专利名称：一种激光蒸发镀膜装置的制作方法
技术领域：
: 本实用新型涉及一种激光蒸发镀膜装置。
技术背景:传统的蒸发镀膜装置，采用接触式加热，会污染真空腔体。另外，其加热熔点较低，无法对高熔点金属材料进行加热使其蒸发。故有必要对现有技术作出改进，以提供一种激光蒸发镀膜装置，实现非接触式加热，且不会污染真空反应腔体。
发明内容:本实用新型的目的在于提供一种激光蒸发镀膜装置，其结构简单，可对高熔点金属材料进行非接触式加热使其蒸发而实现激光蒸发镀膜，且不会污染真空反应腔体。一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于:包括一真空反应腔，该真空反应腔的侧壁密封设有一窗口 ；一基板架，设于真空反应腔内，用以放置待镀膜基板或基片；— CO2激光器,位于真空反应腔外并水平设置,其激光横向发射并与所述窗口相对；—He-Ne激光器,位于真空反应腔外并垂直设置,其激光纵向发射；一分束镜，位于真空反应腔外并呈45度角设于CO2激光器与He-Ne激光器所发出的激光束的相交位置处；—聚焦凸透镜，设于分束镜与窗口之间的光路上；一散焦凹透镜，设于聚焦凸透镜与窗口之间的光路上；一钳锅，设于真空反应腔内并位于基板架的下方，用以盛放待蒸发材料；以及一反射镜，设于真空反应腔内，并位于所述激光器、分束镜、聚焦凸透镜、散焦凹透镜和窗口所共同形成的光路上，且位于所述钳锅上方，用以将所述激光器发出的激光在由外而内依次经过分束镜、聚焦凸透镜、散焦凹透镜和窗口后，反射至所述钳锅内，对钳锅内的待蒸发材料进行激光加热蒸发，从而在基板架上的基材或基片表面气相沉积出含有所述待蒸发材料的膜层。本实用新型之一种激光蒸发镀膜装置，其结构简单，采用CO2激光器，配合聚焦凸透镜，可对高熔点金属材料进行非接触式加热使高熔点金属材料快速蒸发，最终在基材或基片上气相沉积出膜层，非常适宜于超高真空下制备纯洁薄膜，且获得很高的蒸发速率。另外，因热源置于真空反应腔外，所以不会污染真空反应腔体，既减少了污染，又简化了真空室。本发可通过如下方案进行改进:上述所述钳锅与基板架之间还设有可调节的挡板，用以调节基材或基片表面的气相沉积镀膜范围。上述所述真空反应腔的侧壁上还设有一反射镜调整装置，用以改变所述反射镜与钳锅的相对位置并改变激光加热的范围。上述所述反射镜的反射面上还罩设有一可拆卸护板，用以防止反射镜在激光加热蒸发时被蒸汽分子玷污。上述所述护板为薄的透明玻璃板。既能保护反射镜，又尽可能小地影响反射效率。上述所述窗口为由Ge或ZnSe材料制成的窗口。 上述所述聚焦凸透镜的位置可沿光路移动调节。
:图1为本实用新型示意图。
具体实施方式
:如图1所示，一种激光蒸发镀膜装置，包括一真空反应腔1、一基板架2、一可调节的挡板3、一 CO2激光器4、一 He-Ne激光器5、一分束镜6、一聚焦凸透镜7、一散焦凹透镜8、一钳锅9、一反射镜10、以及一反射镜调整装置11。所述真空反应腔I的侧壁密封设有一窗口 12，该窗口 12为由Ge或ZnSe材料制成的窗口。所述基板架2，设于真空反应腔I内，用以放置待镀膜基板或基片。所述CO2激光器4，位于真空反应腔I外并水平设置，其激光横向发射并与所述窗口 12相对。所述He-Ne激光器5，位于真空反应腔I外并垂直设置，其激光纵向发射。所述分束镜6，位于真空反应腔I外并呈45度角设于CO2激光器4与He-Ne激光器5所发出的激光束的相交位置处。所述聚焦凸透镜7，设于分束镜6与窗口 12之间的光路上，并可沿光路移动调节。所述散焦凹透镜8，设于聚焦凸透镜7与窗口 12之间的光路上。所述钳锅9，设于真空反应腔I内并位于基板架2的下方，用以盛放待蒸发材料。所述反射镜10，设于真空反应腔I内，并位于所述激光器、分束镜6、聚焦凸透镜7、散焦凹透镜8和窗口 12所共同形成的光路上，且位于所述钳锅9上方，用以将所述激光器发出的激光在由外而内依次经过分束镜6、聚焦凸透镜7、散焦凹透镜8和窗口 12后，反射至所述钳锅9内，对钳锅9内的待蒸发材料进行激光加热蒸发，从而在基板架2上的基材或基片表面气相沉积出含有所述待蒸发材料的膜层。所述可调节的挡板3，设于钳锅9与基板架2之间，用以调节基材或基片表面的气相沉积镀膜范围。所述反射镜调整装置11，设于真空反应腔I的侧壁上，用以改变所述反射镜10与钳锅9的相对位置并改变激光加热的范围。所述反射镜10的反射面上还罩设有一可拆卸护板(图中未示出)，该护板为薄的透明玻璃板，用以防止反射镜在激光加热蒸发时被蒸汽分子玷污。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并非用来限定本实用新型实施的范围，凡依本实用新型专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本实用新型专利涵盖的范围。
