等离子体刻蚀装置制造方法
【专利摘要】一种等离子体刻蚀装置，包括：工艺腔；位于所述工艺腔内的第一电极、第二电极，第一电极与第二电极相对放置，所述第一电极包括至少两块极板；激励射频单元，激励射频单元的数目与极板的数目相等，各个极板与各个激励射频单元一对一电连接，所述激励射频单元用于通过第一电极的各个极板向工艺腔内的刻蚀气体提供激励能量。通过设置所述各个激励射频单元的输出频率不同，或所述各个激励射频单元的发射射频之间存在相位差，或者发射射频的频率、相位均不同，该装置可以避免工艺腔内的电磁波发生相向传播而发生相干性产生驻波。减弱甚至消除工艺腔内的驻波效应，可以获得高密度均匀性的等离子体，达到对大尺寸晶圆的均匀性刻蚀。
【专利说明】等离子体刻蚀装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]现有技术中，等离子体刻蚀作为一种常用的晶圆刻蚀工艺，以适当的气体作为刻蚀气体，通过能量源，例如高频容性耦合RF发生器或者高频感性耦合RF发生器激励刻蚀气体形成等离子体，然后用所述等离子体刻蚀没有光刻掩膜的区域，即可在晶圆中形成所需要的图形。
[0003]在现有技术中，参考图1，等离子体刻蚀装置主要包括:具有开口 11的工艺腔18，该开口 11用于刻蚀气体的输入；位于工艺腔18内的上极板12,下极板14 ;直流电源13, —端与上极板12连接，另一端接高频容性耦合RF发生器15 ;高频容性耦合RF发生器15的另一端接低频容性耦合RF发生器16 ;低频容性耦合RF发生器16的另一端通过电容17与下极板14连接。其中，高频容性耦合RF发生器15与低频容性耦合RF发生器16之间的连接导线接地，晶圆(未标出)水平放置在下极板14上。
[0004]该装置工作时，刻蚀气体通过开口 11进入工艺腔18，高频容性耦合RF发生器15发射的射频通过上极板12在工艺腔18内产生振荡强电场。该振荡强电场激励刻蚀气体产生等离子体，并加速等离子体中的正离子，轰击置于下极板14上的晶圆(未标出)。其中，电容17阻止高频振荡信号通过而影响下极板14。
[0005]具体工作时，低频容性耦合RF发生器16用来控制下极板14附近的轰击正离子的能量。在实际操作中，关闭高频容性耦合RF发生器15的同时，通过设置合适的低频容性耦合RF发生器16的频率参数，以增大轰击正离子的能量，从而获得较高的刻蚀速率；或者通过调节低频容性耦合RF发生器16的频率，以减小轰击正离子的能量，从而防止正离子能量过大而可能损伤晶圆基片表面。在实际操作中，可以根据需要增加低频容性耦合RF发生器的数量，以达到更好的轰击效果。
[0006]现有技术中，还可以用直流偏置电源替换低频容性耦合RF发生器，或者增加直流偏置电源，直流偏置电源与下极板连接，通过该直流偏置电源控制等离子体中轰击正离子的能量。因此可以根据实际需要选择低频偏置电源或者直流偏置电源。
[0007]更多关于等离子体刻蚀装置的内容可以参见2009年4月29日公开的EP2053630A2号欧洲专利文献。
[0008]利用现有的等离子体刻蚀装置对250mm或者300mm晶圆进行刻蚀时，如果需要获得高密度、大面积的等离子体，必须增大高频RF发生器的射频频率。然而，在实践中发现，随着频率增大(27.1MHz，60MHz，160MHz)，会出现晶圆刻蚀剖面(刻蚀剖面是指被刻蚀图形的侧壁形状)不均匀的问题，从而得到有瑕疵的半导体芯片，降低芯片的性能，甚至会导致芯片无法工作。尤其是，当现代半导体工艺在向着450nm晶圆，甚至更大尺寸晶圆迈进，现有的等离子体刻蚀装置所存在的缺陷制约了技术进步。
【发明内容】
[0009]本发明解决的问题是现有技术的等离子体刻蚀装置在刻蚀工艺中会产生晶圆刻蚀不均匀的问题。
[0010]为解决上述问题，本发明提供一种等离子体刻蚀装置，包括:工艺腔；位于所述工艺腔内的第一电极、第二电极，第一电极与第二电极相对放置，第一电极包括至少两块极板；激励射频单元，激励射频单元的数目与极板的数目相等，各个极板与各个激励射频单元一对一电连接，所述激励射频单元用于通过第一电极的各个极板向工艺腔内的刻蚀气体提供激励能量。
[0011]可选的，所述第一电极的每块极板为封闭式环形结构，各个极板之间通过环套方式排列。
[0012]可选的，所述各个极板的封闭式环形结构为矩形环结构或者圆环形结构。
