及荧光层20，完成第二基片12的制造，此后，与本发明第一优选实施例相同完成制造等离子体显示器的剩下的过程。
通过本发明第一和第二优选实施例获得的同样的优点也可以通过本发明第三优选实施例的制造方法来获得。更具体地说，根据本发明的第三优选实施例的制造工艺，不需要象现有技术那样执行烧结以硬化阻挡肋15和17。即，不需要象现有技术方法那样执行硬化，其中通过沉积格子壁材料然后选择性地除去该材料来形成阻挡肋。此外，可以在第二电极18和第二介电层19及第三介电层19′的形成过程中应用丝网印刷工艺。
此外，由于烧结银膏18A和除去光致抗蚀剂12P是在同一个过程中完成的，制造过程与本发明第一和第二优选实施例的制造过程相比更简单。
参考图16和17描述根据本发明第四优选实施例的等离子体显示器的制造方法。
在电极形成过程、格子壁形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程顺序中，就第二基片12的制造而言，根据本发明的第四优选实施例的制造方法与本发明第二和第三优选实施例的制造方法相同。但是，在第四优选实施例中，当对原始玻璃基片12A进行喷砂处理以选择性除去预定部分时，用第二电极18作为掩模，使得在对应于阻挡肋15和17的图案中不形成光致抗蚀剂12P。
此外，在本发明的第四优选实施例中，介电层形成过程、荧光层形成过程以及制造第二基片12之后完成等离子体显示器的过程与本发明第一优选实施例中的过程相同，因此不再赘述。此外，与第一优选实施例中相同的部分用相同的参考数字表示，因此不再详细描述这些部分。
首先，在电极形成过程中，在清洗然后干燥原始玻璃基片12A之后，在对应于将形成主阻挡肋15和电极阻挡肋17的位置上沉积银膏，在这些部分(即对应于第二电极18的位置和形状)的最初形状的区域上沉积银膏。接着，对上面施加了银膏的原始玻璃基片12A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约550℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，使得如图16所示对应于阻挡肋15和17的位置和形状完成第二电极18的形成。
在第四优选实施例中，由于当选择性地除去原始玻璃基片12A的部分时用第二电极18作为掩模，形成第二电极18使得它们抗喷砂。即，烧结之后，用抗喷砂的银膏形成第二电极18。
此外，在第四实施例中，由于当通过喷砂工艺选择性地除去原始玻璃基片12A的部分时用第二电极18作为掩模，因此在未形成第二电极18的区域中不形成阻挡肋。因此，需要形成第二电极18，使得第二电极18的数量对应于主阻挡肋15和电极阻挡肋17的期望的数量。
接着，在格子壁形成工艺中，用第二电极18作为掩模，利用喷砂工艺除去未形成第二电极18的区域至预定深度和形状，使得如图17所示形成主阻挡肋15和电极阻挡肋17。结果，在主阻挡肋15和电极阻挡肋17之间形成隔离的放电单元16A和16B。即，由于电极阻挡肋17的形成而分割形成在主阻挡肋15之间的每个放电单元16，为每个电极格子壁17形成一对隔离的放电单元16A和16B。
接着，如本发明第一优选实施例那样形成第二介电层19和第三介电层19′以及荧光层20，完成第二基片12的制造，此后，与本发明的第一优选实施例一样完成制造等离子体显示器的剩下的过程。
在第四优选实施例中，尽管烧结银膏的过程是在除去原始玻璃基片12A的选择的部分之前进行的，但本发明不限于这种过程的顺序，可以在对原始玻璃基片12A喷砂之后进行银膏的烧结。在这种情况下，当对原始玻璃基片12A进行喷砂时，抗喷砂的银膏被用作掩模。抗喷砂的银膏的例子包括粉末、玻璃粉和树脂材料。
通过本发明第一、第二和第三优选实施例获得的优点同样可以通过本发明的第四优选实施例的制造方法获得。具体地说，根据本发明的第四优选实施例的制造方法，不需要象现有技术那样执行烧结以硬化阻挡肋15和17，即，不需要象传统方法一样执行硬化，现有方法通过沉积格子壁材料然后选择性地除去该材料来形成阻挡肋。此外，在第二电极18和第二介电层19以及19′的形成过程中可以应用丝网印刷工艺。
此外，由于不需要光致抗蚀剂的沉积、曝光和显影，与本发明的第一、第二和第三优选实施例的制造过程相比更简单、成本更低廉。
在根据本发明的第一至第四优选实施例的制造方法中，尽管格子壁形成过程、电极形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程是作为单独的工序进行的，但本发明不限于这种方法，而是可以同时完成多个过程。这在以下根据第五和第六优选实施例的制造方法中加以描述。
