1.一种多基片与多磁控靶之间的位置控制电路，其特征在于，包括：光电开关K1-K16，若干二极管D1、若干稳压二极管D2、若干电阻R1、若干电阻R2和若干三极管Q；
基片Ⅰ在磁控靶Ⅳ的光电开关K4的引脚②与基片Ⅰ在磁控靶Ⅲ的光电开关K3的引脚①串联，基片Ⅰ在磁控靶Ⅲ的光电开关K3的引脚②与基片Ⅰ在磁控靶Ⅱ的光电开关K2的引脚①串联，基片Ⅰ在磁控靶Ⅱ的光电开关K2的引脚②与基片Ⅰ在磁控靶Ⅰ的光电开关K1的引脚①串联，基片Ⅰ在磁控靶Ⅳ的光电开关K4的引脚①与电阻R1的一端连接，基片Ⅰ在磁控靶Ⅰ的光电开关K1的引脚③、基片Ⅰ在磁控靶Ⅱ的光电开关K2的引脚③、基片Ⅰ在磁控靶Ⅲ的光电开关K3的引脚③、基片Ⅰ在磁控靶Ⅳ的光电开关K4的引脚③并联后与电阻R1的另一端连接，作为基片Ⅰ的输入电压端Y1；
基片Ⅱ在磁控靶Ⅳ的光电开关K8的引脚②与基片Ⅱ在磁控靶Ⅲ的光电开关K7的引脚①串联，基片Ⅱ在磁控靶Ⅲ的光电开关K7的引脚②与基片Ⅱ在磁控靶Ⅱ的光电开关K6的引脚①串联，基片Ⅱ在磁控靶Ⅱ的光电开关K6的引脚②与基片Ⅱ在磁控靶Ⅰ的光电开关K5的引脚①串联，基片Ⅱ在磁控靶Ⅳ的光电开关K8的引脚①与电阻R1的一端连接，基片Ⅱ在磁控靶Ⅰ的光电开关K5的引脚③、基片Ⅱ在磁控靶Ⅱ的光电开关K6的引脚③、基片Ⅱ在磁控靶Ⅲ的光电开关K7的引脚③、基片Ⅱ在磁控靶Ⅳ的光电开关K8的引脚③并联后与电阻R1的另一端连接，作为基片Ⅱ的输入电压端Y2；
基片Ⅲ在磁控靶Ⅳ的光电开关K12的引脚②与基片Ⅲ在磁控靶Ⅲ的光电开关K11的引脚①串联，基片Ⅲ在磁控靶Ⅲ的光电开关K11的引脚②与基片Ⅲ在磁控靶Ⅱ的光电开关K10的引脚①串联，基片Ⅲ在磁控靶Ⅱ的光电开关K10的引脚②与基片Ⅲ在磁控靶Ⅰ的光电开关K9的引脚①串联，基片Ⅲ在磁控靶Ⅳ的光电开关K12的引脚①与电阻R1的一端连接，基片Ⅲ在磁控靶Ⅰ的光电开关K9的引脚③、基片Ⅲ在磁控靶Ⅱ的光电开关K10的引脚③、基片Ⅲ在磁控靶Ⅲ的光电开关K11的引脚③、基片Ⅲ在磁控靶Ⅳ的光电开关K12的引脚③并联后与电阻R1的另一端连接，作为基片Ⅲ的输入电压端Y3；
基片Ⅳ在磁控靶Ⅳ的光电开关K16的引脚②与基片Ⅳ在磁控靶Ⅲ的光电开关K15的引脚①串联，基片Ⅳ在磁控靶Ⅲ的光电开关K15的引脚②与基片Ⅳ在磁控靶Ⅱ的光电开关K14的引脚①串联，基片Ⅳ在磁控靶Ⅱ的光电开关K14的引脚②与基片Ⅳ在磁控靶Ⅰ的光电开关K13的引脚①串联，基片Ⅳ在磁控靶Ⅳ的光电开关K16的引脚①与电阻R1的一端连接，基片Ⅳ在磁控靶Ⅰ的光电开关K13的引脚③、基片Ⅳ在磁控靶Ⅱ的光电开关K14的引脚③、基片Ⅳ在磁控靶Ⅲ的光电开关K15的引脚③、基片Ⅳ在磁控靶Ⅳ的光电开关K16的引脚③并联后与电阻R1的另一端连接，作为基片Ⅳ的输入电压端Y4；
基片Ⅰ在磁控靶Ⅰ的光电开关K1的引脚②、基片Ⅱ在磁控靶Ⅰ的光电开关K5的引脚②、基片Ⅲ在磁控靶Ⅰ的光电开关K9的引脚②、基片Ⅳ在磁控靶Ⅰ的光电开关K13的引脚②均接0VDC电源；
基片Ⅰ在磁控靶Ⅰ的光电开关K1的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅱ在磁控靶Ⅰ的光电开关K5的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅲ在磁控靶Ⅰ的光电开关K9的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅳ在磁控靶Ⅰ的光电开关K13的引脚④与二极管D1的正极连接，上述四个二极管D1的负极并联后与稳压二极管D2的正极连接、与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接0VDC电源；稳压二极管D2的负极与一个二极管D1的负极连接，二极管D1的正极与三极管Q的基极连接，三极管Q的集电极作为磁控靶Ⅰ的信号输出端X1，
