专利名称：成膜装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种成膜装置。
背景技术：
作为在半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板上形成例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法之一，能够列举出原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)法。在ALD法中，例如，按顺序将用于进行反应的多种处理气体(反应气体)供给到基板的表面而使反应生成物
层叠于基板的表面。作为利用该ALD法进行成膜处理的成膜装置，例如，如专利文献I和专利文献2所记载的那样，公知有如下的装置使多张基板在设于真空容器内的旋转台上沿着周向排列，接着，使旋转台旋转，从而从第I反应气体喷嘴和第2反应气体喷嘴按顺序向上述基板供给各处理气体。第I反应气体喷嘴和第2反应气体喷嘴的下方区域分别相当于第I处理区域和第2处理区域，在这些第I处理区域和第2处理区域之间形成有用于使分离气体流过这些处理区域的分离区域。并且，在第I处理区域和第2处理区域，在旋转台的周缘侧设有用于对真空容器内进行排气的排气口。在上述第I处理区域和第2处理区域中，第I反应气体和第2反应气体连同分离气体一起流向排气口。因此，能够抑制第I反应气体和第2反应气体的混合，能够利用ALD法进行良好的成膜处理。此处，在专利文献3中，记载有以下结构在用于沿周向将多张晶圆载置到被构成为旋转自如的水平的基板晶圆载置用基座上的装置中，在气体导入管的周围设置气体排出管，利用气体排出管排出载体气体与剩余的反应气体。专利文献I :日本特开2010-239102号公报专利文献2 :日本特开2011-40574号公报专利文献3 :日本特开平1-249694号公报(图7)
发明内容
本发明是基于这种情况而提出的，其目的在于提供一种能够进行面内均匀性较高的成膜处理的技术。本发明的一技术方案提供一种成膜装置，其在真空容器内向基板供给气体以在上述基板上形成薄膜，其中，该成膜装置包括旋转台，其设于上述真空容器内，在其上表面上沿周向具有用于载置基板的多个基板载置区域，并且，该旋转台用于使该基板载置区域旋转；气体喷嘴，其以从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置，沿其长度方向形成有分别用于喷出气体的多个气体喷出口 ；排气口，其设于上述气体喷嘴的靠上述旋转台的旋转方向侧且比上述旋转台的外缘靠外侧的位置，用于排出上述气体；限制构件，其包括壁部，该壁部配置于上述气体喷嘴与上述排气口之间，该壁部设置为在上述基板载置区域载置有基板时能够供气体从该壁部与该基板之间通过的间隙从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘，并且，该壁部在从上述基板载置区域的内缘到外缘之间的至少一部分区域将上述气体喷嘴与上述排气口之间隔开。
图I是本发明的实施方式的成膜装置的纵剖侧视图。图2是上述成膜装置的内部的概略结构的立体图。图3是上述成膜装置的横剖俯视图。图4A和图4B是表示上述成膜装置的处理区域和分离区域的纵剖侧视图。图5是上述成膜装置的纵剖侧视图。图6是上述成膜装置的局部纵剖侧视图。 图7是表示设于上述成膜装置中的排气管的立体图。图8是表示处理气体和分离气体的流动情况的俯视图。图9是表示处理气体和分离气体的流动情况的俯视图。图10是表示上述成膜装置的其他例子的俯视图。图11是表示上述成膜装置的又一例子的俯视图。图12是上述排气管的其他例子的立体图。图13是表示处理气体和分离气体的流动情况的俯视图。图14是上述排气管的再一例子的立体图。图15是表示上述成膜装置的再一例子的俯视图。图16是本发明的实施方式的成膜装置的结构的立体图。图17是表示图16所示的成膜装置的一部分的纵剖视图。图18是表示处理气体和分离气体的流动情况的俯视图。图19是表示上述成膜装置的再一例子的俯视图。图20是表示设于图19所示的成膜装置中的喷嘴罩与处理气体喷嘴的立体图。图21是表示气体的流动的剖视图。图22是表示实施例I与比较例Ia的结果的图表。图23是表示实施例I与比较例Ia的结果的图表。图24是表示实施例Ib的压力分布的俯视图。图25是表示比较例Ic的压力分布的俯视图。图26是表示实施例Ib的气体的扩散状态的俯视图。图27是表示比较例Ic的气体的扩散状态的俯视图。图28是表示实施例Ib的气体流动轨迹的俯视图。图29是表示比较例Ic的气体流动轨迹的俯视图。图30是表示实施例2的压力分布的俯视图。图31是表示实施例2的气体的扩散状态的俯视图。图32是表示实施例3的压力分布的俯视图。图33是表示实施例3的气体的扩散状态的俯视图。图34是表示实施例4的压力分布的俯视图。图35是表示实施例4的气体的扩散状态的俯视图。图36是表示气体的流动的剖视图。
具体实施例方式第I实施方式在本实施方式中，以限制构件为排气管的情况为例进行说明。参照图I 图7来说明本实施方式的成膜装置的结构的一例。图I是成膜装置10的纵剖侧视图，图2是成膜装置10的立体图，图3是成膜装置10的横剖俯视图，图4A和图4B是成膜装置10的纵剖侧视图，图5是成膜装置10的纵剖俯视图。此外，图I为图3的1-1’剖视图，图5为图3的H-H’剖视图。图6是表示成膜装置10的设有排气管7的部位的局部纵剖侧视图。图7是表示成膜装置10的排气管7的结构的立体图。
如图I所示，本实施方式的成膜装置10包括俯视形状为大致圆形的扁平的真空容器I、旋转台2、加热器单元7、壳体20、芯部21、旋转轴22、驱动部23、分离气体供给管30a、吹扫气体供给管30b、罩构件51、加热器罩构件52、吹扫气体供给管53、第I排气口 61和第2排气口 62 (参照图3)、分别设于第I排气口 61和第2排气口 62的排气管63、压力调整部64和真空泵65、控制部100。并且，如图2和图3所示，成膜装置10包括分离气体喷嘴41、第I处理气体喷嘴31、分离气体喷嘴42、及第2处理气体喷嘴32。真空容器I包括容器主体12 ;顶板11，其以相对于容器主体12能够装卸的方式构成；密封构件13，其以环状设于容器主体12的上表面的周缘部。密封构件13例如为0型环。分离气体供给管30a与顶板11的上表面侧的中央部相连接。分离气体供给管30a用于供给分离气体，该分离气体用于抑制彼此不同的处理气体在真空容器I内的中心部区域彼此相互混合。旋转台2设于真空容器I内，在真空容器I的中心具有旋转中心，旋转台2能沿水平面旋转。旋转台2在其中心部被固定于大致圆筒状的芯部21。