化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法
【专利摘要】本发明公开了一种化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法；首先采用含硅有机化合物作为硅掺杂源，采用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备硅掺杂金刚石薄膜，然后原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜，以制备硅掺杂复合金刚石薄膜。与现有技术相比，本发明可以更加精确地控制碳源或硅掺杂源和碳源混合溶液的流量并实现定量掺杂，硅掺杂复合金刚石薄膜既具有优异的附着性能，又具有极高的表面硬度和耐磨损性能，适用于对金刚石薄膜的附着性能和耐磨损性能综合要求很高的各类应用场合。
【专利说明】化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜【技术领域】，具体涉及一种化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法。
【背景技术】
[0002]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)金刚石涂层具有近似于天然金刚石的高硬度(9000~10000HV)、高弹性模量、低摩擦系数、良好的耐磨损性能、较低的热膨胀系数、极高的热导率以及良好的表面化学稳定性等优异性能，从上世纪80年代初在异质基体上成功合成金刚石涂层至今，CVD金刚石无论从生长理论、制备方法、制备质量以及性能表征，还是从后续加工技术以及应用研究方面都取得了巨大的进展，从而使其作为耐磨减摩及耐冲蚀涂层在切削刀具、拉拔模具、耐磨器件和耐流体冲蚀器件领域具有广阔的应用前景。
[0003]CVD金刚石薄膜在机械化工领域的应用中主要承受的是摩擦磨损或冲蚀磨损，在大多数试验或工业应用条件下，金刚石薄膜主要的失效机理是薄膜与基体之间的分离和剥落，这主要就是因为金刚石薄膜和基体材料之间的附着力不足造成的，硅掺杂技术的采用可以有效改善 金刚石薄膜与衬底之间的附着性能。经对现有技术的文献检索发现，目前尚未有关于硅掺杂金刚石薄膜沉积技术的专利公开，中国专利“化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法”(CN200910045950)提出了一种化学气相沉积掺硼导电金刚石薄膜的方法，采用了无毒的硼酸三甲酯作为硼掺杂源，通过冰水混合物对硼酸三甲酯和丙酮的混合溶液进行恒温，以控制碳源流量，近似实现定量掺硼，但是在0°C下混合溶液的饱和蒸汽压仍然较高，在不通过氢气的情况下，受下游管道压力状态的影响可能也会蒸发逸出，必须在下游设置隔离阀，但是固态析出的硼源仍旧可能造成隔离阀的堵塞，此外，用作恒温冰水混合物需要频繁更换，难以保证长期稳定工作的需求。硅掺杂方法与硼掺杂方法具有一定的共性，同样存在上述问题。
[0004]硅掺杂金刚石薄膜制备过程中由于有较多的硅元素存在，因此会降低制备的金刚石薄膜的纯度，因此硅掺杂金刚石薄膜的硬度和耐磨性相对于普通微米金刚石薄膜有所下降，在不考虑附着性能的情况下，硅掺杂金刚石薄膜的摩擦磨损率或冲蚀磨损率会大于传统不掺杂微米金刚石薄膜。
【发明内容】
[0005]本发明针对现有技术存在的上述不足和缺陷，提供一种化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法，可以更加精确地控制碳源(或硅源和碳源的混合溶液)流量并实现定量掺杂，硅掺杂复合金刚石薄膜既具有优异的附着性能，又具有极高的硬度和耐磨损性能，适用于对金刚石薄膜的附着性能和耐磨损性能要求很高的各类应用场合。
[0006]本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
