等离子显示面板的制作方法

专利名称：等离子显示面板的制作方法
技术领域：
在此公开的技术涉及用于显示装置等的等离子显示面板。
背景技术：
等离子显示面板(以下，称为“PDP”)由前面板和背面板构成。前面板包括玻璃基板、在玻璃基板的一方的主面上形成的显示电极、覆盖显示电极而作为电容器工作的电介体层、形成在电介体层上的由氧化镁(MgO)构成的保护层。另一方面，背面板包括玻璃基板、在玻璃基板的一方的主面上形成的数据电极、覆盖数据电极的基底电介体层、形成在基底电介体层上的间隔壁、形成在各间隔壁间的分别发出红色、绿色及蓝色光的荧光体层。前面板和背面板使电极形成面侧对置而被气密密封。在由间隔壁分隔成的放电空间内封入氖(Ne)及氙(Xe)的放电气体。放电气体通过对显示电极选择性地施加的影像信号电压而放电。因放电产生的紫外线将各色荧光体层激发。激发后的荧光体层发出红色、 绿色、蓝色光。PDP以这种方式实现彩色图像显示(参照专利文献1)。保护层主要具备四个功能。第一，保护电介体层免受因放电造成的离子冲击。第二，放出用于产生数据放电的初始电子。第三，保持用于产生放电的电荷。第四，在维持放电时放出二次电子。通过针对离子冲击对电介体层施加保护，可抑制放电电压的上升。通过增加初始电子放出数量，能够减少成为图像闪烁的原因的数据放电错误。通过提高电荷保持性能，可减少印加电压。通过增加二次电子放出数量，可降低维持放电电压。为了使初始电子放出数量增加，例如，尝试向保护层的MgO添加硅(Si)或铝(Al)等(例如，参照专利文献1、2、3、4、5等)。在先技术文献专利文献专利文献1日本特开2002-260535号公报专利文献2日本特开平11-339665号公报专利文献3日本特开2006-59779号公报专利文献4日本特开平8-2360 号公报专利文献5日本特开平10-3；34809号公报

发明内容
PDP具备前面板、与前面板对置配置的背面板、将前面板和背面板粘接的粘接层。 前面板具有电介体层和覆盖电介体层的保护层。背面板具有基底电介体层、形成在基底电介体层上的多个间隔壁、形成在基底电介体层上及间隔壁的侧面的荧光体层。保护层包括形成在电介体层上的基底层。在基底层上遍及整面地分散配置有由多个氧化镁的结晶粒子凝聚而成的凝聚粒子。基底层至少包括第一金属氧化物和第二金属氧化物。而且，基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析中的第二峰值之间。第一峰值及第二峰值表示与基底层的峰值所示的面方位相同的面方位。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选出的两种。背面板具有间隔壁。粘接层将间隔壁的至少一部分和保护层粘接。


图1是表示实施方式的PDP的结构的立体图。图2是表示该PDP的前面板的结构的剖视图。图3是表示该PDP的与第一间隔壁正交的截面的一部分的图。图4是表示该PDP的基底膜的X射线衍射分析的结果的图。图5是表示该PDP的其他结构的基底膜的X射线衍射分析的结果的图。图6是实施方式的凝聚粒子的放大图。图7是表示实施方式的PDP的放电延迟与保护层中的钙(Ca)浓度的关系的图。图8是表示该同PDP的电子放出性能与Vscn点灯电压的关系的图。图9是表示实施方式的凝聚粒子的平均粒径与电子放出性能的关系的图。图10是表示实施方式的凝聚粒子的平均粒径与间隔壁破坏概率的关系的图。图11是表示实施方式的保护层形成工序的图。图12是表示实施方式的PDP的与第一间隔壁平行的截面的一部分的图。
具体实施例方式[1. PDP的基本结构]PDP的基本结构为一般的交流面放电型PDP。如图1所示，PDPl配置成由前面玻璃基板3等构成的前面板2与由背面玻璃基板11等构成的背面板10相对置。前面板2和背面板10的外周部通过由玻璃熔料(glass frit)等构成的密封件实现气密密封。在被密封的PDPl内部的放电空间16内，Ne及Xe等放电气体以53kPa 80kPa的压力被封入。在前面玻璃基板3上，由扫描电极4及维持电极5构成的一对带状的显示电极6 和黑条7相互平行地分别配置有多列。在前面玻璃基板3上以覆盖显示电极6和黑条7的方式形成有作为电容器工作的电介体层8。而且，在电介体层8的表面形成有由MgO等构成的保护层9。而且，如图2所示，保护层9包含层叠在电介体层8上的作为基底层的基底膜91和附着在基底膜91上的凝聚粒子92。关于电介体层8的详细内容、基底膜91的详细内容及凝聚粒子92的详细内容，将进行后述。扫描电极4及维持电极5分别在由铟锡氧化物(ITO)、二氧化锡(SnO2)、氧化亚铅 (ZnO)等导电性金属氧化物构成的透明电极上层叠有含有Ag的总线电极。在背面玻璃基板11上，沿与显示电极6正交的方向相互平行地配置有由以银(Ag) 为主要成分的导电性材料构成的多个数据电极12。数据电极12由基底电介体层13覆盖。 而且，在数据电极12间的基底电介体层13上形成有划分放电空间16的具有规定高度的间隔壁14。间隔壁14包括配置在与显示电极6交叉的方向上的第一间隔壁1 和与第一间隔壁Ha正交的第二间隔壁14b。在基底电介体层13上及间隔壁14的侧面，按照每个数据电极12依次涂敷形成有通过紫外线发出红色光的荧光体层15、发出绿色光的荧光体层15 及发出蓝色光的荧光体层15。在显示电极6与数据电极12交叉的位置形成有放电单元。在显示电极6方向上排列的具有红色、绿色、蓝色的荧光体层15的放电单元成为用于彩色显示的像素。如图1及图3所示，在间隔壁14的上部形成有粘接层17。粘接层17形成在间隔壁14的至少一部分上即可。在本实施方式中，在第一间隔壁14a的上部形成有粘接层17。 粘接层17将间隔壁14的至少一部分和保护层9粘接。S卩，前面板2与背面板10经由粘接层17而粘接。关于粘接层17的详细内容将进行后述。需要说明的是，在本实施方式中，封入放电空间16内的放电气体含有10体积％以上、30%体积以下的Xe。[2. PDP的制造方法]接下来，对PDPl的制造方法进行说明。首先，说明前面板2的制造方法。通过光刻法在前面玻璃基板3上形成有扫描电极4、维持电极5和黑条7。扫描电极4及维持电极5具有含有用于确保导电性的Ag的总线电极4b、5b。另外，扫描电极4及维持电极5具有透明电极^、5a。总线电极4b层叠在透明电极如上。总线电极恥层叠在透明电极如上。关于透明电极^、5a的材料，使用用于确保透明度和电传导度的ITO等。首先，通过溅射法等在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。接下来，通过光刻法形成有规定图案的透明电极4a、5a。