芯部21利用沿铅垂方向延伸的旋转轴22而绕铅垂轴线旋转，在该例子中构成为沿顺时针方向旋转自如。驱动部23用于使旋转轴22绕铅垂轴线旋转。壳体20用于容纳旋转轴22和驱动部23。壳体20的上表面侧的凸缘部分气密地安装于真空容器I的底面部14的下表面。吹扫气体供给管30b与壳体20相连接。吹扫气体供给管30b用于向旋转台2的下方区域供给作为吹扫气体的N2气体。真空容器I的容器主体12在底面部14的靠芯部21外周的部分具有以从下方侧靠近旋转台2的方式形成为环状的突出部12a。如图2和图3所示，在旋转台2的表面，沿着旋转方向(周向)R设有作为基板载置区域的圆形的凹部24，该凹部24用于载置多张、例如5张作为基板的晶圆W。凹部24的直径尺寸和深度尺寸分别被设定为，例如晶圆W放入(容纳)到该凹部24时，晶圆W的表面与旋转台2的表面(不用于载置晶圆W的区域)齐平。在凹部24的底面形成有供升降销贯穿的通孔(未图示)，该升降销用于从下方侧顶起晶圆W以使晶圆W升降。如图2和图3所示，在分别与旋转台2中的凹部24相对的位置，在真空容器I的周向(旋转台2的旋转方向R)上彼此隔开间隔地呈放射状配置有第I处理气体喷嘴31、第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42。第I处理气体喷嘴31、第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42例如能够由石英构成。第I处理气体喷嘴31、第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42分别安装为例如以从真空容器I的外周壁朝向中心部区域C并且与凹部24相对的方式水平延伸。在该例子中，从后述的输送口 15看来，分离气体喷嘴41、第I处理气体喷嘴31、分离气体喷嘴42和第2处理气体喷嘴32按照分离气体喷嘴41、第I处理气体喷嘴31、分离气体喷嘴42和第2处理气体喷嘴32这样的顺序顺时针(沿旋转台2的旋转方向R)排列。第I处理气体喷嘴31、第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42分别经由流量调整阀与以下的各供给源(未图示)连接。即，第I处理气体喷嘴31与例如BTBAS (双叔丁基氨基硅烷、SiH2 (NH-C (CH3) 3) 2)等含Si (硅)的气体(含Si气体)等的第I处理气体的供给源连接。第2处理气体喷嘴32与例如O3 (臭氧)气体等的第2处理气体的供给源连接。分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42分别与例如N2 (氮)气体等的分离气体的气体供给源连接。在第I处理气体喷嘴31、第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41和分离气体喷·嘴42的下表面侧，沿着其长度方向在多个部位例如以等间隔形成有气体喷出口(喷出孔)33(参照图4A和图4B)。第I处理气体喷嘴31、第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42分别以第I处理气体喷嘴31、第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42的下端缘与旋转台2的上表面之间的分开距离例如是Imm 5mm左右的方式配置。另外，在图4A和图4B中，省略了排气管7的图示。第I处理气体喷嘴31的下方区域构成用于使含Si气体吸附于晶圆W的第I处理区域P1，第2处理气体喷嘴32的下方区域构成用于使吸附于晶圆W的含Si气体与O3气体发生反应的第2处理区域P2。分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42分别用于形成使第I处理区域Pl与第2处理区域P2分开的分离区域Dl和分离区域D2。如图2和图3所示，在真空容器I的顶板11的位于分离区域Dl和分离区域D2的部分设有大致扇形的凸状部4。如图4A和图4B所示，分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42容纳在被形成于上述凸状部4的槽部43内。因此，在分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42的在旋转台2的周向上的两侧，为了阻止各处理气体彼此的混合，配置有作为上述凸状部4的下表面的较低的顶面44，在该顶面44的上述周向上的两侧配置有比该顶面44高的顶面45。上述较低的顶面44的下表面与旋转台2的上表面之间的分开距离设定为例如Imm 4mm。如图5 (图3的H-H’剖视图)所示，为了阻止各处理气体彼此的混合，凸状部4的周缘部46 (靠真空容器I的外缘侧部位)以与旋转台2的外端面相对且与容器主体12略微分开的方式弯曲成L字型。如图I所示，在旋转台2与真空容器I的底面部14之间的空间内设有作为加热机构的加热器单元5，该加热器单元5用于隔着旋转台2将旋转台2上的晶圆W例如加热至300°C。罩构件51设置在加热器单元5的侧方侧，加热器罩构件52设置为在加热器单元5的上方侧覆盖该加热器单元5。在加热器单元5的下方侧，在真空容器I的底面部14的周向上的多个部位设有吹扫气体供给管53。吹扫气体供给管53用于供给对加热器单元5的配置空间进行吹扫的吹扫气体。在旋转台2的外周侧，在旋转台2与真空容器I的内壁之间，在整个周向上以环状形成有凹部状的气流通路6。在气流通路6的两处，以相互在周向上分开的方式形成有第I排气口 61和第2排气口 62。第I排气口 61形成在第I处理气体喷嘴31与比第I处理气体喷嘴31靠旋转台2的旋转方向R下游侧的分离区域Dl之间的、靠该分离区域Dl侧的位置。并且，第2排气口 62形成在第2处理气体喷嘴32与比第2处理气体喷嘴32靠旋转台2的旋转方向R下游侧的分离区域D2之间的、靠该分离区域D2侧的位置。第I排气口 61用于排出第I处理气体和分离气体，第2排气口 62用于排出第2处理气体和分离气体。如图I所示，第I排气口 61利用设有蝶形阀等压力调整部64的排气管63与作为真空排气机构的例如真空泵65连接。同样，第2排气口 62也利用设有压力调整部64的排气管63与真空泵65连接。在本实施方式中，第I排气口 61和第2排气口 62形成于罩构件51。
