一种多基片与多磁控靶之间的位置控制电路的制作方法

技术总结
本实用新型涉及一种多基片与多磁控靶之间的位置控制电路，包括：光电开关K1‑K16，若干二极管D1、若干稳压二极管D2、若干电阻R1、若干电阻R2和若干三极管Q；本实用新型提供的多基片多磁控靶位置控制电路，可以完成特定基片对应特定磁控靶的位置控制，电路简单易实施。所用元器件普通便于采购，且价格低廉。是一种简单易行、设计合理的控制电路。

技术研发人员：邓树洁
受保护的技术使用者：上海利方达真空技术有限公司
技术研发日：2018.10.22
技术公布日：2019.06.11