一种银钯复合粉的制备方法
【专利摘要】本发明涉及贵金属复合粉体材料，特别是涉及一种粒径超细的银钯复合粉的制备方法，其特征在于包括以下步骤：将银、钯单质与氩气混合，采用真空感应加热制成合金块；在真空环境下充入氩气和氢气，采用电弧处理，电弧处理采用500~520A的直流电弧，收集蒸发的气体，恢复常压冷却钝化即得。本发明通过直流电弧直接制备出高品质的合金粉末，具有纯度高，杂质含量低，工艺规范简单，适于推广使用。
【专利说明】一种银钯复合粉的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及贵金属复合粉体材料，特别是涉及一种粒径超细的银钯复合粉的制备方法。
【背景技术】
[0002]银钯浆料以其优良的耐烧结、焊接性、抗迁移能力及价格适中等优点，广泛应用在混合集成电路中作为电路的互联导电带和焊区，以及大量应用在片式电阻器、MLCC电容器、片式电感等外贴元器件中作为电极等。近年来，随着航空航天、通讯技术以及人工智能技术的飞速发展，对电子元器件的多功能、高可靠、高集成方面的要求日益激烈，要求导电膜的厚度低于1um以下，同时对电路的线宽和线间距要求更狭窄，并能在经受电、热脉冲等苛刻条件下能正常工作，此举更加要求电子元件的性能更稳定，耐苛刻环境性能更好。
[0003]不同形状或尺寸的金属粉在电子浆料中的应用性能存在巨大差异，银钯复合粉在电子元器件类中的应用主要是以浆料的形式出现，这就要求粉体的尺寸在0.1?2.0μπι之间。现阶段，国内关于银钯合金粉的研究报道较少，工业化规模生产的报道更少，实验中比较常见制备合金的方法是液相法，但此法生产出来的粉体表面容易粘附液相中的其他元素杂质，纯度难以达到浆料用粉的要求，且工艺的控制也很复杂。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于解决现有技术的缺陷，提供一种银钯复合粉的制备方法。
[0005]为实现本发明目的，本发明采用的技术方案如下:
一种银钯复合粉的制备方法，其特征在于包括以下步骤:将银、钯单质与氩气混合，采用真空感应加热制成合金块；在真空环境下充入氩气和氢气，采用电弧处理，电弧处理采用50(Γ520Α的直流电弧，收集蒸发的气体，恢复常压冷却钝化即得。
[0006]进一步地，所述钯、银单质重量比为1:(l(Tll)。
[0007]进一步地，所述高温电弧处理过程中，采用水冷保持温度。
[0008]进一步地，所述真空环境为lX10_5?lX10_4pa环境下。
[0009]进一步地，所述恢复常压冷却钝化为充入氩气至常压，静置冷却钝化。
[0010]进一步地，所述充入氩气的压力为0.06、.072Mpa。
[0011]将钯、银质量比为1:11的单质金属进行配料，装在石英坩埚中，通入氩气隔离大气防止氧化，然后在真空感应加热炉中熔炼得到合金块；之后进行合金分体的制备，先将合金块放入水冷坩埚内，抽真空至lX10-5?lXl(T4pa，然后充入氩气和氢气，保持循环冷却水，引燃电弧，在高温电弧的作用下，金属迅速熔化并蒸发，并由风机处理至收粉设备。蒸发一段时间后，熄灭电弧，冷却后充入氩气至常压，钝化一定时间后收集粉末即可得到金属超细粉体。
[0012]本发明通过直流电弧直接制备出高品质的合金粉末，具有纯度高，杂质含量低，粒径在6(T70nm范围内，工艺规范简单，适于推广使用。
【具体实施方式】
[0013]下面结合实施例对本发明做进一步说明。
[0014]将钯、银质量比为1:11的单质金属进行配料，装在石英坩埚中，通入氩气隔离大气防止氧化，然后在真空感应加热炉中熔炼得到合金块；之后进行合金分体的制备，先将合金块放入水冷坩埚内，抽真空至lX10-5?lXl(T4pa，然后充入氩气和氢气，保持循环冷却水，引燃电弧，电弧采用510A的直流电弧，在高温电弧的作用下，金属迅速熔化并蒸发，并由风机处理至收粉设备。蒸发一段时间后，熄灭电弧，冷却后充入氩气至常压，充入氩气的压力为0.072Mpa，钝化一定时间后收集粉末即可得到银钯超细粉体。
【权利要求】
1.一种银钯复合粉的制备方法，其特征在于包括以下步骤:将银、钯单质与氩气混合，采用真空感应加热制成合金块；在真空环境下充入氩气和氢气，采用电弧处理，电弧处理采用50(Γ520Α的直流电弧，收集蒸发的气体，恢复常压冷却钝化即得。
2.根据权利要求1所述的一种银钯复合粉的制备方法，其特征在于:所述钯、银单质重量比为1:(10?11)。
3.根据权利要求1所述的一种银钯复合粉的制备方法，其特征在于:所述高温电弧处理过程中，采用水冷保持温度。
4.根据权利要求1所述的一种银钯复合粉的制备方法，其特征在于:所述真空环境为IXlO-5?IXlO-4Pa 环境下。
5.根据权利要求1所述的一种银钯复合粉的制备方法，其特征在于:所述恢复常压冷却钝化为充入IS气至常压，静置冷却钝化。
6.根据权利要求1所述的一种银钯复合粉的制备方法，其特征在于:所述充入氩气的压力为 0.06?0.072Mpao
【文档编号】B22F9/12GK104368821SQ201410755054
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年12月11日 优先权日:2014年12月11日
【发明者】蒋达伟, 蒋洁, 张潇潇, 毛宗宁 申请人:成都明日星辰科技有限公司