棑气管7在本实施方式中，排气管7例如以装卸自如的方式设于第I排气口 61。排气管7由中空体构成，该中空体覆盖第I排气口 61并以从凹部24的内缘延伸到外缘的方式设于第I处理气体喷嘴31与该第I处理气体喷嘴31的下游侧的分离区域Dl之间。如图6和图7所示，排气管7包括大致圆筒状的排气口罩构件71，其设于第I排气口 61侧，以包围第I排气口 61的周围的方式沿上下方向延伸；延伸构件72，其与排气口罩构件71相连接，且在旋转台2的上方侧以朝向真空容器I内的中心部区域C大致水平地延伸方式设置。在排气口罩构件71的下端，例如设有向外侧弯曲的凸缘部71a。排气口罩构件71与延伸构件72以彼此的内部区域(排气区域)相连通的方式连接。延伸构件72例如由截面为四边形的管状体构成，延伸构件72设置为从旋转台2的凹部24 (基板载置区域)的内缘延伸到外缘。例如，将延伸构件72的长度方向的大小设定为大于载置在凹部24的晶圆的直径，将旋转台2的表面部与该延伸构件72的下表面之间的距离H (参照图6)设定为例如Imm 4mm左右。上述那样的排气口罩构件71和延伸构件72例如能够由石英、陶瓷、铝、不锈钢等构成。排气管7以使排气口罩构件71的凸缘部71a与设于罩构件51的第I排气口 61的周围相抵接的方式安装，从而排气管7以覆盖第I排气口 61的方式被设为装卸自如。另外，也可以利用螺纹紧固的方式将凸缘部71a固定在第I排气口 61的周围。排气管7构成从旋转台2的中央侧朝向外周侧地在第I排气口 61上延伸的排气区域。图36是表示排气管7、第I处理气体喷嘴31、及第I排气口 61的关系的示意图。在本实施方式中，排气管7的延伸构件72包括第I侧壁721、第2侧壁722、设于第I侧壁721与第2侧壁722的上表面的上表面部723、设于第I侧壁721与第2侧壁722的下表面的底面部724。第I侧壁721配置于第I处理气体喷嘴31与第I排气口 61之间，第I侧壁721设置为在旋转台2的凹部24载置有晶圆W时能够供气体在第I侧壁721与晶圆W之间通过的间隙从凹部24的内缘延伸到外缘，并且，第I侧壁721设置为从凹部24内缘延伸到外缘。也参照图3，第2侧壁722以与第I侧壁721相面对且从凹部24的内缘延伸到外缘的方式设于第I侧壁的靠旋转台2的旋转方向R侧。上表面部723和底面部724以从凹部24的内缘延伸到外缘的方式设于第I侧壁与第I侧壁的上表面和下表面。并且，延伸构件72的上表面部723以与排气口罩构件71的上表面部大致平齐的方式设置。因此，排气管7构成为以使延伸构件72的上表面部723与排气口罩构件71的上表面连续而延伸到第I排气口 61上方的方式设置。参照图6和图7，在本实施方式中，在设于比旋转台2的周缘靠外侧的位置的排气口罩构件71上设有第I排气用开口部73。具体而言，在本实施方式中，第I排气用开口部73由分别在排气口罩构件71的例如靠延伸构件72侧的位置的两侧面上以沿上下方向延伸的方式设置的狭缝73a和狭缝73b构成。狭缝73a和狭缝73b沿排气口罩构件71的周向形成有多个。并且，在延伸构件72的底面部724的靠排气口罩构件71侧的位置，沿延伸构件72的长度方向(图7中的X方向)形成有多个在延伸构件72的宽度方向(图7中的Y方向)上 延伸的狭缝74。并且，在延伸构件72的底面部724的比狭缝74靠延伸构件72的前端侧的区域形成有开口部75。此处，开口部75的截面积形成为大于各狭缝74的截面积。并且，在延伸构件72的两侧面即第I侧壁721和第2侧壁722的、例如靠排气口罩构件71侧的位置，分别沿第I侧壁721和第2侧壁722的长度方向形成有多个沿上下方向延伸的狭缝76a和狭缝76b。这些狭缝74、开口部75、狭缝76a和狭缝76b相当于第2排气用开口部79。另外，在本实施方式中，至少设于第I侧壁721的狭缝76a以在第I侧壁721的从凹部24的内缘到外缘之间的至少一部分区域内残留有用于将第I处理气体喷嘴31与第I排气口 61之间隔开的壁部的方式形成于第I侧壁721的局部。如图36所示，排气管7将处理气体的气流动限制为，自第I处理气体喷嘴31供给的处理气体从排气管7的第I侧壁721的下方侧通过而流向第I排气口 61。返回对于真空容器I内的说明，如图I所示，在顶板11的下表面的中央部，在中心部区域C的外侧设有突出部47，该突出部47在整个周上形成为大致环状且突出部47的下表面与凸状部4的下表面(顶面44)为相同的高度。在比该突出部47靠旋转台2的旋转中心侧的芯部21的上方侧，配置有用于抑制第I处理气体与第2处理气体在中心部区域C中发生相互混合的迷宫式结构48。如图2和图3所示，在真空容器I的侧壁上形成有输送口 15，该输送口 15用于在未图示的外部的输送臂与旋转台2之间进行晶圆W的交接，输送口 15构成为利用闸阀G(参照图3)气密地开闭自如。并且，旋转台2的凹部24在面朝该输送口 15的位置与输送臂之间进行晶圆W的交接，因此，在旋转台2的下方侧的与该交接位置对应的部位设有交接用的升降销及该升降销的升降机构(均未图示)，该交接用的升降销用于贯穿凹部24而从背面抬起晶圆W。而且，在成膜装置10中，设有用于控制整个装置动作的由计算机构成的控制部100，在该控制部100的存储器内存储有用于进行后述的成膜处理的程序。该程序为了执行后述的装置动作而编入有步骤组，该程序自硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等存储介质安装到控制部内。下面，说明本实施方式的成膜装置10的作用。首先，打开闸阀G，一边使旋转台2间歇地旋转，一边利用未图示的输送臂经由输送口 15例如将五张晶圆W载置到旋转台2上。该晶圆W已经被实施了使用干蚀刻处理、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition CVD)法等进行的布线埋入工序，因而，在该晶圆W的内部形成有电气布线结构。接着，关闭闸阀G，利用真空泵65使真空容器I内成为排空的状态，并且一边使旋转台2例如以120rpm进行顺时针旋转，一边利用加热器单元5将晶圆W加热至例如300°C。接着，从第I处理气体喷嘴31以规定的流量喷出含Si气体、从处理气体喷嘴32以规定的流量喷出O3气体，并且从分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42以规定的流量喷出分离气体。并且，利用压力调整部64将真空容器I内调整成预先设定了的处理压力、例如500Pa。利用旋转台2的旋转，晶圆W交替地通过设有第I反应气体喷嘴31的第I处理区域Pl和设有第2反应气体喷嘴32的第2处理区域P2，因此，晶圆W吸附含Si气体，接着吸附O3气体，从而形成I层或多层的氧化硅的原子层。这样，氧化硅的原子层依次层叠而形成规定膜厚的硅氧化膜。图8是表示处理气体和分离气体的流动情况的俯视图。·