参考图18、19和20描述根据本发明第五优选实施例的等离子体显示器的制造方法。在本发明的第五优选实施例中，同时完成格子壁形成过程和电极形成过程。
在本发明的第五优选实施例中，介电层形成过程、荧光层形成过程以及制造第二基片12之后完成等离子体显示器的过程与本发明的第一优选实施例相同，因此不再赘述。此外，与第一优选实施例中相同的部分用相同的参考数字表示，这些部分的说明从略。
首先，在清洗然后干燥原始玻璃基片12A之后，在原始玻璃基片12A的整个上表面上(图中)沉积银膏。接着，上面施加有银膏的原始玻璃基片12A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约550℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，使得如图18所示的原始玻璃基片12A的整个表面上形成电极材料18B。
随后，抗喷砂的片型光致抗蚀剂例如DFR被施加到上面施加了电极材料18B的原始玻璃基片12A的上表面上。用掩模曝光并显影光致抗蚀剂，使得如图18所示以预定图案形成光致抗蚀剂12P，其中预定图案对应于阻挡肋15和电极阻挡肋17的位置和形状。
接着，用喷砂工艺除去未形成原始玻璃基片12A的光致抗蚀剂12P的区域至预定深度和形状，使得在单个过程中形成主阻挡肋15、电极阻挡肋17和第二电极18，从而获得如图19所示的构造。图中，在该过程之后剥离光致抗蚀剂12P。结果，在主阻挡肋15和电极阻挡肋17之间形成隔离的放电单元16A和16B。即，由于电极阻挡肋17的形成而分割形成在主阻挡肋15之间的每个放电单元16，从而为每个电极格子壁17形成一对隔离的放电单元16A和16B。
接着，如本发明第一优选实施例那样形成第二介电层19和第三介电层19′以及荧光层20，完成第二基片12的制造，此后，与本发明的第一优选实施例一样完成制造等离子体显示器的剩下的过程。
通过本发明第一至第四优选实施例获得的优点同样可以通过本发明的第五优选实施例的制造方法获得。具体地说，根据本发明的第五优选实施例的制造过程，不需要象现有技术那样执行烧结以硬化阻挡肋15和17。即，不需要象现有技术方法那样执行硬化，现有方法通过沉积格子壁材料然后选择性地除去该材料来形成阻挡肋。此外，在第二电极18和第二介电层19和19′的形成过程中可以应用丝网印刷工艺。
此外，由于格子壁形成过程和电极形成过程是作为一个过程完成的，因此与本发明的第一至第四优选实施例的制造过程相比，本发明第五优选实施例的制造过程更简单、成本更低廉。
下面参考图21-23描述根据本发明第六优选实施例的等离子体显示器的制造方法。
在本发明的第五优选实施例中，格子壁形成过程和电极形成过程同时完成。在本发明的第六优选实施例中，格子壁形成过程、电极形成过程和介电层形成过程作为一个过程完成。
在本发明的第六优选实施例中，荧光层形成过程以及制造第二基片12之后完成等离子体显示器的过程与本发明的第一优选实施例相同，因此不再赘述。此外，与第一优选实施例中相同的部分用相同的参考数字表示，这些部分的说明从略。
首先，在清洗然后干燥原始玻璃基片12A之后，在原始玻璃基片12A的整个上表面上(图中)淀积银膏。接着，上面施加有银膏的原始玻璃基片12A与第五优选实施例一样干燥并烧结，使得如图20所示的原始玻璃基片12A的整个表面上形成电极材料18B。随后，介电材料胶淀积在上面形成了电极材料18B的原始玻璃基片12A的整个表面上。接着，上面施加有银膏的原始玻璃基片12A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约550℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，使得如图21所示在电极材料18B上形成介电材料层19A。
或者，在形成电极膏后不进行干燥和烧结，而是将介电材料膏施加在电极膏的顶上，之后将电极膏和介电材料膏同时干燥和烧结以如图21所示在电极材料18B上形成介电材料层19A。
接着，抗喷砂的片型光致抗蚀剂例如DFR被施加到上面施加了电极材料层18B和介电材料层19A的原始玻璃基片12A的上表面上。然后用掩模使光致抗蚀剂曝光和显影，使得如图22所示以预定图案形成光致抗蚀剂12P，其中预定图案对应于主阻挡肋15和电极阻挡肋17的位置和形状。
接着，用喷砂工艺除去未形成原始玻璃基片12A的光致抗蚀剂12P的区域至预定深度和形状，使得在单个过程中形成主阻挡肋15、电极阻挡肋17、第二电极18和第二与第三介电层19和19′，从而产生如图23所示的构造。图中，在该过程之后剥离光致抗蚀剂12P。结果，在主阻挡肋15和电极阻挡肋17之间形成隔离的放电单元16A和16B。即，由于电极阻挡肋17的形成而分割形成在主阻挡肋15之间的每个放电单元16，从而为每个电极格子壁17形成一对隔离的放电单元16A和16B。
