专利名称：热处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于对半导体晶圆等基板进行处理的热处理装置，特别是涉及成批式的热处理装置。
背景技术：
在半导体器件的制造エ序中，采用以规定的间隔配置多个基板来一并处理的成批式的热处理装置。这样的热处理装置包括具有下部开ロ的反应管；能够配置在反应管内部并以规定的间隔保持多张基板的晶圆支承部；配置在反应管的外侧来对反应管内的基板进行加热的外部加热器。另外，在反应管内设有从下部的开ロ起沿着晶圆支承部向上延伸的气体供给喷嘴。将支承有基板的晶圆支承部输入到反应管内，利用外部加热器对基板进行加热并自气体供给喷嘴使エ艺气体流动，从而对基板进行与エ艺气体相对应的处理。 专利文献I :日本特开2000-068214号公报在上述这样的热处理装置中，在气体供给喷嘴延伸到比晶圆支承部的上端高的位置而自其顶端供给エ艺气体的情况下，就有可能在晶圆支承部的下端侧缺乏エ艺气体，处理的均匀性有可能在上端侧的基板与下端侧的基板之间变差。因此，采用长度不同的多个气体供给喷嘴、以规定的间隔形成有多个开ロ的气体供给喷嘴，从而自沿着晶圆支承部的长度方向的多个位置向基板供给エ艺气体，谋求处理的均匀性的改善(例如专利文献I)。但是，即使是在该情况下，エ艺气体一边在气体供给喷嘴内自下向上流动ー边被加热，因此自气体供给喷嘴的上端侧的开口供给的エ艺气体成为比自下端侧的开口供给的エ艺气体高的温度。因此，无法充分地改善对支承在晶圆支承部上的晶圆进行的处理的均匀性。另外，作为エ艺气体，在使用两种原料气体的情况下，ー个原料气体的分解温度比另ー个原料气体的分解温度显著低时，分解温度较低的原料气体有时就在气体供给喷嘴的特别是上端侧开始分解。这样ー来，膜就沉积在气体供给喷嘴的内部、反应管的内表面，膜向基板上沉积的速度就降低。另外，原料气体的利用效率也变差。并且，沉积到反应管的内表面的膜剥离时，成为颗粒的原因，因此不得不提高反应管的清洗频率，导致生产率的降低。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而做成的，能够提供ー种热处理装置，其是将作为处理对象的多个基板分层配置的热处理装置，其能够通过在基板间减少エ艺气体的温度差来改善处理的均匀性、能够抑制エ艺气体在到达基板前活化、分解。采用本发明的第I技术方案，提供ー种热处理装置，该热处理装置包括用于将多个基板分层支承的支承体；反应管，其内部能够容纳上述支承体并具有被配置在该反应管的侧部并向上述反应管的内部供给气体的多个气体供给管；以及第I加热部，其是用于对容纳在上述反应管内部的上述基板进行加热的第I加热部，具有自该第I加热部的下端延伸到上端的狭縫，该狭缝供上述多个气体供给管贯穿，该第I加热部的内表面中的该狭缝以外的内表面面向上述反应管的侧部。
图I是表示本发明的实施方式的热处理装置的概略图。图2是表示图I的热处理装置的内管的概略图。图3是表示图I的热处理装置的加热部的内表面的示意图。图4是表示图I的热处理装置的加热部以及外管的概略立体图。图5是表示埋入图I的热处理装置的外部加热器的狭缝的绝热材料的示意图。 图6是表示图I的热处理装置的概略剖视图。图7是表示图I的热处理装置的冷却空气的循环机构的示意图。图8是表示通过图I的热处理装置与气体供给系统连接而构成的成膜装置的一例的图。