此时，也自分离气体供给管30a供给作为分离气体的N2气体，由此，从中心部区域C沿旋转台2的表面喷出N2气体。如图8所示，从第2处理气体喷嘴32向下方侧喷出的、沿旋转台2的表面流向旋转方向R下游侧的O3气体由于从中心部区域C喷出的N2气体的气流与第2排气口 62的吸引作用而流向第2排气口 62。此时，O3气体的一部分流向在下游侧相邻的分离区域D2。但是，为了防止气体进入顶面44的下方侧，凸状部4构成为在其与旋转台2之间形成狭窄的空间，并且，N2气体从分离区域D2流向第2处理区域P2侧，因而，O3气体基本上不能流入扇型的凸状部4的下方侧。这样，O3气体连同从中心部区域喷出的N2气体和来自分离区域D2的N2气体一起，从旋转台2的周缘与真空容器I的内周壁之间的间隙经由排气区域6被第2排气口 62排出。并且，从第I处理气体喷嘴31向下方侧喷出的、沿旋转台2的表面分别流向旋转方向R上游侧和下游侧的BTBAS气体等含Si气体完全不能进入在该旋转方向R上游侧和下游侧相邻的扇型的凸状部4的下方侧，或者，即使该BTBAS气体等含Si气体进入了凸状部4的下方侧，也会被挤回到第I处理区域Pl。这样，BTBAS气体等含Si气体连同从中心部区域C喷出的N2气体和来自分离区域的N2气体一起被第I排气口 61排出。在本实施方式中，在第I处理气体喷嘴31的靠旋转方向R的下游侧，以与第I处理气体喷嘴31并排的方式设有排气管7。因此，从第I处理气体喷嘴31供给的处理气体的气流受到排气管7的限制。如图6所示，从第I处理气体喷嘴31喷出的BTBAS气体等含Si气体的大部分流向延伸构件72。于是，该部分含Si气体与延伸构件72的第I侧壁721(参照图7)碰撞，并经由狭缝74和狭缝76、或开口部75进入延伸构件72内。另外，含Si气体的一部分经由第I排气用开口部73进入排气口罩构件71，并从第I排气口 61排出。如此，设有第I处理气体喷嘴31的第I处理区域Pl内的气氛气体自比旋转台2的周缘靠外侧经由设于覆盖第I排气口 61的排气口罩构件71上的第I排气用开口部73即狭缝73a和狭缝73b被吸引，并且，也从旋转台2的中央侧经由设于沿旋转台2的径向延伸的延伸构件72的狭缝74、狭缝76和开口部75被吸引。由于在延伸构件72上沿其长度方向形成有狭缝、开口部，在第I处理气体喷嘴31上沿其长度方向形成有气体喷出口，因而，如图8所示，从第I处理气体喷嘴31喷出的含Si气体沿旋转台2的旋转方向R流动，被延伸构件72吸引。因此，来自第I处理气体喷嘴31的含Si气体以较高的均匀性沿旋转台2上的晶圆W的径向向晶圆W进行供给。
此处，在分离区域Dl和分离区域D2中，虽然阻止在气氛中流动的作为反应气体的含Si气体或O3气体进入，但是，吸附于晶圆W的气体分子在该吸附状态下通过分离区域Dl和分离区域D2即由扇型的凸状部4形成的较低的顶面44的下方，参与成膜。并且，由于从中心部区域C朝向旋转台2的周缘喷出分离气体，因而，能够阻止含Si气体经由该中心部区域C流入第2处理区域P2、O3气体经由该中心部区域C流入第I处理区域Pl。并且，在分离区域Dl和分离区域D2中，由于扇型的凸状部4的周缘部向下方弯曲而在实质上阻止了气体的通过，因而，也能够阻止第I处理区域Pl中的BTBAS气体等含Si气体(或第2处理区域P2中的O3气体)经由旋转台2的外侧而流入到第2处理区域P2 (或第I处理区域P1)。因此，利用分离区域Dl和分离区域D2这两个分离区域能够完全分离第I处理区域Pl中的气氛和第2处理区域P2中的气氛，BTBAS气体等含Si气体被第I排气口 61排出，而O3气体被第2排气口 62排出。这样，当完成成膜处理时，利用与输入动作相反的动作将各晶圆W依次输出。这样，使旋转台2间歇地旋转，输出晶圆W，分别从旋转台2的5处凹部24内输出晶圆W。
此处，记载处理参数的一例。在将直径300mm的晶圆W作为被处理基板的情况下，能够将旋转台2的转速设为例如Irpm 500rpm,在该例子中设为120rpm。能够将工艺压力设为例如133Pa 1333Pa，在该例子中设为500Pa。能够将晶圆W的加热温度设为例如300°C。能够将BTBAS气体等含Si气体以及O3气体的流量分别设为例如lOOsccm以及lOOOOsccm。能够将来自分离气体喷嘴41和分离气体喷嘴42的N2气体的流量设为例如20000sccmo能够将来自真空容器I的中心部的分离气体供给管30a的N2气体的流量设为例如5000SCCm。另外，虽然对I张晶圆W供给反应气体的循环次数、即晶圆W分别通过第I处理区域Pl和第2处理区域P2的次数根据目标膜厚而变化，但是，能够将该次数设为多次例如600次。采用上述实施方式，在旋转台2的旋转方向R上配置多个晶圆W，使旋转台2旋转而使多个晶圆W按顺序通过第I处理区域Pl和第2处理区域P2，进行所谓的ALD (或者MLD(Molecular Layer Deposition :分子层沉积))，因此,能够以较高的生产率进行成膜处理。而且，在旋转方向R上，在第I处理区域Pl和第2处理区域P2之间设有分离区域Dl和分离区域D2，并且从中心部区域C朝向旋转台2的周缘喷出分离气体，经由设于旋转台2的周缘的外侧的第I排气口 61和第2排气口 62排出分离气体和处理气体。因而能防止两反应气体的混合，其结果，能进行良好的成膜处理。并且，由于在第I排气口 61处设置了排气管7，因而，如上所述，来自第I处理气体喷嘴31的含Si气体以较高的均匀性沿晶圆W的径向对晶圆W进行供给。因此，能够以面内均匀性较高的状态使含Si气体吸附于晶圆W，由后述的实施例可知，能够进行面内均匀性较高的成膜处理。并且，如上所述，由于形成朝向旋转台2的旋转方向R的含Si气体的气流，因而，含Si气体充分地遍布整个晶圆W，含Si气体的吸附效率变高。因此，由后述的实施例可知，能够进行成膜速率(cycle rate:旋转台2每旋转I周的成膜量)较高的成膜处理。因此，即使在对具有长宽比(aspect)较高的凹部的图案进行成膜处理的情况下，也能够以较高的覆盖率(coverage )形成薄膜。另外，由于排气管7被设成装卸自如，因而，能够与成膜处理相对应地安装或拆卸排气管7，能够利用I台成膜装置实施的成膜处理的自由度变大。
