本发明涉及OLED显示技术领域,具体涉及一种OLED显示器件制备工艺中的一种蒸镀坩埚及蒸镀装置。
背景技术:
OLED(Organic Light Emitting Display,有机电致发光显示器件)具有超薄、响应度高、对比度高、功耗低等优势,近几年在显示领域产业化速度突飞猛进。
在OLED材料的蒸镀过程中,在真空环境下,将OLED材料放置于盖有坩埚盖的坩埚中,用电阻丝加热方式加热坩埚,使得坩埚中的OLED材料受热后由固态转化为熔融态进而蒸发。当OLED材料的蒸发速率达到要求并稳定后,打开坩埚盖,OLED材料便以稳定的蒸发速率进行蒸镀。其中,坩埚内的OLED材料在蒸发速率稳定前会在坩埚盖内表面集结。坩埚盖上的OLED材料累积到一定厚度后,由于重力作用,会脱离坩埚盖而落入坩埚中。现有的坩埚盖为光滑的圆弧盖面,沉积于坩埚盖上的OLED材料大多以大尺寸的薄片结构脱离并落入坩埚中,大尺寸沉积材料极易覆盖蒸发源,使得OLED材料无法蒸发,蒸镀工艺无法继续进行,这种情况下,只能开腔清理及重新进行蒸镀过程,严重影响到生产、实验进度及器件性能。
因此,如何减少坩埚盖上沉积的蒸发材料脱落至坩埚中,防止堵塞蒸发源,是本领域技术人员亟需解决的技术问题之一。
技术实现要素:
针对以上的问题,本发明的目的是提供一种蒸镀坩埚及蒸镀装置,减少坩埚盖上沉积的蒸发材料脱落至坩埚中,防止堵塞蒸发源。
为了解决背景技术中存在的问题,本发明提供了一种蒸镀坩埚,包括坩埚本体及坩埚盖,所述坩埚本体用于盛放蒸发材料,所述坩埚盖设于所述坩埚本体上,并与所述坩埚本体相间隔,所述坩埚盖内设有多个相间隔设置的挡板,所述挡板一端固定于所述坩埚盖,另一端朝向所述坩埚本体延伸,所述挡板及所述坩埚盖用于承载所述蒸镀坩埚中受热蒸发的所述蒸发材料。
其中,所述坩埚盖包括盖面,所述盖面朝向所述坩埚本体,所述挡板包括安装部与承载部,所述安装部可拆卸地固定于所述盖面,以便于拆卸所述挡板,所述承载部朝向所述坩埚本体方向延伸,用于沉积所述蒸发材料。
其中,所述盖面为圆弧形,包括中心区域和围绕所述中心区域的周边区域,多个所述挡板设于所述周边区域,且设于所述中心区域的相对两侧。
其中,所述挡板在垂直方向的投影落入所述坩埚本体内。
其中,多个所述挡板沿着所述盖面的径向相对设置,且所述承载部朝向所述坩埚本体的延伸方向与所述盖面的轴向相交;沿着所述盖面的所述中心区域至所述周边区域的方向,所述承载部朝向所述坩埚本体的延伸方向与所述盖面轴向的夹角值逐渐增大。
其中,沿着所述盖面的所述中心区域至所述周边区域的方向,所述挡板的所述承载部朝向所述坩埚本体的延伸长度逐渐增加。
其中,所述挡板为弧形板,且所述挡板的承载部沿着所述盖面的周向延伸,所述挡板与径向相邻的所述挡板及夹设于两者之间的所述盖面形成沟道,所述沟道沿着所述盖面的周向延伸。
其中,所述挡板的承载部沿着所述盖面的径向延伸,所述挡板与相邻的所述挡板及夹设于两者之间的所述盖面形成沟道,所述沟道沿着所述盖面的径向延伸。
本发明还提供了一种蒸镀装置,包括上述任一实施方式所述的蒸镀坩埚。
本申请实施方式提供的一种蒸镀坩埚及蒸镀装置,通过在坩埚盖的盖面上设置多个挡板,所述挡板和所述盖面共同用于承载受热蒸发的蒸发材料,这样一方面可增加蒸发材料于盖面上的沉积面积,减轻单位面积内的沉积材料重量,从而减少盖面上的沉积材料掉落至坩埚本体中;另一方面,多个挡板可将整个盖面(大的沉积面)划分为多个小的沉积面,以减小沉积材料集结成块的尺寸,这样使得掉落至坩埚本体中的沉积材料为小尺寸的块体,从而避免沉积材料遮盖蒸发源,影响蒸镀工艺。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的蒸镀坩埚的截面图。
