专利名称：薄膜沉积装置及其使用方法
技术领域：
本发明是有关于一种半导体制程及设备，且特别是有关于一种薄膜沉积装置及其使用方法。
背景技术：
薄膜沉积(thin film deposition)技术可应用于各种物品或组件,例如半导体组件等的表面处理。薄膜沉积技术是一种在各种材料例如金属、超硬合金、陶瓷及晶圆基板的表面上，成长一或多层同质或异质材料薄膜的制程。依据沉积过程是否含有化学反应，薄膜沉积可区分为物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,简称PVD)及化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称 CVD)。随着沉积技术及沉积参数差异，所沉积薄膜的结构可能是单晶、多晶或非结晶的结构。单晶薄膜的沉积在集成电路制程中特别重要，称为磊晶(epitaxy)。磊晶成长的半导体薄膜的主要优点是:因为在沉积过程中可直接掺杂施体或受体，因此可精确控制薄膜中的掺杂分布(dopant profile),并且不包含氧与碳等杂质。金属有机化学气相沉积(Metal-OrganicChemical Vapor Deposition,简称M0CVD)，其原理是利用承载气体(carrier gas)携带气相反应物，或是前驱物进入装有晶圆的腔体中，晶圆下方的承载盘(susceptor)以特定加热方式，例如高周波感应或电阻，加热晶圆及接近晶圆的气体使其温度升高，而高温会触发单一或是数种气体间的化学反应式，使通常为气态的反应物被转换为固态的生成物，并沉积在晶圆表面上。由于MOCVD是在高温的环境下进行化学反应，于一个磊晶制程完成后，必须等待MOCVD腔体内部温度降低至150°C甚或更低温度区间，才可以开腔取出完成磊晶之晶圆片，以避免载盘与晶圆片因为急剧温差(thermo shock)造成变形或破裂。然而MOCVD腔体降温的时间冗长，增加了磊晶 制程的成本。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供一种薄膜沉积装置及其使用方法，可以节省制程的时间、节省能源并降低成本。另外，本发明的目的还在于提供一种上述薄膜沉积装置的使用方法。本发明提出一种薄膜沉积装置，用于对一基材进行一薄膜沉积制程。此薄膜沉积装置包括反应腔、预热腔、冷却腔及至少一传送模块。预热腔预热上述基材。反应腔自预热腔接收预热后的基材，加热至工作温度范围进行薄膜沉积制程，完成薄膜沉积制程后，对反应腔内的基材进行冷却。冷却腔自反应腔接收基材并进一步冷却基材。至少一传送模块在预热腔、反应腔及冷却腔之间传送基材。在本发明的一实施例中，上述的传送模块包含缓冲室，上述缓冲室各藉由至少一独立阀门分别连接预热腔、反应腔与冷却腔。缓冲室中设置至少一机械手臂，上述机械手臂在预热腔以及反应腔之间传送薄膜沉积制程前的基材，以及在反应腔以及冷却腔之间传送薄膜沉积制程后的基材。在本发明的一实施例中，上述薄膜沉积装置更包含气体供给装置，连接于该预热腔、该缓冲室与该冷却腔，以供给至少一种惰性气体至预热腔、缓冲室与冷却腔中。在本发明的一实施例中，上述薄膜沉积装置当阀门被开启时，缓冲室以及所有连接缓冲室的腔室保持相同的气体氛围。在本发明的一实施例中，上述预热腔、缓冲室与冷却腔中各设置至少一独立加热器。在本发明的一实施例中，上述薄膜沉积装置中，当阀门被开启时，缓冲室以及所有连接缓冲室的腔室保持相同的温度。 在本发明的一实施例中，上述传送模块包括第一缓冲室及第二缓冲室。第一缓冲室各藉由至少一个独立阀门分别连接预热腔与反应腔。第一缓冲室设置第一机械手臂，在预热腔以及反应腔之间传送薄膜沉积制程前的基材。第二缓冲室各藉由另外至少一个独立阀门分别连接反应腔与冷却腔。第二缓冲室设置第二机械手臂，在反应腔以及冷却腔之间传送薄膜沉积制程后的基材。在本发明的一实施例中，上述薄膜沉积装置更包含气体供给装置，连接于该预热腔、该第一缓冲室、该第二缓冲室与该冷却腔，以供给至少一种惰性气体至预热腔、第一缓冲室、第二缓冲室与冷却腔中。在本发明的一实施例中，上述薄膜沉积装置当至少一个阀门被开启时，缓冲室以及所有连接缓冲室的腔室保持相同的气体氛围。