导电薄膜、其制备方法及应用的制作方法
【专利摘要】一种导电薄膜，包括层叠的银层及三氧化钨层，其中，银层及三氧化钨层为纳米线结构，该导电薄膜具有较高的透光率和低的电阻，薄膜做成纳米线的集合，相对于普通的透明导电薄膜，提高了有机电致发光器件的出光效率。上述导电薄膜通过在银层的表面沉积三氧化钨层制备双层导电薄膜，该薄膜具有较高的表面功函数，可降低器件的启动电压，提高发光效率。本发明还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。
【专利说明】导电薄膜、其制备方法及应用
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002]导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED，TFT，LCD及触摸屏等屏幕显示领域。随着器件性能要求的提高，用于作为器件阳极的透明导电膜的性能也在要求提高。对于器件出光效率的需要，很多研究机构都在设法在阳极与基板之间插入散射层。
[0003]高性能的器件，还要求阳极有较高的表面功函数，使其与其他功能层的能级相匹配，降低势垒，提高载流子注入效率，最终达到高的电光效率。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。
[0005]一种导电薄膜，包括层叠的银层及三氧化钨层，其中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米 线直径为50nm~500nm,所述三氧化鹤层的纳米线直径为8nm~80nm。
[0006]在其中一个实施例中，所述银层的厚度为30mTT400mn，所述三氧化钨层的厚度为6nm~70nmo
[0007]—种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0008]将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；
[0009]设置管式炉的石英管的真空度为IO2PalO3Pa,温度为350°C ~700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min~180cm3/min ；
[0010]先将银粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述银粉的蒸发时间为10分钟~40分钟，在所述衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层；
[0011]然后将三氧化钨粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉的蒸发时间为3分钟~20分钟，在所述银层表面形成所述三氧化钨层，停止蒸镀所述三氧化钨层，继续通入惰性气体冷却到室温；及
[0012]剥离所述衬底，得到所述层叠的银层及三氧化钨层导电薄膜。
[0013]在其中一个实施例中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm,三氧化鹤层的纳米线直径为8nm~80nm。
[0014]在其中一个实施例中，所述银层的厚度为30nnT400nm，所述三氧化钨层的厚度为6nm~70nmo
[0015]一种有机电致发光器件的基板，包括依次层叠的衬底、银层及三氧化钨层，其中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm，三氧化钨层的纳米线直径为8nm~80nm。
[0016]在其中一个实施例中，所述银层的厚度为30nnT400nm，所述三氧化钨层的厚度为6nm~70nmo
[0017]一种有机电致发光器件的基板的制备方法，包括以下步骤:
[0018]将衬底通过酸处理，然后用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；
[0019]设置管式炉的石英管的真空度为IO2PalO3Pa,温度为350°C ~700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min~180cm3/min ；
[0020]先将银粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述银粉的蒸发时间为10分钟~40分钟，在所述衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层；
[0021]然后将三氧化钨放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉末的蒸发时间为3分钟~20分钟，在所述银层表面形成所述三氧化钨层，停止蒸镀所述三氧化钨层，继续通入惰性气体冷却到室温。
[0022]在其中一个实施例中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm,三氧化鹤层的纳米线直径为8nm~80nm,所述银层的厚度为30nnT400nm,所述三氧化鹤层的厚度为6nnT70nm。
[0023]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括依次层叠的衬底、银层及三氧化钨层，其中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm,三氧化鹤层的纳米线直径为8nm~80nm。
[0024]上述导电薄膜通过在银层的表面沉积三氧化钨薄膜制备双层导电薄膜，导电薄膜做成纳米线的集合，具有较高的表面功函数，又能保证高的透光，有利于器件的出光效率提高，导电薄膜在47(T790nm长范围可见光透过率88%~90%，方块电阻范围15~85 Ω/ □，表面功函数4.8^5.1eV ;上述导电薄膜的制备方法，采用热蒸镀的方式制备银层及三氧化钨层，工艺较成本低，容易操作及重复率高的优点；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；
[0026]图2为一实施方式的有机电致发光器件的基板的结构不意图；
[0027]图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0028]图4为本发明制备导电薄膜和导电基板的热蒸镀的方法的设备示意图；
[0029]图5为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱图；
[0030]图6为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图；
[0031]图7为实施例1制备的电致发光器件与对比例比较的亮度与电压关系曲线。【具体实施方式】
[0032]下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。