关于总线电极4bjb的材料，使用含有Ag、用于使Ag结合的玻璃熔料、感光性树脂和溶剂等的白色膏剂。首先，通过丝网印刷法等将白色膏剂涂敷在前面玻璃基板3上。然后，利用干燥炉去除白色膏剂中的溶剂。然后，经由规定的图案的光掩膜使白色膏剂曝光。然后，白色膏剂显影而形成总线电极图案。最后，通过烧成炉以规定的温度将总线电极图案烧成。S卩，将总线电极图案中的感光性树脂除去。另外，总线电极图案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成总线电极4b、5b。黑条7通过含有黑色颜料的材料而形成。接下来，形成电介体层8。关于电介体层 8的材料，使用含有电介体玻璃熔料和树脂和溶剂等的电介体膏剂。首先，利用金属型涂料法等使电介体膏剂以通过规定厚度覆盖扫描电极4、维持电极5及黑条7的方式将其涂敷在前面玻璃基板3上。接下来，通过干燥炉去除电介体膏剂中的溶剂。最后，通过烧成炉以规定的温度烧成电介体膏剂。即，去除电介体膏剂中的树脂。另外，电介体玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成电介体层8。在此，除了将电介体膏剂进行金属型涂敷的方法以外，还可以使用丝网印刷法、旋涂(spin-coating)法等。 另外，也可以不使用电介体膏剂，通过CVD(化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)) 法等也可以形成成为电介体层8的膜。关于电介体层8的详细内容将进行后述。接下来，在电介体层8上形成保护层9。关于保护层9的详细内容将进行后述。通过以上工序在前面玻璃基板3上形成扫描电极4、维持电极5、黑条7、电介体层 8、保护层9，从而完成前面板2。然后，说明背面板10的制造方法。通过光刻法在背面玻璃基板11上形成数据电极12。关于数据电极12的材料，使用含有用于确保导电性的Ag和用于使Ag结合的玻璃熔料和感光性树脂和溶剂等的数据电极膏剂。首先，通过丝网印刷法等以规定的厚度在背面玻璃基板11上涂敷数据电极膏剂。然后，通过干燥炉去除数据电极膏剂中的溶剂。接着，
5经由规定图案的光掩膜使数据电极膏剂曝光。然后，数据电极膏剂显影而形成数据电极图案。最后，通过烧成炉以规定的温度将数据电极图案烧成。即，去除数据电极图案中的感光性树脂。另外，数据电极图案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。 通过以上的工序形成数据电极12。在此，除了将数据电极膏剂丝网印刷的方法以外，还可以使用溅射法、蒸镀法等。接下来，形成基底电介体层13。关于基底电介体层13的材料，使用含有电介体玻璃熔料和树脂和溶剂等的基底电介体膏剂。首先，通过丝网印刷法等以规定的厚度在形成有数据电极12的背面玻璃基板11上涂敷基底电介体膏剂，从而将数据电极12覆盖。接着， 通过干燥炉去除基底电介体膏剂中的溶剂。最后，通过烧成炉以规定的温度烧成基底电介体膏剂。即，去除基底电介体膏剂中的树脂。另外，电介体玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成基底电介体层13。在此，除了将基底电介体膏剂丝网印刷的方法以外，还可以使用金属型涂料法、旋涂法等。另外，也可以不使用基底电介体膏剂，通过CVD法等形成成为基底电介体层13的膜。然后，通过光刻法形成间隔壁14。关于间隔壁14的材料，使用含有填料、用于使填料结合的玻璃熔料、感光性树脂、溶剂等的间隔壁膏剂。首先，通过金属型涂料法等，以规定的厚度在基底电介体层13上涂敷间隔壁膏剂。然后，通过干燥炉去除间隔壁膏剂中的溶剂。接下来，经由规定的图案的光掩膜使间隔壁膏剂曝光。然后，间隔壁膏剂显影而形成间隔壁图案。最后，通过烧成炉以规定的温度烧成间隔壁图案。即，去除间隔壁图案中的感光性树脂。另外，间隔壁图案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成间隔壁14。在此，除了光刻法以外，还可以使用喷砂法等。而且，在间隔壁14上使用丝网印刷法形成粘接层17。关于粘接层17的制造方法的详细内容将进行后述。接下来，形成荧光体层15。作为荧光体层15的材料，使用含有荧光体粒子和粘结剂和溶剂等的荧光体膏剂。首先，通过散播(dispense)法等以规定的厚度在邻接的间隔壁 14间的基底电介体层13上及间隔壁14的侧面上涂敷荧光体膏剂。接下来，通过干燥炉去除荧光体膏剂中的溶剂。最后，通过烧成炉以规定的温度烧成荧光体膏剂。即，去除荧光体膏剂中的树脂。通过以上的工序形成荧光体层15。在此，除了散播法以外，还可以使用丝网印刷法、喷墨法等。关于荧光体层15的详细内容将进行后述。通过以上的工序，完成在背面玻璃基板11上具有规定的构成构件的背面板10。接下来，组装前面板2和背面板10。首先，通过散播法在背面板10的周围形成密封件(未图示)。配置有密封件的区域为显示区域的外侧。作为密封件(未图示)的材料， 使用含有第一玻璃构件和粘结剂和溶剂等的密封膏剂。第一玻璃构件作为一例使用以三氧化二铋(Bi2O3)、三氧化二硼(B2O3)、五氧化二钒(V2O5)等为主要成分的玻璃熔料。例如，使用Bi2O3-B2O3-RO-MO系玻璃。在此，R为钡(Ba)、锶(Sr)、钙(Ca)及镁(Mg)中的任意一种。 M为铜(Cu)、锑(Sb)及铁(Fe)中的任意一种。此外，例如可以使用V2O5-BaO-TeO-WO系的玻璃。而且，作为密封构件22，可以使用在第一玻璃构件中添加有由三氧化二铝(A1203)、二氧化硅(SiO2)、堇青石等氧化物构成的填料的材料。第一玻璃构件的软化点为460°C至480°C 左右。然后与玻璃熔料一起通过干燥炉去除密封膏剂中的溶剂。随后，以显示电极6与数据电极12正交的方式将前面板2和背面板10对置配置。接下来，将前面板2和背面板10的周围用玻璃熔料密封。需要说明的是，密封件的软化点为470°C左右。另外，密封时的热处理温度(以后，称为“密封温度”)为488°C，排气温度为420°C。最后，以53kPa SOkPa 的压力向放电空间16封入含有Ne、Xe等的放电气体。[3.电介体层的详细内容]说明电介体层8的详细内容。电介体层8由第一电介体层81和第二电介体层82 构成。在第一电介体层81上层叠第二电介体层82。第一电介体层81的电介体材料含有以下的成分。三氧化二铋(Bi2O3)为20重量％ 40重量％。从由氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)及氧化钡(BaO)构成的组中选出的至少1种为0. 