在本发明的一实施例中，上述预热腔、第一缓冲室、第二缓冲室与冷却腔中各设置至少一独立加热器。在本发明的一实施例中，上述薄膜沉积装置，当至少一个阀门被开启时，缓冲室以及所有连接缓冲室的腔室保持相同的温度。在本发明的一实施例中，上述预热腔及冷却腔是水平设置或堆栈设置。在本发明的一实施例中，上述薄膜沉积装置是有机金属化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 M0CVD)装置，薄膜沉积制程是 MOCVD制程。本发明还提出一种薄膜沉积装置的使用方法，包括:在反应腔内，在工作温度范围，对基材进行薄膜沉积制程；对薄膜沉积制程后的基材冷却至第一温度范围；调整冷却腔与传送模块至第一温度范围；藉由传送模块自反应腔传送薄膜沉积制程后的基材至冷却腔；以及在冷却腔内，冷取薄膜沉积制程后的基材至第二温度范围。在本发明的一实施例中，上述薄膜沉积装置的使用方法，更包含:在预热腔内，预热薄膜沉积制程前的基材至第一温度范围；调整传送模块与反应腔至第一温度范围；以及藉由传送模块自预热腔传送薄膜沉积制程前的基材至反应腔。在本发明的一实施例中，上述藉由传送模块自预热腔传送薄膜沉积制程前的基材至反应腔完成后重复进行:在反应腔内，在工作温度范围，对基材进行薄膜沉积制程；对薄膜沉积制程后的基材冷却至第一温度范围；调整冷却腔与传送模块至第一温度范围；通过传送模块自反应腔传送薄膜沉积制程后的基材至冷却腔；以及在冷却腔内，冷取薄膜沉积制程后的基材至第二温度范围。
在本发明的一实施例中，上述第一温度范围介于摄氏400度至600度之间。在本发明的一实施例中，上述第二温度范围介于室温至摄氏150度之间。在本发明的一实施例中，上述使用方法在传送步骤之前，调整冷却腔、传送模块与反应腔保持相同的气体氛围。在本发明的一实施例中，上述使用方法在传送步骤之前，调整预热腔、传送模块与反应腔保持相同的气体氛围。综上所述，在本发明的半导体制程及设备，当反应腔内的薄膜沉积制程完成后，不需要等反应腔降至低温即可将基材取出，将其置入冷却腔降温，在冷却腔降温的过程中再将预热腔中已加热至第一温度的基材置入反应腔内再进行薄膜沉积制程，藉此，可以节省前后制程的间隔时间，提高工作效率并节省能源。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1绘示为本发明第一实施例提供的薄膜沉积装置的结构示意图。图2绘示为图1中薄膜沉积装置的反应腔和缓冲室的剖面示意图。图3绘示为本发明第二实施例提供的薄膜沉积装置的结构示意图。图4绘示为图3中薄膜沉积装置的预热冷却腔的结构示意图。图5绘示为本发明第三实施例提供的薄膜沉积装置的结构示意图。图6绘示为本发明第三实施例提供的薄膜沉积装置的使用方法的流程图。
具体实施例方式为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取之技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的薄膜沉积装置及其使用方法的具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。本发明的薄膜沉积装置适于对一基材进行半导体制程。以下实施例中，具体以薄膜沉积装置用于MOCVD制程中沉积II1-Nitride至基材上为例进行说明，当然，本发明的薄膜沉积装置也可用于其它需要预热和冷却制程的半导体制程中。图1所示为本发明第一实施例提供的薄膜沉积装置的结构示意图，图2所示为图1中薄膜沉积装置的反应腔和缓冲室的剖面示意图。请参照图1及图2，本实施例的薄膜沉积装置10包括反应腔12、预热腔14、冷却腔16及传送模块18。传送模块18用于在预热腔14、反应腔12及冷却腔16之间传送基材20。基材20被传送至预热腔14中进行预热，预热后的基材20自预热腔14传送至反应腔12，并且在反应腔12中将基材20加热至一工作温度进行薄膜沉积制程，完成薄膜沉积制程后，对反应腔12内的基材20进行冷却。基材20自反应腔12传送至冷却腔16中进行进一步的冷却。
