用于升华型oled材料蒸镀的坩埚的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，包括本体部(1)及连接于所述本体部(1)的上盖部(2)，所述上盖部(2)的顶端中心设有一出气孔(21)，所述本体部(1)的内表面具有锥度，且所述本体部(1)靠近上盖部(2)一侧的内径大于本体部(1)远离上盖部(2)一侧的内径。本发明通过将坩埚的内壁设计成具有一定的锥度，使OLED材料升华后，剩余的OLED材料在重力作用下下沉，继续保持与坩埚内壁的充分接触，从而使其受热更充分，同时保证蒸镀速率的稳定。
【专利说明】用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚
【技术领域】
[0001]本发明涉及OLED制程领域，尤其涉及一种用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚。
【背景技术】
[0002]OLED是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”。再加上其生产设备投资远小于TFT-1XD，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示【技术领域】中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研究的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。
[0003]OLED有机材料的薄膜制备有两种工艺路线。对于高分子OLED材料，采用溶液成膜方式，这种工艺目前还处于试验室研究阶段。对于小分子OLED材料，目前普遍采用真空热蒸镀的成膜方式，这种工艺路线被平板显示行业的大多数工厂采用，比如三星、LG等。真空热蒸镀技术是在低于5x KT5Pa的真空环境下，通过加热的方式将材料由固态变为蒸气状态，高速运动的气态分子到达玻璃基板并在基板上沉积固化，再变回为OLED材料的固体薄膜。对于熔融型材料，其受热后，会由固态变为液态，最后变为气态分子，这类型材料对于坩埚内部的形状并没有太高的要求，因为液态物质会到处流动，可以保持与坩埚内壁的充分接触。而对于升华型材料，其受热后，会直接由固态转化为气态分子。而现有用于OLED材料蒸镀的坩埚如图1所示，包括本体部100、连接于本体部100的上盖部200、及设于上盖部200中心的出气孔210，并且用于容纳OLED材料300的本体部100的内壁为圆柱状，由于固态物质缺乏流动性，所以在材料受热升华的过程中极有可能发生如图2所示的情况，OLED材料受热后，与坩埚内壁接触的OLED材料首先升华，变成气态分子跑掉，剩下的固态OLED材料无法流动，从而剩余的OLED材料无法与坩埚内壁充分接触，导致升华的速率不稳。如果设备运行在速率固定模式下，为保持升华速率，设备会不断加热以提高温度，这样极有可能超过OLED材料的裂解温度，导致OLED材料变质。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，通过将坩埚的内壁设计成具有一定的锥度，使OLED材料升华后，剩余的固态OLED材料在重力作用下下沉，继续保持与坩埚内壁的充分接触，从而使其受热更充分，同时保证蒸镀速率的稳定。
[0005]为实现上述目的，本发明提供一种用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，包括本体部及连接于所述本体部的上盖部，所述上盖部的顶端中心设有一出气孔，所述本体部的内表面具有锥度，且所述本体部靠近上盖部一侧的内径大于本体部远离上盖部一侧的内径。
[0006]所述本体部的内表面与竖直方向的夹角为O?65度。
[0007]所述本体部的内表面与竖直方向的夹角优选为5?25度。
[0008]所述坩埚的材料为不锈钢、钛或铝。
[0009]所述坩埚内壁的表面粗糙度为Ra.0?Ra.15。
[0010]所述上盖部包括一基部及连接于所述基部的出气部，所述出气孔设于出气部的中心；所述基部的外表面呈圆柱状，所述出气部的外表面呈圆台状，所述本体部的外表面呈圆柱状。
[0011]所述基部的外径大于本体部的外径，所述本体部的外径大于出气部的外径。
[0012]所述出气部靠近基部一侧的外径大于出气部远离基部一侧的外径。
[0013]所述基部的内径大于本体部的内径，所述本体部的内径大于出气孔的直径。
[0014]所述出气孔靠近基部一侧的直径大于出气孔远离基部一侧的直径。
[0015]所述升华型OLED材料为用于成膜OLED有机层的有机材料或用于成膜OLED金属阴极及LiF等无机材料。
[0016]本发明的有益效果:本发明提供的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，通过将坩埚的内壁设计成具有一定的锥度，使OLED材料升华后，剩余的固态OLED材料在重力作用下下沉，继续保持与坩埚内壁的充分接触，从而使其受热更充分，同时保证蒸镀速率的稳定。
[0017]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0019]附图中，
[0020]图1为一种现有用于OLED材料蒸镀的坩埚的剖面示意图；
[0021]图2为使用如图1所示的坩埚进行蒸镀的示意图；
[0022]图3为本发明用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚的剖面示意图；
[0023]图4为使用如图3所示的坩埚进行蒸镀的示意图。
【具体实施方式】