5重量％ 12重量％。从由三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、二氧化铈(CeO2) 及二氧化锰(MnO2)构成的组中选出的至少1种为0. 1重量％ 7重量％。需要说明的是，也可以替代由Mo03、W03、CeO2及MnO2构成的组，而含有0. 1重量％ 7重量％的从由氧化铜(CuO)、三氧化二铬(Cr2O3)、三氧化二钴(Co2O3)、七氧化二钒 (V2O7)及三氧化二锑(SId2O3)构成的组中选出的至少1种化合物。另外，作为上述成分以外的成分，也可以含有ZnO为0重量％ 40重量％、三氧化二硼(B2O3)为0重量％ ；35重量％、二氧化硅(SiO2)为0重量％ 15重量％、三氧化二铝(Al2O3)为0重量％ 10重量％等不含铅成分的成分。电介体材料以通过湿式喷射研磨或球磨使平均粒径成为0. 5 μ m 2. 5 μ m的方式被粉碎而制作电介体材料粉末。接下来，阳重量％ 70重量％的该电介体材料粉末和30 重量％ 45重量％的粘结剂成分通过三根辊充分混炼而成为金属型涂料用或印刷用的第一电介体层用膏剂。粘结剂成分为乙基纤维素或含有1重量％ 20重量％的丙烯酸树脂的松油醇或二甘醇丁醚醋酸酯。另外，在膏剂中，根据需要可添加作为可塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，作为分散剂可以添加甘油单油酸酯、脱水山梨醇倍半油酸酯、homogenol (花王公司制商品名)、烷基芳基的磷酸酯等。若添加分散齐U，则可提高印刷性。第一电介体层用膏剂覆盖显示电极6而通过金属型涂料法或丝网印刷法印刷在前面玻璃基板3上。被印刷的第一电介体层用膏剂在干燥后，以比电介体材料的软化点稍高的温度的575°C 590°C烧成，从而形成第一电介体层81。接下来，说明第二电介体层82。第二电介体层82的电介体材料含有以下的成分。 Bi2O3为11重量％ 20重量％。从CaO、Sr0、Ba0选出的至少1种为1.6重量％ 21重量％。从Mo03、W03、CeA中选出的至少1种为0. 1重量％ 7重量％。需要说明的是，也可以替代Mo03、W03、Ce02，而含有0. 1重量％ 7重量％的从CuO、 Cr2O3、Co203、V2O7, Sb203> MnO2 中选出的至少 1 种。另外，作为上述的成分以外的成分，也可以含有ZnO为0重量％ 40 Mfi%> B2O3 为0重量％ 35重量％、Si&为0重量％ 15重量％、A1203为0重量％ 10重量％等不含铅成分的成分。电介体材料以通过湿式喷射研磨或球磨使平均粒径成为0. 5 μ m 2. 5 μ m的方式被粉碎而制作电介体材料粉末。然后，阳重量％ 70重量％的该电介体材料粉末、30重量％ 45重量％的粘结剂成分通过三根辊充分混炼而成为金属型涂料用或印刷用的第二电介体层用膏剂。 粘结剂成分为乙基纤维素或含有1重量％ 20重量％的丙烯酸树脂的松油醇或二甘醇丁醚醋酸酯。另外，在膏剂中，根据需要可添加作为可塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，作为分散剂可以添加甘油单油酸酯、脱水山梨醇倍半油酸酯、homogenol (花王公司制商品名)、烷基芳基的磷酸酯等。若添加分散齐U，则可提高印刷性。第二电介体层用膏剂通过丝网印刷法或金属型涂料法印刷在第一电介体层81 上。印刷的第二电介体层用膏剂在干燥后以比电介体材料的软化点稍高的温度的550°C 590°C烧成，从而形成第二电介体层82。需要说明的是，为确保可见光透射率，对于电介体层8的膜厚而言，优选第一电介体层81和第二电介体层82合计为41 μ m以下。对于第一电介体层81而言，为了抑制与总线电极4b、5b的Ag的反应，使Bi2O3的含有量比第二电介体层82的Bi2O3的含有量多而成为20重量％ 40重量％。于是，由于第一电介体层81的可见光透射率比第二电介体层82的可见光透射率低，从而第一电介体层81的膜厚比第二电介体层82的膜厚薄。对于第二电介体层82而言，若Bi2O3的含有量小于11重量％，则难以产生着色，但在第二电介体层82中容易产生气泡。因此，不优选Bi2O3的含有量小于11重量％。另一方面，若Bi2O3的含有率超过40重量％，则容易产生着色，因此可见光透射率下降。从而，不优选Bi2O3的含有量超过40重量％。另外，电介体层8的膜厚越小则亮度提高和放电电压降低的效果越明显。因此，只要在绝缘耐压不下降的范围内，则优选尽量将膜厚设定得小。根据以上的观点，在本实施方式中，将电介体层8的膜厚设定为41 μ m以下，将第一电介体层81设为5μπι 15 μ m，将第二电介体层82设为20 μ m 36 μ m。对于以如上的方式制造的PDPl而言，即使显示电极6使用Ag材料，也可以抑制前面玻璃基板3的着色现象(变黄)及电介体层8中的气泡的产生等，从而确认出实现了绝缘耐压性能优良的电介体层8的情况。然后，在本实施方式的PDPl中，对通过这些电介体材料可抑制第一电介体层81中的变黄或气泡的产生的理由进行考察。即可知，通过向含有Bi2O3的电介体玻璃添加临03或 WO3, Ag2MoO4, Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13^ Ag2WO4, Ag2W2O7, Ag2W4O13 这些化合物在 5S0°C 以下的低温容易生成。在本实施方式中，因为电介体层8的烧成温度为550°C 590°C，所以在烧成中向电介体层8中扩散的银离子(Ag+)与电介体层8中的Mo03、WO3> CeO2, MnO2反应，从而生成稳定的化合物而实现稳定化。即，由于在Ag+未被还原的情况下实现稳定化，因此不会凝聚而生成胶体。因此，通过使Ag+稳定化，从而减少伴随Ag的胶体化而产生的氧，因此向电介体层8中产生的气泡也变少。另一方面，为了使这些效果有效，优选使含有Bi2O3的电介体玻璃中的Mo03、W03> Ce02、Mn02的含有量为0. 1重量％以上，进一步优选为0. 1重量％以上、7重量％以下。尤其是，若不足0. 1重量％则抑制变黄的效果变小，若超过7重量％则引起玻璃上的着色，因此不优选。即，对于本实施方式的PDPl的电介体层8而言，利用与由Ag材料构成的总线电极4b,5b相接的第一电介体层81抑制变黄现象和气泡产生，通过设置在第一电介体层81上的第二电介体层82实现高光透射率。其结果是，电介体层8整体能够实现气泡或变黄的产生极少且透射率高的PDP。[4.