[0007]第一方面，本发明涉及一种化学气相沉积制备娃掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法，所述方法包括:以含娃有机化合物作为娃掺杂源，米用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备硅掺杂金刚石薄膜；然后原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜，制得硅掺杂复合金刚石薄膜。所述含硅有机化合物包括正硅酸乙酯、四甲基(甲硅)烷；优选正硅酸乙酯。方法中采用的碳源为丙酮、甲醇等液体有机化合物；优选丙酮。
[0008]优选的，所述方法具体包括如下步骤:
[0009]A、恒温条件下，硅掺杂气路中的载流氢气带动硅掺杂源与碳源的混合溶液鼓泡蒸发，含混合溶液蒸汽的载流氢气与氢气气路的氢气充分混合后进入真空反应腔，采用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备硅掺杂金刚石薄膜； [0010]B、关闭硅掺杂气路，开启碳源气路；恒温条件下，碳源气路中的载流氢气带动碳源鼓泡蒸发，含碳源的载流氢气与氢气气路的氢气充分混合后进入真空反应腔，采用热丝化学气相沉积法在步骤A制得的硅掺杂金刚石薄膜表面原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜。
[0011]优选的，所述步骤A中的恒温为-30~-20°c;步骤B中的恒温为-30~_20°C。恒定温度下混合溶液(或纯碳源)的饱和蒸汽压保持恒定，因此可以通过控制载流氢气的流量控制混合溶液(或纯碳源)的蒸发量，比较精确地控制碳源流量并实现定量掺杂。此外，步骤A的硅掺杂金刚石薄膜制备过程中将硅掺杂源与碳源混合，通过控制混合溶液中硅掺杂源和碳源的体积可以确定混合溶液及薄膜中的硅碳原子比。
[0012]优选的，所述制备硅掺杂金刚石薄膜采用的沉积参数为:氢气流量800~1000ml/min,混合溶液/氢气体积比I~3%,混合溶液中娃碳原子比1000~50000:1ppm,反应压力25~35Torr，衬底温度800~900°C，偏压电流1.0~4.0A ;所述氢气流量为氢气气路流量与硅掺杂气路中的载流氢气流量之和。
[0013]优选的，所述制备不掺杂微米金刚石薄膜采用的沉积参数为:氢气流量800~1000ml/min,碳源/氢气体积比I~3%，反应压力25~35Torr，衬底温度800~900°C，偏压电流1.0~4.0A ;所述氢气流量为氢气气路流量与碳源气路中的载流氢气流量之和。
[0014]第二方面，本发明还涉及一种适用上述的化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法的专用装置，所述专用装置包括并联设置且分别与氢气源、热丝化学气相沉积设备相连的娃掺杂气路、碳源气路和氢气气路；所述娃掺杂气路上设有放置在恒温箱内的混合溶液鼓泡瓶，所述碳源气路上设有放置在恒温箱内的碳源鼓泡瓶；所述硅掺杂气路为制备硅掺杂金刚石薄膜提供硅掺杂源和碳源，所述碳源气路为原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜提供碳源。
[0015]优选的，所述恒温箱的可调温度范围为-50~0°C。通过调整恒温箱温度可以改变混合溶液(或纯碳源)的饱和蒸汽压，恒定温度下混合溶液(或纯碳源)的饱和蒸汽压保持恒定，因此可以通过控制载流氢气的流量控制混合溶液(或纯碳源)的蒸发量，比较精确地控制碳源流量并实现定量掺杂；采用较低的恒温箱温度可以减小混合溶液(或纯碳源)的饱和蒸汽压，在不通氢气的情况下，避免鼓泡瓶中的液体受下游管道压力状态的影响蒸发逸出。
[0016]优选的，所述娃掺杂气路、碳源气路和氢气气路上靠近氢气源的一侧均设有气体质量流量计。