[0024]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0025]请参阅图3，本发明提供一种用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，包括本体部I及连接于所述本体部I的上盖部2，所述上盖部2的顶端中心设有一出气孔21，所述本体部I的内表面具有锥度，且所述本体部I靠近上盖部2 —侧的内径大于本体部I远离上盖部2 —侧的内径。本发明中针对固态的升华型OLED材料，将坩埚的内壁设计成具有一定的锥度，以保证OLED材料升华后，剩余的固态OLED材料在重力作用下会下沉，继续保持与坩埚内壁的充分接触。
[0026]如图3所示，所述本体部I的内表面与竖直方向的夹角Θ控制在O?65度之间，优选的，所述夹角为5?25度。
[0027]所述坩埚的材料可以为不锈钢、钛或铝等其他金属材料。
[0028]所述坩埚内壁的表面粗糙度为Ra.0?Ra.15，以增大内表面与材料的接触面积，从而使OLED材料3受热均匀，保证蒸镀速率的稳定。
[0029]进一步的，如图3所示，所述上盖部2包括一基部22及连接于所述基部22的出气部23，所述出气孔21设于出气部23的中心；所述基部22的外表面呈圆柱状，所述出气部23的外表面呈圆台状，所述本体部I的外表面呈圆柱状。
[0030]基部22的内侧下端边缘与本体部I的外侧上端边缘连接。所述基部22的外径大于本体部I的外径，所述本体部I的外径大于出气部23的外径。所述出气部23靠近基部
22一侧的外径大于出气部23远离基部22 —侧的外径。所述基部22的内径大于本体部I的内径，所述本体部I的内径大于出气孔21的直径。所述出气孔21靠近基部22 —侧的直径大于出气孔21远离基部22 —侧的直径。
[0031]所述升华型OLED材料可以是用于成膜OLED有机层的有机材料或用于成膜OLED金属阴极及LiF等无机材料。
[0032]请参阅图4，当使用本发明的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚进行蒸镀制程时，容纳于本体部I处的OLED材料3受热后，其与坩埚内表面相接处位置的OLED材料31首先受热升华，并由出气孔21挥发出去，而由于坩埚内壁倾斜角Θ的设置，剩余的OLED材料在重力作用下会下沉，继续保持与坩埚内壁的充分接触，从而使其受热更充分，同时保证蒸镀速率的稳定。
[0033]值得一提的是，该坩埚可应用于OLED材料的真空热蒸镀，包括有机材料、金属阴极以及LiF等无机材料，同时也可以应用于其他真空热蒸镀领域。
[0034]综上所述，本发明提供一种用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，通过将坩埚的内壁设计成具有一定的锥度，使OLED材料升华后，剩余的固态OLED材料在重力作用下下沉，继续保持与坩埚内壁的充分接触，从而使其受热更充分，同时保证蒸镀速率的稳定。
[0035]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，包括本体部(I)及连接于所述本体部(I)的上盖部(2)，所述上盖部(2)的顶端中心设有一出气孔(21)，其特征在于，所述本体部(I)的内表面具有锥度，且所述本体部(I)靠近上盖部(2) —侧的内径大于本体部(I)远离上盖部⑵一侧的内径。
2.如权利要求1所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述本体部(I)的内表面与竖直方向的夹角为O?65度。
3.如权利要求1所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述本体部(1)的内表面与竖直方向的夹角优选为5?25度。
4.如权利要求1所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述坩埚的材料为不锈钢、钛或铝。
5.如权利要求1所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述坩埚内壁的表面粗糙度为Ra.0?Ra.15。
6.如权利要求1所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述上盖部(2)包括一基部(22)及连接于所述基部(22)的出气部(23)，所述出气孔(21)设于出气部(23)的中心；所述基部(22)的外表面呈圆柱状，所述出气部(23)的外表面呈圆台状，所述本体部(I)的外表面呈圆柱状。
7.如权利要求6所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述基部(22)的外径大于本体部(I)的外径，所述本体部(I)的外径大于出气部(23)的外径。
8.如权利要求7所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述出气部(23)靠近基部(22) —侧的外径大于出气部(23)远离基部(22) —侧的外径。
9.如权利要求8所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述基部(22)的内径大于本体部⑴的内径，所述本体部⑴的内径大于出气孔(21)的直径。
10.如权利要求9所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述出气孔(21)靠近基部(22) —侧的直径大于出气孔(21)远离基部(22) —侧的直径。
11.如权利要求1所述的用于升华型OLED材料蒸镀的坩埚，其特征在于，所述升华型OLED材料为用于成膜OLED有机层的有机材料或用于成膜OLED金属阴极及LiF无机材料。
【文档编号】C23C14/24GK104404450SQ201410593595
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】刘亚伟 申请人:深圳市华星光电技术有限公司