1.一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）选用玻璃为衬底，分别用丙酮、酒精、去离子水对衬底进行超声波清洗，以去除衬底表面杂质和油污，然后并用热风吹干；
（2）溅射腔室中采用钨W、石墨C为单独靶材；
（3）用Ar+离子轰击靶材3-5分钟，以清洗和活化靶材；
（4）把经过清洗的衬底放入溅射腔室，对衬底进行加温，温度在200C°-400C°；
（5）在溅射腔室真空度抽至10-5Pa时，通入氩气，使钨W、石墨C两靶同时起辉，进行3-5分钟的预溅射，除去两靶材表面的杂质、污物；
（6）进行溅射镀膜时，将衬底在两靶材溅射位置上分别进行分层磁控溅射镀膜，即C靶-W靶-C靶-W靶-C靶的位置上如此反复磁控溅射镀膜，进行溅射镀膜时两靶材的工艺参数分别为：W靶：功率50~300W，工作气压0.2~1.5Pa，溅射时间5~20min，偏压-50~-200W；石墨靶：功率50~300W，工作气压0.5~2.0Pa，溅射时间10~60min，偏压-50~-200W。
2.根据权利要求1所述的一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所用衬底为玻璃、Si片，不锈钢中的任一种基材。
3.根据权利要求1所述的一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于：根据薄膜性能要求，最终确定每个靶材工艺参数和反复磁控溅射镀膜次数，镀膜后直接获得不同性能的W掺杂DLC薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于W和C靶可单独进行工艺参数的控制，以制成不同用途及性能特征的钨掺杂类金刚石薄膜。