专利名称：乙炔脉冲真空渗碳装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及了一种乙炔脉冲真空渗碳装置，属于热处理技术领域。
背景技术：
乙炔能获得非常高的碳势，是渗碳工艺中一种非常常用的渗碳剂。现有的采用乙炔进行渗碳的过程通常是在空气中进行的，由于气体渗碳，导致晶界氧化比较严重，对于细孔的工件，细孔内部的渗碳层不够均匀。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种乙炔脉冲真空渗碳装置，使利用该装
置完成渗碳的工件的渗碳层更加均匀，没有晶界氧化产生，渗碳时间短，能耗小。为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是一种乙炔脉冲真空渗碳装置，包括渗碳炉和乙炔存储罐，所述还包括多个形状、容量相同的腔体，每个腔体与所述乙炔存储罐相连通，所述渗碳炉上、下表面均等间距设有与所述腔体数量相同的开口，每个腔体对应连通一个上表面开口和一个下表面开口，所述每个开口处设有第一电磁阀，所述腔体与乙炔存储罐设有第二电磁阀。前述的乙炔脉冲真空渗碳装置，其特征在于所述渗碳炉上还连接有抽真空装置。前述的乙炔脉冲真空渗碳装置，其特征在于至少一个所述腔体上安装有压力计。前述的乙炔脉冲真空渗碳装置，其特征在于所述腔体的数量为6个。本实用新型的有益效果是通过间隙式的乙炔渗碳的方式，能对形状较为复杂的工件进行渗碳，细孔的工件内部进行渗碳，也能得到较均匀的渗碳层，并且工件表面清洁光亮，真空脉冲渗碳渗速较快，时间较短，金相组织均匀，而晶界氧化几乎为零，成品外观良好、耗能少、无环境污染、又可以保证高品质。
图I是本发明乙炔脉冲真空渗碳装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合说明书附图，对本发明作进一步的说明。如图I所示，一种乙炔脉冲真空渗碳装置，包括渗碳炉I和乙炔存储罐2，所述还包括多个形状、容量相同的腔体3，每个腔体3与所述乙炔存储罐2相连通，所述渗碳炉I上、下表面均等间距设有与所述腔体3数量相同的开口，每个腔体3对应连通一个上表面开口和一个下表面开口，所述每个开口处设有第一电磁阀4，所述腔体3与乙炔存储罐2设有第二电磁阀7，所述渗碳炉I上还连接有抽真空装置5，至少一个所述腔体3上安装有压力计8，所述腔体3的数量为6个。在利用该装置完成渗碳工艺时，关闭渗碳炉I上、下表面开口处的第一电磁阀4，打开第二电磁阀7，通过乙炔存储罐2对腔体3内同时充乙炔气体，通过压力计8读取腔体3内的压力，当压力值满足渗碳需要的压力时，关闭第二电磁阀7，利用抽真空装置5将渗碳炉I内抽真空，然后打开渗碳炉I上表面开口处的第一电磁阀4，使乙炔气体从渗碳炉I上部进入，对产品6进行渗碳，一定时间后，关闭渗碳炉I上表面开口处的第一电磁阀4，利用抽真空装置5将渗碳炉I内抽真空，打开第二电磁阀7，通过乙炔存储罐2对腔体3内同时充乙炔气体，通过压力计8读取腔体3内的压力，当压力值满足渗碳需要的压力时，关闭第二电磁阀7，然后打开渗碳炉I下表面开口处的第一电磁阀4，使乙炔气体从渗碳炉I下部进入，对产品6进行渗碳，一定时间后，关闭渗碳炉I下表面开口处的第一电磁阀4，利用抽真空装置5将渗碳炉I内抽真空，循环上述过程，实现对产品6进行间隙式真空渗碳。综上所述，本实用新型提供的乙炔脉冲真空渗碳装置，使利用该装置完成渗碳的工件的渗碳层更加均匀，没有晶界氧化产生，渗碳时间短，能耗小。以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本 实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界。
权利要求1.一种乙炔脉冲真空渗碳装置，包括渗碳炉(I)和乙炔存储罐(2)，其特征在于所述还包括多个形状、容量相同的腔体(3)，每个腔体与所述乙炔存储罐(2)相连通，所述渗碳炉(I)上、下表面均等间距设有与所述腔体(3)数量相同的开口，每个腔体(3)对应连通一个上表面开口和一个下表面开口，所述每个开口处设有第一电磁阀(4 )，所述腔体(3 )与乙炔存储罐(2 )设有第二电磁阀(7 )。
2.根据权利要求I所述的乙炔脉冲真空渗碳装置，其特征在于所述渗碳炉(I)上还连接有抽真空装置(5)。
3.根据权利要求I或2所述的乙炔脉冲真空渗碳装置，其特征在于至少一个所述腔体(3)上安装有压力计(8)。
4.根据权利要求3所述的乙炔脉冲真空渗碳装置，其特征在于所述腔体(3)的数量为6个。
专利摘要本实用新型公开了一种乙炔脉冲真空渗碳装置，包括渗碳炉和乙炔存储罐，所述还包括多个形状、容量相同的腔体，每个腔体与所述乙炔存储罐相连通，所述渗碳炉上、下表面均等间距设有与所述腔体数量相同的开口，每个腔体对应连通一个上表面开口和一个下表面开口，所述每个开口处设有第一电磁阀，所述腔体与乙炔存储罐设有第二电磁阀。本实用新型解决了现有技术中由于气体渗碳，导致晶界氧化比较严重，对于细孔的工件，细孔内部的渗碳层不够均匀的问题，通过间隙式的乙炔渗碳的方式，能对形状较为复杂的工件进行渗碳，细孔的工件内部进行渗碳，也能得到较均匀的渗碳层，而晶界氧化几乎为零，成品外观良好、耗能少、无环境污染、又可以保证高品质。
文档编号C23C8/20GK202705448SQ201220342988
公开日2013年1月30日 申请日期2012年7月16日 优先权日2012年7月16日
发明者杨洪波 申请人:鑫光热处理工业(昆山)有限公司