并且，在位于第I处理区域Pl的旋转方向R下游侧的分离区域Dl的附近，排气管7被设置为延伸构件72从凹部24的内缘延伸至外缘。因此，从分离区域Dl流到第I处理区域Pl的N2气体迅速地经由排气管7排出。由此，由于流入第I处理区域Pl内的N2气体的量减少，因而，含Si气体被N2气体稀释的程度变小。该点也能够确保含Si气体的较高的吸附效率。另一方面，在没有设置排气管7的结构中，如图9所示，从第I处理气体喷嘴31供给到第I处理区域Pl的含Si气体朝向设于旋转台2的周缘的第I排气口 61迅速地流动。因此，难以沿晶圆W的径向以较高的均匀性向晶圆W供给含Si气体。并且，由于N2气体从旋转方向R下游侧流入处理区域Pl内，因而，含Si气体被N2气体稀释，可能会导致含Si气体的吸附效率降低。并且，在排气管7的排气口罩构件71上设有第 I排气用开口部73，也能够在比旋转台2的周缘靠外侧进行排气。因此，通过从旋转台2的中央侧经由第I排气用开口部73将含Si气体引入排气管7内，从而调整含Si气体的流动方式，在旋转台2的周缘附近区域，可靠地排出第I处理区域Pl中的含Si气体和来自旋转方向R下游侧的分离区域的分离气体。因此，通过设于旋转台2的外侧的第I排气用开口部73的排气与来自设于靠旋转台2的中央侧的第2排气用开口部79的排气的组合，能够确保充分的排气能力，并且能够调整处理区域中的含Si气体的流动方式。并且，通过设置排气管7，在旋转台2上的晶圆W通过排气管7的下方侧时，晶圆W上的气氛气体被排气管7的第I排气用开口部73和第2排气用开口部79所吸引。此时，排气管7构成为长于晶圆W的直径，由于形成于排气管7的下表面的狭缝74和开口部75位于晶圆W的正上方，因而，整个晶圆W的表面的上部气氛被排气管7可靠地吸引。其他例子I接着，参照图10来说明第I实施方式的成膜装置10的结构的其他例子。图10是表示成膜装置10的其他例子的俯视图。在本例子中，与上述成膜装置10的不同之处在于，将第I处理气体喷嘴31配置为与排气管7A平行。排气管7A以例如延伸构件72的靠第I处理气体喷嘴31侧的侧面721与第I处理气体喷嘴31的喷出孔33大致平行的方式配置。其他结构与上述第I实施方式相同，在排气管7A的侧面和下表面分别形成有第I排气用开口部73和第2排气用开口部79。因此，第I处理气体喷嘴31的喷出孔33与排气管7A的第I排气用开口部73及第2排气用开口部79之间的距离沿上述第I处理气体喷嘴31的长度方向大致一致。在这种结构中，当经由第I排气口 61利用排气管7A进行排气时，在第I处理气体喷嘴31附近的气氛气体以排气量在第I处理气体喷嘴31的长度方向上一致的状态向排气管7A排出。由此，含Si气体以在第I处理气体喷嘴31的长度方向上具有较高的均匀性的方式进行供给，能够对旋转台2上的晶圆W实施均匀性较高的成膜处理。另外，在图10所示的例子中，排气管7A以从凹部24的外缘朝向内缘侧的旋转台2的中心的方式配置，第I处理气体喷嘴31以与排气管7A大致平行的方式配置。但是，也可以将第I处理气体喷嘴31配置为从凹部24的外缘朝向内缘侧的旋转台2的中心，并将排气管7A以与第I处理气体喷嘴31大致平行的方式配置。其他例子2
下面，参照图11来说明第I实施方式的成膜装置10的结构的其他例子。图11是表示成膜装置10的结构的其他例子的俯视图。在本例子中，与上述成膜装置10的不同之处在于，将第I处理气体喷嘴31配置为与排气管7B平行。在排气管7A的侧面和下表面分别形成有第I排气用开口部73和第2排气用开口部79。在本例子中，与上述成膜装置10的不同之处在于，使排气管7B的排气用开口部的开口区域构成为靠前端侧(旋转台2的中央侧)的部分大于靠基端侧的部分。第I处理气体喷嘴31以从凹部24的内缘延伸到外缘方式设置，排气管7B以例如延伸构件72的靠第I处理气体喷嘴31侧的第I侧壁721与第I处理气体喷嘴31的喷出孔33大致平行的方式配置。在本例子中，延伸构件72B的平面形状随着朝向前端侧(旋转台2的中央侧)去而逐渐变大，在前端侧宽度较宽地构成为梯形形状。形成于延伸构件72B的底面部724(在图11中没有图示)的开口部75B (排气用开口部)也以与延伸构件72B的形状相对应地随着朝 向前端侧去而逐渐变大，在前端侧宽度较宽地构成为梯形形状。其他的结构与上述第I实施方式相同。在这种结构中，与图10所示的结构的成膜装置10相同，由于第I处理气体喷嘴31以与排气管7B大致平行的方式配置，因而，对于旋转台2上的晶圆W，能够以径向上的均匀性较高的状态供给含Si气体，能够进行面内均匀性更高的成膜处理。并且，排气管7B的排气能力随着朝向距离真空泵65最远的前端侧去而逐渐变小，但是，本例子中的延伸构件72B以排气用开口部随着朝向前端侧去而逐渐变大的方式构成。因此，通过在排气能力较小的区域将开口区域设为较大，能容易地吸入含Si气体，使气体的排气量沿排气管7B的长度方向一致。其他例子3并且，也可以与成膜处理的类型相对应地使排气管7 (排气管7A或排气管7B，以下相同)的第I排气用开口部73和第2排气用开口部79形成于排气管7的长度方向上的不同位置。如此，当改变第I排气用开口部73和第2排气用开口部79的形成部位、开口面积时，能够调整排气口罩构件71、延伸构件72的排气能力，并能够调整气体流通空间中的气体的流动。并且，在用以上的实施方式进行了说明的排气管7中，由于在比旋转台2的周缘靠外侧形成有第I排气用开口部73且在旋转台2的中央侧形成有第2排气用开口部79，因而，通过调整靠近第I排气口 61的第I排气用开口部73的开口面积，能较大程度地改变延伸构件72的排气能力。其他例子4图12是表示排气管7C的结构的一例的立体图。图13是表示在成膜装置10中设有排气管7C的情况下的处理气体和分离气体的流动的俯视图。图12所示的排气管7C是在其前端侧(靠凹部24的内缘侧)形成有用于构成第2排气用开口部79的狭缝76c和开口部75c的例子。如此，在将第2排气用开口部79设置在前端侧时，如图13所示，由于从排气管7C的前端侧吸引含Si气体，因而，从第I处理气体喷嘴31喷出的含Si气体朝向排气管7C的前端侧流动，从前端侧的狭缝76c和开口部75c被吸入排气管7C内。因此，在第I处理区域Pl中，形成有朝向旋转台2的中央侧的气流。如此，由于处理区域Pl内的处理气体的流动方式根据排气管7(排气管7A、排气管7B或排气管7C，以下相同)的在长度方向上的排气用开口部的形成部位、面积而发生变化，因而，若将排气管7设为装卸自如并与成膜处理的类型相对应地预先准备多个在最佳的位置形成有最佳的面积的排气用开口部的排气管，根据处理来更换为适当的排气管，则在I台的成膜装置中，能够以最佳的处理条件进行多个类型的成膜处理，这是有益的。另外，成膜处理的类型不同的情况也包含以下情况薄膜的种类不同的情况、薄膜为相同种类而目标的膜厚不同的情况、薄膜为相同种类而旋转台2的转速、处理压力、处理气体的供给量等处理条件不同的情况。其他例子5图14是表示排气管7D的结构的一例的立体图。 如图14所示，例如，能够将排气管7D构成为，除了具有排气口罩构件71和延伸构件72之外，还具有狭缝遮蔽构件78。此处，在延伸构件72上，沿整个长度方向设有从凹部24的内缘延伸到外缘的多个狭缝77。另外，虽然没有图示，在延伸构件72的底面部724上设有开口部。将狭缝遮蔽构件78设为封堵狭缝77的一部分。