技术总结
本发明公开了一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格超声波清洗的衬底置于载物台上。（2）钨W、石墨C两靶材分别置于两个靶基座上，分别进行起辉溅射。（3）通入氩气，辉光放电，Ar+离子轰击靶材，以达到清除靶材表面杂质和氧化物的目的。（4）衬底在镀膜之前进行200C°‑400C°的加热。（5）在进行镀膜过程中，先在C靶上进行镀膜，而后转到W靶上，再转到C靶上，如此反复，达到制备高性能W掺杂类金刚石薄膜。
技术研发人员：彭寿;沈洪雪;甘治平;李刚;姚婷婷;杨勇;金克武
受保护的技术使用者：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
文档号码：201611188596
技术研发日：2016.12.21
技术公布日：2017.05.31