具体实施例方式采用本发明的实施方式，能够提供ー种热处理装置，其是将作为处理对象的多个基板分层配置的热处理装置，能够在基板间减少エ艺气体的温度差。以下一边參照附图ー边对本发明的非限定性的例示的实施方式进行说明。在全部附图中，对相同或者对应的构件或者零部件标注相同或者对应的參照附图标记，省略重复的说明。另外，附图不以表示构件或者零部件间的相对比为目的，因而，具体的尺寸应该參照以下的非限定性的实施方式而由本领域技术人员決定。參照图I时，本发明的实施方式的热处理装置I包括呈下部开ロ的有盖圆筒形状的外管10 ;经过外管10的下部开ロ而能够进入到外管10内或者自外管10内退出的内管11 ;将多个晶圆W分层(或者沿着上下方向隔开规定的间隔)支承并经过内管11的下部开ロ而能够进入到内管11内或者自内管11内退出的晶圆支承体16 ;围绕外管10而透过外管10以及内管11来对被支承在晶圆支承体16上的晶圆W进行加热的加热部20。配置在内管11的外侧的外管10是由例如石英玻璃制作成的，在外管10的侧周面设有沿着外管10的长度方向排列成大致一列的多个(在图示的例子中为4个)引导管10a、10b、10c、10d。具体而言,在石英玻璃制的有盖圆筒管的侧周面上沿着长度方向以规定的间隔开孔，将石英玻璃制的管焊接在该孔上，从而能够制作外管10。另外，在引导管IOa IOd内插入有与引导管IOa IOd相对应的气体供给管17a 17d。S卩，引导管IOa IOd对所对应的气体供给管17a 17d进行支承。气体供给管17a 17d与来自气体供给系统(后述)的对应的配管相连接，来自气体供给系统的エ艺气体经过气体供给管17a 17d而供给到内管11的内部(后述)。另外，在外管10上，在引导管IOd的下方形成有排气管14。在排气管14的前端形成有凸缘，利用规定的接头与排气系统(后述)相连接。由此，经过气体供给管17a 17d向内管11内供给的エ艺气体在晶圆W的表面上通过之后，经过被设在内管11上的ー个或者多个开ロ部或者狭缝(未图示)而自排气管14排出。另外，外管10隔着未图示的密封构件而固定于支承板12。如图2的(a)所示，内管11大致呈在下部具有开ロ的有盖圆筒形状，例如是由石英玻璃制作的。另外，在内管11的外周面的一部分上安装有扩张部11a。扩张部Ila如图所示，具有沿着内管11的长度方向延伸的、大致箱的形状，在扩张部Ila与内管11的外周部之间形成有空间。另外，在扩张部Ila的外周部沿着内管11的长度方向隔开规定的间隔地形成有沿着内管11的长度方向排列成大致一列的多个气体供给孔Hl H4。气体供给孔Hl H4与上述的气体供给管17a 17d相对应地形成。换言之，气体供给管17a 17d以气体供给管17a 17d的开ロ端与所对应的气体供给孔Hl H4对齐的方式被引导管IOa IOd支承。另外，如图2的(b)所示，在内管11的外周部上的被扩张部Ila覆盖的部分形成有多个孔hl，由此，扩张部Ila内的空间与内管11内的空间相连通。因而，来自气体供给系统的エ艺气体经过气体供给管17a 17d以及气体供给孔Hl H4流入到扩张部Ila内，经过多个孔h I而向内管11内供给。另外，优选气体供给孔Hl H4的内径与 气体供给管17a 17d的内径大致相等。另外，也可以使气体供给孔Hl H4的内径比气体供给管17a 17d的内径稍大，将气体供给管17a 17d的前端稍稍插入到气体供给孔Hl H4内。再次參照图I时，内管11被固定在支座(pede stal) 18上，该支座18在上端形成有供晶圆支承体16贯穿的开ロ，支座18被支承在形成有供晶圆支承体16贯穿的开ロ的支承板12上。晶圆支承体16具有至少3根支柱16a。在支柱16a上以规定的间隔设有多个缺ロ部，晶圆W通过将其周缘部插入到缺ロ部而被支承。在本实施方式中，晶圆支承体16能够支承117张晶圆W。具体而言，支承有自上起的4张虚设晶圆、自下起的4张虚设晶圆、以及在自上起的4张虚设晶圆与自下起的4张虚设晶圆之间、且互相之间各被3张虚设晶圆分隔的4组的25张处理对象晶圆W。