保护层的详细内容]保护层9含有作为基底层的基底膜91和凝聚粒子92。基底膜91至少含有第一金属氧化物和第二金属氧化物。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从由MgO、CaO, SrO 及BaO构成的组中选出的两种。而且，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。 该峰值位于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析中的第二峰值之间。第一峰值和第二峰值表示与基底膜91的峰值所示的面方位 (surface orientation) t百同的面方" 立。[4-1.基底膜的详细内容]本实施方式的构成PDPl的保护层9的基底膜91面的X射线衍射结果在图4中示出。另外，在图4中还示出MgO单体、CaO单体、SrO单体及BaO单体的X射线衍射分析的结^ ο在图4中，横轴为布拉格的衍射角O θ )，纵轴为X射线衍射波的强度。衍射角的单位由1周为360度的度进行表示，强度由任意单位(arbitrary unit)表示。对作为特定方位面的结晶方位面附加括号而进行表示。如图4所示，在(111)的面方位，CaO单体在衍射角32. 2度处具有峰值。MgO单体在衍射角36. 9度处具有峰值。SrO单体在衍射角30. 0度处具有峰值。BaO单体在衍射角 27. 9度处具有峰值。在本实施方式的PDPl中，保护层9的基底膜91含有从由MgO、CaO, SrO及BaO构成的组中选出的至少2种以上的金属氧化物。关于构成基底膜91的单体成分为两种成分的情况下的X射线衍射结果在图4中示出。A点为作为单体成分使用MgO和CaO的单体而形成的基底膜91的X射线衍射结果。 B点为作为单体成分使用MgO和SrO的单体而形成的基底膜91的X射线衍射结果。C点为作为单体成分使用MgO和BaO的单体而形成的基底膜91的X射线衍射结果。如图4所示，A点在(111)的面方位上在衍射角36. 1度处具有峰值。成为第一金属氧化物的MgO单体在衍射角36. 9度处具有峰值。成为第二金属氧化物的CaO单体在衍射角32. 2度处具有峰值。即，A点的峰值存在于MgO单体的峰值与CaO单体的峰值之间。 同样，B点的峰值在衍射角为35. 7度处，存在于成为第一金属氧化物的MgO单体的峰值与成为第二金属氧化物的SrO单体的峰值之间。C点的峰值在衍射角为35. 4度处，也存在于成为第一金属氧化物的MgO单体的峰值与成为第二金属氧化物的BaO单体的峰值之间。另外，构成基底膜91的单体成分为三种成分以上的情况下的X射线衍射结果在图 5中示出。D点为作为单体成分使用MgO、CaO及SrO形成的基底膜91的X射线衍射结果。 E点为作为单体成分使用Mg0、Ca0及BaO形成的基底膜91的X射线衍射结果。F点为作为单体成分使用CaO、SrO及BaO形成的基底膜91的X射线衍射结果。如图5所示，D点在(111)的面方位上在衍射角为33. 4度处具有峰值。成为第一金属氧化物的MgO单体在衍射角36. 9度处具有峰值。成为第二金属氧化物的SrO单体在衍射角30. 0度处具有峰值。即，D点的峰值存在于MgO单体的峰值与SrO单体的峰值之间。同样，E点的峰值在衍射角为32. 8度处，存在于成为第一金属氧化物的MgO单体的峰值与成为第二金属氧化物的BaO单体的峰值之间。F点的峰值在衍射角为30. 2度处，也存在于成为第一金属氧化物的CaO单体的峰值与成为第二金属氧化物的BaO单体的峰值之间。因此，本实施方式的PDPl的基底膜91至少含有第一金属氧化物和第二金属氧化物。而且，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值存在于第一金属氧化物的X射线衍射分析的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析的第二峰值之间。第一峰值和第二峰值表示与基底膜91的峰值所示的面方位相同的面方位。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从由MgO、CaO, SrO及BaO构成的组中选出的两种。需要说明的是，在上述的说明中，作为结晶的面方位面以(111)为对象进行了说明，但是，在以其他面方位作为对象的情况下，金属氧化物的峰值的位置也与上述情况同样。CaO、SrO及BaO的距真空能级(vacuum level)的深度存在于比MgO浅的区域。因此，在驱动PDPl的情况下，存在于CaO、SrO、BaO的能级的电子向Xe离子的基底状态迁移时，可以想到的是，通过俄歇效应放出的电子数比从MgO的能级迁移的情况多。另外，如上述那样，本实施方式的基底膜91的峰值位于第一金属氧化物的峰值与第二金属氧化物的峰值之间。S卩，基底膜91的能级存在于单体的金属氧化物之间，可以想到的是，通过俄歇效应放出的电子数比从MgO的能级迁移的情况多。其结果是，与MgO单体相比，利用基底膜91能够发挥良好的二次电子放出特性，其结果是，能够降低放电维持电压。因此，尤其是为了提高亮度而提高作为放电气体的^分压的情况下，能够降低放电电压，实现低电压且高亮度的PDP1。在表1中示出，在本实施方式的PDPl中将60kPa的Xe及Ne的混合气体(Xe、15% ) 封入且改变了基底膜91的构成的情况下的维持电压的结果。表1
样品A样品B样品C样品D样品E比较例放电维持电压(a. u.)9087858182100需要说明的是，表1的放电维持电压以比较例的值为“100”的情况下的相对值进行表示。样品A的基底膜91由MgO和CaO构成。样品B的基底膜91由MgO和SrO构成。 样品C的基底膜91由MgO和BaO构成。样品D的基底膜91由MgO、CaO及SrO构成。样品 E的基底膜91由MgO、CaO及BaO构成。另外，比较例中的基底膜91由MgO单体构成。在放电气体的Xe的分压从10%提高到15%的情况下，亮度上升约30%，在基底膜 91为MgO单体的情况的比较例中，放电维持电压上升约10%。另一方面，在本实施方式的PDP中，样品A、样品B、样品C、样品D、样品E的放电维持电压与比较例相比均能够降低约10% 20%。因此，能够作为通常动作范围内的放电开始电压，从而能够实现高亮度且低电压驱动的PDP。需要说明的是，对于CaO、SrO、BaO而言，若为单体则反应性高而容易与不纯物反应，因此存在电子放出性能低的问题。然而，在本实施方式中，通过形成为所述金属氧化物