[0013]可选的，第一电极包括一块平面极板和至少一块封闭式环形极板，各个极板通过环套方式排列，其中，封闭式环形极板包围平面极板。
[0014]可选的，第一电极的各个极板为弧形结构，其凹面与第二电极相对；或者所述第二电极为弧形结构，其凹面与第一电极相对；或者第一电极的各个极板和第一电极均为弧形结构，所述各个极板的凹面与第二电极相对，第二电极的凹面与第一电极相对。
[0015]可选的，等离子体刻蚀装置还包括:偏置电源，与第二电极电连接。
[0016]可选的，第二电极包括至少两块极板，第二电极的极板数目与第一电极的极板数目相同，第一电极的极板与第二电极的极板在工艺腔内一一相对；所述偏置电源的数目与所述第二电极的极板的数目相等，第二电极的各个极板与各个偏置电源一对一电连接。
[0017]可选的，所述第二电极的各个极板的相邻边缘之间留有空隙。
[0018]可选的，所述构成第二电极的每块极板均为封闭式环形结构，第二电极的每块极板之间通过环套方式排列。
[0019]可选的，构成第二电极的各个极板的封闭式环形结构为矩形环结构或者圆环形结构。
[0020]可选的，第二电极包括一块平面极板和至少一块封闭式环形极板，第二电极的所有极板通过环套方式排列，其中，第二电极的封闭式环形极板包围平面极板。
[0021]可选的，所述第二电极的各个极板为弧形结构，凹面与第一电极相对。
[0022]可选的，所述偏置电源包括:低频容性耦合射频发生器或直流电源，或者包括低频容性耦合射频发生器和直流电源。
[0023]可选的，所述每个激励射频单元包括:高频容性耦合射频发生器，或者高频感性耦合射频发生器。
[0024]与现有技术相比，本发明具有以下优点:
[0025]本发明的等离子体刻蚀装置，第一电极由至少两块极板构成，激励射频单元的数目与极板的数目相等，各个极板与各个激励射频单元一对一电连接。所述激励射频单元通过第一电极的各个极板向进入工艺腔内的刻蚀气体提供激励能量，激励气体产生等离子体。其中，通过预先设定，或在实际操作中根据工艺腔内等离子体的密度调节各个激励射频单元发射的射频频率、相位，使各个激励射频单元发射的射频频率不同，或者发射的射频之间存在相位差，或者两者均不同。由于可以使各个激励射频单元发射的射频频率、相位两者之中至少一个是不相同的，因此可以减弱工艺腔内电磁波的相干性，从而可以减弱甚至消除了工艺腔内的驻波效应，使得工艺腔内的电场分布更加均匀，在工艺腔内产生的等离子体的密度分布更加均匀，进而对晶圆的刻蚀速率的均匀性也会改善，最终获得具有较高刻蚀均匀性的半导体芯片。进一步地，该发明的等离子体刻蚀装置满足了对大尺寸晶圆，例如450mm晶圆的刻蚀工艺对高度的密度均匀性、大面积等离子体的需求，是450mm晶圆半导体工艺在技术上的一大突破，促进半导体工艺的快速发展。
[0026]具体实施例中，构成第一电极的各个极板为弧形结构或者第二电极为弧形结构，或者两者均为弧形结构。其中，第一电极的各个极板的凹面与第二电极相对，第二电极的凹面与第一电极相对。通过改进第一电极、第二电极的形状，进一步改变了工艺腔内传播的电磁波的方向，从而达到更好地消除相干性，以更好的减弱甚至消除驻波，从而可以获得密度均匀性更好、大面积的等离子体。
[0027]具体实施例中，通过设置偏置电源与第二电极电连接，在工艺腔内形成沿垂直于第二电极方向传播的电场，进一步改变工艺腔内的等离子体中的电子运动方向，从而改变了由电子的运动产生的电磁波的传播方向，可以进一步消除相干和驻波，更进一步增加了等离子体的密度均匀性。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]图1是现有技术的等离子体刻蚀装置的结构示意图；
[0029]图2是本发明第一实施例的等离子体刻蚀装置的结构示意图；
[0030]图3是图2的本发明的实施例的等离子体刻蚀装置的第一电极沿W方向的剖面图；
[0031]图4是图2的本发明的另一实施例的等离子体刻蚀装置的第一电极沿A-A'方向的剖面图；
[0032]图5是图2的本发明的又一实施例的等离子体刻蚀装置的第一电极沿k~k'方向的剖面图；
[0033]图6是本发明第二实施例的等离子体刻蚀装置的结构示意图；
[0034]图7是本发明第三实施例的等离子体刻蚀装置的结构示意图；
[0035]图8是本发明第四实施例的等离子体刻蚀装置的结构示意图；
[0036]图9是本发明第五实施例的等离子体刻蚀装置的结构示意图；