[0017]优选的，所述硅掺杂气路上气体质量流量计与混合溶液鼓泡瓶之间设有保护瓶；所述碳源气路上气体质量流量计与碳源鼓泡瓶之间设有保护瓶。各气路中氢气流量是通过气体质量流量计进行自动控制的。碳源中含有少量水分，在管路中可能会有少量硅源遇水后固态析出，因此气体质量流量计置于保护瓶和鼓泡瓶之前，可防止析出的硅源堵塞流量计中的流量检测管路和控制阀门；保护瓶用于防止误操作导致的混合溶液(或纯碳源)倒流进入气路。
[0018]优选的，所述热丝化学气相沉积设备包括真空反应腔以及分别与真空反应腔相连的反应压力控制装置、真空泵、热丝电源及温度控制装置。
[0019]优选的，所述专用装置还包括与硅掺杂气路并联设置的保护气体气路；所述保护气体气路与保护气体源、热丝化学气相沉积设备相连。
[0020]与现有技术相比，本发明具有如下有益效果:
[0021]1、采用本发明制备的硅掺杂复合金刚石薄膜整体具有良好的附着性能:硅掺杂技术的采用有效减小金刚石薄膜中的残余应力，改善金刚石薄膜与衬底之间的附着性能，因此底层娃掺杂金刚石薄膜与衬底之间结合良好；另外，娃掺杂金刚石薄膜与不掺杂金刚石薄膜性质相近，因此两层金刚石薄膜也结合良好。
[0022]2、表层不掺杂微米金刚石薄膜具有优于硅掺杂金刚石薄膜的硬度，因此在应用过程中避免硅掺杂金刚石薄膜直接承受摩擦磨损或冲蚀磨损，可以体现出CVD金刚石薄膜最优的耐磨损性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更 明显:
[0024]图1为制备硅掺杂复合金刚石薄膜的设备原理图，其中I为气体质量流量计，2为保护瓶，3为恒温箱，4为碳源鼓泡瓶，5为混合溶液鼓泡瓶，6为真空反应腔，7为热丝电源及温度控制装置，8为反应压力控制装置，9为真空泵；
[0025]图2为具有硅掺杂复合金刚石薄膜中两层薄膜的表面形貌电镜图，其中a为硅掺杂金刚石薄膜，b为表层不掺杂微米金刚石薄膜；
[0026]图3为厚度相同的三种金刚石薄膜的压痕形貌图，其中a为不掺杂微米金刚石薄膜，b为硅掺杂金刚石薄膜，c为硅掺杂复合金刚石薄膜；
[0027]图4为娃掺杂复合金刚石薄膜中两层薄膜的Raman表征谱图,其中a为娃掺杂金刚石薄膜，b为表层不掺杂微米金刚石薄膜。
【具体实施方式】
[0028]下面结合具体实施例和附图对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
[0029]本发明的制备硅掺杂复合金刚石薄膜的专用装置如图1所示，包括并联设置且分别与氢气源、热丝化学气相沉积设备相连的娃掺杂气路、碳源气路和氢气气路；所述娃掺杂气路上设有放置在恒温箱3内的混合溶液鼓泡瓶5，所述碳源气路上设有放置在恒温箱3内的碳源鼓泡瓶4。所述恒温箱3的可调温度范围为-50~0°C。所述硅掺杂气路、碳源气路和氢气气路上靠近氢气源的一侧均设有气体质量流量计I。所述硅掺杂气路上气体质量流量计I与混合溶液鼓泡瓶5之间设有保护瓶2 ;所述碳源气路上气体质量流量计I与碳源鼓泡瓶4之间设有保护瓶2。所述热丝化学气相沉积设备(热丝CVD设备)包括真空反应腔6以及分别与真空反应腔6相连的反应压力控制装置8、真空泵9、热丝电源及温度控制装置7。
[0030]本发明的专用装置还包括与硅掺杂气路并联设置的保护气体气路；所述保护气体气路与保护气体源、热丝化学气相沉积设备相连。
[0031]采用本发明的装置进行化学气相沉积制备硅掺杂复合金刚石薄膜包括如下步骤:
[0032]第一步，将硅掺杂源与碳源混合，并将混合溶液置于密封的混合溶液鼓泡瓶5中，混合溶液鼓泡瓶5置于恒温箱3中，使用载流氢气带动混合溶液鼓泡蒸发，含混合溶液蒸汽的载流氢气与氢气气路的氢气充分混合后进入真空反应腔6，采用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备硅掺杂金刚石薄膜；