10的结构，将反应性降低，形成不纯物的混入和氧欠缺少的结晶构造。因此，在PDP的驱动时， 可抑制电子的过剩放出，除了低电压驱动和二次电子放出性能这双重效果之外，还发挥适当的电子保持特性的效果。该电荷保持特性尤其保持在初始化期间积存的壁电荷，在写入期间防止写入不良而进行可靠的写入放电方面是有效的。[4-2.凝聚粒子的详细内容]接下来，对本实施方式的基底膜91上设置的凝聚粒子92进行详细地说明。如图6所示，凝聚粒子92是凝聚多个MgO的结晶粒子92a的粒子。形状可通过扫描型电子显微镜(SEM)得到确认。在本实施方式中，多个凝聚粒子92遍布基底膜91的整面地分散配置。凝聚粒子92是平均粒径为0. 3 μ m 2. 5 μ m这种范围的粒子。需要说明的是，在本实施方式中，平均粒径是指体积累积平均径(D50)。另外，关于平均粒径的测定，使用激光衍射式粒度分布测定装置MT-3300 (日机装株式会社制)。在凝聚粒子92中，并非作为固体通过较强的结合力将结晶粒子9 结合。凝聚粒子92是通过静电气范德瓦尔斯力等将多个结晶粒子9 集合的粒子。另外，凝聚粒子92 以利用超声波等外力可将其一部分或全部分解成结晶粒子9 状态的这种程度的力结合。 作为凝聚粒子92的平均粒径，其为约Iym左右大小，作为结晶粒子92a，其具有14面体或 12面体等7面以上的面的多面体形状。另外，结晶粒子9 能够通过以下所示的气相合成法或前驱体烧成法的任意一种方法制造。在气相合成法中，对充满惰性气体的气氛下纯度为99. 9%以上的镁(Mg)金属材料进行加热。而且，通过向气氛中导入少量氧而进行加热，Mg直接氧化。由此，制作MgO的结晶粒子92a。另一方面，在前驱体烧成法中，通过以下的方法制作结晶粒子92a。在前驱体烧成法中，以700°C以上的高温均勻地对MgO的前驱体进行烧成。然后，烧成的MgO逐渐冷却而获得MgO的结晶粒子92a。作为前驱体，例如，可以选择醇镁(Mg(OR)2)、乙酰丙酮镁 (Mg(acac)2)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸镁(MgCO2)、氯化镁(MgCl2)、硫酸镁(MgSO4)、硝酸镁 (Mg(NO3)2)、草酸镁(MgC2O4)中的任意1种以上的化合物。需要说明的是，根据所选择的化合物的不同，存在通常成为含水化合物的形态的物质，也可以使用这种含水化合物。所述化合物被调整成烧成后获得的MgO的纯度为 99. 95%以上，优选为99. 98%以上。在所述的化合物中，若混合有一定量以上的各种碱金属、B、Sije、Al等不纯物元素，则热处理时产生不期望的粒子间粘连或烧结，从而难以获得高结晶性的MgO的结晶粒子92a。因此，需要通过去除不纯物元素等预先调整前驱体。通过对前驱体烧成法的烧成温度和烧成气氛进行调整，能够控制粒径。烧成温度可以在700°C左右至1500°C左右的范围进行选择。在烧成温度为1000°C以上时，一次粒径可控制成0. 3 2 μ m左右。在通过前驱体烧成法生成结晶粒子9 的生成过程中，能够以多个结晶粒子92a 彼此凝聚的凝聚粒子92的状态获得结晶粒子92a。关于MgO的凝聚粒子92，通过本发明者的实验主要可确认抑制写入放电中的放电延迟的效果和改善放电延迟的温度依存性的效果。因此，在本实施方式中，利用凝聚粒子92 与基底膜91相比在高度的初始电子放出特性方面优越的性质，将其配设作为当放电脉冲上升时所需的初始电子供给部。
可以想到的是，放电延迟的主要原因在于，在放电开始时，成为触发器的初始电子从基底膜91表面向放电空间16中放出的量不足。因此，为了有利于初始电子对放电空间 16的稳定供给，MgO的凝聚粒子92分散配置在基底膜91的表面。由此，当放电脉冲上升时， 在放电空间16中存在充足的电子，从而实现放电延迟的消除。因此，利用这种初始电子放出特性，即使在PDPl为高精细的情况下等也能够实现放电响应性良好的高速驱动。另外， 利用在基底膜91的表面配设金属氧化物的凝聚粒子92的构成，除了主要是抑制写入放电中的放电延迟的效果之外，还可获得改善放电延迟的温度依存性的效果。如上所述，在本实施方式的PDPl中，通过实现低电压驱动和电荷保持的双重效果的基底膜91和实现放电延迟的防止效果的MgO的凝聚粒子92构成PDPl，对于PDPl整体而言，即使是高精细的PDP也能够以低电压实现高速驱动，并且还能够实现可抑制点灯不良的高品位的图像显示性能。[4-3.实验 1]图7是表示本实施方式的PDPl中的、使用由MgO和CaO构成的基底膜91的情况下的放电延迟与保护层9中的钙(Ca)浓度的关系的图。作为基底膜91由MgO和CaO构成， 基底膜91形成为，在X射线衍射分析中，峰值存在于产生MgO的峰值的衍射角和产生CaO 的峰值的衍射角之间。需要说明的是，在图7中示出作为保护层9仅有基底膜91的情况和在基底膜91 上配置有凝聚粒子92的情况，放电延迟以在基底膜91中不含有Ca的情况为基准而进行表
7J\ ο根据图7可以明显可知，在仅有基底膜91的情况和在基底膜91上配置有凝聚粒子92的情况下，对于仅有基底膜91的情况而言，随着Ca浓度增加而放电延迟变长，相对于此，通过在基底膜91上配置有凝聚粒子92，能够使放电延迟大幅度减小，即使Ca浓度增加， 放电延迟也几乎不增大。[4-4.实验 2]然后，对为了确认本实施方式的具有保护层9的PDPl的效果而完成的实验结果进行说明。首先，试制出具有构成不同的保护层9的PDP1。试制品1为仅形成有基于MgO的保护层9的PDP1。试制品2为形成有掺有Al、Si等不纯物的基于MgO的保护层9的PDP1。 试制品3为在MgO的保护层9上仅散布且附着有由MgO构成的结晶粒子92a的一次粒子的 PDP1。另一方面，试制品4为本实施方式的PDPl。试制品4为在基于MgO的基底膜91上以遍及整面地分布的方式附着有使具备同等粒径的MgO的结晶粒子9 彼此凝聚而成的凝聚粒子92的PDP1。作为保护层9，使用前述的样品A。即，保护层9具备由MgO和CaO构成的基底膜91，在基底膜91上以遍及整面而大致均勻分布的方式附着有由结晶粒子9 凝聚而成的凝聚粒子92。需要说明的是，基底膜91在基底膜91面的X射线衍射分析中在构成基底膜91的第一金属氧化物的峰值与第二金属氧化物的峰值之间具有峰值。即，第一金属氧化物为MgO，第二金属氧化物为CaO。此外，MgO的峰值的衍射角为36. 9度，CaO的峰值的衍射角为32. 2度，基底膜91的峰值的衍射角存在于36. 1度。关于具有这4种保护层的结构的PDP1，对电子放出性能和电荷保持性能进行了测