接着，如本发明第一优选实施例那样形成荧光层20，完成第二基片12的制造，此后，与本发明的第一优选实施例一样完成制造等离子体显示器的剩下的过程。
通过本发明第一至第五优选实施例获得的优点同样可以通过本发明的第六优选实施例的制造方法获得。具体地说，根据本发明的第六优选实施例的制造过程，不需要象现有技术那样执行烧结以硬化阻挡肋15和17。即，不需要象现有技术方法那样执行硬化，其中通过淀积格子壁材料然后选择性地除去该材料来形成阻挡肋。此外，在第二电极18和第二介电层19和19′的形成过程中可以应用丝网印刷工艺。
此外，由于格子壁形成过程、电极形成过程和介电材料形成过程是作为一个过程完成的，因此与本发明的第一至第六优选实施例的制造过程相比，本发明第六优选实施例的制造过程更简单、成本更低廉。
下面描述根据本发明第七优选实施例的等离子体显示器及其制造方法。
图24是根据本发明第七优选实施例的等离子体显示器的局部分解透视图，图25是图24的等离子体显示器的截面图，其显示等离子体显示器被装配状态，视图是从图24中箭头D方向看的，图26是沿图25中线E-E剖开的截面图，图27-35是描述图24的等离子体显示器制造过程的沿着图24的箭头D方向表示的视图。
根据本发明的第七优选实施例的等离子体显示器与根据本发明的第一优选实施例的等离子体显示器相比，两个实施例的第一基片结构相同，而两个实施例的第二基片结构不同。因此，参考序号11用于下面的描述中的第一基片，而参考序号32用于第二基片。
参考图24到26，根据本发明的第七优选实施例的等离子体显示器包括相对设置的玻璃制作的第一和第二基片11和32。在第一基片11的内表面上形成多个第一电极14，形成覆盖第一电极14的包括例如MgO的化合物制成的保护层13a的第一介电层13。
对于第二基片32，在与第一基片11相对的表面伸出的第二基片32上整体形成多个主阻挡肋35。通过主阻挡肋35的形成定义多个放电单元36，在主阻挡肋35之间并且以与主阻挡肋35相同的方式形成多个电极阻挡肋37。形成在每个电极阻挡肋37的末端上的是第二电极38。并且，形成在每个第二电极38上的是第二介电层39，形成在每个主阻挡肋35上的是第三介电层39′。
用上述结构，主阻挡肋35、放电单元36、电极阻挡肋37、第二电极38和第二以及第三介电层39和39′都形成在同一个方向上，即平行形成。第一基片11的第一电极14与第二基片32的元件垂直形成。此外，在以一对主阻挡肋35之间基本上中心的位置上设置电极阻挡肋37(即，放电单元36的宽度的中心)。如上所述，沿着电极阻挡肋37的上端形成第二电极38，并且覆盖第二电极38形成第二介电材料39。沿着主阻挡肋35的上端形成第三介电层39′。
在本发明的第七优选实施例中，在基本相同的高度上形成主阻挡肋35和电极阻挡肋37。即，每个形成在主阻挡肋35上的第三介电层39′的厚度作得与在电极阻挡肋37上形成的一对第二电极38和第二介电层39的组合厚度基本相同，从而导致主阻挡肋35和电极阻挡肋37的高度基本相同。结果，在把第一基片11组装到第二基片32时不形成间隙。
每个电极阻挡肋37把在主阻挡肋35之间形成的每个放电单元36分成多个隔离的放电单元。即，每个放电单元36被等分成两个隔离的放电单元36A和36B。放电单元36A和36B被用作在其中完成气体放电的空间。在隔离的放电单元36A和36B的底部表面上形成R、G、B(红、绿、蓝)荧光层40。
在一个放电单元36中形成红、绿或蓝荧光层40。但是，由于在主阻挡肋35之间形成了电极阻挡肋37，因此在每对隔离的放电单元36A和36B中形成的荧光层40具有相同颜色。
以一个放置在另一个之上的方式设置上述结构的第一基片11和第二基片32之后，在放电单元36中提供放电气体例如Ne或He这样的状态下密封第一基片11和第二基片32。
电压被选择性地提供给与从密封的基片11和32伸出的第一电极14和第二电极38连接的端子，从而在放电单元36中第一电极14和第二电极38之间产生放电。放电的结果是，在外部显示从放电单元36(即隔离的放电单元36A和36B)中荧光层40发射的激发光。
下面概略描述制造上述结构的等离子体显示器的第二基片32。即，第二基片32的制造包括电极形成过程，其中在原始基片玻璃的上表面上形成第二电极38；介电层形成过程，其中分别在形成主阻挡肋35的位置处在电极阻挡肋37上的第二电极38上和原始基片玻璃上形成第二介电层39和第三介电层39′；以及主格子壁形成过程，其中切割原始玻璃基片并且与被切割的玻璃整体形成主阻挡肋35；电极格子壁形成过程，其中通过在主阻挡肋35之间进行切割将原始基片玻璃与电极阻挡肋37整体形成；荧光层形成过程，其中在每个放电单元36即每个隔离的放电单元36A和36B中形成荧光层40。主格子壁形成过程和电极格子壁形成过程同时完成。因此，后面将两个过程简称为格子壁形成过程。