[0037]图10是本发明第六实施例的等离子体刻蚀装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0038]根据熟知的定标关系，等离子体密度正比于驱动电源频率的平方和施加的激励电压。在刻蚀具有较大表面积的晶圆时，为了获得高密度、大面积的等离子体，通常会增大驱动电源的频率值。发明人经过研究发现:随着频率超过27.1MHz，检测到工艺腔内出现了驻波效应，该驻波效应的存在导致了不均匀的刻蚀效果。发明人经过进一步研究，发现了产生驻波的原因。
[0039]参考图1，高频容性耦合RF发生器15通过上极板12在工艺18腔内产生振荡强电场。等离子体中的电子在振荡强电场的作用下高速运动，从而在工艺腔18内产生各向传播的电磁波。但是，发明人监测到，随着RF发生器15的射频频率超过27.1MHz，电磁波的波长明显减小。当电磁波的波长与上极板12的尺寸相当时，会在工艺腔18的中心部位激发一个沿平行于上极板平面方向传播的电磁波，即驻波，从而使得工艺腔18的中心部位的电场强度高于工艺腔其他部位的电场强度，使得沿平行于上极板平面方向的等离子体密度分布不均匀，继而造成等离子体中的轰击正离子的数目密度、以及能量密度沿平行于上极板平面方向的分布亦不均匀，则等离子体刻蚀速率亦不均匀，最终在沿晶圆径向(指沿晶圆半径的方向)上造成刻蚀率和刻蚀剖面(指晶圆的被刻蚀图形的侧壁形状)的不均匀性。
[0040]另一方面，入射到上极板12上的电磁波与上极板12反射的电磁波之间、入射到工艺腔18的腔壁上的电磁波与腔壁反射的电磁波之间、以及入射到下极板14上的电磁波与下极板14反射的电磁波之间会因相向传播而发生相干性，从而进一步产生驻波，也同样影响到刻蚀的均匀性效果。
[0041]基于以上原因，本发明提供一种等离子体刻蚀装置，消除驻波效应。
[0042]为了使本领域技术人员更好地理解本发明，下面结合附图详细说明本发明的【具体实施方式】。但是，本发明可实施为许多不同形式，不应认为是限制于在此提出的示例性实施例。此外，提供这些实施例使得公开的内容清楚、完整，能够将本发明的范围全部传导给本领域的技术人员。附图中为了清楚起见，可将元件的形状夸大。整个说明书中相同的附图标记表示相似的元件。对于现有技术中公知的功能和结构，在本发明的详细说明书中不作进一步的讨论，以避免不必要地造成本发明要点的不清楚。
[0043]第一实施例
[0044]参考图2，第一实施例中，等离子体刻蚀装置包括:具有开口 21的工艺腔28 ;位于所述工艺腔28内的第一电极22a、第二电极24a，所述第一电极与第二电极相对放置，所述第一电极位于所述工艺腔的顶部，其中第一电极22a包括极板221a和极板222a ;激励射频单元，激励射频单元的数目与极板的数目相等，各个极板与各个激励射频单元一对一电连接，所述激励射频单元用于通过第一电极的各个极板向工艺腔内的刻蚀气体提供激励能量，在该第一实施例中，包括两个激励射频单元，分别为与所述极板221a电连接的激励射频单元251，与极板222a电连接的激励射频单元252，所述激励射频单元251、252的另一端接地；第二电极24a，晶圆(未标出)放置在第二电极24a上。
[0045]结合参考图2、图3和图4，在本实施例中，极板221a为封闭式环形结构，极板222a为平面极板结构，两者以环套方式排列，即极板222a处于极板221a的中心区域，相邻极板之间留有空隙23。在图3所示的实施例中，极板221a为封闭式圆环形结构，极板222a为圆形平面极板结构。在图4所示的实施例中，极板221a为矩形环状结构，极板222a为矩形平面极板结构。本发明中，环形结构的极板221a的形状不限于圆环形、矩形环，可以为各种环形结构。平面极板结构的极板222a的形状不限于圆形平面极板、矩形平面极板，可以为各个形状的平面极板。
[0046]以上列举了第一电极包括两个极板的情形，但第一电极不限于两个极板，当为三个以上极板时，其中一块为平面极板，其余为封闭式环形极板，各个极板通过环套方式排列，封闭式环形极板包围平面极板，即各个环形极板一环套一环，平面极板位于最内环极板的中心区域。
[0047]以上列举了第一电极的各个极板中，一块为平面极板，其余为封闭式环形极板的情形，第一实施例中，也可以为各个极板均为封闭式环形结构，各个环形极板之间通过环套方式排列，即各个环形极板一环套一环。参考图5,第一电极的极板221a、222a均为封闭式圆环结构，两者以环套方式排列。图5所示的实施例，第一电极包括两个极板，但第一极板的数量可以为三个以上包括三个。