12定。需要说明的是，电子放出性能为其越大则表示电子放出量越多的数值。电子放出性能表现为根据放电的表面状态和气体种类及其状态而决定的初始电子放出量。初始电子放出量能够以向表面照射离子或电子束测定从表面放出的电子电流量的方法来进行测定。 然而，在以非破坏方式实施的方面存在困难。因此，采用在日本特开2007-48733号公报中记载的方法。即，测定了放电时的延迟时间中的、被称为“统计延迟时间”的成为容易产生放电程度的基准的数值。通过对统计延迟时间的倒数进行积分，成为与初始电子的放出量线性对应的数值。放电时的延迟时间是指，从写入放电脉冲的上升到写入放电延迟产生的时间。可以想到的是，产生放电延迟的主要原因在于，产生写入放电时的成为触发器的初始电子难以从保护层表面向放电空间中放出。另外，关于电荷保持性能，作为其指标，使用制作PDPl时为抑制电荷放出现象所需的施加于扫描电极的电压(以下，称为“Vscn点灯电压”)的电压值。即，Vscn点灯电压的较低则表示电荷保持能力高。若Vscn点灯电压低，则能够以低电压驱动PDP。因此，作为电源和各电气部件，能够使用耐压及容量小的部件。在现阶段的制品中，作为用于依次向面板施加扫描电压的MOSFET等半导体开关元件，使用耐压为150V左右的元件。作为Vscn点灯电压，考虑到温度的变动，优选将其抑制到120V以下。关于所述的PDP1，对其电子放出性能和电荷保持性能进行了调查，其结果在图8 中示出。需要说明的是，电子放出性能是表示其越大则电子放出量越多的数值，通过根据表面状态及气体种及其状态确定的初始电子放出量来进行表示。关于初始电子放出量，能够通过向表面照射离子或电子束而测定从表面放出的电子电流量的方法来进行测定，但是难以通过非破坏性的方式实施PDPl的前面板2表面的评价。因此，使用日本特开2007-48733 号公报中记载的方法。即，测定放电时的延迟时间中的、被称为“统计延迟时间”的成为放电容易产生程度的基准的数值，若对其倒数进行积分则成为与初始电子的放出量线性相对应的数值。因此，使用该数值进行评价。放电时的延迟时间是指，从脉冲的上升起到放电延迟进行的放电延迟的时间，可以想到的是，放电延迟的主要原因在于，当放电开始时成为触发器的初始电子难以从保护层9表面向放电空间中放出。关于电荷保持性能，作为其指标，使用在制作PDPl时为抑制电荷放出现象所需的施加于扫描电极的电压(以下，称为“Vscn点灯电压”)的电压值。即，Vscn点灯电压低则表示电荷保持能力高。在这种情况下，在设计PDPl方面，可以使用耐压及容量小的部件来作为电源和各电气部件。在现阶段的制品中，作为用于依次向面板施加扫描电压的MOSFET 等半导体开关元件，使用耐压150V左右的元件，作为Vscn点灯电压，考虑到温度的变动，优选抑制到120V以下。根据图8明显可知，对于试制品4而言，在对电荷保持性能进行的评价中，能够使 Vscn点灯电压为120V以下，而且电子放出性能与仅为MgO的保护层的情况下的试制品1相比能够获得非常良好的特性。一般而言，PDP的保护层的电子放出能力与电荷保持能力相反。例如，通过保护层的成膜条件的变更或者向保护层中掺入Al、Si、Ba等不纯物而成膜，能够提高电子放出性能。然而，作为其副作用，也会导致Vscn点灯电压上升。
在具有本实施方式的保护层9的PDP中，作为电子放出能力，能够获得8以上的特性，作为电荷保持能力，Vscn点灯电压能够为120V以下。即，能够获得具备与因高精细化而使扫描线数增加且具有单元大小减小倾向的PDP相对应的电子放出能力和电荷保持能力双方的保护层9。[4-5.实验 3]接下来，对本实施方式的PDPl的保护层9所使用的凝聚粒子92的平均粒径进行详细地说明。需要说明的是，在以下的说明中，粒径是指平均粒径，平均粒径是指体积累积平均径(D50)的情况。图9表示在保护层9中使MgO的凝聚粒子92的平均粒径变化而调查了电子放出性能得到的实验结果。在图9中，通过对凝聚粒子92进行SEM观察而测定凝聚粒子92的平均粒径的长度。如图9所示，若平均粒径小到0. 3 μ m左右，则电子放出性能降低，若为大致0. 9 μ m 以上，能够获得较高的电子放出性能。为了使放电单元内的电子放出数增加，优选保护层9上的每个单位面积的结晶粒子数多。根据本发明人等的实验，若在相当于与保护层9紧密接触的间隔壁14的顶部的部分存在结晶粒子92a，则存在间隔壁14的顶部破损的情况。在这种情况下可知，破损的间隔壁14的材料越上荧光体上等，从而产生所属的单元无法正常点灯或灭灯的现象。对于间隔壁破损的现象而言，由于若结晶粒子9 不存在于与间隔壁顶部对应的部分则难以产生， 所以若附着的结晶粒子数多，则间隔壁14的破损产生概率增加。图10表示使凝聚粒子92 的平均粒径变化而调查了间隔壁破坏概率的实验结果。如图10所示，若粒径大到2.5μπι 左右，则间隔壁破损概率急剧升高，若为小于2. 5μπι的粒径，则能够将间隔壁破损概率抑制得较小。在如上述那样具有本实施方式的保护层9的PDPl中，作为电子放出能力，可获得 8以上的特性，作为电荷保持能力，能够使Vscn点灯电压为120V以下。需要说明的是，在本实施方式中，虽然作为结晶粒子使用MgO粒子进行了说明，但是对于其他单结晶粒子而言，使用与MgO同样带有高电子放出性能的Sr、Ca、Ba、Al等金属氧化物形成的结晶粒子也能够获得同样的效果，因此，作为粒子种类，不局限于MgO。[4-6.保护层的制造方法]接下来，使用图12对本实施方式的PDPl中形成保护层9的制造工序进行说明。如图12所示，在进行了形成电介体层8的电介体层形成工序之后，在基底膜蒸镀工序中，通过真空蒸镀法在电介体层8上形成基底膜91。真空蒸镀法的原材料为MgO单体、 CaO单体、SrO单体及BaO单体的材料的颗粒或将这些材料混合而成的颗粒。另外，可以使用电子束蒸镀法、溅射法、离子电镀法等。然后，在未烧成的基底膜91上离散地散布而附着多个凝聚粒子92。S卩，遍及基底膜91整面地分散配置凝聚粒子92。在该工序中，首先，制作凝聚粒子92混合于溶剂中的凝聚粒子膏剂。然后，在膏剂涂敷工序中，通过将凝聚粒子膏剂涂敷在基底膜91上，从而形成平均膜厚8 μ m 20 μ m的凝聚粒子膏剂膜。需要说明的是，作为将凝聚粒子膏剂涂敷在基底膜91上的方法，可以使用丝网印刷法、喷雾法、旋涂法、金属型涂料法、狭缝式涂敷法等。