另外，晶圆支承体16被配置成，对100张晶圆W中的自上起的25张处理对象晶圆W大致自插入到外管10的引导管IOa中的气体供给管17a供给エ艺气体，对之下的25张处理对象晶圆W大致自气体供给管17b供给エ艺气体，对之下的25张处理对象晶圆W大致自气体供给管17c供给エ艺气体，对之下的25张处理对象晶圆W大致自气体供给管17d供给エ艺气体。另外，晶圆支承体16被固定在支承杆19上，支承杆19被支承在盖体12a上。盖体12a利用未图示的升降机构升降，由此，支承杆19进而晶圆支承体16能够相对于内管11内进入、退出。晶圆支承体16进入到内管11内时，盖体12a隔着未图示的密封构件与支承板12的下表面接触，由此，外管10内的气氛与外部气氛隔离。另外，也可以在盖体12a上设有支承杆19能够贯穿的开ロ，该开ロ与支承杆19之间用磁性流体密闭，并且利用旋转机构使支承杆19旋转。如图I所示，加热部20具有覆盖外管10的侧周部的第I加热部21、覆盖第I加热部21的上端部的第2加热部22 (相当于权利要求书中的第3加热部)。第I加热部21具有金属制的筒状体23、沿着筒状体23的内表面设置的绝缘体24、被绝缘体24支承的发热体25(參照图3)。另外，在第I加热部21的上端形成有用于对供给到加热部20与外管10之间的内部空间的空气(后述)进行排气的上端排气ロ 22D，经过与上端排气ロ 22D连接的排气管(未图示)而来自加热部20内部空间的空气被排出到外部。另外，在第I加热部21的筒状体23的侧面设有向发热体25供给电カ的多个电流导入端子25a。图3是表示加热部20的内侧的一部分的立体图。如图所示,在绝缘体24上沿着上下方向成排地形成有多个槽，在该槽中容纳有发热体25。通过将发热体25分层配置，能够对内管11内的多个晶圆W均匀地进行加热。另外，在本实施方式中，发热体25具有2根相互独立的电热丝，其中一根电热丝配置在将绝缘体24沿着纵向划分而成的两个区中的ー个区中，另ー根电热丝配置在两个区中的另ー个区中。采用这样的结构，针对两个具有大致半圆柱形状的每个绝缘体24配置发热体25之后，将两个绝缘体24配置在筒状体23的内表面，从而能够容易地制作第I加热部21。另外，发热体25也可以例如能够具有多个相互独立的电热丝，将它们配置在沿着上下方向呈台阶状划分而成的区中。这样配置可独立地控制向各区中的电热丝供给电カ，能够提高外管10内的晶圆W的温度均匀性。 如图3以及图4所示，在第I加热部21上设有自第I加热部21下端延伸到上端且允许外管10的引导管IOa IOd贯穿的狭縫。具体而言，在筒状体23的一部分上形成有沿着筒状体23的长度方向自筒状体23的下端延伸到上端的狭缝23C，与此相对应地在绝缘体24中也形成有自绝缘体24的下端延伸到上端的狭缝24C。因此，第I加热部21具有呈大致C字状的俯视形状。另外，第I加热部21的内表面中，除了狭缝(23C、24C)之外的内表面面向外管10的外周面。參照图I、图4以及图6时，外管10相对于第I加热部21偏心，使得外管10上靠引导管IOa IOd—侧的外周面接近第I加热部21的内周面。由此，能够缩短引导管IOa IOd以及气体供给管17a 17d位于第I加热部21内部以及内侧的长度。第I加热部21的内部以及内侧由于来自发热体25的辐射热而成为高温气氛，但气体供给管17a 17d不会以较长的距离通过这样的高温气氛。因此，气体供给管17a 17d中的エ艺气体能够在未被加热成那样程度的高温的情况下向外管10内供给。因而，即使是分解温度较低的气体，也能够不分解而到达晶圆W。另ー方面，在第I加热部21上设有狭缝(23C、24C)，因此，根据情况的不同，有时会出现自用于对外管10内的晶圆W进行加热的第I加热部21提供的热量不足或晶圆W的温度均匀性变差的情況。因此，在本实施方式中，如图3所示，沿着绝缘体24的狭缝24C的两缘设有第3加热部24s (相当于权利要求书中的第2加热部)。第3加热部24s例如是能够将电热丝卷绕在陶瓷制的杆上、用绝缘体覆盖卷绕电热丝的杆的周围来制作的，这一点未图示。