预热腔14与冷却腔16同时具有负载锁定腔室(load lock chamber)功能。进一步来说，一般会透过传送腔室将基材传入或传出真空制程腔室，此传送腔室的功能是作为大气/真空界面并且通常称为负载锁定腔室。负载锁定腔室提供介于大气压力和真空制程腔室压力之间的阶段性真空。在一些系统中，负载锁定腔室可作为介在处于周遭环境压力下的等候系统(queuing system)与真空制程腔室之间的传送界面,用以在大气与真空之间交换基板。同样地，处理过的基材可能会经由负载锁定腔室被传送出真空制程腔室而处于大气环境中。而真空制程腔室与负载锁定腔室中多个开口的大小通常设计成能接收大面积基板的至少一个尺寸(即，宽度或长度)，以利于传送基材。这些腔室开口设计成可利用一阀门而选择性地开启和关闭，以利于传送基材和真空密封该腔室。具体来说，在预热腔14中，基材20自室温TO加热至第一温度Tl后，传送模块18将预热后的基材20自预热腔14传送至反应腔12，并且在反应腔12中将基材20由第一温度Tl加热至工作温度Tw而进行薄膜沉积制程，完成薄膜沉积制程后，基材20在反应腔12中由工作温度Tw冷却至第一温度Tl。然后，传送模块18将冷却至第一温度Tl的基材20自反应腔12传送至冷却腔16，并在冷却腔16中将基材20由第一温度Tl冷却至第二温度T2。第二温度T2低于第一温度Tl且高于室温TC，即，TO < T2 < Tl < Tw。较佳来说，第一温度Tl介于摄氏400度至600度之间，例如为摄氏500度，第二温度T2介于室温至摄氏150度之间，例如为摄氏100度。也就是说，当反应腔12内的薄膜沉积制程完成后，不需要等反应腔12降至低温即可将基材20自反应腔12内取出，并将其置入冷却腔16降温。在冷却腔16降温的过程中再将预热腔14中已加热至第一温度Tl的基材置入反应腔12内再进行薄膜沉积制程，藉此，可以节省前后制程的间隔时间，提高工作效率并节省能源。更进一步，本实施 例的传送模块18包括缓冲室22及设置于缓冲室22内的机械手臂23。缓冲室22连接于预热腔14与反应腔12之间以及冷却腔16与反应腔12之间。机械手臂23在预热腔14以及反应腔12之间传送薄膜沉积制程前的基材20，以及在反应腔12以及冷却腔16之间传送薄膜沉积制程后的基材20。请同时参照图1及图2，薄膜沉积装置10更包括第一闸门24、第二闸门26及第三闸门28。第一闸门24设于预热腔14与缓冲室22之间，第二闸门26设于反应腔12与缓冲室22之间，第三闸门28设于冷却腔16与缓冲室22之间。也就是说，在本实施例中，机械手臂23可以分别通过第一闸门24进出预热腔14，通过第二闸门26进出反应腔12，及通过第三闸门28进出冷却腔16。请再参照图2，更进一步，在本实施例中，基材20放置在基座274上并由转盘272承载。设置于转盘272下方的转轴270可以用来驱动转盘272进行旋转。当然，基材20在反应腔12内的承载方式也可以具体制程进行改变，本发明并不以此为限。薄膜沉积装置10更包括加热器276，加热器276分别设置于预热腔14、反应腔12、冷却腔16及缓冲室22中(图2中仅示出加热器设置于反应腔12及缓冲室22中的情形)分别或同时对预热腔14、反应腔12、冷却腔16及缓冲室22进行加热。加热器276可为钨加热器、陶瓷加热器或射频加热器。反应腔12及缓冲室22之间的第二闸门26通过闸门阀体260开启和关闭，第一闸门24及第三闸门28也可以有类似的设计，当然可以为别的设计，本发明并不以此为限。当第一、第二及第三闸门24、26及28的一个或多个被开启时，缓冲室22以及所有连接缓冲室22的腔室保持相同的温度。例如，当第一闸门24开启时，预热腔14与缓冲室22保持相同的温度，当第一闸门24与第二闸门26开启时，预热腔14、反应腔12以及缓冲室22保持相同的温度。请参照图1，薄膜沉积装置10还包含气体供给装置29，以供给一或多种惰性气体至预热腔14、缓冲室22与冷却腔16中对其进行冷却。当第一及第三闸门24及28的一个或两个被开启时，缓冲室22以及连通的预热腔14或冷却腔16保持相同的气体氛围。当然，这些腔室也可以进行自然冷却。图3所示为本发明第二实施例提供的薄膜沉积装置的结构示意图，图4所示为图3中薄膜沉积装置的预热冷却腔的结构示意图。