一种制备金刚石薄膜的简单装置制造方法
一种制备金刚石薄膜的简单装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种制备金刚石薄膜的简单装置，包括有反应室，其特征在于：在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于制备金刚石薄膜的简单装置。
【专利说明】一种制备金刚石薄膜的简单装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种制备金刚石薄膜的简单装置。
【背景技术】
[0002]金刚石薄膜具有很高的硬度、较好的热导性，耐磨损性，极佳的化学惰性，和从远红外区到深紫外区完全透明等优点。金刚石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半导体以及X射线窗口等领域有着广泛的前景。
[0003]现有用于制备金刚石薄膜的装置，其结构一般比较复杂，生产成本高。故此，现有用于制备金刚石薄膜的装置有待于进一步完善。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于制备金刚石薄膜的简单装置。
[0005]为了达到上述目的，本发明采用以下方案: [0006]一种制备金刚石薄膜的简单装置，包括有反应室，其特征在于:在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。
[0007]如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于在所述的阴极上内设有水冷容腔，在所述的阴极设有与所述水冷容器相连接的进水口。
[0008]如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极与阴极通过导线连接有电源。
[0009]如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极包括有阳极本体，在所述的阳极本体上设有水冷进口。
[0010]如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极与阴极之间的距离为2cm。
[0011]综上所述，本发明的有益效果:
[0012]本发明工艺方法简单，制作方便，生产成本相对较低。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本发明的示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【专利附图】
【附图说明】和【具体实施方式】对本发明做进一步描述:
[0015]如图1所示，本发明一种制备金刚石薄膜的简单装置，包括有反应室1，在所述的反应室I下方设有气体入口 2，在所述反应室I内与所述气体入口 2对应的位置上设有阴极3，在所述的阴极3上设有多个透气孔4，在所述阴极3上方设有水冷阳极5，基片6设置在水冷阳极5上。
[0016]本发明中所述水冷阳极5与阴极3通过导线7连接有电源8。
[0017]本发明中在所述的阴极3上内设有水冷容腔，在所述的阴极3设有与所述水冷容器相连接的进水口 9。
[0018]本发明中所述水冷阳极5包括有阳极本体51，在所述的阳极本体51上设有水冷进口 52。所述水冷阳极5与阴极之间的距离为2cm。
[0019]本发明装置使用过程中压力约28KPa的反应气体CH4+H2通过阴极3中的进入反应室1，水冷阳极5位于阴极3上方，基片6安装在水冷阳极上，水冷阳极与阴极的距离为2cm，CH4/H2比率由0.3%变到4%，但流量固定在20SCCm，所使用的典型放电条件为1KV和0.4nm/cm2,基片6温度上升到800°C，其温度可通过改变通入阳极的冷却水的流量来改变。
[0020]采用本发明装置制备的金刚石薄膜，其面间距、点阵常数、维氏硬度与自然金刚石对应值相符。
[0021]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保 护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种制备金刚石薄膜的简单装置，包括有反应室(1)，其特征在于:在所述的反应室(I)下方设有气体入口(2)，在所述反应室(I)内与所述气体入口(2)对应的位置上设有阴极(3)，在所述的阴极(3)上设有多个透气孔(4)，在所述阴极(3)上方设有水冷阳极(5)，基片(6)设置在水冷阳极(5)上。
2.根据权利要求1所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极(5)与阴极(3)通过导线(7)连接有电源(8)。
3.根据权利要求1所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于在所述的阴极(3)上内设有水冷容腔，在所述的阴极(3)设有与所述水冷容器相连接的进水口(9)。
4.根据权利要求1所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极(5 )包括有阳极本体(51)，在所述的阳极本体(51)上设有水冷进口( 52 )。
5.根据权利要求1所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极(5)与阴极之间的距离 为2cm。
【文档编号】C23C16/50GK103643218SQ201310567348
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日
【发明者】秦文锋, 李学军, 杨文志 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司
