技术特征：
技术总结
本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底的制备方法。本发明首先清洗用于沉积样品的Si衬底，然后将衬底置于CVD中，通甲烷，高温沉积石墨烯，再将衬底置于磁控溅射设备样品架，样品架与靶表面平行并且相距55mm。当真空腔内本底气压低于6×10－6mbar时，通入流速为40sccm的混合气体，从而溅射铜靶；溅射镀膜后，将Cu3N薄膜样品取出并放入SEM样品室，抽真空，选择电子束曝光模式，调节电子束聚焦，使电子束束斑控制在1微米左右，对Cu3N薄膜选定区域进行电子束曝光。最后启用SEM扫描模式，对曝光区进行SEM成像，观测曝光后形貌。本发明制备的基底具有表面增强拉曼散射的效应，且具有纳米级的粗糙表面。
技术研发人员：杜允;俞优姝
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学信息工程学院
技术研发日：2018.05.18
技术公布日：2018.10.09