在此，作为用于制作凝聚粒子膏剂的溶剂，适合采用与基底膜91和凝聚粒子92的亲和性高，并且为了在下一工序的干燥工序中容易进行蒸发除去而在常温下的蒸气压为数十1 这种程度的溶剂。例如使用甲氧基甲基丁醇、松油醇、丙二醇、苯甲醇等有机溶剂单体或它们的混合溶剂。含有这些溶剂的膏剂的粘度为数mPa · s 数十mPa · S。涂敷有凝聚粒子膏剂的基板立即向干燥工序移送。在干燥工序中，将凝聚粒子膏剂膜减压干燥。具体而言，凝聚粒子膏剂膜在真空腔体内在数十秒以内被急速干燥。因此， 不产生在加热干燥中显著的膜内的对流。因此，凝聚粒子92更加均勻地附着在基底膜91 上。需要说明的是，作为该干燥工序中的干燥方法，根据制作凝聚粒子膏剂时使用的溶剂等，也可以采加热干燥方法。接下来，在烧成工序中，将在基底膜蒸镀工序中形成的未烧成的基底膜91和经过了干燥工序的凝聚粒子膏剂膜在数百摄氏度的温度下同时烧成。通过烧成去除残留在凝聚粒子膏剂膜中的溶剂和树脂成分。其结果是，形成在基底膜91上附着有由多个多面体形状的结晶粒子9 构成的凝聚粒子92的保护层9。根据该方法，能够遍及整面地在基底膜91上分散配置凝聚粒子92。需要说明的是，除了这种方法以外，也可以不使用溶剂等而使用将粒子组直接与气体等一起喷射的方法或单纯利用重力进行散布的方法等。[5.粘接层17的详细内容]近年来，为了使PDPl轻量化，开始使用板厚薄的玻璃基板作为前面玻璃基板3及背面玻璃基板11。而且，随着PDPl的高精细化，间隔壁14的宽度也在变得狭小化。PDPl 的机械的强度依存于玻璃基板自身的强度和前面板2与背面板10的接合部的强度。接合部是指，配置有密封件的区域和间隔壁14与前面板2接合的区域。S卩，为了达成PDPl的轻量化和高精细化，抑制PDPl的机械强度的下降是至关重要的。因此，如图1及图3所示，本实施方式的PDPl具有划分放电空间16的间隔壁14 和将间隔壁14的至少一部分与前面板2粘接的粘接层17。而且，在本实施方式中，密封件包括上述的第一玻璃构件。粘接层17包括第二玻璃构件。第二玻璃构件的屈服点比第一玻璃构件的软化点低。第二玻璃构件的软化点比第一玻璃构件的软化点高。根据上述的构成，后述的密封温度可以设定在比第一玻璃构件的软化点高且比第二玻璃构件的软化点低的范围内。而且，在本实施方式中，如图1及图3所示，前面板2具有带状的显示电极6。另外，间隔壁14包括配置在与显示电极6交叉的方向的第一间隔壁1 和与第一间隔壁1 正交的第二间隔壁14b。粘接层17可以设置在第一间隔壁14a的上部。[5-1.粘接层17的组成]作为包括粘接层17的第二玻璃构件，优选含有Bi2O3和化03的玻璃熔料。Bi2O3使热膨胀系数增大、使软化点降低。即，具有提高粘接力的作用。B2O3形成玻璃骨格。而且， 化03使热膨胀系数降低、使软化点上升。作为玻璃熔料，例如使用Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2-RO系玻璃。在此，R为Ba、Sr、Ca、Mg中的任意一种。另外，第二玻璃构件的Bi2O3与化03的摩尔比优选为1 0. 5以上1 1. 5以下。 对于Bi2O3而言，为了抑制化03的结晶化，在该范围内时能够获得良好的粘接力。另外，若第二玻璃构件的Bi2O3与化03的摩尔比为1 0. 8以上1 1. 2以下，则更为优选。在为该范围时，可获得更加良好的粘接力。另外，第二玻璃构件含有10摩尔％以上40摩尔％以下的Bi2O3，并且，更优选含有 10摩尔％以上40摩尔％以下的化03。若Bi2O3不足10摩尔％，则粘接力下降。另一方面， 当Bi2O3超过40摩尔％时，在密封时第二玻璃构件开始结晶化。即，粘接力下降。另外，第二玻璃构件含有20摩尔％以上40摩尔％以下的Bi2O3，并且，更加优选含有20摩尔％以上 40摩尔％以下的化03。上述的第二玻璃构件的屈服点在425°C到455°C的范围内。另外，第二玻璃构件的软化点在500°C到530°C的范围内。需要说明的是，软化点是指玻璃因自重而显著开始软化变形的温度。换而言之，软化点为玻璃成为约107 6dpa · s的粘度时的温度。屈服点通过热机械分析而求出。热机械分析是指，根据一定的程序使试料的温度变化，同时施加压缩、拉伸，弯曲等非振动的负载而将其该物质的变形作为温度或时间函数进行测定的方法。作为热机械分析装置，例如可以使用岛津制作所制的TMA-60。屈服点是指，在表示基于热机械分析的玻璃的温度与体积变化的热膨胀曲线中， 看上去膨胀停止的温度。即，利用热机械分析的测定机构，通过玻璃本身接受工具的贯入而使玻璃的热膨胀系数急剧减小。换而言之，屈服点为玻璃成为101° IO11Cipa · S的粘度时的温度。[5-2.粘接层17的制造方法]在间隔壁14上利用丝网印刷法形成粘接层17。在本实施方式中，作为一例，使用第二玻璃构件和粘结剂成分混合而成的粘接层膏剂。首先，由例示出的组成构成的第二玻璃构件通过湿式喷射研磨或球磨被粉碎成平均粒径成为0. 5 μ m 3. 0 μ m而制作第二玻璃构件粉末。接下来，50重量％ 65重量％的第二玻璃构件粉末和35重量％ 50重量％的粘结剂成分通过三根辊子充分混炼而制成印刷用的粘接层膏剂。粘结剂成分为乙基纤维素或含有1重量％ 20重量％的丙烯酸树脂的松油醇或二甘醇丁醚醋酸酯。另外，在膏剂中，根据需要可添加作为可塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，作为分散剂可以添加甘油单油酸酯、脱水山梨醇倍半油酸酯、homogenol (花王公司制商品名)、烷基芳基的磷酸酯等。若添加分散齐U，则可提高印刷性。作为一例，示出使用上述的粘接层膏剂的丝网印刷的方法。首先，形成有间隔壁14 的背面玻璃基板11设置在丝网印刷机上。格网形成有规定的开口部。即，以在间隔壁14 上印刷粘接层膏剂的方式与间隔壁图案匹配地形成开口部。接下来，在格网上滴下规定量的粘接层膏剂。接下来，在格网的整面扩涂粘接层膏剂。最后，通过橡胶滚轴等将格网压抵到背面玻璃基板11。通过以上的工序在间隔壁14上印刷粘接层膏剂。然后，粘接层膏剂通过干燥炉而被去除粘结剂成分的一部分。需要说明的是，可以使用第二玻璃构件和感光性树脂等混炼而成的感光性膏剂。 具体而言，通过在将感光性膏剂涂敷在间隔壁14上之后进行曝光·显影，也能形成粘接层 17。需要说明的是，在本实施方式中虽使用丝网印刷法，但是也可以使用喷砂法。另外，根据粘接层17的组成也可以使用光刻法。[6.总结]本实施方式的PDPl具备前面板2、与前面板2对置配置的背面板10、粘接前面板和背面板的粘接层。前面板2具有电介体层8和覆盖电介体层8的保护层9。背面板10具有基底电介体层13、形成在基底电介体层13上的多个间隔壁14、在基底电介体层13上及间隔壁14的侧面形成的荧光体层15。保护层9包括形成在电介体层8上的作为基底层的基底膜91。在基底膜91上遍及整面地分散配置有多个氧化镁的结晶粒子9 凝聚而成的凝聚粒子92。基底膜91含有至少第一金属氧化物和第二金属氧化物。