本实施例中，薄膜沉积装置30包括反应腔32、缓冲室42及设置于缓冲室42中的机械手臂38。薄膜沉积装置30与第一实施例中的薄膜沉积装置10的不同点在于其包括预热冷却腔34，也就是说本实施例将第一实施例中的预热腔14及冷却腔16堆栈设置于一体成为预热冷却腔34，以减少薄膜沉积装置30所占的空间。本实施例中以预热冷却腔34上下间隔分别做预热和冷却进行说明。具体请参照图3及图4，薄膜沉积装置30还包括第一闸门44、第二闸门46及第三闸门48，预热冷却腔34包括上腔体340和下腔体342。缓冲室42分别通过第一闸门44与上腔体340连接，通过第二闸门46与反应腔32连接，通过第三闸门48与冷却腔34连接。预热冷却腔34亦可以左右间隔分别预热和冷却，本发明并不以此为限。本实施例中，上腔体340作为预热腔使用，下腔体342作为冷却腔使用。基材在上腔体340内自室温TO加热至第一温度Tl后由机械手臂38传送至反应腔32，并在反应腔32内由第一温度Tl加热至工作温度Tw后，在工作温度Tw下进行薄膜沉积制程，然后再由机械手臂38传送至下腔体342，并在下腔体342内由工作温度Tw冷却至第二温度T2。图5所示为本发明第三实施例提供的薄膜沉积装置的结构示意图。本实施例中，薄膜沉积装置50包括反应腔52及预热冷却腔54。薄膜沉积装置50与第二实施例中的薄膜沉积装置30的不同点在于机械手臂包括第一机械手臂580及第二机械手臂582，缓冲室包括第一缓冲室520和第二缓冲室522。第一缓冲室520连接于预热冷却腔54与反应腔52之间，且第一机械手臂580设置于第一缓冲室520内。第二缓冲室522连接于反应腔52与预热冷却腔54之间，且第二机械手臂582设置于第二缓冲室522内。薄膜沉积装置50还包括第一闸门62、第二闸门64、第三闸门68及第四闸门66。预热冷却腔54包括并列设置的第一腔体540和第二腔体542。第一缓冲室520通过第一闸门62与第一腔体540连接，并通过第二闸门64与反应腔52连接。第二缓冲室522通过第三闸门68与反应腔52连接，并通过第四闸门66与第二腔体540连接。本实施例中，第一腔体540作为预热腔使用，第二腔体542作为冷却腔使用。第一缓冲室520藉由第一闸门62和第二闸门64分别连接第一腔体540与反应腔52,第一机械手臂580传送薄膜沉积制程前的基材于第一腔体540以及反应腔52之间。第二缓冲室522藉由第三闸门68和第四闸门66分别连接反应腔52与第二腔体542。第二机械手臂582传送薄膜沉积制程后之基材于反应腔52以及第二腔体542之间。具体的，基材在第一腔体540内自室温TO加热至第一温度Tl后由第一机械手臂580传送至反应腔52，并在反应腔52内由第一温度Tl升高至工作温度Tw，并在工作温度Tw下进行薄膜沉积制程，第二机械手臂582将反应腔内的已完成作业的基材传送至第二腔体542，并在第二腔体542内由工作温度Tw冷却至第二温度T2。本实施例中，由于置入和取出可以分别由第一机械手 臂580和第二机械手臂582来完成，即可在从反应腔52取出基材的同时就将已经预热的基材放入反应腔52内，更加节省了制程的时间。
可以理解，在另外的实施例中，第一腔体540与第二腔体542也可以像第二实施例中的一样上下堆栈设置，第一机械手臂580和第二机械手臂582也可放在一个缓冲室中完成置入和取出的作业。本发明第四实施例提供一种上述薄膜沉积装置的使用方法可大致归纳为图6所示的步骤。本实施例具体以使用第一实施例中的薄膜沉积装置为例对其使用方法进行描述，包括以下步骤S10(TS104。
请参阅图1及图6，首先，如步骤SlOO所述，在反应腔12中且在工作温度Tw的环境下对基材20进行薄膜沉积制程，例如沉积II1-Nitride至该基材上。再如步骤SlOl对薄膜沉积制程后的基材冷却至第一温度Tl。然后如步骤S102，调整冷却腔16与传送模块18至第一温度Tl。接着如步骤S103，藉由传送模块18自反应腔12传送薄膜沉积制程后的基材至冷却腔16。以及如步骤S104，在冷却腔16内，冷取薄膜沉积制程后的基材至一第二温度T2。其中，第二温度T2低于第一温度Tl且高于室温TO，S卩，TO < T2 < Tl < Tw。