下面更详细地描述每个第二基片32的制造过程。首先，在清洗然后干燥原始玻璃基片之后，通过依次施加Cr、Cu和Cr将电极薄片38A形成在原始基片玻璃32A的上表面上，如图27所示。
接着，参考图28，在电极薄片38A上形成与形成第二电极38的位置对应的图案的抗腐蚀剂32P和相同的上表面形状。此时，构图抗腐蚀剂32P，使得仅在电极阻挡肋37上形成第二电极38。
然后把除了形成抗腐蚀剂32P的区域以外的所有区域中的第二电极38去除，使得形成第二电极38，如图29所示。
接着执行介电层形成过程。在这个过程中，利用丝网印刷工艺覆盖淀积介电胶(例如Sumitomo Metal Mining Co.Ltd.生产的GLP-86087)，以与形成阻挡肋35和37的位置对应并与其上表面对应。此时，形成对主阻挡肋35提供的介电胶，使得该介电胶的厚度超出对于电极阻挡肋37提供的介电胶的厚度，超出量为第二电极38的厚度。由于主阻挡肋35的介电胶的印刷与电极阻挡肋37的介电胶的印刷分开完成，介电胶的厚度可做到适当尺寸。
另外，在第二电极38的厚度很小，使得与第二和第三介电层39和39′的厚度相比可忽略的情况下，不需要对主阻挡肋35和电极阻挡肋37独立执行介电印刷。
随后，上面施加了介电胶的原始玻璃基片32A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约550℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，使得如图30和31所示完成第二介电层39和第三介电层39′的形成。
下面说明格子壁形成过程。首先，抗喷砂的片型光致抗蚀剂例如DFR被施加到原始玻璃基片32A的上表面上(这个过程的结果未示出)。然后用掩模使光致抗蚀剂曝光和显影，使得如图32所示以预定图案形成光致抗蚀剂32Q，其中预定图案对应于主阻挡肋35和电极阻挡肋37的位置和上表面形状。
随后，参考图33，利用喷砂工艺除去未形成原始玻璃基片32A的光致抗蚀剂32Q的区域至预定深度和形状，从而形成主阻挡肋35和电极阻挡肋37。图中，在该工艺后将光致抗蚀剂32Q剥离。结果，在主阻挡肋35和电极阻挡肋37之间形成隔离的放电单元36A和36B。即，由于电极阻挡肋37的形成将主阻挡肋35之间形成的每个放电单元36分开，为每个电极格子壁37形成一对隔离的放电单元36A和36B。
至于喷砂工艺，由于碳酸钙或玻璃珠这样的材料不为由钠长石玻璃这样的材料制成的原始玻璃基片32A提供充分的切割强度，因此不能实现期望的想除去的原始玻璃基片32A的部分。因此，最好将硅碳刚石粉末或者氧化铝这样的坚固材料用作喷砂工艺。
在这种情况下，最好根据其对原始玻璃基片32A的粘合强度和对抗喷砂性来选择DFR。
此外，在格子壁形成过程中，已描述了用喷砂工艺在原始玻璃基片32A中整体形成主阻挡肋35和电极阻挡肋37。但是，本发明不限于这种格子壁形成方法，可以利用其它工艺例如化学腐蚀工艺形成阻挡肋。
接着，在荧光层形成过程中，参考图24，在各个放电单元36的最内侧的部分上，即每个隔离的放电单元16A和16B的最内部分选择地印刷三种类型的荧光胶(红、绿、蓝荧光胶)。此时，淀积荧光胶，使得在由其中一个电极阻挡肋37分割的隔离的放电单元36A和36B对中提供相同颜色的荧光胶。
作为用于制造荧光胶的荧光粉，将绿荧光材料(例如Kasei Optonix，Ltd生产的PlGl)、红荧光材料(例如同一公司生产的KX504A)和蓝荧光材料(例如同一公司生产的KX501A)以适当量混合至丝网印刷工具(例如Okuno化学工业有限公司生产的丝网印刷工具)。用丝网印刷工艺以一定图案形成荧光胶。随后，上面施加了荧光胶的原始玻璃基片32A在约150℃(摄氏度)的温度下干燥约10分钟，然后在约450℃(摄氏度)的温度下烧结约10分钟，使得如图35所示完成荧光层40的形成。
在上述过程之后，将如上所述制造的第二基片32与完成的第一基片11紧密接触，在第一基片11和第二基片32交接处并且在放电单元36中提供放电气体例如Ne或He的状态下用密封剂玻璃(未示出)密封第一基片11和第二基片32。与第一电极14和第二电极38的端子(未示出)实现连接，以允许向那里施加电压。因此，完成了等离子体显示器。