基片Ⅰ在磁控靶Ⅱ的光电开关K2的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅱ在磁控靶Ⅱ的光电开关K6的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅲ在磁控靶Ⅱ的光电开关K10的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅳ在磁控靶Ⅱ的光电开关K14的引脚④与二极管D1的正极连接，上述四个二极管D1的负极并联后与稳压二极管D2的正极连接、与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接0VDC电源；稳压二极管D2的负极与一个二极管D1的负极连接，二极管D1的正极与三极管Q的基极连接，三极管Q的集电极作为磁控靶Ⅱ的信号输出端X2，
基片Ⅰ在磁控靶Ⅲ的光电开关K3的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅱ在磁控靶Ⅲ的光电开关K7的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅲ在磁控靶Ⅲ的光电开关K11的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅳ在磁控靶Ⅲ的光电开关K15的引脚④与二极管D1的正极连接，上述四个二极管D1的负极并联后与稳压二极管D2的正极连接、与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接0VDC电源；稳压二极管D2的负极与一个二极管D1的负极连接，二极管D1的正极与三极管Q的基极连接，三极管Q的集电极作为磁控靶Ⅲ的信号输出端X3，
基片Ⅰ在磁控靶Ⅳ的光电开关K4的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅱ在磁控靶Ⅳ的光电开关K8的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅲ在磁控靶Ⅳ的光电开关K12的引脚④与二极管D1的正极连接，基片Ⅳ在磁控靶Ⅳ的光电开关K16的引脚④与二极管D1的正极连接，上述四个二极管D1的负极并联后与稳压二极管D2的正极连接、与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接0VDC电源；稳压二极管D2的负极与一个二极管D1的负极连接，二极管D1的正极与三极管Q的基极连接，三极管Q的集电极作为磁控靶Ⅳ的信号输出端X4，
上述四个三极管Q的发射极并联后接+24VDC电源。
2.如权利要求1所述的多基片与多磁控靶之间的位置控制电路，其特征在于，基片Ⅰ、基片Ⅱ、基片Ⅲ、基片Ⅳ上分别安装一个光电开关挡片，确保光电开关挡片对应相应的光电开关。
3.如权利要求1所述的多基片与多磁控靶之间的位置控制电路，其特征在于，基片Ⅰ的输入电压端Y1、基片Ⅱ的输入电压端Y2、基片Ⅲ的输入电压端Y3、基片Ⅳ的输入电压端Y4在使用时均接+24VDC电源。
4.如权利要求1所述的多基片与多磁控靶之间的位置控制电路，其特征在于，所述电阻R1的阻值为2K，电阻R2的阻值为150K，电阻R1、电阻R2用于限制电流的大小，达到符合光电开关的电流要求。
5.如权利要求1所述的多基片与多磁控靶之间的位置控制电路，其特征在于，所述二极管D1为1N4007二极管，用于保护光电开关不受反电式干扰而损坏，稳压二极管D2的击穿电压为5.1V。
6.如权利要求1所述的多基片与多磁控靶之间的位置控制电路，其特征在于，所述三极管Q为9012三极管，用于对电流信号进行放大，光电开关选用TP808。