较佳来说，第一温度Tl介于摄氏400度至600度之间，例如为摄氏500度，第二温度T2介于室温至摄氏150度之间，例如为摄氏100度。具体的，在进行步骤SlOO前，还包括步骤:在预热腔14内预热薄膜沉积制程前之基材至第一温度Tl ;调整传送模块18与反应腔12至第一温度Tl ；以及藉由传送模块18自预热腔14传送薄膜沉积制程前的基材至反应腔12。当这些步骤完成后重复步骤S10(TS104。具体的，当机械手臂23将基材20自预热腔14内取出时，第一闸门24开启、第二闸门26及第三闸门28关闭，加热缓冲室22使其内的温度与预热腔14内的温度相同，然后等到反应腔12内的温度降至第一温度Tl时开启第二闸门26，利用机械手臂23将基材20移至反应腔12内，此时，预热腔22、传送模块18与反应腔12保持相同的气体氛围。当机械手臂23将基材20自反应腔12内取出时，第二闸门26开启、第一闸门24及第三闸门28关闭，缓冲室22内的温度与反应腔12内的温度相同，然后等到冷却腔16内的温度升至第一温度Tl时开启第三闸门28，利用机械手臂23将基材20移至冷却腔16内，此时，冷却腔16、传送模块18与反应腔12保持相同的气体氛围。可以理解，冷却腔16与预热腔14可以同时加热至第一温度Tl。步骤SlOl中，对薄膜沉积制程后的基材20冷却至第一温度Tl的方法包括通过气体供给装置29通入气体至反应腔12内，气体为氢气、氮气或惰性气体。也可以将气体通入冷却腔16及预热腔14内加速冷却。本实施例中，使用方法更包括在将基材20自反应腔12移至冷却腔16的同时，将预热腔14内已预热至第一温度Tl的下一批基材20移至反应腔12内以进一步节省时间。综上所述，在本发明的半导体制程及设备，当反应腔内的薄膜沉积制程完成后，不需要等反应腔降至低温即可将基材取出，将其置入冷却腔降温，在冷却腔降温的过程中再将预热腔中已加热至第一温度的基材置入反应腔内再进行薄膜沉积制程，藉此，可以节省前后制程的间隔时间，提高工作效率并节省能源。以上所述，仅是本发明的实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与 修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种薄膜沉积装置，用于对一基材进行一薄膜沉积制程，该薄膜沉积装置包含: 一预热腔，预热该基材； 一反应腔，自该预热腔接收预热后的该基材，加热至一工作温度范围进行薄膜沉积制程，完成薄膜沉积制程后，对该反应腔内的该基材进行冷却； 一冷却腔，自该反应腔接收该基材，进一步冷却该基材；以及 至少一传送模块，在该预热腔、该反应腔及该冷却腔之间传送该基材。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中该传送模块包含一缓冲室，该缓冲室各通过至少一独立阀门分别连接该预热腔、该反应腔与该冷却腔，该缓冲室设置至少一机械手臂，该机械手臂在该预热腔以及该反应腔之间传送薄膜沉积制程前的该基材，且在该反应腔以及该冷却腔之间传送薄膜沉积制程后的该基材。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其更包含一气体供给装置，连接于该预热腔、该缓冲室与该冷却腔，以供给至少一种惰性气体至该预热腔、该缓冲室与该冷却腔中。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置，其中当该至少一阀门被开启时，该缓冲室以及所有连接该缓冲室的腔室保持相同的气体氛围。
5.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其中该预热腔、该缓冲室与该冷却腔中各设有至少一独立加热器。
6.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其中当该至少一阀门被开启时，该缓冲室以及所有连接该缓冲室的腔室保持相同的温度。