在根据第七优选实施例的等离子体显示器中，至于第二基片32，与原始玻璃基片32A整体形成每个主阻挡肋35，在每个主阻挡肋35之间与原始玻璃基片23A整体形成电极阻挡肋37，在电极阻挡肋37的上端部上形成第二电极38和第二介电层39。
此外，第二基片32的制造过程包括在原始玻璃基片32A的上表面上形成第二电极的电极形成过程；在定位主阻挡肋的区域分别在第二电极38和原始玻璃基片32A上形成第二和第三介电层39的介电层形成过程；格子壁形成过程，其中切割原始玻璃基片32A，以与原始玻璃基片32A整体形成主阻挡肋35，并且其中通过在主阻挡肋35之间进行切割来与原始玻璃基片整体形成电极阻挡肋37；荧光层形成过程，其中在每个放电单元36中形成荧光层40。
因此，在根据本发明的第七优选实施例的等离子体显示器及其制造方法中，由于通过切割原始玻璃基片32A与原始玻璃基片32A整体形成主阻挡肋35和电极阻挡肋37，因此不需要象现有技术那样执行烧结来硬化主阻挡肋35和电极阻挡肋37。即，不需要象现有技术方法中那样进行硬化，其中通过淀积格子壁材料然后选择性地除去该材料来形成阻挡肋。
而且，不象现有技术那样在阻挡肋35和37之间的最内部分处形成本发明第七优选实施例的第二电极38和第二与第三介电层39和39′，而是在电极阻挡肋37的最上端部处形成。结果，当用丝网印刷工艺形成第二电极38和第二与第三介电层39和39′时，不要求象现有技术中那样在主阻挡肋35之间的最内部分提供用于这些元件的材料的困难工艺。因此，在本发明的第七优选实施例中，在主阻挡肋35的形成过程中不需要烧结过程，此外，可以在第二电极38和第二与第三介电层39和39′的形成过程中应用丝网印刷工艺。
此外，关于根据本发明第七优选实施例的等离子体显示器中的第二基片32，通过在电极阻挡肋37上形成第二电极38和第二介电层39并且在主阻挡肋35上形成第三介电层39′，使得每个第三介电层39′的厚度基本等于每对第二电极38和第二介电层39的组合厚度，主阻挡肋35的介电层39′的最上端表面与电极阻挡肋37的第二介电层39的最上表面的高度相同。根据这种结构，当将第一基片11装配到第二基片32上时不形成间隙，使得完全密封放电单元36和隔离的放电单元36A和36B。
在根据本发明第七优选实施例的等离子体显示器的制造方法中，仅在电极阻挡肋37上而不在主阻挡肋35上形成第二电极。由于在主阻挡肋35上不形成伪电极，需要少得多的电极材料(电极薄片)，因此可降低整体成本。
在根据本发明的第七优选实施例的制造方法中，格子壁形成过程和电极形成过程同时进行。因此，降低整个过程数，从而把制造成本降低到最小。而且，使得主阻挡肋35的高度与电极阻挡肋37的高度一样容易准确地形成。
在根据本发明的第七优选实施例的制造方法中，尽管以电极形成过程、介电层形成过程、格子壁形成过程和荧光层形成过程的顺序完成了这些过程，但本发明不限于这种过程顺序。可以在电极形成过程之后完成介电层形成过程，或如本发明的第一优选实施例一样，在格子壁形成过程之后是电极形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程。
另外，第七优选实施例不限于分别执行格子壁形成过程、电极形成过程、介电层形成过程和荧光层形成过程，可与第五和第六实施例一样，同时执行一些过程。尤其，可同时执行格子壁形成过程和电极形成过程，或者同时执行格子壁形成过程、电极形成过程和介电层形成过程。
而且，在根据本发明的第一和第七优选实施例中，尽管主阻挡肋上的介电层的上表面与电极阻挡肋上的介电层的上表面具有相同的高度，本发明不限于这个结构，并且高度可以不同。
为在具有主阻挡肋上的介电层的上表面与电极阻挡肋上的介电层的上表面具有不同的高度的结构的同时防止不同颜色的放电单元之间的放电泄漏，在主阻挡肋上形成的定义放电单元的介电层的上表面的高度均等地提供的情况下，优选的是介电层形成来使得在主阻挡肋上形成的介电层的上表面比电极阻挡肋上形成的介电层的上表面高10-50μm。
以这种方式，每个主格子壁的介电层的上表面高于各个电极格子壁的介电层的上表面，使得在后基片和前基片的电子阻挡肋的介电层之间形成间隙，从而使得每对隔离的放电单元与间隙连通。因此，包括一个放电单元的每对隔离的放电单元一起执行放电操作，使得放电效率提高，以将需要的驱动电压降低到最小。另外，与第七实施例说明的一样，介电胶分别印刷在主阻挡肋和电极阻挡肋上，使得可形成不同的介电层的厚度。
现在说明根据本发明的第八优选实施例的等离子体显示器。
图36是根据本发明第八优选实施例的等离子体显示器的局部分解透视图，图37是图36的等离子体显示器的截面图，其中等离子体显示器被装配，视图是从图36中箭头G方向看的，图38是沿图37中线H-H剖开的截面图，图39是描述隔离的放电单元的宽度和长度以及荧光层区域之间关系的截面图，仅仅表示出隔离的单元和对应的荧光层。
