多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法与流程

技术特征：

1.一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在基片上设置掩膜层，以使基片上仅有需设置光隔离结构的表面露出；

S2、对基片的露出表面进行化学腐蚀处理，以形成粗糙的腐蚀处理面；

S3、取出基片，清洗干净，并除去掩膜层；

S4、使用机械掩膜夹具夹持清洗干净的基片，以使基片上仅有腐蚀处理面露出；

S5、将机械掩膜夹具和基片一起放入镀膜工件载盘，再装入真空镀膜系统；

S6、在腐蚀处理面上镀制黑铬金属膜层；

S7、在黑铬金属膜层上镀制第一氧化铬膜层；

S8、在第一氧化铬膜层上镀制第一二氧化硅膜层；

S9、在第一二氧化硅膜层上镀制第二氧化铬膜层；

S10、在第二氧化铬膜层上镀制第二二氧化硅膜层即得光隔离结构。

2.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，所述基片选自玻璃、石英、蓝宝石、硫化锌、硒化锌光学材料中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米，所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米，所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米，所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米，所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。

4.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S2中使用氢氟酸溶液或氢氟酸蒸汽对基片的露出表面进行化学腐蚀处理。

5.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6至步骤S10中采用精度为1纳米的石英晶体振荡膜层厚度控制仪控制黑铬金属膜层、第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层的厚度。

6.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S7至步骤S10中采用氧气离子辅助镀膜工艺辅助镀制第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层。

7.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6的实施温度为室温至100摄氏度，步骤S7至步骤S10的实施温度为150摄氏度至300摄氏度。

8.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6的实施真空压强不大于1x10^-3Pa，步骤S7至步骤S10的实施真空压强不大于3x10^-2Pa。