[0033]请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的银层30及三氧化钨层10。
[0034]银层30为纳米线结构，银层30纳米线直径为50nm~500nm。
[0035]银层30的厚度为30nm~400nm,优选为200nm。
[0036]三氧化鹤层10为纳米线结构,三氧化鹤层10纳米线直径为8nm~80nm。
[0037]三氧化鹤层10的厚度为6nnT70nm,优选为35nm。 [0038]上述导电薄膜100通过在银层30的表面沉积三氧化钨层10薄膜制备双层导电薄膜，这样制备的双层导电薄膜既能保持良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高，导电薄膜100在47(T790nm波长范围可见光透过率88%~90%，方块电阻范围15 Ω / □ 85 Ω / □,表面功函数 4.8eV 5.1eV0
[0039]上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤:
[0040]S110、将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；
[0041]设置管式炉的真空度为IO2PalO3Pa,温度为350°C ~700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min~180cm3/min ；
[0042]衬底为玻璃衬底；
[0043]惰性气体包括氮气,氦气及氩气。
[0044]本实施方式中，真空腔体的真空度优选为3X102Pa。
[0045]步骤S120、先将银粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述银粉的蒸发时间为10分钟~40分钟，在所述衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层。
[0046]优选的，银层30为纳米线结构，银层30纳米线直径为50nm~500nm。
[0047]银层30的厚度为30nnT400nm，优选为200nm。
[0048]步骤S130、然后将三氧化钨放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉末的蒸发时间为3分钟~20分钟，在所述银层表面形成所述三氧化钨层，停止蒸镀所述三氧化钨层，继续通入惰性气体冷却到室温。
[0049]优选的，三氧化鹤层10为纳米线结构,三氧化鹤层10纳米线直径为8nm~80nm。
[0050]三氧化鹤层10的厚度为6nnT70nm,优选为35nm。
[0051]步骤S140、剥离所述衬底，得到所述层叠的银层30及三氧化钨层10导电薄膜100。
[0052]上述导电薄膜的制备方法，采用热蒸镀的方式制备银层30及三氧化钨层10，工艺较成本低，容易操作及重复率高。
[0053]请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的基板200，包括层叠的衬底201、银层202及三氧化钨层203。
[0054]衬底201为玻璃衬底；
[0055]惰性气体包括氮气,氦气及氩气。
[0056]银层30为纳米线结构，银层30纳米线直径为50nm~500nm。
[0057]银层30的厚度为30nm~400nm,优选为200nm。[0058]三氧化鹤层10为纳米线结构，三氧化鹤层10纳米线直径为8nm~80nm。
[0059]三氧化钨层10的厚度为6nnT70nm，优选为35nm。
[0060]上述有机电致发光器件的基板200通过在银层202的表面沉积三氧化钨层203，既能保持良好的导电性能，又使有机电致发光器件的基板200的功函数得到了显著的提高。
[0061]上述有机电致发光器件的基板200的制备方法，包括以下步骤:
[0062]S210、将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；
[0063]设置管式炉的石英管的真空度为IO2PalO3Pa,温度为350°C ~700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min~180cm3/min ；
[0064]衬底为玻璃衬底；
[0065]惰性气体包括氮气,氦气及氩气。
[0066]本实施方 式中，真空腔体的真空度优选为3X102Pa。
[0067]步骤S220、先将银粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述银粉的蒸发时间为10分钟~40分钟，在所述衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层。
[0068]优选的，银层30为纳米线结构，银层30纳米线直径为50nm~500nm。
[0069]银层30的厚度为30nm~400nm,优选为200nm。
[0070]步骤S230、然后将三氧化钨放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉末的蒸发时间为3分钟~20分钟，在所述银层表面形成所述三氧化钨层，停止蒸镀所述三氧化钨层，继续通入惰性气体冷却到室温。
[0071]优选的,三氧化鹤层10为纳米线结构,三氧化鹤层10纳米线直径为8nm~80nm。
[0072]三氧化鹤层10的厚度为6nnT70nm,优选为35nm。
[0073]上述有机电致发光器件的基板200的制备方法，采用热蒸镀的方式制备银层202及三氧化钨层203，工艺较成本低，容易操作及重复率高。
[0074]请参阅图3，一实施方式的有机电致发光器件300包括依次层叠的衬底301、阳极302、发光层303以及阴极304。
[0075]阳极302由导电薄膜100制成，包括依次层叠的银层30及三氧化钨层10，其中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm，所述三氧化鹤层的纳米线直径为8nm~80nm。
[0076]衬底301为玻璃衬底，可以理解，根据有机电致发光器件300具体结构的不同，衬底301可以省略。发光层303材质为Alq3及阴极304的材质为银、金、铝、钼及镁铝合金等。
[0077]银层的厚度为30nnT400nm，优选的，银层的厚度为200nm，所述三氧化钨层的厚度为6nnT70nm,优选的,三氧化鹤层的厚度为35nm。
[0078]可以理解，上述有机电致发光器件300也可根据使用需求设置其他功能层。
[0079]上述有机电致发光器件300，使用导电薄膜100作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数4.8^5.1eV,与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7~
6.3eV)之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可提高发光效率。