[0033]第二步，将碳源置于密封的碳源鼓泡瓶4中，碳源鼓泡瓶4置于恒温箱3中，关闭娃掺杂气路，开启纯碳源气路，使用载流氢气带动碳源鼓泡蒸发，含碳源的载流氢气与氢气气路的氢气充分混合后进入真空反应腔6，采用热丝化学气相沉积法在硅掺杂金刚石薄膜表面原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜。
[0034]具体应用见以下各实 施例。
[0035]实施例1
[0036]衬底为氮化娃陶瓷平片(12mmX 12mmX 3mm),首先采用10~15 μ m的金刚石研磨液对平片表面进行研磨抛光，然后采用0.5~1.0 μ m的金刚石微粉对研磨抛光后的表面进行研磨布晶。将平片用纯净水洗净后烘干，置于热丝CVDOtot Filament CVD, HFCVD)设备真空反应腔内转动的平台上进行CVD金刚石薄膜的沉积。
[0037]热源及反应气体激励源为三根直径Φ3.0mm的钽丝绞制而成的绞丝，沉积中共采用六根绞丝平行等间距排布，绞丝间距为12mm，绞丝与平片表面的间距为10mm。
[0038]首先应用氢气气路和硅掺杂气路进行底层硅掺杂金刚石薄膜的沉积:将Iml正娃酸乙酯与330ml丙酮混合(娃碳原子比约为1000ppm)作为碳源和娃掺杂源,恒温箱恒温_20°C ;氢气流量1000ml/min，混合溶液/氢气体积比I %，反应压力25Torr，热丝总功率2200W，热丝温度2100~2200°C，衬底温度800~900°C，偏压电流1.0A。
[0039]然后应用氢气气路和纯碳源气路进行不掺杂微米金刚石薄膜的沉积:恒温箱恒温-20°C，氢气流量100ml/min，丙酮/氢气体积比1%，反应压力25Torr，热丝总功率2200W，热丝温度2100~2200°C，衬底温度800~900°C，偏压电流1.0A。
[0040]如图2所示为硅掺杂复合金刚石薄膜中两层薄膜的表面形貌电镜图，由图2可知:硅掺杂可以起到一定的晶粒细化的作用，并且会导致晶粒形状畸变，晶界上存在很多二次形核的较小晶粒，薄膜表面出现一些缺陷；表层不掺杂微米金刚石薄膜具有整齐的晶体结构，不存在明显缺陷。
[0041]本实施例中采用类似工艺制备了具有同样厚度的单层不掺杂微米金刚石薄膜和硅掺杂金刚石薄膜作为对比例，三种薄膜的压痕形貌如图3所示，不掺杂微米金刚石薄膜的附着性能较差，在压痕周围存在明显的开裂和分层现象，压痕附近及延伸区域的薄膜脱落均很严重，裂纹延伸最长可达0.78mm ;硅掺杂技术的采用可以有效改善金刚石薄膜的附着性能，硅掺杂金刚石薄膜压痕周围同样存在一定的开裂和分层现象，但是整体的薄膜脱落现象不明显，裂纹延伸最长仅有0.46mm;由于底层硅掺杂金刚石薄膜的作用，硅掺杂复合金刚石薄膜的附着性能也得到了一定改善，压痕形貌中裂纹扩展的长度约为0.58_。
[0042]图4所示为硅掺杂复合金刚石薄膜中两层薄膜的Raman谱图，由图4可知，硅掺杂金刚石薄膜Raman谱中1120CM和1450CM1附近位置上的Raman峰与反式聚乙炔有关，1350CHT1和1560CHT1附近位置的峰分别表征的是石墨D带和G带的存在，1310cm^附近位置上的峰与金刚石的声子态密度(PDOS)相关，而1335.5CHT1附近位置的峰表征的则是较高纯度的SP3金刚石成分的存在；相比之下,复合金刚石薄膜表层微米金刚石薄膜层的Raman谱中仅在1336.ScnT1附近位置存在一个金刚石的特征峰，这说明该复合金刚石薄膜表层的金刚石纯度更高，因此其表面硬度和耐磨性也会更加趋近于天然金刚石，即具有更高的硬度和耐磨性。 [0043]实施例2
