1.利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，该方法选择NSTO作为衬底，通过射频磁控溅射法制备出结晶好的BFO薄膜，然后再通过溅射法制备出0.3mmx0.3mm的顶部电极；获得BFO薄膜阻变存储器；
其特征在于：该方法包括以下步骤：
步骤1)将已清洗好的NSTO衬底固定在托盘上，关好各气阀后抽真空，直至真空度达到3.2x10-4Pa以上，通入氩气，调节分子泵插板阀，将气压调整到3-5Pa；
步骤2)设定衬底温度为室温，开射频源起辉，溅射功率分别为65W，对靶材进行预溅射5分钟，然后打开挡板进行溅射沉积BiFeO3镀膜，之后用管式炉退火；
步骤3)上电极的制备；
在带有0.3mmx0.3mm方孔的掩膜版的遮挡下，通过溅射法在BFO铁电薄膜上沉积0.3mmx0.3mm的电极即可。
2.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：步骤1)中NSTO的清洗过程为：先用乙醇浸泡NSTO衬底并用超声清洗5min，重复三次，再用丙酮浸泡NSTO衬底并用超声清洗，重复三次，最后用去离子水反复，之后自然干燥。
3.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：步骤1)中靶材和基片的距离为100mm。
4.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：步骤2)中沉积BFO薄膜时只通入氩气，流量为40Sccm。
5.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：步骤2)中沉积BFO薄膜时的工作气压为0.83Pa。
6.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：步骤2)中沉积好的BFO薄膜在氧气气氛中600℃用管式炉退火30min。
7.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：步骤1)中沉积BFO薄膜时的溅射时间为35～90min。
8.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：薄膜制备采用NSTO作为衬底，其清洗过程为：先用乙醇浸泡NSTO衬底并用超声清洗5min，重复三次，再用丙酮浸泡NSTO衬底并用超声清洗，重复三次，最后用去离子水反复冲洗，之后自然干燥，并放置在样品盒中备用；在射频磁控溅射镀膜机上进行薄膜沉积；BFO靶材采用的是99.9％纯度的陶瓷靶。
9.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：BFO铁电薄膜阻变存储器的制备过程如下：将已清洗过的NSTO衬底用高温胶带遮住部分表面，然后固定在样品托上，关好溅射室门后抽真空，直至真空度达到3.2x10-4Pa时，通入氩气，调节插板阀，将溅射室气压调整到起辉气压，开射频源起辉，然后调节插板阀将溅射室气压调整到工作气压，在相同的功率下对靶材预溅5min；在机器各方面参数稳定一段时间后，打开样品挡板，开始沉积薄膜；沉积一定时间后，关闭射频源，停止起辉；最后将沉积好的BFO薄膜在氧气气氛下600℃用管式炉退火30min。
10.根据权利要求1所述的利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，其特征在于：在带有0.3mmx0.3mm方孔的掩膜版的遮挡下，通过溅射法在BFO铁电薄膜上沉积0.3mmx0.3mm的电极即可。