[0080]图4为本发明制备上述导电薄膜和导电基板的热蒸镀的方法的设备示意图，包括气体输出装置430，管式炉的石英管410，设置在管式炉的石英管外部加热的电阻丝420，方式在管式炉的石英管410内部的舟440及衬底450，在所述衬底450的表面通过酸腐蚀形成的孔洞结构452，该热蒸镀的方法采用将衬底450和舟440放置在同一水平面上，通过气体输出装置430输入惰性气体，在真空高压条件下使蒸发源不断的蒸发，因为衬底表面具有粗糙的孔洞结构452能够促进蒸发源向相同方向生长，而不会在衬底表面形成薄膜，进而形成纳米线结构。
[0081]下面为具体实施例。
[0082]实施例1[0083]将衬底通过氢氟酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；设置管式炉的石英管的真空度为3.0X IO2Pa,温度为500°C，然后向管式炉的石英管中通入氩气，氩气的流速为120cm3/min ;先将银粉放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；银粉的蒸发时间为25分钟，在衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层；然后将三氧化钨放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉末的蒸发时间为10分钟，在银层表面形成三氧化钨层，停止蒸镀三氧化钨层，继续通入氩气冷却到室温剥离所述衬底，得到层叠的银层及三氧化钨层导电薄膜，银层的厚度为200nm，三氧化钨层的厚度为35nm，导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3，阴极采用Ag。
[0084]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围15Ω/ □，表面功函数测试仪测得表面功函数5.1eV0
[0085]请参阅图5，图5所示为得到的透明导电薄膜的透射光谱，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm。由图5可以看出薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到90%。
[0086]请参阅图6，图6为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图，由图可以看出纳米线的垂直衬底生长，银层及三氧化钨层为纳米线结构，银层的纳米线直径50nm~500nm为主，三氧化鹤层的纳米线8nm~80nm为主。
[0087]请参阅图7，图7为实施例1制备的电致发光器件与对比例比较的亮度与电压关系曲线，由图7可以看出曲线I是实施例1制备的薄膜电致发光器件电压与亮度关系曲线，曲线2是对比例制备的薄膜电致发光器件电压与亮度关系曲线，可看出:纳米线状样品使器件的启动电压降低从5.5到5.0V，亮度提高从450至600cd/m2。
[0088]对比例
[0089]将衬底用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入气相沉积设备中；设置气相沉积设备的真空度为3.0 X IO2Pa,温度为500°C，先将银粉放置在舟中，在衬底表面形成铟层，停止蒸镀所述铟层；得到银层导电薄膜，厚度为200nm，再在银层表面蒸镀三氧化钨层，三氧化钨层的厚度为35nm，得到银层及三氧化钨层的双层导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0090]实施例2
[0091]将衬底通过氢氟酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；设置管式炉的石英管的真空度为1.0X IO3Pa,温度为500°C，然后向管式炉的石英管中通入氩气，氩气的流速为180cm3/min ;先将银粉放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；银粉的蒸发时间为40分钟，在衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层?’然后将三氧化钨放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉末的蒸发时间为20分钟，在银层表面形成三氧化钨层，停止蒸镀三氧化钨层，继续通入氩气冷却到室温剥离衬底，得到层叠的银层及三氧化钨层导电薄膜，银层的厚度为30nm，三氧化钨层的厚度为10nm，导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0092]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围85Ω/ □，表面功函数
5.0eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到88%。
[0093]实施例3
[0094]将衬底通过氢氟酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；设置管式炉的石英管的真空度为1.0X IO2Pa,温度为500°C，然后向管式炉的石英管中通入氮气，氮气的流速为50cm3/min ;先将银粉放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；银粉的蒸发时间为10分钟，在衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层?’然后将三氧化钨放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉末的蒸发时间为3分钟，在银层表面形成三氧化钨层，停止蒸镀三氧化钨层，继续通入氮气冷却到室温剥离衬底，得到层叠的银层及三氧化钨层导电薄膜，银层的厚度为400nm，三氧化钨层的厚度为60nm，导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0095]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围37Ω/ □，表面功函数4.8eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到90%。
[0096]实施例4