而且，基底膜91在 X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析中的第二峰值之间。第一峰值及第二峰值表示与基底膜91的峰值所示的面方位相同的面方位。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从由MgO、CaO, SrO及BaO构成的组中选出的两种。背面板10具有间隔壁14。粘接层17 将间隔壁14的至少一部分和保护层9粘接。如上所述，本实施方式的PDPl由实现低电压驱动和电荷保持的双重效果的基底膜91和实现放电延迟的防止效果的MgO的凝聚粒子92构成。由此，作为PDPl整体，即使是高精细的PDP也能够以低电压完成高速驱动，并且，能够实现抑制点灯不良的高品位的图像显示性能。另外，本实施方式的PDPl的粘接层17将间隔壁14的至少一部分和保护层 9粘接。由此，PDPl抑制机械强度的下降。[7.其他实施方式]如上述那样，例示出本实施方式的PDP1。然而，本发明不局限于此。图12示出其他实施方式的PDP1。需要说明的是，在图12中，对与图1至图3所示的结构相同的结构赋予相同的符号。对于相同符号的结构，适当地省略说明。而且，图12表示与图IWPDPW 第一间隔壁Ha平行的截面的一部分。如图12所示，前面板2具有覆盖显示电极6的电介体层8，显示电极6包括平行配置的多个总线电极4b、5b。粘接层17将第一间隔壁1 与前面板2的多个总线电极4bjb和第一间隔壁1 相对置的区域粘接。在前面板2的多个总线电极4b、5b间和第一间隔壁Ha相对置的区域形成有空隙18。根据该构成，在排气时，由于空隙18成为排气通路，从而放电空间16内的排气变得容易。因此，能够抑制机械强度的下降且能够实现更加容易制造的PDPl。另外，通过使排气变得容易，能够抑制放电空间16中的CO系的不纯物或CH系的不纯物附着到基底膜91。 因此，本实施方式的基底膜91能够抑制因长期使用造成二次电子放出能力下降的情况。因此，本实施方式的PDPl能够抑制基底膜91的劣化，降低维持电压。作为一例，图12所示的总线电极4以恥的膜厚为4μπι 6μπι。另外，在为了降低放电时的无功功率而形成介电率低的电介体层8时，为了保证与形成有介电率高的电介体层8时的容量相同的程度，所以减小电介体层8的膜厚。作为一例，对于介电率为5至7的电介体层8而言，膜厚优选为10 μ m以上20 μ m以下。以往，在介电率为11左右的电介体层8中，膜厚为约40 μ m。若电介体层8的膜厚变小，则电介体层8如图12所示那样在总线电极仙、恥部分隆起而形成凹凸。若通过形成有凹凸的前面板2和背面板10形成PDP1，则在前面板2的多个总线电极4b、5b间与第一间隔壁Ha相对置的区域能够形成空隙18。此时，粘接前的粘接层17的厚度优选为总线电极4b、5b的膜厚的1/2以上3/2以下。若不足
171/2，则被粘接的区域变小，从而机械强度下降。若超过3/2，则空隙18被粘接层17埋住，从而难以形成排气通路。需要说明的是，粘接层17可以构成为，不仅将第一间隔壁1 和前面板2粘接，也将第二间隔壁14b和前面板2粘接。产业上的可利用性如以上方式在本实施方式中公开的技术在实现具备高精细、高亮度的显示性能并且消耗电力低的PDP方面是有用的。
0168]符号说明0169]1 PDP0170]2前面板0171]3前面玻璃基板0172]4扫描电极0173]4a、透明电极0174]4b、5b总线电极0175]5维持电极0176]6显示电极0177]7黑条0178]8电介体层0179]9保护层0180]10背面板0181]11背面玻璃基板0182]12数据电极0183]13基底电介体层0184]14间隔壁0185]1 第一间隔壁0186]14b第二间隔壁0187]15荧光体层0188]16放电空间0189]17粘接层0190]18空隙0191]81第一电介体层0192]82第二电介体层0193]91基底膜0194]92凝聚粒子0195]9 结晶粒子
权利要求
1.一种等离子显示面板，其中，具备前面板、与所述前面板对置配置的背面板、将所述前面板和所述背面板粘接的粘接层，所述前面板具有电介体层和覆盖所述电介体层的保护层， 所述保护层包括形成在所述电介体层上的基底层，在所述基底层上遍及整面地分散配置有由多个氧化镁的结晶粒子凝聚而成的凝聚粒子，所述基底层至少包括第一金属氧化物和第二金属氧化物， 而且，所述基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值，所述峰值位于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X 射线衍射分析中的第二峰值之间，所述第一峰值及所述第二峰值表示与所述峰值所示的面方位相同的面方位， 所述第一金属氧化物及所述第二金属氧化物是从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选出的两种， 所述背面板具有间隔壁，所述粘接层将所述间隔壁的至少一部分和所述保护层粘接。
2.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中，所述前面板还具有被所述电介体层覆盖的带状的显示电极， 所述间隔壁包括配置在与所述显示电极交叉的方向上的第一间隔壁， 所述粘接层将所述第一间隔壁的至少一部分和所述保护层粘接。
3.根据权利要求2所述的等离子显示面板，其中， 所述显示电极包括平行配置的多个总线电极，所述粘接层将所述第一间隔壁与所述保护层中的、所述多个总线电极和所述第一间隔壁所对置的区域的至少一部分粘接，在所述保护层中的所述多个总线电极间与所述第一间隔壁所对置的区域的至少一部分形成有空隙。
全文摘要
等离子显示面板具备前面板、背面板、将前面板和背面板粘接的粘接层。前面板具有保护层。背面板具有间隔壁。保护层包括基底层。在基底层上分散配置有凝聚粒子。基底层包括第一金属氧化物和第二金属氧化物。在X射线衍射分析中，基底层的峰值位于第一金属氧化物的第一峰值与第二金属氧化物的第二峰值之间。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选出的两种。背面板具有间隔壁。粘接层将间隔壁的至少一部分和保护层粘接。
文档编号H01J11/48GK102449725SQ201180002229
公开日2012年5月9日 申请日期2011年3月7日 优先权日2010年3月15日
发明者吉野恭平, 头川武央, 林海, 石桥将, 辻田卓司, 野本和也 申请人:松下电器产业株式会社