通过对向该电热丝供给的电カ进行控制，能够对因狭缝而不足的热量适当地进行补充，和/或能够提高晶圆W的均热性。另外，如图4以及图5所示，也可以在由第I加热部21的狭缝(23C、24C)的两缘和引导管IOa IOd決定的空间中设置绝热材料26。绝热材料26例如可具有导热率尽可能小的例如由ニ氧化硅玻璃纤维(玻璃棉)形成的作为包装材料的外皮层；装入到外皮层内的ニ氧化硅玻璃的纤维或者粉状体。采用该结构，绝热材料26具有柔软性，因此能够根据上述的空间进行变形，能够没有间隙地填埋该空间。通过采用绝热材料26，能够防止第I加热部21内部的热经过该空间而向外部辐射，能够抑制第I加热部21内部的均热性变差。另外，向第I加热部21的发热体25供给电カ来进行加热时，由于自发热体25产生的热，第I加热部21自身也被加热而热膨胀，狭缝(23C、24C)的间隔有可能变宽。因此，如图6所示，设有自外侧按压第I加热部21的筒状体23的壳体51。壳体51具有与第I加热部21同样地允许外管10的引导管IOa IOd贯穿的狭缝，在该狭缝的两侧设有供连结构件52安装的安装部51a。通过将连结构件52安装在上述安装部51a，能够利用壳体51自外侧按压第I加热部21，由此，可抑制第I加热部21向外侧扩展。另外，參照图6时，在第I加热部21中形成有倾斜地(相对于绝缘体24的半径方向傾斜)贯穿绝缘体24的多个导管24a。在图6中，表示了 10个导管24a，但不限定于此，也可以适当地变更导管24a的数量。另外，如图7所示，导管24a沿着绝缘体24的长度方向隔开规定的间隔地形成。另外，如图6以及图7所示，筒状体23的外周部的一部分被切除，在被切除后而形成的部分处安装有沿着筒状体23的长度方向延伸的腔室23a。腔室23a如图7所示那样与来自鼓风机55的送风ロ 55a的配管56a相连接。另一方面,鼓风机55的流入ロ 55b利用配管56b与第I加热部21的上端排气ロ 22D相连接。采用这样的结构，空气自鼓风机55经过配管56a而向筒状体23以及绝缘体24之间的空间供给。供给到该空间的空气经过上述的导管24a而吹到外管10上。因而，例如，在对晶圆W进行的处理结束而使晶圆W的温度降低的情况下，如上所述那样将空气吹到外管10上，从而能够使外管10进而晶圆W的温度高效地降低。另外，如上所述，导管24a相对于绝缘体24倾斜地形成，因此流经导管24a的空气与外管10的外周面倾斜地吹到外管10的外周面上(參照图6)。因此，外管10的外周面未被局部冷却而被同样地冷却。另外，导管24a向使外管10和绝缘体24之间的间隔变小的方向倾斜，因此能够沿着间隔变小的方向(即空气较难流动的方向)积极地供给空气，由此,也能够使外管10的外周面同样地冷却。另外，吹到外管10上的空气经过上述排气ロ 22D而返回到鼓风机55，自鼓风机55送风。通过这样循环，能够减少自装置排气，能够减轻エ厂设备的负担。另外，如图3所示，第2加热部22与第I加热部21同样地具有绝缘体24和发热体25。也经由电流导入端子(未图示)向第2加热部22的发热体25供给电カ来控制发热体25的温度。接着，作为在本实施方式的热处理装置I中可实施的处理的一例，ー边參照图8 —边对氮化镓(GaN)膜向蓝宝石基板上的沉积进行说明。如图8所示，气体供给管17a 17d经由配管La Ld与对应的镓原料槽31a 31d相连接。镓原料槽31a 31d是所谓的起泡器(bubbler)，在本实施方式中，在内部填充有三甲基镓(TMGa)。另外，镓原料槽31a 31d经由设有所对应的流量调整器(例如质量流量控制器)3Fa 3Fd的配管Ia Id与规定的载气供给源相连接。作为载气，例如，能够采用高纯度氮气。在配管La Ld以及配管Ia Id上，在靠近镓原料槽31a 31d的部位设有联动地开闭的ー组开闭阀33a 33d。