图2是图1提供的坩埚盖的局部放大图。
图3-1是本发明第一种实施例提供的坩埚盖结构示意图。
图3-2是本发明第二种实施例提供的坩埚盖结构示意图。
图3-3是本发明第三种实施例提供的坩埚盖结构示意图。
图3-4是本发明第四种实施例提供的坩埚盖结构示意图。
图4-1是本发明第五种实施例提供的蒸镀坩埚的截面图。
图4-2是图4-1提供的坩埚盖的结构示意图。
图4-3是图4-2沿a方向的截面图。
图5-1是本发明第六种实施例提供的蒸镀坩埚的截面图。
图5-2是图5-1提供的坩埚盖的结构示意图。
图5-3是图5-2沿b方向的截面图。
图6-1是本发明第七种实施例提供的蒸镀坩埚结构示意图。
图6-2是图6-1提供的坩埚盖的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明实施例提供的一种蒸镀坩埚,放置于蒸镀装置中,用于盛放待蒸发材料(蒸发源)以便于蒸镀装置将待蒸发材料加热并镀在基板上。所述待蒸发材料可以为金属、半导体、绝缘体、不同成分比的合金、化合物及有机聚合物等,所述基板可以为金属、半导体、绝缘体、塑料等。
请一并参阅图1和图2,为本发明实施例提供的一种蒸镀坩埚的截面图,包括坩埚本体2及坩埚盖1,所述坩埚本体2用于盛放蒸发材料3,所述坩埚盖1设于所述坩埚本体2上,并与所述坩埚本体2相间隔。所述坩埚盖1与所述坩埚本体2相间隔3~5mm。所述坩埚盖1包括与所述坩埚本体2相对设置的盖面11。所述坩埚盖1内设有多个相间隔设置的挡板12,所述挡板12一端固定于所述坩埚盖1的盖面11上,另一端朝向所述坩埚本体2延伸,所述挡板12及所述坩埚盖1用于承载所述蒸镀坩埚中受热蒸发的所述蒸发材料3。具体而言,蒸发材料3受热后蒸发并向上扩散,扩散的过程中遇到坩埚盖1并在坩埚盖1内表面集结成固态,本实施例在坩埚盖1内设置挡板12,使得所述蒸发材料3可沉积于挡板12表面及坩埚盖1的内表面,从而增加了蒸发材料3的沉积面积。
本申请实施方式提供的一种蒸镀坩埚,包括坩埚本体2和坩埚盖1,所述坩埚盖1在蒸发材料3的蒸发速度稳定前设于所述坩埚本体2上并与所述坩埚本体2相间隔,以沉积蒸发材料3,当蒸发速度稳定后,从所述坩埚本体2移除坩埚盖3,所述蒸发材料3将蒸镀到所需蒸镀的基板上。本申请通过在坩埚盖1的盖面11上设置多个挡板12,所述挡板12和所述盖面11共同用于承载受热蒸发的蒸发材料3,一方面可增加蒸发材料3于盖面11上的沉积面积,减轻单位面积内的沉积材料重量,从而减少盖面11上的沉积材料掉落至坩埚本体2中;另一方面,挡板12将大的沉积面(整个盖面)划分为多个小的沉积面,以减小沉积材料集结成块的尺寸,这样使得掉落至坩埚本体2中的沉积材料为小尺寸的块体,从而避免沉积材料遮盖蒸发源3,影响蒸镀工艺。
进一步地,所述盖面11可以为平面或弧面,优选地,为了增加所述蒸发源3在所述盖面11上的沉积面积,所述盖面11可为弧形面。所述挡板12可以为长条形、弧形、波浪形等形状,在本申请中不做限制。所述挡板12之间可以相邻并列排列于盖面11上,也可无规则排列于盖面11上,还可以盖面11的中心为对称中心环绕排列于盖面11上,在本实施例中对于挡板12之间的排列方式不做限定。所述坩埚盖1的材质可以为陶瓷或者金属或者合金等。所述挡板12的材质可以与所述坩埚盖1的材质相同。