[0097]将衬底通过氢氟酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；设置管式炉的石英管的真空度为7.0X IO2Pa,温度为500°C，然后向管式炉的石英管中通入氮气，氮气的流速为120cm3/min ;先将银粉放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；银粉的蒸发时间为30分钟，在衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层；然后将三氧化钨放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉末的蒸发时间为7分钟，在银层表面形成三氧化钨层，停止蒸镀三氧化钨层，继续通入氮气冷却到室温剥离衬底，得到层叠的银层及三氧化钨层导电薄膜，银层的厚度为300nm，三氧化钨层的厚度为6nm，导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0098]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围75Ω/ □，表面功函数
4.9eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到90%。
[0099]实施例5
[0100]将衬底通过氢氟酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；设置管式炉的石英管的真空度为2.0X IO2Pa,温度为500°C，然后向管式炉的石英管中通入氮气，氮气的流速为70cm3/min ;先将银粉放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；银粉的蒸发时间为35分钟，在衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层?’然后将三氧化钨放置在舟中，将舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉末的蒸发时间为15分钟，在银层表面形成三氧化钨层，停止蒸镀三氧化钨层，继续通入氮气冷却到室温剥离衬底，得到层叠的银层及三氧化钨层导电薄膜，银层的厚度为350nm，三氧化钨层的厚度为7nm，导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0101]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围42Ω/ □，表面功函数5.0eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到89%。
[0102]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜包括层叠的银层及三氧化钨层，其中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm，所述三氧化鹤层的纳米线直径为8nm~80nm。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述银层的厚度为30nm~400nm，所述三氧化鹤层的厚度为6nm~70nm。
3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中； 设置管式炉的石英管的真空度为IO2PalO3Pa,温度为350°C ~700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min~180cm3/min ； 先将银粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述银粉的蒸发时间为10分钟~40分钟，在所述衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层； 然后将三氧化钨粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉的蒸发时间为3分钟~20分钟，在所述银层表面形成所述三氧化钨层，停止蒸镀所述三氧化钨层，继续通入惰性气体冷却到室温；及 剥离所述衬底，得到所述层叠的银层及三氧化钨层导电薄膜。
4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm,三氧化鹤层的纳米线直径为8nm~80nm。
5.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述银层的厚度为30nm~400nm,所述三氧化鹤层的厚度为6nm~70nm。
6.—种有机电致发光器件的基板,其特征在于,包括依次层叠的衬底、银层及三氧化鹤层，其中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm，三氧化鹤层的纳米线直径为8nm~80nm。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基板，其特征在于，所述银层的厚度为30nm~400nm,所述三氧化鹤层的厚度为6nm~70nm。
8.一种有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 将衬底通过酸处理，然后用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中； 设置管式炉的石英管的真空度为1O2PalO3Pa,温度为350°C ~700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min~180cm3/min ； 先将银粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述银粉的蒸发时间为10分钟~40分钟，在所述衬底表面形成银层，停止蒸镀所述银层； 然后将三氧化钨粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；三氧化钨粉的蒸发时间为3分钟~20分钟，在所述银层表面形成所述三氧化钨层，停止蒸镀所述三氧化钨层，继续通入惰性气体冷却到室温。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm，三氧化钨层的纳米线直径为8nm~80nm,所述银层的厚度为30nm~400nm,所述三氧化鹤层的厚度为6nm~70nm。
10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括依次层叠的衬底、银层及三氧化钨层，其中，所述银层及三氧化钨层为纳米线结构，所述银层的纳米线直径为50nm~500nm,三氧化鹤层的纳米线直径为8nnT80nm。
【文档编号】C23C14/06GK103924194SQ201310008603
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2013年1月10日 优先权日:2013年1月10日
【发明者】周明杰, 王平, 陈吉星, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司