另外，设有将配管La Ld以及配管Ia Id连接起来的旁通管,在旁通管上设有所对应的旁通阀Ba Bd。打开旁通阀Ba Bd、关闭开闭阀33a 33d时，载气经过旁通管而到达所对应的气体供给管17a 17d，向外管10 内供给。相反，关闭旁通阀Ba Bd、打开开闭阀33a 33d时，载气向镓原料槽31a 31d供给，喷出到镓原料槽31a 31d内部所填充的TMGa液中，从而载气在含有TMGa的蒸气(或者气体)的状态下而自流出ロ流出。流出的含有TMGa蒸气(气体)的载气到达所对应的气体供给管17a 17d而向外管10内供给。另外，在镓原料槽31a 31d上设有恒温槽32，利用未图示的温度控制器将镓原料槽31a 31d进而内部的TMGa的温度维持在规定的温度，TMGa的蒸气压以与温度相对应的值维持恒定。利用恒温槽32将TMGa蒸气压维持恒定，并且利用被设于配管La Ld上的压カ调整器PCa PCd使配管La Ld内的压カ维持恒定，从而能够将流经配管La Ld的载气中的TMGa浓度维持恒定。另外,配管La Ld与例如来自氨(NH3)供给源的所对应的配管50a 50d合流。在配管50a 50d上设有所对应的流量调整器(例如质量流量控制器)4Fa 4Fd以及开闭阀Va Vd。打开开闭阀Va Vd时，来自NH3供给源的NH3气体被流量调整器4Fa 4Fd控制流量，经过配管50a 50d而流入所对应的配管La Ld。由此，TMGa的蒸气(气体)、NH3以及载气的混合气体经过气体供给管17a 17d而向外管10内供给。另外，设有与未图示的吹扫气体供给源连接的吹扫气体配管PL。在本实施方式中，作为吹扫气体，与载气同样地采用高纯度氮气。吹扫气体配管PL在流量调整器4Fa与开闭阀Va之间的位置经由开闭阀Pa与配管50a相连接。另外，吹扫气体配管PL在开闭阀Pa的跟前(靠吹扫气体供给源侧)分支，在流量调整器4Fb与开闭阀Vb之间的位置经由开闭阀Pb与配管50b相连接，在流量调整器4Fc与开闭阀Vc之间的位置经由开闭阀Pc与配管50c相连接，在流量调整器4Fd与开闭阀Vd之间的位置经由开闭阀Pd与配管50d相连接。另外，外管10的排气管14经由主阀2A以及压力调整器2B与泵(例如机械增压泵)4和泵(例如干泵)6相连接。由此，外管10内被維持成规定的压力，并且外管10内的气体被排出。另外，排出的气体自泵6引导到规定的除害设备，在此被除害而释放到大气中。在以上的结构中，GaN膜利用以下的顺序沉积在蓝宝石基板上。首先，利用未图示的升降机构将晶圆支承体16自外管10内向下方取出，利用未图示的晶圆装载机将具有例如直径4英寸的多个蓝宝石基板搭载于晶圆支承体16。接着，利用升降机构将晶圆支承体16加载到外管10内，支承板12借助密封构件(未图示)而密合在外管10的下端，从而外管10被气密地密闭。接着，利用泵4、6将外管10内减压成规定的成膜压カ。与此同时打开旁通阀Ba Bd、关闭开闭阀33a 33d而使来自载气供给源的氮气流动时，被流量调整器3Fa 3Fd控制了流量的氮气经过配管Ia Id以及旁通阀Ba Bd流入到配管La Ld、自气体供给管17a 17d流入到外管10内。另外，通过打开开闭阀Pa Pd，被流量调整器4Fa 4Fd控制了流量的氮气经过配管50a 50d、流入到所对应的配管La Ld、自气体供给管17a 17d流入到外管10。如上所述，通过使氮气向外管10内流动，对外管10内进行吹扫并对向加热部20 (第I加热部21以及第2加热部22)提供的电カ进行控制，从而将支承在晶圆支承体16上的蓝宝石基板W加热成规定的温度(例如850°C 1050°C )。蓝宝石基板W的温度被沿着晶圆支承体16的长度方向配置在外管10内的ー个或者多个热电耦(未图示)測量、基于测量温度对蓝宝石基板W的温度进行控制而使其維持恒定。 