能够将狭缝遮蔽构件78设为相对于延伸构件72装卸自如且能滑动。此处，虽然没有图示，狭缝遮蔽构件78以覆盖延伸构件72的底面部724、第I侧壁721和第2侧壁722的方式构成。狭缝遮蔽构件78例如能够由石英构成。若设成这种结构，则能够与成膜处理的类型相对应地以在排气管7D的延伸构件72的长度方向上的最佳位置形成第2排气用开口部79的方式利用狭缝遮蔽构件78开闭狭缝77。并且，也可以代替设置多个狭缝77的结构，而预先形成沿延伸构件72的长度方向延伸的较大的开口部，通过利用狭缝遮蔽构件78来封堵该开口部的一部分，从而调整排气用开口部的开口区域的大小。此时，也可以在延伸构件72D的上表面部723、底面部、前端的端面70上也形成第2排气用开口部79，并利用狭缝遮蔽构件78来封堵这些排气用开口部的一部分或全部。并且，也可以将形成于侧面的狭缝77的上下方向上的长度设成较短，并利用狭缝遮蔽构件78来封堵狭缝77。并且，也可以利用狭缝遮蔽构件78来封堵设于排气口罩构件71上的第I排气用开口部73的一部分或全部。其他例子6图15是成膜装置10的俯视图。在本例子中，在第I处理区域Pl和第2处理区域P2这两个区域内分别设有排气管。由于成膜处理的面内均匀性依赖于吸附气体的吸附状态，因而，优选至少在供给用于产生吸附反应的处理气体的处理区域内分别配置排气管。此处，在成膜装置10的分别与第I排气口 61和第2排气口 62相对应的位置设有排气管7和排气管700。排气管700设置在第2处理区域P2与第2处理区域P2的下游侧的分离区域D2之间的靠近该分离区域D2侧的位置。在这种结构中，如图15中的点线所示意性地表示的那样，来自第2处理气体喷嘴32的O3气体沿旋转台2的旋转方向R流通。因此，与没有设置排气管700而直接朝向第2排气口 62流通的情况相比，O3气体均匀地供给到该第2处理区域P2，因而，结果使O3气体与晶圆W的接触时间变长，能够充分地进行氧化反应。另外，能够将排气管700的结构设成与上述排气管7的结构相同。
其他例子I图19是表示成膜装置10的俯视图，图20是表示设于图19所示的成膜装置中的喷嘴罩与处理气体喷嘴的立体图，图21是表示气体的流动的剖视图。如图19 图21所示，成膜装置10包括与第I处理气体喷嘴31相对应地设置的喷嘴罩34。喷嘴罩34沿第I处理气体喷嘴31的长度方向伸长，并具有纵截面为日文-字型的基部35，利用该基部35来覆盖第I处理气体喷嘴31的上方和侧方。并且，从基部35的下端的左右沿水平方向即沿旋转台2的旋转方向R的上游侧、下游侧，突出有整流板36A、整流板36B。这些整流板36A、整流板36B的下表面例如形成于与第I处理气体喷嘴31的喷出口 33的下端大致相同高度的位置。在这种结构中，如图21示出的处理气体的流动那样，利用整流板36A、整流板36B来限制自第I处理气体喷嘴31喷出出的含Si气体从整流板36A、整流板36B的下方飘向上方。由此，含Si气体容易流到晶圆W的正上方，与晶圆W的接触机会增加。因此，在第I处理区域Pl中，能够进一步可靠地使含Si气体吸附于晶圆W，能够以面内均匀性较高状态对晶圆W进行成膜处理。在以上说明中，只要将排气管7的第I排气用开口部73设置在比旋转台2的周缘靠外侧即可，第I排气用开口部73并不限于上述狭缝73a和狭缝73b。并且，排气管7的第2排气用开口部79只要在靠凹部24的至少内缘侧的位置，设置于排气管7的侧面和下表面中的至少一者即可。若在靠凹部24的至少内缘侧形成第2排气用开口部79，则由于能够使来自第I处理气体喷嘴31的含Si气体朝向旋转台2的中央侧流动，因而，结果能够以较高的均匀性沿晶圆W的径向供给含Si气体。第2实施方式在本实施方式中，以限制构件为板状构件的情况为例进行说明。参照图16 图18来说明本实施方式的成膜装置的结构的一例。
图16是成膜装置10的立体图，图17是表示成膜装置10的设有板状构件9的部位的局部纵剖侧视图。如图16和图17所示，在本实施方式中，板状构件9设置为，在处理区域中的至少一个处理区域内，在第I处理气体喷嘴31和第I排气口 61之间，从第I排气口 61的侧方延伸到凹部24的内缘且以从旋转台2的上表面浮起而在其与旋转台2之间产生间隙的方式竖立设置。板状构件9将处理气体的流动限制为，自第I处理气体喷嘴31供给的处理气体从板状构件9的下方侧通过而流向第I排气口 61。板状构件9的基端侧91设置为在旋转台2的外侧向下方侧延伸，例如基端侧91的下端缘与罩构件51相抵接。并且，板状构件9以从第I排气口 61的侧方延伸到凹部24的内缘的方式设置，例如板状构件9的上端缘与盖体(顶板)11的下表面连接。并且，板状构件9的下端缘设置为在其与旋转台2的上表面之间例如沿板状构件9的长度方向形成有间隙90。该间隙90的形状、大小设定为，使例如气体流通空间中的气体的流动达到与上述排气管7相同的程度。在这种结构中，来自第I处理气体喷嘴31的含Si气体欲流向第I排气口 61，但是，该含Si气体与竖立设置于第I处理气体喷嘴31的下游侧的板状构件9相碰撞而从板状构件9的下部的间隙90通过，被第I排气口 61排出。这样，如图18所示，来自第I处理气体喷嘴31的含Si气体沿旋转台2的旋转方向R流动并以较高的均匀性沿旋转台2上的晶圆W的径向向晶圆W进行供给，因而，能够进行面内均匀性较高的成膜处理。在该例子中，将板状构件9的上端设成了与顶板11的下表面连接，但是，也可以在板状构件9的上端与顶板11的下表面之间形成间隙。另外，也可以将板状构件9设成与在第I实施方式中说明了的排气管7的第I侧壁721相同的、形成有狭缝76a等开口部的结构。另外，对于板状构件9，与图14所示的排气管7D相同，也可以将其设成沿整个长度方向设有从凹部24的内缘延伸到外缘的多个狭缝的结构，并在板状构件9上设置狭缝遮蔽构件。另外，也可以将板状构件9设成以与第I处理气体喷嘴31大致平行的方式配置的结构。另外，本实施方式不限于使用两种反应气体，也能够应用于按顺序将3种以上的反应气体供给到基板上的情况。在该情况下，例如，只要按照第I反应气体喷嘴、分离气体喷嘴、第2反应气体喷嘴、分离气体喷嘴、第3反应气体喷嘴和分离气体喷嘴的顺序在真空·容器I的周向上配置各气体喷嘴并在至少一个处理区域内配置本发明的排气管或板状构件(限制构件)即可。并且，本实施方式也能够应用于将I种反应气体供给到基板上的情况。而且，在本实施方式中，也可以在一个处理区域内组合设置排气管与板状构件，还可以在一个处理区域内设置排气管而在另一个处理区域内设置板状构件。