专利名称:一种磁控溅射镀膜真空室温控门的制作方法
【专利摘要】一种磁控溅射镀膜真空室温控门，是由：温控门、长加热模块、长加热模块正极、长加热模块负极、矩形加热模块、正负极输入输出口、定位器构成；加热的结构及其方法简单，设计科学合理，使用方便、操作容易快捷；确保在大型连续性生产氧化铟锡膜中，通过控制对磁控溅射磁悬浮车靶的各部位的加热温度，使ITO薄膜得到整版均匀性良好的电阻，电阻率达到2×10-4Ω/cm、透过率达到90％以上；明显提高ITO薄膜的产品质量，大大提高工作效率，节约生产成本，延长使用寿命2倍以上，节能环保。
【专利说明】一种磁控溅射镀膜真空室温控门
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及ITO膜加热装置，尤其是一种磁控溅射镀膜真空室温控门。
【背景技术】
[0002]ITO透明导电膜即掺杂铟锡氧化物薄膜，简称ITO薄膜，是Indium Tin Oxide的缩写。ITO薄膜是一种η型半导体材料，其具有许多优异的物理、化学性能，例如较高的可见光透过率和导电率，与大部分衬底具有良好的附着性，较强的硬度及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力，因此，被广泛应用于光电器件中。比如:液晶显示器(IXD)，等离子显示器(TOP)，电极放光显示器(EL/0LED)，触摸屏，太阳能电池及其他电子仪表中。
[0003]目前，ITO薄膜的制备方法很多，常见的有:喷涂法、真空蒸发法、化学气相沉积、反应离子注入以及磁控溅射等。在这些制备方法中，目前磁控溅射法是用的最普遍的。由于磁控溅射具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜，因此被广泛应用于显示器件中ITO薄膜的制备。磁控溅射制备ITO薄膜，主要是利用直流(DC)电源在Ar溅射气体和充分氧化Ar/02混合气体中产生等离子体，对In-Sn合金靶或In203，Sn02氧化物靶或陶瓷靶进行轰击，以便在各种衬底上获得ITO薄膜。在制备工艺条件如靶中锡含量、沉积速率、衬底温度、溅射功率、及后续退火处理，都对ITO薄膜的光电特性有极大的影响；但是，现有的技术在玻璃衬底上低温制备ITO薄膜光学性能差，薄膜氧化不完全，结构不完整；尤其在对不同种温度条件下的ITO薄膜晶体结构和电阻，不能准确有效的调节控制温度来控制电阻的均匀性，降低了 ITO薄膜的产品质量，以及生产的工作效率，增加了生产成本，影响显示器、及仪器的使用寿命；是本领域生产发展中的瓶颈，不能满足用户和市场的需求。
[0004]鉴于上述原因，现有的ITO薄膜加热装置及其方法需要创新。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种磁控溅射镀膜真空室温控门，加热的结构及其方法简单，设计科学合理，使用方便、操作容易快捷；确保在大型连续性生产氧化铟锡膜中，通过控制对磁控溅射磁悬浮车靶的各部位的加热温度，使ITO薄膜得到整版均匀性良好的电阻，电阻率达到2 X 10-4 Ω /Cm、透过率达到90 %以上；明显提高ITO薄膜的产品质量，大大提高工作效率，节约生产成本，延长使用寿命2倍以上，节能环保。
[0006]本实用新型为了实现上述目的，采用如下技术方案:一种磁控溅射镀膜真空室温控门，是由:温控门、长加热模块、长加热模块正极、长加热模块负极、矩形加热模块、正负极输入输出口、定位器构成；温控门一侧的中部竖向设置长加热模块组，长加热模块组的两侧对称设置一对长加热模块，一对长加热模块与长加热模块组之间对称设置一对矩形加热模块组。
[0007]所述的长加热模块组由至少两块长加热模块横向并列设置组成，长加热模块上方中部设置长加热模块正极和长加热模块负极。
[0008]所述的矩形加热模块组由至少四块矩形加热模块竖向并列设置组成，每块矩形加热模块一侧设置正负极输入输出孔，正负极输入输出孔内设置矩形加热模块正极和矩形加热模块负极。
[0009]所述的每块长加热模块和每块矩形加热模块均通过定位器与温控门固定。
[0010]所述的每块长加热模块和每块矩形加热模块均为U形加热管内对应设置至少两个S形加热管构成。
[0011]本实用新型的有益效果是:在连续性真空磁控溅射镀膜设备室内，长加热模块正极和长加热模块负极分别与电源的正负极连接，矩形加热模块一侧的正负极输入输出孔内的矩形加热模块正极和矩形加热模块负极分别与电源的正负极连接，温控门上的每块长加热模块和每块矩形加热模块通电后，电能转换为热能通过加热管向外散热，对悬浮运行中车体上安装的ITO薄膜各部位进行加热，可通过工控机控制每块长加热模块和每块矩形加热模块采用不同的加热温度，对悬浮运行中车体上ITO薄膜的不同部位采用不同的温度进行加热，车体通过连续性真空磁控溅射镀膜设备室后，自然冷却至常温状态，制得ITO薄膜成品的电阻率达到2X 10-4 Ω/Cm，透过率达到90%以上。