[0048]在第一实施例中，构成第一电极的各个极板不限于以上列举的实例，第一电极的各个极板可以均为平面结构，例如矩形的平面结构。各个极板在同一平面上排列，而且，各个极板之间具有空隙。在实践中可以根据所刻蚀晶圆的尺寸或者其他需要，将第一电极设置为包括三块或三块以上极板，并且设计合适的极板形状。
[0049]第一实施例中，激励射频单元251、252可以选择高频容性耦合RF发生器或者高频感性耦合RF发生器，可以根据实际需求选择他们的频率范围，例如可以选择它们的射频频率范围为 27.lMHz-160MHzo
[0050]对该实施例的装置，刻蚀气体通过开口 21、所述第一电极22a的两侧及极板221a和222a之间的空隙23进入工艺腔28。相比于现有装置的仅有电极与工艺腔之间的空隙允许气体进入，使得气体可以更快地进入到工艺腔中，并且在工艺腔中的分布也更加均匀。
[0051]对该实施例的装置，由于第一电极22a包括互相独立的两块极板221a、222a，相对于只有一块极板时，各个极板的尺寸减小了。则在使用高频或者超高频(2GHz，3GHz)激励射频单元时，相比于现有装置，极板的尺寸远小于工艺腔28内传播的电磁波的波长，相对传播的电磁波不会发生相干性，避免了在工艺腔28内的中心区域产生驻波，从而减弱甚至消除了在工艺腔28中产生的驻波效应。
[0052]由于驻波是由振动频率、相位相同的相向传播的两列波发生相干而产生的，因此，在刻蚀过程开始之前，可以预先设定激励射频单元251、252的射频频率、相位，或者在刻蚀过程中根据工艺腔28内的等离子体密度变化调整所述射频单元的频率、相位，使得它们之间的射频频率不同、或者存在相位差、或者同时存在不同频率和相位差。从而避免了极板221a和222a上的入射电磁波与各个极板上的反射电磁波的相干性、工艺腔28的两侧腔壁上的入射电磁波与腔壁上的反射电磁波的相干性、以及第二电极24a上的入射电磁波与第二电极24a上的反射电磁波的相干性，消除了驻波效应。
[0053]由于消除了驻波效应，因此所产生的等离子体的密度分布更加均匀，可以获得高密度均匀的、大面积的等离子体。均匀的等离子体使得刻蚀速率更加均匀，并最终实现晶圆的精确刻蚀，得到理想的刻蚀图形。尤其是可以满足对大尺寸晶圆，例如450mm晶圆的高均匀性刻蚀要求。
[0054]第二实施例
[0055]参考图6，第二实施例中，等离子体刻蚀装置包括:与第二电极24b电连接的低频容性耦合RF发生器261和直流电源262，低频容性耦合RF发生器261和直流电源262的另一端接地。其中，低频容性耦合RF发生器261通过向第二电极24b提供偏置电压，在工艺腔28内形成低频振荡电场；直流电源262通过向第二电极24b提供偏置电压，在工艺腔28内形成稳定电场。在该工艺腔28内传播的低频振荡电场和稳定电场可以改变工艺腔28内等离体中电子的运动方向，从而改变了工艺腔28内由于电子的高速运动而产生的部分电磁波的传播方向，这可以进一步减弱甚至消除驻波效应。第一电极22b包括两个极板221b和222b，各个极板的形状、位置关系与第一实施例中第一电极的两个极板的形状、位置关系相同，在此不做详述。与极板221b、222b电连接的激励射频单元251、252的设置、位置关系与第一实施例相同，在此不作赘述。第二实施例，与第一实施例相比，增加了低频容性耦合RF发生器261、直流电源262，其他与第一实施例相同。
[0056]另外，低频容性耦合RF发生器261或者直流电源262可以通过增大等离子体中的轰击正离子的能量，提高刻蚀速率；或者通过减小第二电极24b附近的轰击正离子的动能，避免使用高频或者超高频激励射频电源时，等离子体所产生的高能轰击正离子可能造成的对晶圆的过刻蚀，损伤介质层。最终实现在工艺腔28中的正离子的能量密度的高均匀性。使用该实施例的装置，实现了工艺腔28内的等离子体密度和正离子能量密度的高度均匀，确保了刻蚀均匀性的较佳效果。
[0057]在具体的实践操作中，可以根据需要预先设定低频容性耦合RF发生器261的频率值或直流电源262的电压值；或者在刻蚀过程中，调节低频容性耦合RF发生器261频率值或直流电源262电压值，以进一步消除驻波效应或者控制轰击正离子的能量。其中，低频容性耦合RF发生器261的射频频率范围为2-13.67MHz，直流电源的电压范围为0-1000V。在具体实践中，可以对低频容性耦合RF发生器或者直流电源的种类、个数、频率或者电压进行选择。
