技术总结
本实用新型公开了一种磁控溅射反应气氛自反馈控制系统，由磁控溅射装置和反馈控制装置组成，磁控溅射装置包括反应气体存储装置和真空室，反应气体存储装置通过导气管和真空室连通，真空室内设有磁电管，磁电管上设有放电等离子体；反馈控制装置由光探头、光谱仪、控制器和电磁阀组成，光探头位于所述真空室内，光谱仪通过光纤和光探头相连，控制器和光谱仪电连接，控制器和电磁阀电连接。本实用新型通过对等离子体区中反应成分的控制，能够控制所制备薄膜的成分、厚度以及均匀性等参数，提高镀膜产品质量。能够使反应溅射化合物薄膜的工艺维持在一个相对稳定的工作点上，工艺稳定性得到了大大改善，沉积速率也得到了提高。
技术研发人员：文晓斌
受保护的技术使用者：文晓斌
文档号码：201621366959
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.06.09