1.一种无铅压电薄膜材料，其特征在于，该材料的化学分子式为(1－x)Bi0.5Na0.5TiO3-xBiCoO3(BNT-BC)，其中x为摩尔数，0＜x≤0.06。
2.根据权利要求1所述的无铅压电薄膜材料，其特征在于，x取值的摩尔数为0.025、0.015、0.03、0.04或0.06。
3.权利要求1所述的无铅压电薄膜材料的制备方法，其特征在于，方法包括制备BNT-BC靶材以及制备BNT-BC薄膜；
A、制备BNT-BC靶材：用固相反应法制备BNT-BC靶材，包括以下步骤：
（1）按照(1－x)Bi0.5Na0.5TiO3-xBiCoO3化学分子式中的化学摩尔计量称取原料Bi2O3、NaCO3、TiO2和Co2O3，其中x为组分的摩尔量比值，x=0-0.06，为了防止薄膜制备过程中Bi和Na的挥发，称取原料时，Bi2O3和NaCO3均需要过量20%摩尔量；
（2）将步骤（1）称好的原料以乙醇为介质，球磨24h，成浆料，再烘干，得均匀一致的混合物；
（3）将步骤（2）得到的混合物放入刚玉坩锅在700℃预烧3h，保证原料充分反应；
（4）将步骤（3）得到的预烧后的粉末以乙醇为介质，球磨12h，压制成直径为25-30mm的圆形坯片，烘干；
（5）将步骤（4）得到的圆形坯片在1100℃烧结3h，成BNT-BC靶材；
B、制备BNT-BC薄膜；采用PLD的方法将BNT-BC薄膜沉积在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上，包括以下步骤：
（1）清洗(111)Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片：首先将基片依次浸没在丙酮、去离子水和甲醇溶液中清洗，然后吹干，再对基片表面进行清洁光滑处理；
（2）清洁BNT-BC靶材：将步骤（A）得到的靶材安装在真空室相应的靶材托上，对靶材表面进行预溅射清洁处理；
（3）打开真空室门，将步骤（1）得到的基片安装在基片托上，并调节基片到靶材的距离为40-50mm；
（4）抽真空，加热基片：首先将真空室的气压抽至5Pa以下，然后打开涡轮分子泵继续抽，使真空室的气压达到10-4Pa，将基片加热到600-700℃；
（5）在背底真空达到10-4 Pa、基片温度达到600-700℃，通入氧气，氧分压保持在0-25Pa；
（6）当基片温度和氧分压稳定后，调节激光的能量为50-300mJ和频率为3-10Hz，进行薄膜生长；
（7）对薄膜进行原位退火：薄膜生长结束，关闭激光，在600-700℃、0-25Pa的环境中对薄膜进行原位退火30-90min；
（8）退火结束，将基片降至室温，即成。
4.根据权利要求3所述的无铅压电薄膜材料的制备方法，其特征在于，方法包括制备BNT-BC靶材以及制备BNT-BC薄膜；
A、制备BNT-BC靶材：用固相反应法制备BNT-BC靶材，具体是：
（1）按照0.975Bi0.5Na0.5TiO3-0.025BiCoO3化学分子式中的化学摩尔计量称取原料Bi2O3、NaCO3、TiO2和Co2O3，为了防止薄膜制备过程中Bi和Na的挥发，称取原料时，Bi2O3和NaCO3均需要过量20%摩尔量；
（2）将步骤（1）称好的原料放入球磨罐中，以乙醇为介质，球磨24h，之后将球磨后的浆料在105℃烘干，得到均匀一致的混合物；
（3）将步骤（2）得到的混合物放入刚玉坩锅，在马弗炉中，在700℃预烧3h，保证原料充分反应；
（4）将步骤（3）得到的预烧后的粉末放入球磨罐，以乙醇为介质，球磨12h，在压力为250MPa下由成型机压制成圆形坯片，坯片的直径为25-30mm；烘干；
（5）将步骤（4）得到的圆形坯片放入马弗炉中，在1100℃烧结3h，得到BNT-BC靶材；
B、制备BNT-BC薄膜，采用PLD的方法将BNT-BC薄膜沉积在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上，包括以下步骤：