权利要求1.一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于:包括 一真空反应腔，该真空反应腔的侧壁密封设有一窗口 ； 一基板架，设于真空反应腔内，用以放置待镀膜基板或基片； 一 CO2激光器，位于真空反应腔外并水平设置，其激光横向发射并与所述窗口相对； 一 He-Ne激光器,位于真空反应腔外并垂直设置,其激光纵向发射； 一分束镜，位于真空反应腔外并呈45度角设于CO2激光器与He-Ne激光器所发出的激光束的相交位置处； 一聚焦凸透镜，设于分束镜与窗口之间的光路上； 一散焦凹透镜，设于聚焦凸透镜与窗口之间的光路上； 一钳锅，设于真空反应腔内并位于基板架的下方，用以盛放待蒸发材料；以及一反射镜，设于真空反应腔内，并位于所述激光器、分束镜、聚焦凸透镜、散焦凹透镜和窗口所共同形成的光路上，且位于所述钳锅上方，用以将所述激光器发出的激光在由外而内依次经过分束镜、聚焦凸透镜、散焦凹透镜和窗口后，反射至所述钳锅内，对钳锅内的待蒸发材料进行激光加热蒸发，从而在基板架上的基材或基片表面气相沉积出含有所述待蒸发材料的膜层。
2.根据权利要求1所述的一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于:所述钳锅与基板架之间还设有可调节的挡板，用以调节基材或基片表面的气相沉积镀膜范围。
3.根据权利要求1或2所述的一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于:所述真空反应腔的侧壁上还设有一反射镜调整装置，用以改变所述反射镜与钳锅的相对位置并改变激光加热的范围。
4.根据权利要求3所述的一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于:所述反射镜的反射面上还罩设有一可拆卸护板，用以防止反射镜在激光加热蒸发时被蒸汽分子玷污。
5.根据权利要求4所述的一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于:所述护板为薄的透明玻璃板。
6.根据权利要求5所述的一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于:所述窗口为由Ge或ZnSe材料制成的窗口。
7.根据权利要求6所述的一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于:所述聚焦凸透镜的位置可沿光路移动调节。
专利摘要一种激光蒸发镀膜装置，其特征在于包括一真空反应腔；一基板架；一CO2激光器；一He-Ne激光器；一分束镜，位于真空反应腔外并呈45度角设于CO2激光器与He-Ne激光器所发出的激光束的相交位置处；一聚焦凸透镜；一散焦凹透镜；一钳锅，用以盛放待蒸发材料；以及一反射镜，设位于所述钳锅上方，用以将所述激光器发出的激光在由外而内依次经过分束镜、聚焦凸透镜、散焦凹透镜和窗口后，反射至所述钳锅内，对钳锅内的待蒸发材料进行激光加热蒸发，从而在基板架上的基材或基片表面气相沉积出含有所述待蒸发材料的膜层。本实用新型结构简单，可对高熔点金属材料进行非接触式加热使其蒸发而实现激光蒸发镀膜，且不会污染真空反应腔体。
文档编号C23C14/28GK202968677SQ20122064575
公开日2013年6月5日 申请日期2012年11月28日 优先权日2012年11月28日
发明者粟婷, 杨柳, 刘昕 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司