外管10内的吹扫结束，蓝宝石基板W的温度稳定在规定的温度之后，开始GaN膜的成膜。具体而言，首先，打开开闭阀Va Vd，并且关闭开闭阀Pa Pd，从而被流量调整器4Fa 4Fd控制了流量的NH3气体向外管10内供给。由此，外管10内的气氛从氮气氛变化成NH3气氛。另外，供给的NH3气体利用蓝宝石基板W的热而分解。此时，蓝宝石基板W的表面被由于NH3分解而生成的N原子氮化。经过规定的时间，外管10内的NH3浓度变得恒定(与见13气体供给源中的浓度大致相等)之后，打开开闭阀33a 33d，并且关闭旁通阀Ba Bd，从而被流量调整器3Fa 3Fd控制了流量的氮气向镓原料槽31a 31d供给，含有TMGa蒸气(气体)的氮气经过配管La Ld以及气体供给管17a 17d向外管10内供给。供给到外管10内的TMGa利用蓝宝石基板W的热而分解，分解而生成的Ga原子与由于NH3的分解而生成的N原子在蓝宝石基板W上化合而沉积GaN膜。采用以上说明的实施方式，在外管10的侧周面设有气体供给管17a 17d，自这些气体供给管17a 17d向外管10内供给エ艺气体(例如含有TMGa蒸气(气体)的载气和NH3气体的混合气体)。例如，在外管10内，エ艺气体在沿着该外管10长度方向(高度方向)自下向上延伸并具有多个孔的气体供给喷嘴内流动的情况下，越朝向气体供给喷嘴的上端，エ艺气体越被加热，温度不同的エ艺气体向各晶圆W供给，エ艺气体有可能损害晶 圆处理的均匀性。但是，采用本实施方式，如上所述，エ艺气体不会沿着外管10的长度方向在外管10内流动，自设在外管10的侧周面的气体供给管17a 17d向晶圆W供给，エ艺气体能以大致相等的温度向各晶圆W供给。因此，能够提高晶圆处理的均匀性。另外，与エ艺气体在外管10内自下向上流动的情况不同，エ艺气体几乎不热分解(或者热反应)就向晶圆W供给，能够利用晶圆W的热进行热分解(或者热反应)，能够提高工艺气体的利用效率。特别是，在采用TMGa和NH3来沉积GaN膜的情况下，采用在外管10内自下向上延伸的气体供给喷嘴来供给TMGa和NH3吋，分解温度较低的TMGa在气体供给喷嘴内、在反应管的气相状态下就分解，Ga就析出在气体供给喷嘴内、反应管的内表面。这样ー来，产生向蓝宝石基板W上沉积的GaN膜的沉积速度降低、或者析出的Ga剥离而成为颗粒这样的问题。但是，采用本实施方式的热处理装置(成膜装置)，TMGa和NH3不会在外管10内流动较长的时间，能够自气体供给管17a 17d就直接到达蓝宝石基板W的表面，因此能够抑制TMGa的分解，能够抑制成膜速度的降低、Ga的析出。另外，如图I、图3以及图4所示，外管10相对于第I加热部21偏心地配置，气体供给管17a 17d处于第I加热部21的内侧的长度变得极短，气体供给管17a 17d的加热被抑制。因而，也能够抑制气体供给管17a 17d被加热所导致的TMGa的分解。以上，一边參照几个实施方式以及实施例一边说明了本发明，但本发明不限定于上述的实施方式以及实施例，參照所附的权利要求书能够进行各种变形或者变更。例如，说明了采用热处理装置I的GaN膜的成膜，但不限于此，也可以采用例如ニ氯氢硅(SiH2Cl2)气体和NH3作为原料气体，为了在硅晶圆上沉积氮化硅膜而采用热处理装置1，也可以米用娃烧(SiH4)气体作为原料气体,为了在娃晶圆上沉积多晶娃膜而米用热处理装置I。并且，热处理装置I不仅可以用于薄膜的沉积，而且也可以用于例如硅晶圆的热氧化。另外,作为GaN膜的沉积所采用的镓原料,不仅可以使用TMGa，而且也可以使用三こ基镓(TEGa)等其他有机镓原料、氯化镓(GaCl)。另外，也可以与各镓原料槽31a 31d并列地设置不仅被填充有三烷基镓、而且还填充有例如三甲基铟(TMIn)等三烷基铟的原料槽，将含有三烷基镓的蒸气(气体)的载气与含有三烷基铟的蒸气(气体)的载气混合而向外管10内供给。