[0044]衬底为YG6硬质合金拉丝模，外形尺寸为Φ 15mmX 12mm,定径带直径为2.0mm,将模具置于Murakami溶液中进行30min超声清洗，使得衬底表面粗化，其中Murakami溶液成分为氢氧化钾(KOH)、铁氰化钾(K3(Fe(CN)6))和水(H2O)，其质量配比为KOH: K3 (Fe (CN)6): H2O = I: I: 10。再将模具浸泡在Caro混合酸溶液中进行Imin的刻蚀以去除衬底表层的钴元素(Co)，其中Caix)混合酸溶液的成分为浓硫酸(H2SO4)和(H2O2),其体积配比为H2804: H2O2 = I: 10。最后采用IOym的金刚石研磨液对其内孔表面进行研磨抛光。将预处理后的拉丝模用纯净水洗净后烘干，置于HFCVD设备真空反应腔内的固定工作台上进行内孔CVD金刚石薄膜的沉积，热源及反应气体激励源为直径Φ4.0mm的钽丝，钽丝穿过模具内孔后与与电极柱连接，用耐高温弹簧拉直，通过控制热丝受热变形，使其始终处于轴心位置。
[0045]首先应用氢气气路和硅掺杂气路进行底层硅掺杂金刚石薄膜的沉积:将5ml四甲基(甲硅)烷与120ml丙酮混合(硅碳原子比约为13160ppm)作为碳源和掺杂源，恒温箱恒温_30°C ;氢气流量900ml/min，混合溶液/氢气体积比3%，反应压力35Torr，热丝功率450W，热丝温度2000~2100°C，衬底温度850~900°C，偏压电流1.5A。
[0046]然后应用氢气气路和纯丙酮气路进行不掺杂微米金刚石薄膜的沉积:恒温箱恒温_30°C，氢气流量900ml/min，丙酮/氢气体积比3%，反应压力35Torr，热丝功率450W，热丝温度2000~2100°C，衬底温度850~900°C，偏压电流1.5A。
[0047]该实施例中制备的硅掺杂复合金刚石薄膜涂层拉丝模同样具有如图2和图4所示的典型特征，相比较于普通微米金刚石薄膜涂层拉丝模具有更好的附着力，在实际的拉拔生产中薄膜不容易疲劳脱落，同时具有跟普通微米金刚石薄膜类似的表面硬度及摩擦磨损性能，表现出更高的使用寿命。
[0048]实施例3
[0049]衬底为反应烧结碳化硅陶瓷喷嘴，喷嘴工作孔径为3.2mm,首先采用10~15 μ m的金刚石研磨液对喷嘴内孔表面进行研磨抛光，然后采用0.5~1.0 μ m的金刚石微粉对研磨抛光后的表面进行研磨布晶。将预处理后的喷嘴用纯净水洗净后烘干，置于HFCVD设备真空反应腔内的固定工作台上进行内孔CVD金刚石薄膜的沉积，热源及反应气体激励源为直径Φ5.0mm的钽丝，钽丝穿过喷嘴内孔后与电极柱连接，用耐高温弹簧拉直，通过控制热丝受热变形，使其始终处于轴心位置。
[0050]首先应用氢气气路和硅掺杂气路进行底层硅掺杂金刚石薄膜的沉积:将IOml正娃酸乙酯与120ml甲醇混合(娃碳原子比约为50000ppm)作为碳源和娃掺杂源,恒温箱恒温-30°C ;氢气流量900ml/min，混合溶液/氢气体积比3%，反应压力35Torr，热丝功率600W，热丝温度2000~2100°C，衬底温度850~900°C，偏压电流4.0A。
[0051]然后应用氢气气路和纯甲醇气路进行不掺杂微米金刚石薄膜的沉积:恒温箱恒温_30°C，氢气流量900ml/min，甲醇/氢气体积比3%，反应压力35Torr，热丝功率600W，热丝温度2000~2100°C，衬底温度850~900°C，偏压电流4.0A。
[0052]该实施例中制备的硅掺杂复合金刚石薄膜涂层喷嘴同样具有如图2和图4所示的典型特征，相比较于普通微米金刚石薄膜涂层拉丝模具有更好的附着力，同时具有跟普通微米金刚石薄膜类似的表面硬度及抗冲蚀磨损性能，在高温、高压、含有高硬度颗粒的高固态浓度流体冲蚀工况条件下不易磨损和脱落，具有更高的使用寿命和应用效果。
[0053]以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。`
【权利要求】