根据本发明的第八优选实施例的等离子体显示器与根据本发明的第一优选实施例的等离子体显示器相比，两个实施例的第一基片结构相同，而两个实施例的第二基片结构不同。因此，参考序号11用于下面的描述中的第一基片，而参考序号42用于第二基片。
参考图36到38，根据本发明的第八优选实施例的等离子体显示器包括相对设置的玻璃制作的第一和第二基片11和42。在第一基片11的内侧表面上形成多个第一电极14(扫描电极和维持电极)，形成覆盖第一电极14的包括例如MgO的化合物制成的保护层13a的第一介电层13。
至于第二基片42，在与第一基片11相对的表面伸出的第二基片42上整体形成多个条形主阻挡肋44。通过主阻挡肋44的形成定义多个放电单元46。在主阻挡肋44之间并且以与主阻挡肋44相同的方式形成多个电极阻挡肋48。形成在每个电极阻挡肋48的末端上的依次是第二电极(地址电极)50和第二介电层52，并且，形成在每个主阻挡肋44的末端上的是第二电极50和第三个电层52′之一。
用上述结构，主阻挡肋44、放电单元46、电极阻挡肋48、第二电极50和第二以及第三介电层52和52′都形成在同一个方向上，即平行形成。第一基片11的第一电极14与第二基片42的元件垂直形成。此外，在以一对主阻挡肋44之间基本上中心的位置上设置电极阻挡肋48(即，放电单元46的宽度的中心)，并且电极阻挡肋48的上端与主阻挡肋44的上端具有基本相同的高度。另外，沿着电极阻挡肋48和主阻挡肋44的上端形成第二电极50，并且覆盖第二电极50由电极阻挡肋48和主阻挡肋44形成第二和第三介电层52和52’。
在第二电极50中，仅仅形成在电极阻挡肋48上的第二电极接受电力来用第一基片11的第一电极14来执行放电。提供形成在主阻挡肋44的一端的第二电极50，使得在把第一基片11组装到第二基片42时，在第一基片11的主阻挡肋44和保护层13a之间不形成间隙(对应于第二电极50的厚度)。
每个电极格子壁48把形成在主阻挡肋44之间的每个放电单元46分割为多个隔离的放电单元。即，均等地将每个放电单元46分割为图36和图37所示的凹状的两个隔离的放电单元46A和46B。把隔离的放电单元46A和46B用作执行气体放电的空间。在隔离的放电单元46A和46B的底表面上形成R，G，B(红，绿，蓝)荧光层54。
在一个放电单元46中形成红、绿或蓝荧光层54。但是，由于在主阻挡肋44之间形成了电极阻挡肋48，因此在每对隔离的放电单元46A和46B中形成的荧光层54具有相同颜色。图36，37，38中，以54(R)表示红色荧光层54、以54(G)表示绿色荧光层54、以54(B)表示蓝色荧光层54。
在根据第八优选实施例的等离子体显示器中，对应于在其中形成的荧光层54的亮度形成隔离的放电单元46A和46B的宽度和深度，使得可根据不同的荧光层54的亮度来有效控制荧光层54的面积。
例如，为现实9300K色温的白色，需要分别在红色与绿色之间、在绿色与蓝色之间建立1.39和3.35的亮度比例。但是，由于实际荧光材料的亮度比例根据使用的材料而改变，根据颜色确定荧光层54的面积以实现这些比例，然后相应地形成隔离的放电单元46A和46B的宽度和深度。
在荧光层54的面积相同并且输入信号电平相同，以及使用荧光材料来使得红色与蓝色的亮度比例为2.49、绿色与蓝色的亮度比例为5.08的情况下，为实现红色与蓝色之间的1.39的亮度比例以及绿色与蓝色之间的3.35的亮度比例，红色荧光层54(R)与绿色荧光层54(G)以及蓝色荧光层54(B)之间的面积比例为56∶66∶100。
即，在第八优选实施例中，隔离的放电单元46A和46B的宽度和深度根据其是否依次容纳红色荧光层54(R)与绿色荧光层54(G)以及蓝色荧光层54(B)而逐渐增大。用这种结构，上述的具有高色温的白色可显示出来。
下面描述一种简单形成具有预定宽度和厚度的隔离的放电单元46A和46B并且与第二基片42一起形成主阻挡肋44和电极阻挡肋48的方法。
首先，施加到两个扁平玻璃基片的上表面上的是抗喷砂的片型光致抗蚀剂例如干膜抗蚀剂(DFR)。接着，用掩模使光致抗蚀剂曝光和显影，使得以预定图案形成光致抗蚀剂，其中预定图案对应于主阻挡肋44和电极阻挡肋48的位置和上表面形状。
随后，利用喷砂工艺除去未形成玻璃基片的光致抗蚀剂的区域至预定深度和形状，其中使用例如颗粒直径约20-30μm的玻璃珠或碳酸钙的磨料，从而形成主阻挡肋44和电极阻挡肋48。这个工艺后剥离光致抗蚀剂。结果，在主阻挡肋44和电极阻挡肋48之间形成隔离的放电单元46A和46B。即，主阻挡肋44之间形成的每个放电单元46通过形成电极阻挡肋48而分割为来对每个电极格子壁48形成一对隔离的放电单元46A和46B。