【专利摘要】本发明公开了一种制备金刚石薄膜的简单装置，包括有反应室，其特征在于：在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于制备金刚石薄膜的简单装置。
【专利说明】一种制备金刚石薄膜的简单装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种制备金刚石薄膜的简单装置。
【背景技术】
[0002]金刚石薄膜具有很高的硬度、较好的热导性，耐磨损性，极佳的化学惰性，和从远红外区到深紫外区完全透明等优点。金刚石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半导体以及X射线窗口等领域有着广泛的前景。
[0003]现有用于制备金刚石薄膜的装置，其结构一般比较复杂，生产成本高。故此，现有用于制备金刚石薄膜的装置有待于进一步完善。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于制备金刚石薄膜的简单装置。
[0005]为了达到上述目的，本发明采用以下方案: [0006]一种制备金刚石薄膜的简单装置，包括有反应室，其特征在于:在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。
[0007]如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于在所述的阴极上内设有水冷容腔，在所述的阴极设有与所述水冷容器相连接的进水口。
[0008]如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极与阴极通过导线连接有电源。
[0009]如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极包括有阳极本体，在所述的阳极本体上设有水冷进口。
[0010]如上所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极与阴极之间的距离为2cm。
[0011]综上所述，本发明的有益效果:
[0012]本发明工艺方法简单，制作方便，生产成本相对较低。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本发明的示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【专利附图】
【附图说明】和【具体实施方式】对本发明做进一步描述:
[0015]如图1所示，本发明一种制备金刚石薄膜的简单装置，包括有反应室1，在所述的反应室I下方设有气体入口 2，在所述反应室I内与所述气体入口 2对应的位置上设有阴极3，在所述的阴极3上设有多个透气孔4，在所述阴极3上方设有水冷阳极5，基片6设置在水冷阳极5上。
[0016]本发明中所述水冷阳极5与阴极3通过导线7连接有电源8。
[0017]本发明中在所述的阴极3上内设有水冷容腔，在所述的阴极3设有与所述水冷容器相连接的进水口 9。
[0018]本发明中所述水冷阳极5包括有阳极本体51，在所述的阳极本体51上设有水冷进口 52。所述水冷阳极5与阴极之间的距离为2cm。
[0019]本发明装置使用过程中压力约28KPa的反应气体CH4+H2通过阴极3中的进入反应室1，水冷阳极5位于阴极3上方，基片6安装在水冷阳极上，水冷阳极与阴极的距离为2cm，CH4/H2比率由0.3%变到4%，但流量固定在20SCCm，所使用的典型放电条件为1KV和0.4nm/cm2,基片6温度上升到800°C，其温度可通过改变通入阳极的冷却水的流量来改变。
[0020]采用本发明装置制备的金刚石薄膜，其面间距、点阵常数、维氏硬度与自然金刚石对应值相符。
[0021]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保 护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种制备金刚石薄膜的简单装置，包括有反应室(1)，其特征在于:在所述的反应室(I)下方设有气体入口(2)，在所述反应室(I)内与所述气体入口(2)对应的位置上设有阴极(3)，在所述的阴极(3)上设有多个透气孔(4)，在所述阴极(3)上方设有水冷阳极(5)，基片(6)设置在水冷阳极(5)上。
2.根据权利要求1所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极(5)与阴极(3)通过导线(7)连接有电源(8)。
3.根据权利要求1所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于在所述的阴极(3)上内设有水冷容腔，在所述的阴极(3)设有与所述水冷容器相连接的进水口(9)。
4.根据权利要求1所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极(5 )包括有阳极本体(51)，在所述的阳极本体(51)上设有水冷进口( 52 )。
5.根据权利要求1所述的一种制备金刚石薄膜的简单装置，其特征在于所述水冷阳极(5)与阴极之间的距离 为2cm。
【文档编号】C23C16/50GK103643218SQ201310567348
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日
【发明者】秦文锋, 李学军, 杨文志 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司
相关技术
网友询问留言
已有0条留言
- 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞！
1