进一步地,请参阅图1,所述挡板12在垂直方向的投影落入所述坩埚本体2内,使得所述坩埚盖1与所述坩埚本体2盖合时,挡板12位于坩埚盖1与坩埚本体2形成的收容空间内。
请参阅图2,所述挡板12包括安装部121与承载部122,所述安装部121可拆卸地固定于所述盖面11,具体可以为螺接或者卡扣连接等可拆卸的连接方式,以便于从坩埚盖1上拆卸所述挡板12,以清洗坩埚盖1和挡板12。所述承载部122朝向所述坩埚本体2方向延伸,用于沉积所述蒸发材料3。
一种实施方式中,请参阅图2,所述盖面11为圆弧形,包括中心区域111和围绕所述中心区域的周边区域112,多个所述挡板12设于所述周边区域112,且设于所述中心区域111的相对两侧。
进一步地,请参阅图2,沿着所述盖面11的所述中心区域111至所述周边区域112的方向(即图2中A的指向),所述挡板12的所述承载部122朝向所述坩埚本体2的延伸长度逐渐增加。即从所述周边区域112到所述盖面11的所述中心区域111的方向上(即图2中A的指向的反向),所述挡板12的所述承载部122朝向所述坩埚本体2的延伸长度逐渐减小。这样沿着所述盖面11的轴向形成了分层的挡板结构,上层的挡板面积小,下层的挡板面积大。当气态的蒸发材料越接近坩埚盖面,越会向盖面的轴中心集中,所述挡板12的所述承载部122朝向所述坩埚本体2的延伸长度逐渐减小,一方面可减少挡板12对由下至上扩散的蒸发材料3的阻碍,便于更多的蒸发材料3沉积于盖面中心区域111和靠近盖面中心区域111的挡板12上;另一方面,上层的挡板面积小,下层的挡板面积大的挡板结构,使得被盖面反射的蒸发材料可由上至下落到较大面积的底层挡板结构上,这样可增加蒸发材料的沉积面积,同时防止被盖面反射的蒸发材料阻碍下层蒸发材料的蒸镀过程。
进一步地,请参阅图2,沿着所述盖面11的径向方向A,多个所述挡板12相对设置,且所述承载部122朝向所述坩埚本体2的延伸方向B与所述盖面11的轴向C相交。沿着所述盖面11的所述中心区域111至所述周边区域112的方向上(即图2中A的指向),所述承载部122朝向所述坩埚本体2的延伸方向与所述盖面11轴向的夹角值逐渐增大。具体为,沿着A的指向方向,所述承载部122朝向所述坩埚本体2的延伸方向分别为B、B1、B2、B3,其中B、B1、B2、B3与所述盖面11轴向C的夹角逐渐增大。这是因为这样的设计可使得挡板沿着轴向C的投影面积较大,可承载更多的由下至上或由上至下流动的气态蒸发材料。
第一种实施方式中,请参阅图3-1,所述挡板12可以为长条形板,设于盖面11的中心区域111的相对两侧。
第二种实施方式中,请一并参阅图2和图3-2,所述挡板12可以为弧形板,且所述挡板12的承载部122沿着所述盖面11的周向D延伸,所述挡板12与径向相邻的所述挡板12及夹设于两者之间的所述盖面11形成沟道123,所述沟道123沿着所述盖面11的周向D延伸。本实施方式相对于第一种实施方式而言,所述弧形挡板12可以与所述盖面的弧度相匹配,这样在所述盖面上可以设置更多的挡板结构。
在盖面11一个周向上,还可以多个所述挡板12相间隔设置,并不限于上述实施方式中的在盖面一个周向上,两个所述挡板12相对设置。
请参阅图3-1到图3-4,沿着所述盖面的周向D,所述挡板12可以为连续或者间断结构,所述连续的挡板12结构如图3-1和图3-2所示,所述间断的挡板结构如图3-3和图3-4所示。
第三种实施方式中,图3-3中所示的所述挡板12为环形板。
第四种实施方式中,图3-4中所示的所述挡板12为回形板。连续的挡板结构相较于间断的挡板结构,结构更为简单,安装和拆卸更方便。