因此，使用喷砂工艺容易与扁平玻璃基片一体形成主阻挡肋44和电极阻挡肋48。另外，用喷砂工艺，可容易地将隔离的放电单元46A和46B的宽度和深度控制到需要的尺寸，并且容易把隔离的放电单元46A和46B形成为凹状。
参考图39，将对荧光层54的面积与隔离的放电单元46A和46B的主尺寸的关系以及隔离的放电单元46A和46B的宽度和深度或者仅宽度的调整作出说明。图39中仅仅提取出隔离的放电单元46A和46B和对应的荧光层54来简化解释。
包括一个放电单元46的一对隔离的放电单元46A和46B同样地形成，使得每对放电单元46中的荧光层54的面积也相同。而且，相同颜色的荧光层54设置在每个对中。这样，为简化解释，仅仅说明(对于每个颜色的)隔离的放电单元46A。术语红色隔离的放电单元、绿色隔离的放电单元、蓝色隔离放电单元用于再分类。
使用上述喷砂工艺，隔离的放电单元46A导致半圆横截面形状。如果红色隔离的放电单元46A的宽度为X、红色隔离的放电单元46A的深度为X/2、绿色隔离的放电单元46A的宽度为X+I、蓝色隔离的放电单元46A的宽度为X+I+J，则绿色隔离的放电单元46A的深度为X/2+I、蓝色隔离的放电单元46A的深度为X/2+I+J。
如果假设在隔离的放电单元46A的整个表面上形成荧光层54，若隔离的放电单元46的长度方向的长度为Y，并且在红色、绿色、蓝色隔离的放电单元46A中形成的荧光层54的面积分别是SR，SG和SB，则SR＝XYπ/2、SG＝(X+I)Yπ/2、SB＝(X+I+J)Yπ/2。
即，隔离的放电单元46A的宽度和深度可基于从使用的荧光层54的亮度比例确定的荧光层54的面积关系以及上述数字关系来建立。
在宽度为X并且不具有凹状部分的长度为Y的放电单元中，当放电单元的宽度增加I时荧光层的面积S为(X+I)Y。
因此，对于红色隔离的放电单元46A，宽度和长度增加I的荧光层的面积SG的比例并且具有和红色隔离的放电单元46A相同宽度但增加了I并且不具有凹状部分的荧光层的面积S的比例为{(X+I)Yπ/2}/{(X+I)Y}＝π/2，即大约3/2。
即，为实现荧光层的相同的面积，通过喷砂增加宽度和深度的隔离的放电单元46A的宽度以及仅仅增加宽度的隔离的放电单元46A的宽度的比例大致为2/3。
因此，由于使用喷砂荧光层54的需要增加面积的隔离的放电单元46A和46B的宽度与深度可增加，隔离的放电单元46A和46B的宽度在仅增加其宽度时可做得较小。因此，不同颜色的放电单元46与第一基片11的第一电极14(扫描电极和维持电极)的表面面积之差被最小化，使得不同颜色的放电单元46的驱动电压之差降低。
在本发明的第八优选实施例中，每个放电单元46被电极阻挡肋48分为两个隔离的放电单元46A和46B，第二电极50和第二介电层52形成在电极阻挡肋48的一端来，仅仅荧光层54形成在隔离的放电单元46A和46B内，隔离的放电单元46A和46B的宽度和深度根据颜色并对应于荧光层54的亮度来变化，使得隔离的放电单元46A和46B中的荧光层54的面积根据荧光层54的亮度建立。
即，在传统的技术中，从每个放电单元中发射的亮度比例可相应于建立的亮度比例通过调整信号输入电平来设定。在本发明的第八优选实施例中，隔离的放电单元46A和46B的宽度和深度被调整来控制荧光层54的面积，使得从每个放电单元46发射的光的亮度比例设定成符合建立的亮度比例而不必要降低输入信号电平。结果，等离子体显示器获得高分辨率图像、白色显示清晰，并且防止灰度电平显示的降低。
另外，在与传统技术一样向放电单元的最内侧的部分形成电极的情况下，通过改变放电单元的宽度来考虑在第二基片上形成的电极(地址电极)的表面面积的改变。结果，对于每个显示色改变放电面积，使得放电特性改变，并且放电驱动变得困难。但是，在本发明的第八优选实施例中，在放电单元46中设置电极阻挡肋48，在电极阻挡肋的上面一段落上形成第二电极(地址电极)50和第二介电层52，并且在隔离的放电单元46A和46B内仅仅形成荧光层54。因此，即使隔离的放电单元46A的宽度改变，第二电极50的宽度保持均等，对放电驱动不产生干扰。
另外，如对本发明的第八优选实施例所述，或者隔离的放电单元46A和46B的宽度和深度可根据从那里显示的颜色来调整，或者隔离的放电单元46A和46B的宽度可根据从那里显示的颜色来调整。但是，由于隔离的放电单元46A和46B的宽度在调整其宽度和深度时可做得很小，优选的是对这两个尺寸作调整。随着隔离的放电单元46A和46B的宽度降低，不同颜色的放电单元46与第一基片11的第一电极14(扫描电极和维持电极)的表面面积之差被最小化，使得不同颜色的放电单元46的驱动电压的差被降低。