[0058]第三实施例
[0059]参考图7，第三实施例中，第二电极24c包括两个极板，分别为极板241c、极板242c，其中，极板241c与低频容性耦合RF发生器261的一端电连接，低频容性耦合RF发生器261的另一端接地；极板242c的一端与直流电源262电连接，直流电源262的另一端接地。
[0060]第三实施例中，第二电极24c包括的两个极板的形状、位置关系与第一实施例中第一电极的两个极板的形状、位置关系相同，在此不做详述。另外，第二电极的极板的数目也不限于两个极板，可以为三个以上包括三个。第一电极的极板的数目与第二电极的极板的数目相同，且位置关系上下对应，比如，极板221c与极板241c相对，极板222c与极板242c相对。
[0061]其他结构以及连接关系与第一实施例相同，在此不做赘述。
[0062]由于第一电极22c包括的两个极板221c和222c相当于两个独立的小电极，可以分别在工艺腔28中产生振荡强电场，第二电极24c也包括两个极板，相对于第二电极为一极板而言，第二电极24c的每个极板对工艺腔28的控制区域减小。在晶圆尺寸较大时，可以更有针对性地通过调节低频容性耦合RF发生器261的频率值、直流电源262的电压值，改变工艺腔28内的电磁波的传播方向，消除部分相干，以减弱驻波效应。
[0063]第一电极22c，第二电极24c均为多个极板的结构设置，可以实现对晶圆分区域的更均衡、精确的正离子能量控制。最终，进一步得到高密度均匀的、大面积的等离子体，得到具有较高刻蚀均匀性和高刻蚀比的晶圆。
[0064]第四实施例
[0065]参考图8，第四实施例中，第一电极22d包括极板221(1、极板222(1，各个极板均设置成弧形结构，其凹面均与第二电极24d相对，对第一电极22d各个极板的弧形结构的弧度可以根据需要选择。其他结构以及连接关系与第一实施例相同，在此不做赘述。关于各个极板的形状，除了各个极板设置成弧形结构外，其他与第一实施例相同。[0066]该实施例中，由于第一电极为弧形结构，因此入射至极板221d和222d上的电磁波与被极板221d和222d反射而发出的电磁波之间不会相向传播，这样两者之间不会发生相干，也就不会产生驻波效应。
[0067]第四实施例中，第二电极24d与第二实施例相同。但第四实施例中，第二电极也可以与第三实施例相同，设置成多块极板。
[0068]第五实施例
[0069]参考图9，第五实施例中，第二电极24e为弧形结构，凹面与第一电极22e相对，工艺腔28的下腔板27也为弧形结构，第二电极24e的弧度与下腔板27的弧度可以相同，也可以不相同，当选择弧度相同时，可以使下腔板27更好的与第二电极24e的形状吻合，起到更好的支撑作用，防止第二电极24e发生形变。第二电极24e与下腔板27电连接，所述下腔板27与低频容性耦合RF发生器261和直流电源262的一端电连接，低频容性耦合RF发生器261和直流电源262的另一端接地。若第二电极不与下腔板电连接时，所述低频容性耦合RF发生器261和直流电源262的一端与第二电极24e电连接，另一端接地。
[0070]所述第二电极24e弧形结构的设置，改变了工艺腔28中入射到第二电极24e上的电磁波的反射方向，使得第二电极24e上的入射电磁波与反射的电磁波不会发生平行相向传播，从而也不会发生相干而产生驻波，即进一步避免了工艺腔28中的驻波效应。
[0071]第一电极22e的极板221e、222e以及其他结构均与第二实施例相同，在此不做赘述。
[0072]第六实施例
[0073]参考图10，第六实施例中，构成第一电极22f的极板221f和222f为弧形结构，各个极板的凹面与第二电极24f相对；第二电极24f为弧形结构，凹面与第一电极22f相对。对第一电极22f各个极板的弧形结构的弧度可以根据需要选择。其他结构以及连接关系与第二实施例相同，在此不做赘述。
[0074]该实施例的结构设置，可以改变入射到极板221f和222f上的电磁波的反射方向、入射到第二电极24f上反射的电磁波方向、以及入射到腔壁上的电磁波的反射方向，使得极板221f和222f上的入射电磁波和反射电磁波、第二电极24f上的入射电磁波和反射电磁波以及腔壁上的入射电磁波和反射电磁波不会发生相向传播，更进一步消除了工艺腔28内的驻波效应，得到最佳的刻蚀均匀性。
