磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法与流程

技术总结
一种含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe‑Pt合金相的平均厚度为10μm以上。本发明的课题在于提供抑制了溅射时由于异常放电而导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。

技术研发人员：荻野真一;
受保护的技术使用者：捷客斯金属株式会社;
文档号码：201480063680
技术研发日：2014.11.14
技术公布日：2016.07.20