尽管本发明的优选实施例在上面作了具体说明，应清楚地理解对于熟悉本领域的技术人员而言，对这里教导的本发明的基本概念的变形和/或修改仍然落在后面的权利要求定义的本发明的精神和范围内。
权利要求
1.一种等离子体显示器，包括彼此相对设置的第一和第二基片；在面对第二基片的第一基片表面上形成的多个第一电极；覆盖第一电极形成的第一介电层；在面对第一基片的第二基片表面上形成的多个主阻挡肋，主阻挡肋定义了多个放电单元；在第二基片上主阻挡肋之间形成的多个电极阻挡肋；在各个电极阻挡肋的末端上形成的第二电极和第二介电层；在放电单元内形成的荧光层；以及提供于放电单元中的放电气体。
2.根据权利要求1的等离子体显示器，其中第二介电层形成在每个电极阻挡肋的末端上形成的第二电极之上。
3.根据权利要求1的等离子体显示器，还包括在每个主阻挡肋的末端上形成的第三介电层，第三介电层的上表面的高度和第二介电层的上表面的高度基本相同。
4.根据权利要求1的等离子体显示器，还包括在每个主阻挡肋的末端上形成的第三介电层，第三介电层的上表面的高度高于第二介电层的上表面的高度。
5.根据权利要求1的等离子体显示器，其中第二电极之一形成在主阻挡肋和电极阻挡肋中每个阻挡肋的一个末端。
6.根据权利要求1的等离子体显示器，其中第二电极之一形成在每个电极阻挡肋的一个末端。
7.根据权利要求1的等离子体显示器，其中电极阻挡肋与第二基片整体形成。
8.根据权利要求1的等离子体显示器，其中将每个放电单元分成多个其中形成了相同荧光层的隔离的放电单元。
9.根据权利要求8的等离子体显示器，其中每个放电单元被分成两个隔离的放电单元。
10.根据权利要求8的等离子体显示器，其中隔离的放电单元具有凹表面，每个隔离的放电单元的宽度作成与各个隔离的放电单元显示的颜色相对应。
11.根据权利要求10的等离子体显示器，其中显示蓝色的隔离的放电单元包括比显示绿色的隔离的放电单元大的宽度，显示绿色的隔离的放电单元具有比显示红色的隔离的放电单元更大的宽度。
12.一种等离子体显示器的制造方法，包括在等离子体显示基片上整体形成多个主阻挡肋，主阻挡肋定义了多个放电单元；在主阻挡肋之间形成电极阻挡肋；在每个电极阻挡肋的末端上形成电极；以及在每个电极上形成介电层。
13.根据权利要求12的方法，其中主阻挡肋和电极阻挡肋同时形成。
14.根据权利要求12的方法，其中主阻挡肋、电极阻挡肋和电极同时形成。
15.根据权利要求12的方法，其中主阻挡肋、电极阻挡肋、电极和介电层同时形成。
16.根据权利要求12的方法，其中使用第二电极作为掩模形成主阻挡肋和电极阻挡肋。
17.根据权利要求12的方法，其中在主阻挡肋之前形成第二电极。
18.根据权利要求12的方法，其中在形成第二电极和第二介电层之前在第二基片上整体形成主阻挡肋。
19.一种等离子体显示器，包括第一基片；与第一基片相对的第二基片；在面对第二基片的第一基片表面上形成的多个第一电极；覆盖第一电极的第一介电层；在面对第一基片的第二基片表面上整体形成的多个主格子壁，主格子壁定义了多个放电单元；在主格子壁之间的第二基片上整体形成的多个电极格子壁，每个电极格子壁把在主格子壁之间形成的每个放电单元分为多个隔离的放电单元，每个放电单元的隔离的放电单元容纳相同颜色的荧光层；在每个电极格子壁的末端上形成的第二电极；在每个电极格子壁的末端上形成的第二电极上形成的第二介电层。
20.根据权利要求19的等离子体显示器，还包括在每个主格子壁的末端上形成的第三介电层，并且第三介电层的上表面的高度和第二介电层的上表面的高度基本相同。
21.根据权利要求19的等离子体显示器，还包括在每个主格子壁的末端上形成的第三介电层，并且第三介电层的上表面的高度大于第二介电层的上表面的高度。
全文摘要
一种等离子体显示器包括彼此相对设置的第一和第二基片。在面对第二基片的第一基片表面上形成多个第一电极。覆盖第一电极形成第一介电层。在面对第一基片的第二基片表面上形成多个主阻挡肋,主阻挡肋定义了多个放电单元。在主阻挡肋之间的第二基片上形成多个电极阻挡肋。在放电单元内形成荧光层,放电气体设置在放电单元中,其中主阻挡肋与第二基片整体形成,在每个电极阻挡肋的末端上依次形成第二电极和第二介电层。制造等离子体显示器的方法包括:在等离子体显示基片上整体形成多个阻挡肋,主阻挡肋定义了多个放电单元;在主阻挡肋之间形成电极阻挡肋;在电极阻挡肋的末端上形成电极;以及在电极上形成介电层。
文档编号H01J17/49GK1372294SQ0210584
公开日2002年10月2日 申请日期2002年1月16日 优先权日2001年1月16日
发明者寺尾芳孝, 小松隆史, 吴济焕, 小川英人, 山田幸香 申请人:三星Sdi株式会社