1.一种化学气相沉积制备娃掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括:以含娃有机化合物作为娃掺杂源，米用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备娃掺杂金刚石薄膜；然后原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜，制得硅掺杂复合金刚石薄膜。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤: A、恒温条件下，硅掺杂气路中的载流氢气带动硅掺杂源与碳源的混合溶液鼓泡蒸发，含混合溶液蒸汽的载流氢气与氢气气路的氢气充分混合后进入真空反应腔，采用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备硅掺杂金刚石薄膜； B、关闭硅掺杂气路，开启碳源气路；恒温条件下，碳源气路中的载流氢气带动碳源鼓泡蒸发，含碳源的载流氢气与氢气气路的氢气充分混合后进入真空反应腔，采用热丝化学气相沉积法在步骤A制得的硅掺杂金刚石薄膜表面原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜。
3.如权利要求2所述的化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述步骤A中的恒温为-30~-20°C ;步骤B中的恒温为-30~_20°C。
4.如权利要求2所述的化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述制备硅掺杂金刚石薄膜采用的沉积参数为:氢气流量800~1000ml/min，混合溶液/氢气体积比I~3%，混合溶液中硅碳原子比1000~50000: Ippm,反应压力25~35Torr，衬底温度800~900°C，偏压电流1.0~4.0A ;所述氢气流量为氢气气路流量与硅掺杂气路中的载流氢气流量之和。
5.如权利要求2所述的化学气相沉积制备娃掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法,其特征在于，所述制备不掺杂微米金刚石薄膜采用的沉积参数为:氢气流量800~1000ml/min，碳源/氢气体积比I~3%，反应压力25~35Torr，衬底温度800~900°C，偏压电流1.0~4.0A ;所述氢气流量为氢气气路流量与碳源气路中的载流氢气流量之和。`
6.—种适用于如权利要求1所述的化学气相沉积制备娃掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法的专用装置，其特征在于，所述专用装置包括并联设置且分别与氢气源、热丝化学气相沉积设备相连的硅掺杂气路、碳源气路和氢气气路；所述硅掺杂气路上设有放置在恒温箱内的混合溶液鼓泡瓶，所述碳源气路上设有放置在恒温箱内的碳源鼓泡瓶；所述硅掺杂气路为制备硅掺杂金刚石薄膜提供硅掺杂源和碳源，所述碳源气路为原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜提供碳源。
7.如权利要求6所述的专用装置，其特征在于，所述恒温箱的可调温度范围为-50~(TC。
8.如权利要求6所述的专用装置，其特征在于，所述硅掺杂气路、碳源气路和氢气气路上靠近氢气源的一侧均设有气体质量流量计。
9.如权利要求8所述的专用装置，其特征在于，所述硅掺杂气路上气体质量流量计与混合溶液鼓泡瓶之间设有保护瓶；所述碳源气路上气体质量流量计与碳源鼓泡瓶之间设有保护瓶。
10.如权利要求6所述的专用装置，其特征在于，所述专用装置还包括与硅掺杂气路并联设置的保护气体气路；所述保护气体气路与保护气体源、热丝化学气相沉积设备相连。
【文档编号】C23C16/27GK103757600SQ201410005272
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2014年1月6日 优先权日:2014年1月6日
【发明者】王新昶, 孙方宏, 沈彬, 张志明, 郭松寿, 张文骅 申请人:上海交通大学, 上海交友钻石涂层有限公司, 苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司