[0075]本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
【权利要求】
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括: 工艺腔； 位于所述工艺腔内的第一电极、第二电极，所述第一电极与第二电极相对放置，所述第一电极位于所述工艺腔的顶部且包括至少两块极板； 激励射频单元，激励射频单元的数目与极板的数目相等，各个极板与各个激励射频单元一对一电连接，所述激励射频单元用于通过第一电极的各个极板向工艺腔内的刻蚀气体提供激励能量。
2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第一电极的每块极板均为封闭式环形结构，各个极板之间通过环套方式排列。
3.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述封闭式环形结构为矩形环结构或者圆环形结构。
4.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第一电极包括一块平面极板，和至少一块封闭式环形极板，各个极板通过环套方式排列，所述封闭式环形极板包围平面极板。
5.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第一电极的各个极板为弧形结构，其凹面与第二电极相对； 或者，所述第二电极为弧形结构，其凹面与第一电极相对； 或者，所述第一电极的各个极板和第二电极均为弧形结构，所述各个极板的凹面与第二电极相对，所述第二电极的凹面与第一电极相对。`
6.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，还包括:偏置电源，与所述第二电极电连接。
7.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第二电极包括至少两块极板，第二电极的极板数目与第一电极的极板数目相同，第一电极的极板与第二电极的极板在工艺腔内相对； 所述偏置电源的数目与所述第二电极的极板的数目相等，第二电极的各个极板与各个偏置电源一对一电连接。
8.根据权利要求7所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第二电极的各个极板的相邻边缘之间留有空隙。
9.根据权利要求7所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第二电极的每块极板均为封闭式环形结构，第二电极的各个极板之间通过环套方式排列。
10.根据权利要求9所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第二电极的各个极板的封闭式环形结构为矩形环结构或者圆环形结构。
11.根据权利要求7所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第二电极包括一块平面极板和至少一块封闭式环形极板，第二电极的所有极板通过环套方式排列，第二电极的封闭式环形极板包围平面极板。
12.根据权利要求7所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第二电极的各个极板为弧形结构，凹面与第一电极相对。
13.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述偏置电源包括:低频容性耦合射频发生器或直流电源，或者包括低频容性耦合射频发生器和直流电源。
14.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述每个激励射频单元包括:高频容性耦合射频发生器，或者高频感性耦合射频发生器。
【文档编号】H01J37/32GK103515178SQ201210214130
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年6月26日 优先权日:2012年6月26日
【发明者】王冬江, 符雅丽, 张海洋 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司