1.一种等离子体增强化学气相沉积系统，其特征在于：
处理腔室，所述处理腔室具有盖组件和喷淋头；以及
RF发生器，所述RF发生器可操作以通过所述盖组件将10kW或更大的功率提供至所述喷淋头，
其中，所述RF发生器紧邻所述盖组件而设置。
2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积系统，其特征在于，所述喷淋头电耦接到所述盖组件，并且其中，所述RF发生器设置在所述盖组件上。
3.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积系统，其特征在于，所述盖组件包括RF匹配网络，所述RF匹配网络耦接在所述RF发生器与所述处理腔室之间，并且可操作以使所述RF发生器的输出阻抗匹配至所述处理腔室的输入阻抗。
4.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积系统，其特征在于，所述匹配网络设置在所述盖组件内。
5.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积系统，其特征在于，所述匹配网络设置在所述盖组件下方。
6.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积系统，其特征在于，所述喷淋头电耦接到所述盖组件，并且其中，所述RF发生器设置在所述盖组件上方。
7.根据权利要求6所述的等离子体增强化学气相沉积系统，其特征在于，所述盖组件包括RF匹配网络，所述RF匹配网络电耦接在所述RF发生器与所 述处理腔室之间，并且可操作以使所述RF发生器的输出阻抗匹配至所述处理腔室的输入阻抗，并且
其中，所述匹配网络设置在所述RF发生器与所述盖组件之间。
8.一种处理腔室盖设备，其特征在于：
盖组件，所述盖组件可电耦接到喷淋头；以及
RF发生器，所述RF发生器可操作以经由所述盖组件将10kW或更大的功率提供至所述喷淋头，
其中，所述RF发生器紧邻所述盖组件而设置。
9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述RF发生器设置在所述盖组件上。
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述盖组件包括RF匹配网络，所述RF匹配网络电耦接在所述RF发生器与盖耦接件之间，并且
其中，所述RF匹配网络可操作以使所述RF发生器的输出阻抗匹配至处理腔室的输入阻抗。
11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述匹配网络设置在所述盖组件的盖板内。
12.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述匹配网络设置在所述盖组件的盖板下方。
13.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述RF发生器设置在所述盖组件的上方。
14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述盖组件包括RF匹配网络，所述RF匹配网络电耦接在所述RF发生器与盖耦接件之间，
其中，所述RF匹配网络可操作以使所述RF发生器的输出阻抗匹配至处理腔室的输入阻抗，并且
其中，所述匹配网络设置在所述RF发生器与所述盖组件的盖板之间。
15.一种包括用于等离子体处理的处理腔室的系统，所述处理腔室具有盖组件和喷淋头，所述系统的特征在于：RF发生器，所述RF发生器可操作以通过所述盖组件将10kW或更大的功率提供至所述喷淋头，其中，所述RF发生器紧邻所述盖组件而设置。
16.根据权利要求15所述的系统，其特征在于，所述喷淋头电耦接到所述盖组件，并且其中，所述RF发生器设置在所述盖组件上。
17.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，所述盖组件包括RF匹配网络，所述RF匹配网络耦接在所述RF发生器与所述处理腔室之间，并且可操作以使所述RF发生器的输出阻抗匹配至所述处理腔室的输入阻抗。
18.根据权利要求17所述的系统，其特征在于，所述匹配网络设置在所述盖组件内。
19.根据权利要求17所述的系统，其特征在于，所述匹配网络设置在所述盖组件下方。
20.根据权利要求15所述的系统，其特征在于，所述喷淋头电耦接到所述盖组件，所述RF发生器设置在所述盖组件上方，并且所述盖组件包括RF匹配网络，所述RF匹配网络电耦接在所述RF发生器与所述处理腔室之间，并且可操作以使所述RF发生器的输出阻抗匹配至所述处理腔室的输入阻抗，并且
其中，所述匹配网络设置在所述RF发生器与所述盖组件之间。