（1）清洗(111)Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片：首先将基片依次浸没在丙酮、去离子水和甲醇溶液中用超声清洗机分别清洗15min、5min和5min，然后用氮气枪将基片吹干，再用等离子体刻蚀机对基片表面进行处理；
（2）清洁BNT-BC靶材：将步骤（A）得到的靶材安装在真空室相应的靶材托上，关闭真空室门，打开KrF准分子激光器，波长为248nm，出光预溅射靶材2～3min，对靶材表面进行预溅射清洁处理；
（3）打开真空室门，将步骤（1）得到的基片安装在基片托上，并调节基片到靶材的距离为40-50mm；
（4）抽真空，加热基片：在抽真空之前，真空室门和进气阀应处于关闭状态，首先用机械泵将真空室的气压抽到5Pa 以下，然后打开涡轮分子泵继续抽，使真空室的气压达到10-4Pa，打开基片加热控制器，将基片加热到700℃；
（5）在背底真空达到10-4 Pa、基片温度达到700℃后，打开真空室的进气阀，通入氧气，调节气阀和闸板阀控制氧分压，在薄膜的生长过程中，氧分压一直保持在13Pa；
（6）当基片温度和氧分压稳定后，打开激光器，调节激光的能量为250mJ和频率为5Hz，开始生长薄膜，为使生长出的薄膜均匀，生长过程中靶材和基片均处于旋转状态；
（7）对薄膜进行原位退火：薄膜生长结束，关闭激光，在700℃、25Pa的环境中对薄膜进行原位退火60min，提高其质量；
（8）退火结束后，使加热丝断电，关闭气路和真空泵，待基片温度降到室温时取出，即成。
5.权利要求4所述的无铅压电薄膜材料的制备方法，其特征在于，方法包括制备BNT-BC靶材以及制备BNT-BC薄膜；
（A）BNT-BC靶材的制备；用传统的固相反应法制备BNT-BC靶材：
（1）按照(1－x)Bi0.5Na0.5TiO3-xBiCoO3，其中x＝0.025的化学计量称取原料Bi2O3、NaCO3、TiO2和Co2O3；称取原料时，Bi2O3和NaCO3均需要过量20%摩尔；
（2）将步骤（1）称好的原料放入球磨罐中，以乙醇为介质，球磨24h，之后将球磨后的浆料在105℃烘干，得到均匀一致的混合物；
（3）将步骤（2）得到的混合物放入刚玉坩锅，在马弗炉中，在700℃预烧3h，保证原料充分反应；
（4）将步骤（3）得到的预烧后的粉末放入球磨罐，以乙醇为介质，球磨12h；
（5）将步骤（4）得到的粉末压片成型，成型压力为250MPa，坯的直径为30mm；
（6）将步骤（5）得到的圆片放入马弗炉中，在1100℃烧结3h，得到BNT-BC靶材；
（B）BNT-BC薄膜的制备，采用PLD的方法将BNT-BC薄膜沉积在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上：
（1）清洗(111)Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片：首先将基片依次浸没在丙酮、去离子水和甲醇溶液中用超声清洗机分别清洗15min、5min和5min，然后用氮气枪将基片吹干，最后用等离子体刻蚀机对基片表面做进一步处理；
（2）清洁BNT-BC靶材：将步骤（A）得到的靶材安装在真空室相应的靶材托上，关闭真空室门，打开KrF准分子激光器，调整激光器波长为248nm，出光预溅射靶材2～3min，对靶材表面进行预溅射处理，彻底清洁靶材表面；
（3）将步骤（1）得到的基片安装在基片托上，并调节基片到靶材的距离为40mm；
（4）抽真空，加热基片：首先用机械泵将真空室的气压抽到5Pa 以下，然后打开涡轮分子泵继续抽，真空室的气压可达到极限气压10-4 Pa，将基片加热到700℃；
（5）在背底真空达到10-4 Pa、基片温度达到700℃后，打开真空室的进气阀，通入氧气，调节气阀和闸板阀控制氧分压，在薄膜的生长过程中氧分压一直保持在25Pa；
（6）当基片温度和氧分压稳定后，打开激光器，调节激光的能量为250mJ和频率为5Hz，开始生长薄膜，为了使生长出的薄膜比较均匀，生长过程中靶材和基片均处于旋转状态；
（8）对薄膜进行原位退火：薄膜生长结束，关闭激光，在700℃、25Pa的环境中对薄膜进行原位退火30min，提高其质量；
（9）退火结束后，使加热丝断电，关闭气路和真空泵，待基片温度降到室温时，即可取出成品。