作为本实施方式所应用反应气体，除了上述例子之外，能够列举以下气体DCS[二氯娃烧]、HCD[六氯乙娃烧]>trimethylaluminum[TMA :三甲基招]、3DMAS[三(二甲氨基)硅烷]、TEMAZ[四(二乙基氨基)锆]、TEMAH[四(二乙基氨基)铪]、Sr (THD)2[双(四甲基庚二酮酸)锶]、Ti (MPD) (THD)[(甲基戊二酮酸)双(四甲基庚二酮酸)钛]、单氨硅烷等。实施例下面，说明使用上述成膜装置进行的实验例。实验例I使用图I所示的成膜装置10，在上述工艺条件下，改变旋转台2的转速，实施两分钟的成膜循环，在晶圆W上形成了薄膜。接着，对获得的薄膜的膜厚、膜厚的面内均匀性和成膜速率进行了测定(实施例I) 并且，作为比较例la，在与图I的成膜装置10相同的成膜装置，在没有设置排气管7的情况下、进行了相同的实验。图22示出了关于膜厚的面内均匀性的测定结果。在图22中，横轴表示旋转台2的转速(rpm)，纵轴表示膜厚的面内均匀性(％ )。并且，图23分别示出了关于薄膜的膜厚和成膜速率的测定结果。在图23中，横轴表示旋转台2的转速(rpm)，左纵轴表示膜厚(nm)，右纵轴表示成膜速率(nm/循环)。并且，用条形图表示成膜速率的数据，用曲线图表示膜厚的数据。此时，在条形图中，左侧表示表示比较例Ia的结果，右侧表示实施例I的结果。在图22中，面内均匀性的数值越小，表明薄膜的膜厚的面内均匀性越良好，根据结果确认了 在设有排气管7的实施例I的结构中，薄膜的膜厚的面内均匀性的数值较小，上述面内均匀性良好。并且，发现旋转台2的转速越大，排气管7的有无引起的面内均匀性的差异变得越大。根据上述情况认识到通过设置排气管7，使处理气体以良好的面内均匀性状态向旋转台2上的晶圆W进行供给。并且，发现通过设置本发明的排气管7，即使在旋转台2的转速为例如200rmp以上的转速较高的工艺中，也能够抑制面内均匀性的降低，进行良好的成膜处理。另外，根据图23所示的结果发现在转速小于ISOrmp的情况下，实施例I的成膜速率变大。作为其原因，推测是通过设置排气管7使处理气体扩散至较大的范围而提高了处理气体的吸附效率。并且，由于分离气体难以流入处理区域，因而，该分离气体对处理气体的稀释变弱，根据该点也能推测处理气体的吸附效率提高。樽拟I 对于图I所示的成膜装置10的处理区域P1，进行了压力分布、第I处理气体的扩散状态、第I处理气体的流动轨迹的模拟分析。将BTBAS气体用作了第I处理气体，将N2气体用作了分离气体和吹扫气体。分析条件设置如下晶圆温度为400°C，工艺压力为266Pa(2Torr)，来自第I处理气体喷嘴31的BTBAS气体流量为0. 9slm，来自分离气体喷嘴41、42的N2气体流量为分别为0. 33slm、0. 067slm,来自分离气体供给管30a的N2气体流量为2. 5slm,来自吹扫气体供给管30b的N2气体流量为0. 067slm，旋转台的转速为60rmp。此时，对于设置了排气管7的情况(实施例Ib)与没有设置排气管7的情况(比较例Ic)分别进行了评价。对于压力分布的模拟结果，图24示出了实施例Ib的结果，图25示出了比较例Ic的结果。并且，对于第I处理气体的扩散状态，图26示出了实施例Ib的结果，图27示出了比较例Ic的结果。而且，对于第I处理气体的流动轨迹，图28示出了实施例Ib的结果，图29示出了比较例Ic的结果。其结果，发现与比较例Ic相比，在实施例Ib中，压力较高的区域较多，第I处理气体的扩散区域较大，并且第I处理气体沿旋转台2的旋转方向R流动。作为其原因，推测是通过设置排气管7使处理气体沿旋转方向R流动，处理气体一边扩散至较大的范围一边排出，因而，压力较高的区域变多。樽拟2对于图I所示的成膜装置10的处理区域P1，利用模拟I的评价条件(将旋转台2的转速设成了 240rmp)对压力分布、第I处理气体的扩散状态进行了模拟分析。此时，利用以下方式对第I排气用开口部73和第2排气用开口部79的开口状态分别进行了评价。实施例2 :打开了排气管7的全部的狭缝(狭缝73a、狭缝73b、狭缝76a、狭缝76b、狭缝74)及开口部75。实施例3 :关闭了延伸构件72的靠分离区域Dl侧的第2侧壁722的狭缝76b。实施例4 :关闭了延伸构件72的靠分离区域Dl侧的第2侧壁722的狭缝76b与形成于延伸构件72的底面部724上的狭缝74。对于实施例2的模拟结果，图30示出了压力分布，图31示出了第I处理气体的扩散状态。并且，对于实施例3的模拟结果，图32示出了压力分布，图33示出了第I处理气体的扩散状态。并且，对于实施例4的模拟结果，图34示出了压力分布，图35示出了第I处理气体的扩散状态。根据这些结果，发现通过使狭缝开闭而改变第2排气用开口部79的形成部位，使真空容器I内的压力分布和第I处理气体的扩散状态发生变化。由此，认识到通过改变排气管7的在长度方向上的第2排气用开口部79的形成部位，排气能力和第I处理气体的流动方式发生变化，压力分布、扩散状态发生变化。并且，发现与实施例2和实施例3相比，在将靠近第I排气口 61的狭缝关闭最多的实施例4中，第I处理气体扩散得更广。由此，认识到当以从靠近排气管7的前端侧的区域吸入第I处理气体的方式调整排气用开口部的形成部位时，第I处理气体扩散得更广。采用本发明，在通过使旋转台旋转来按顺序供给多个处理气体以在基板上形成反应生成物时，在多个处理区域中的至少一个处理区域内，从与该处理区域相对应的处理气体喷嘴供给的处理气体以较高的均匀性沿旋转台的径向进行供给。因此，能够进行面内均匀性较高的成膜处理。另外，本实施方式还包含以下方式。一种成膜装置，其通过在真空容器内多次反复进行按顺序向基板供给多种处理气体的循环来形成薄膜，其中， 该成膜装置包括旋转台，其设于上述真空容器内，在其上表面上沿周向具有用于载置基板的基板载置区域，该旋转台用于使该基板载置区域公转；多个处理区域，其沿上述旋转台的周向配置，用于利用彼此不同种类的气体来处
理基板；处理气体喷嘴，其以从基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置于每个上述处理区域内，沿其长度方向形成有用于喷出处理气体的气体喷出口 ；分离区域，自分离气体供给部向该分离区域供给分离气体，并且该分离区域为了使上述多个处理区域的气氛彼此分开而配置于各处理区域之间；排气口，其设于每个处理区域，在处理气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向的下游侧且比上述旋转台的周缘靠外侧的位置开口，用于排出上述处理气体和分离气体；排气构件，其由中空体构成，该排气构件以覆盖上述排气口并在处理气体喷嘴与位于该处理气体喷嘴的下游侧的分离区域之间从基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设于上述多个处理区域中的至少一个处理区域内，在该排气构件中，在比旋转台的周缘靠外侧的位置设有第I排气用开口部，并且，在靠基板载置区域的至少内缘侧的位置设有第2排气用开口部。一种成膜装置，其通过在真空容器内多次反复进行按顺序向基板供给多种处理气体的循环来形成薄膜，其中，该成膜装置包括旋转台，其设于上述真空容器内，在其上表面上沿周向具有用于载置基板的基板载置区域，并且，该旋转台用于使该基板载置区域公转；多个处理区域，其沿上述旋转台的周向配置，用于利用彼此不同种类的气体来处