第五种实施方式中,请一并参阅图4-1、图4-2及图4-3,在所述盖面11上安装多个挡板12,所述挡板12的承载部122沿着所述盖面11的径向A延伸。所述挡板12的截面可以为矩形或波浪形或V形或U形或梯形等。多个所述挡板12相邻设置,所述挡板12可以有间隔地相邻设置,可以无间隔地相邻设置。所述挡12与相邻的所述挡板12及夹设于两者之间的所述盖面11形成沟道123,所述沟道123沿着所述盖面11的径向A延伸。一种实施方式中,所述挡板12包括相交的第一档面124和第二档面125,所述挡板的第一档面与所述相邻挡板的第二档面形成沟道123。多个所述挡板12可以相连或者不相连,在不相连接的情况下,所述第一档面、所述相邻挡板的第二档面及两者之间的部分盖面形成沟道123。第一档面124和第二档面125都增加了盖面的沉积面积和将整个盖面分割成了多个小的沉积面,以减小沉积材料集结成块的尺寸,使得掉落至坩埚本体中的沉积材料为小尺寸的块体,从而避免沉积材料遮盖蒸发源。
第六种实施方式中,请一并参阅图5-1和图5-2,所述盖面11可设有多个沟槽13,即沟槽13凹设于所述盖面11上,所述沟槽13的截面可以为V形、U形、梯形等。所述沟槽13相邻设置,且沿着所述盖面11的径向延伸。所述沟槽13可以有间隔地相邻设置,可以无间隔地相邻设置。所述盖面11的径向是以弧形面中心为中心向弧形面边缘延伸的方向。具体地,盖面11的一个径向可以设置一个沟槽13,也可以地,多个所述沟槽并列设置于一条径向上。本实施例中,盖面11的一个径向上设置一个沟槽13,以便于清离坩埚盖2上的沉积材料。所述沟槽13可以增加蒸发源3在坩埚盖1上的沉积面积,进而减少沉积厚度,减轻单位面积内坩埚盖1上的沉积重量,从而可有效地减少沉积材料脱离坩埚盖1掉落于坩埚本体2中的几率。此外,多个沟槽13将原本为一个整体的盖面11划分为多个区域,即将一个大的沉积面划分为多个小的沉积面,蒸发材料沉积于较小沉积面则以较小尺寸集结成块,进而防止沉积材料以大尺寸形式脱落,并遮盖住蒸发源3,阻碍蒸镀工艺。
可理解地,本实施例中对于沟槽13的形状、分布、数量、制造工艺等没有限定,只需满足在盖面11上设置沟槽13,增加沉积面积及将大尺寸的沉积面划分为小尺寸的沉积面的要求即可。
第七种实施方式中,请一并参阅图6-1和图6-2,所述沟槽13可以为弧形面。所述沟槽13与所述盖面11之间无夹缝,便于蒸镀后清洗盖面11,且结构简单,便于制造。
本申请还提供了一种蒸镀装置,包括上述任一种实施方式所述的蒸镀坩埚。
本申请实施方式提供的一种蒸镀坩埚及蒸镀装置,通过在坩埚盖1的盖面11上设置多个挡板12,一方面,挡板的设置及上层面积小于下层面积的结构设计可增加蒸发材料3于盖面11上的沉积面积,减轻单位面积内的沉积材料重量,从而减少盖面11上的沉积材料掉落至坩埚本体2中,同时可减少被盖面反射的蒸镀材料阻碍下层蒸镀过程,提高蒸镀速率;另一方面,挡板12将大的沉积面划分为多个小的沉积面,以减小沉积材料集结成块的尺寸,这样使得掉落至坩埚本体2中的沉积材料为小尺寸的块体,从而避免沉积材料遮盖蒸发源3,影响蒸镀工艺。此外,挡板12与盖面11可拆卸连接,便于后期清洗坩埚盖1,减少坩埚盖1上残余蒸发材料,增加坩埚盖1的使用寿命,节约成本。
综上所述,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,但该较佳实施例并非用以限制本发明,该领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。