由此，能够沉积氮化铟镓(InGaN)。另外，为了进一歩抑制三烷基镓(和/或者三烷基铟)在气体供给管17a 17d中分解，优选用由两个石英管构成为大致同心圆状的双层管形成引导管IOa IOd(換言之，在引导管IOa IOd上设有套管)，载气自内管的内侧向外管10内流动，并且，例如使冷却介质在内管和外管之间流动来对外管10进行冷却。另外，在本实施方式中，被设在外管10的排气管14形成在引导管IOd的下方，但只要是形成在外管10中的避开了相当干与引导管IOa IOd相反的ー侧的位置(相对位置)的位置即可。例如，也可以将排气管形成在上述相对位置的侧方、下方、或者上方。另夕卜，在将排气管14设在上述相对位置的侧方的情况下，也可以在上述相对位置的两侧各设置一个排气管。并且，也可以在相对位置的侧方与引导管IOa IOd相对应地设置多个排气管。另外，第I加热部21呈具有狭缝(23C、24C)的大致圆柱状的形状，例如，也可以具 有多棱柱形状。在该情况下，优选狭缝(23C、24C)沿着多棱柱的边设置。另外，也可以在内管11内设有自下方向上方延伸的气体导入管，与气体供给管17a 17d同时使用。在该情况下，优选自气体供给管17a 17d供给分解温度较低的气体，自气体导入管供给分解温度较高的气体。采用这样的结构，能够抑制分解温度较低的气体在到达晶圆W之前分解，能够将分解温度较高的气体充分地加热以后到达晶圆W。S卩，能够与气体的分解温度相对应地对气体进行适当地加热。相关申请的参照本申请基于2011年3月7日向日本特许厅申请的日本发明专利申请2011-049194号来主张优先权并将其全部内容引用在本说明书中。
权利要求
1.一种热处理装置，其中， 包括 用于将多个基板分层叠置的支承体； 反应管，其内部能够容纳上述支承体并具有被设置在该反应管的侧部并向上述反应管的内部供给气体的多个气体供给管； 第I加热部，其是用于对被配置在容纳于上述反应管内部的上述支承体的上述基板进行加热的第I加热部，具有自该第I加热部的下端延伸到上端的狭缝，该狭缝供上述多个气体供给管贯穿，该第I加热部的整个内表面中的该狭缝以外的内表面面向上述反应管的侧部。
2.根据权利要求I所述的热处理装置，其中， 该热处理装置还具有沿着上述第I加热部的上述狭缝的缘设置的第2加热部。
3.根据权利要求I所述的热处理装置，其中， 上述反应管呈在该下部具有开口的有盖圆筒形状， 上述第I加热部具有圆筒形状， 上述第I加热部相对于上述反应管偏心，使得上述狭缝与上述反应管的侧部接近。
4.根据权利要求I所述的热处理装置，其中， 该热处理装置还包括对贯穿上述狭缝的上述多个气体供给管与上述狭缝的缘之间的空间进行填埋的绝热材料。
5.根据权利要求I所述的热处理装置，其中， 上述多个气体供给管沿着上述反应管的长度方向排列。
6.根据权利要求I所述的热处理装置，其中， 该热处理装置还具有配置在上述第I加热部的上端的第3加热部。
全文摘要
本发明公开了一种热处理装置，其包括用于将多个基板分层支承的支承体；反应管，其内部能够容纳上述支承体并具有被设置在该反应管的侧部并向上述反应管的内部供给气体的多个气体供给管以及自该多个气体供给管的相对位置偏移地设置并用于排出上述气体的排气部；第1加热部，其是用于对容纳在上述反应管内部的上述基板进行加热的第1加热部，具有自该第1加热部的下端延伸到上端的狭缝，该狭缝供上述多个气体供给管贯穿，该第1加热部的整个内表面中的该狭缝以外的内表面面向上述反应管的侧部。
文档编号C23C16/458GK102677018SQ20121005846
公开日2012年9月19日 申请日期2012年3月7日 优先权日2011年3月7日
发明者加藤和彦, 小野寺直见, 门部雅人 申请人:东京毅力科创株式会社