理基板；处理气体喷嘴，其以从基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置于每个上述处理区域内，沿其长度方向形成有用于供给处理气体的气体喷出口 ；分离区域，自分离气体供给部向该分离区域供给分离气体，并且，该分离区域为了使上述多个处理区域的气氛彼此分开而配置于各处理区域之间；
排气口，其设于每个处理区域，在处理气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向的下游侧且比上述旋转台的周缘靠外侧的位置开口，用于排出上述处理气体和分离气体；板状的限制 构件，其在上述多个处理区域中的至少一个处理区域内，在处理气体喷嘴和排气口之间，从排气口的侧方延伸到基板载置区域的内缘且以自旋转台的上表面浮起而与旋转台的上表面之间具有间隙的方式竖立设置，上述限制构件将处理气体的气流限制为自处理气体喷嘴供给的处理气体自该限制构件的下方侧通过而流向排气口。
权利要求
1.一种成膜装置，其在真空容器内向基板供给气体以在上述基板上形成薄膜，其中， 该成膜装置包括 旋转台，其设于上述真空容器内，在其上表面上沿周向具有用于载置基板的多个基板载置区域，并且，该旋转台用于使该基板载置区域旋转； 气体喷嘴，其以从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置，沿其长度方向形成有分别用于喷出气体的多个气体喷出口； 排气口，其设于上述气体喷嘴的靠上述旋转台的旋转方向侧且比上述旋转台的外缘靠外侧的位置，用于排出上述气体； 限制构件，其包括壁部，该壁部配置于上述气体喷嘴与上述排气口之间，该壁部设置为在上述基板载置区域上载置有基板时能够供气体从该壁部与该基板之间通过的间隙从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘，并且，该壁部在从上述基板载置区域的内缘到外缘之间的至少一部分区域将上述气体喷嘴与上述排气口之间隔开。
2.根据权利要求I所述的成膜装置，其中， 上述限制构件包括第I侧壁，该第I侧壁设置为以包括上述壁部的方式从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘，该第I侧壁设有用于将上述气体向上述排气口侧吸引的开口部。
3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中， 上述开口部选择性地设于上述第I侧壁的靠上述基板载置区域的外缘侧的部位。
4.根据权利要求2所述的成膜装置，其中， 上述开口部选择性地设于上述第I侧壁的靠上述基板载置区域的内缘侧的部位。
5.根据权利要求2所述的成膜装置，其中， 该成膜装置还包括遮蔽构件，该遮蔽构件用于选择性地覆盖被设于上述第I侧壁的上述开口部的一部分。
6.根据权利要求I所述的成膜装置，其中， 上述壁部以与上述气体喷嘴的上述多个气体喷出口的排列方向大致平行的方式设置。
7.根据权利要求I所述的成膜装置，其中， 上述限制构件还包括延伸构件，该延伸构件包括 第I侧壁，其设置为以包括上述壁部的方式从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘； 第2侧壁，其以与上述第I侧壁相面对且从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设于该第I侧壁的靠上述旋转台的旋转方向侧；以及 上表面部，其以从上述基板载置区域的内缘朝向外缘延伸到上述排气口上方的方式设于上述第I侧壁与上述第2侧壁的上表面。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其中， 在上述第I侧壁与上述第2侧壁上分别设有开口部。
9.根据权利要求8所述的成膜装置，其中， 上述开口部由沿上述延伸构件的长度方向排列的多个狭缝构成。
10.根据权利要求7所述的成膜装置，其中， 该成膜装置还包括底面部，该底面部以从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设于上述第I侧壁与上述第2侧壁的下表面，在该底面部设有用于将上述气体向上述排气口侧吸引的开口部。
11.根据权利要求10所述的成膜装置，其中， 上述开口部由沿上述延伸构件的长度方向排列的多个狭缝构成。
12.根据权利要求10所述的成膜装置，其中， 上述开口部形成为随着朝向上述基板载置区域的内缘侧去开口面积的比例变大。
13.根据权利要求7所述的成膜装置，其中， 上述限制构件包括排气口罩构件，该排气口罩构件以覆盖上述排气口的方式设于比上述旋转台的周缘靠外侧的位置并设置为与上述延伸构件相连通， 在该排气口罩构件上设有用于将上述气体向上述排气口侧吸引的开口部。
14.根据权利要求I所述的成膜装置，其中， 该成膜装置通过在上述真空容器内多次反复进行按顺序向基板供给多种处理气体的循环来形成上述薄膜。
全文摘要
本发明提供成膜装置，包括旋转台，其设于真空容器内，在其上表面上沿周向具有用于载置基板的多个基板载置区域，并且用于使该基板载置区域旋转；气体喷嘴，其以从基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置，沿其长度方向形成有用于喷出气体的气体喷出口；排气口，其设于气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向侧且比旋转台的外缘靠外侧的位置，用于排出气体；限制构件，其包括壁部，该壁部配置于气体喷嘴与排气口之间，设置为在基板载置区域载置有基板时能够供气体从该壁部与该基板之间通过的间隙从基板载置区域的内缘延伸到外缘，并且，该壁部在从基板载置区域的内缘到外缘之间的至少一部分区域将气体喷嘴与排气口之间隔开。
文档编号C23C16/46GK102953047SQ201210295000
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月17日 优先权日2011年8月17日
发明者加藤寿, 牛窪繁博, 菱谷克幸 申请人:东京毅力科创株式会社