技术总结
本发明公开了一种制备SiO/C复合材料的设备，其包括炉体，以及在炉体内部的反应室，过渡室，沉积室和真空室。在低真空度下，反应室中的固态硅和二氧化硅会在1000‑2000℃的高温下反应生成氧化硅蒸气，经过过渡室的传导进入沉积室。在此同时通入有机碳源气体，有机碳源气体在一定温度下能裂解成非晶态导电碳，它与氧化硅蒸汽相互结合，最后会在沉积室的沉积基体上共同沉积出来，得到的是内部碳层分布均匀，外部含有碳包覆层的SiO/C复合材料。
技术研发人员：李硕;孙毅;解晶莹;胡粮;张全生;茆胜
受保护的技术使用者：深圳市国创新能源研究院
文档号码：201610709717
技术研发日：2016.08.23
技术公布日：2017.01.04