[0012]长加热模块和矩形加热模块的温度调整范围为50_400°C，根据ITO薄膜的不同规格，可对温控门上不同位置的长加热模块和矩形加热模块采用不同的加热温度，使ITO薄膜的加热温度一致。
[0013]加热的结构及其方法简单，设计科学合理，使用方便、操作容易快捷；确保在大型连续性生产氧化铟锡膜中，通过控制对磁控溅射磁悬浮车靶的各部位的加热温度，使ITO薄膜得到整版均匀性良好的电阻，电阻率达到2X 10-4 Ω/Cm、透过率达到90%以上；明显提高ITO薄膜的产品质量，大大提高工作效率，节约生产成本，延长使用寿命2倍以上，节能环保。
[0014]本实用新型经过长期大量实验，优化如靶中锡含量、沉积速率、衬底温度、溅射功率、及后续退火处理等这些工艺参数后，可以获得具有较高的导电率和可见光透过率的优质ITO薄膜。
[0015]本实用新型在玻璃衬底上制备的ITO薄膜的电阻率达到2 X 10-4 Ω/cm和透过率达到90%以上。所以用磁控溅射技术在玻璃衬底上，可以制备出良好ITO透明导电薄膜，在其制备的同时我们对不同基底温度(150°C -350°C )条件下制备薄膜的电阻情况进行了深入研宄，现有技术中在玻璃衬底上低温制备ITO薄膜光学性能差的时候，往往笼统的被解释为薄膜氧化不完全，结构不完整，本实用新型经长期大量的实验，因此在对不同种温度条件下的ITO薄膜晶体结构和电阻得出新的研发成果。
【附图说明】
[0016]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0017]图1是，总装结构示意图；
[0018]图1中:温控门1、长加热模块2、长加热模块正极2-2、长加热模块负极2-3、矩形加热模块3、正负极输入输出口 3-2、定位器4。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明:
[0020]如图所示，温控门I 一侧的中部竖向设置长加热模块组，长加热模块组的两侧对称设置一对长加热模块2，一对长加热模块2与长加热模块组之间对称设置一对矩形加热模块组。
[0021]所述的长加热模块组由至少两块长加热模块2横向并列设置组成，长加热模块2上方中部设置长加热模块正极2-2和长加热模块负极2-3。
[0022]所述的矩形加热模块组由至少四块矩形加热模块3竖向并列设置组成，每块矩形加热模块3 —侧设置正负极输入输出孔3-2，正负极输入输出孔3-2内设置矩形加热模块正极和矩形加热模块负极。
[0023]所述的每块长加热模块2和每块矩形加热模块3均通过定位器4与温控门I固定。
[0024]所述的每块长加热模块2和每块矩形加热模块3均为U形加热管内对应设置至少两个S形加热管构成。
【权利要求】
1.一种磁控溅射镀膜真空室温控门，是由:温控门(I)、长加热模块(2)、长加热模块正极(2-2)、长加热模块负极(2-3)、矩形加热模块(3)、正负极输入输出口(3-2)、定位器(4)构成；其特征在于:温控门(I) 一侧的中部竖向设置长加热模块组，长加热模块组的两侧对称设置一对长加热模块(2)，一对长加热模块(2)与长加热模块组之间对称设置一对矩形加热模块组。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜真空室温控门，其特征在于:所述的长加热模块组由至少两块长加热模块(2)横向并列设置组成，长加热模块(2)上方中部设置长加热模块正极(2-2)和长加热模块负极(2-3)。3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜真空室温控门，其特征在于:所述的矩形加热模块组由至少四块矩形加热模块(3)竖向并列设置组成，每块矩形加热模块(3) —侧设置正负极输入输出孔(3-2)，正负极输入输出孔(3-2)内设置矩形加热模块正极和矩形加热模块负极。4.根据权利要求1、或2、或3所述的一种磁控溅射镀膜真空室温控门，其特征在于:所述的每块长加热模块(2)和每块矩形加热模块(3)均通过定位器(4)与温控门(I)固定。5.根据权利要求1、或2、或3所述的一种磁控溅射镀膜真空室温控门，其特征在于:所述的每块长加热模块(2)和每块矩形加热模块(3)均为U形加热管内对应设置至少两个S形加热管构成。
【文档编号】C23C14-08GK204265844SQ201420770392
【发明者】秦遵红, 董安光, 谭华, 王恋贵 [申请人]洛阳康耀电子有限公司