7.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中该传送模块包含: 一第一缓冲室，各通过至少一个独立阀门分别连接该预热腔与该反应腔，该第一缓冲室设置一第一机械手臂，在该预热腔以及该反应腔之间传送薄膜沉积制程前的该基材；及 一第二缓冲室，各藉由另外至少一个独立阀门分别连接该反应腔与该冷却腔，该第二缓冲室设置一第二机械手臂，在该基材在该反应腔以及该冷却腔之间传送薄膜沉积制程后的该基材。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其更包含一气体供给装置，连接于该预热腔、该第一缓冲室、该第二缓冲室与该冷却腔，以供给至少一种惰性气体至该预热腔、该第一缓冲室、该第二缓冲室与该冷却腔中。
9.根据权利要求8所述的薄膜沉积装置，其中当该至少一阀门被开启时，该缓冲室以及所有连接该缓冲室的腔室保持相同的气体氛围。
10.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其中该预热腔、该第一缓冲室、该第二缓冲室与该冷却腔中各设置至少一独立加热器。
11.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置，其中当该些阀门被开启时，该缓冲室以及所有连接该缓冲室的腔室保持相同的温度。
12.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中该预热腔及该冷却腔是水平设置或堆栈设置。
13.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中该薄膜沉积装置是有机金属化学气相沉积装置，该薄膜沉积制程是有机金属化学气相沉积制程。
14.一种薄膜沉积装置的使用方法，该薄膜沉积装置的使用方法包含: 在一反应腔内，在一工作温度范围，对一基材进行一薄膜沉积制程；对薄膜沉积制程后的该基材冷却至一第一温度范围； 调整一冷却腔与一传送模块至该第一温度范围； 藉由该传送模块自该反应腔传送薄膜沉积制程后的该基材至该冷却腔；以及 在该冷却腔内，冷取该薄膜沉积制程后的该基材至一第二温度范围。
15.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置的使用方法，其更包含: 在一预热腔内，预热一薄膜沉积制程前的该基材至该第一温度范围； 调整该传送模块与该反应腔至该第一温度范围；以及 藉由该传送模块自该预热腔传送薄膜沉积制程前的该基材至该反应腔。
16.根据权利要求15所述的薄膜沉积装置的使用方法，其中在申请专利范围第15项所述的所有步骤完成后，重复专利范围第14项所述的所有步骤。
17.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置的使用方法，其中该第一温度范围介于摄氏400度至600度之间。
18.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置的使用方法，其中该第二温度范围介于室温至摄氏150度之间。
19.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置的使用方法，在该传送步骤之前，调整该冷却腔、该传送模块与该反应腔保持相同的气体氛围。
20.根据权利要求15所述的薄膜沉积装置的使用方法，在该传送步骤之前，调整该预热腔、该传送模块与该反应腔保持`相同的气体氛围。
全文摘要
本发明提出一种薄膜沉积装置，用于对一基材进行一薄膜沉积制程。此薄膜沉积装置包括反应腔、预热腔、冷却腔及至少一传送模块。预热腔预热基材。反应腔自预热腔接收预热后之基材并加热至工作温度进行薄膜沉积制程，完成薄膜沉积制程后，对反应腔内的基材进行冷却。冷却腔自反应腔接收基材并进一步冷却基材。传送模块在预热腔、反应腔及冷却腔之间传送基材。本发明还提供一种薄膜沉积装置的使用方法。上述薄膜沉积装置及其使用方法可以节省时间、节省能源并降低成本。
文档编号C23C16/18GK103184427SQ201110445019
公开日2013年7月3日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年12月28日
发明者方建中, 刘念慈 申请人:绿种子科技(潍坊)有限公司