用于处理基板的方法、用于真空处理的设备和真空处理系统与流程

本公开内容的实施方式涉及用于处理基板的方法、设备和系统，更具体地涉及用于处理涂覆有沉积材料的大面积基板的方法、设备和系统。另外，本公开内容的实施方式涉及用于基板的真空处理的设备，并且涉及真空处理系统。具体地，本公开内容的实施方式涉及检查掩模和基板相对于彼此的对准，特别是检查原位对准。

背景技术：

已知用于在基板上沉积材料的若干方法。作为一个示例，可以通过使用蒸发工艺、物理气相沉积(pvd)工艺(诸如溅射工艺，喷涂工艺等)或化学气相沉积(cvd)工艺来涂覆基板。可以在要涂覆的基板所在的沉积设备的处理腔室中执行工艺。沉积材料提供在处理腔室中。多种材料(诸如有机材料、分子、金属、氧化物、氮化物和碳化物)可以用于在基板上沉积。此外，可以在处理腔室中进行其它工艺，像蚀刻、结构化、退火等。

例如，对于大面积基板，例如在显示器制造技术中，可以考虑涂覆工艺。可以在若干应用和若干技术领域中使用涂覆的基板。例如，一种应用可以是有机发光二极管(oled)面板。另外的应用包括绝缘面板、微电子器件(诸如半导体器件)、具有薄膜晶体管(tft)的基板、滤色器(colorfilter)等。oled是由(有机)分子薄膜组成的固态器件，oled通过施加电力来产生光。作为一个示例，与例如液晶显示器(lcd)相比，oled显示器可以在电子装置上提供明亮显示并减少使用功率。在处理腔室中，产生(例如，蒸发、溅射或喷射等)有机分子并使有机分子在基板上沉积成层。粒子可以例如通过具有边界或特定图案的掩模，以在基板上的期望位置处沉积材料，例如，以在基板上形成oled图案。

与处理的基板、特别是沉积层的质量有关的一个方面是基板相对于掩模的对准。作为一个示例，对准应是准确和稳定的，以便实现良好工艺结果。为此目的，存在于基板上和掩模上的参考点(基准点)用于在沉积工艺之前将掩模与基板正确地对准。然而，这些参考点之间的关系可能易受外部干扰(诸如振动、制造公差、搬运、因温度和/或真空造成的变形、掩模和基板的运输等)影响。

当基板和掩模在沉积期间保持在基本上竖直的位置时，重力影响掩模与基板之间的对准，特别是对于用于显示器制造的大面积基板。然而，沉积工艺需要尽可能准确以在基板上实现最佳可能结果。

鉴于上述，需要可提供更有效的对准检查的方法、设备和系统，以节省时间和材料。

技术实现要素：

鉴于上述，提供一种用于处理基板的方法、一种用于处理基板的设备和一种用于基板的真空处理的系统。本公开内容的另外的方面、益处和特征从权利要求书、说明书和附图中清楚。

根据本公开内容的一个方面，提供一种处理基板的方法。所述方法包括：将具有多个沉积开口的掩模运输到处理腔室中；将具有背面图案(backplanepattern)的基板运输到所述处理腔室中；使所述基板相对于所述掩模对准；和用光学检查装置来至少局部地检查所述多个沉积开口与所述背面图案之间的偏移。

根据本公开内容的另一方面，提供一种用于基板的真空处理的设备。所述设备包括：对准装置，被配置为使具有背面图案的基板相对于具有多个沉积开口的掩模对准；光学检查装置，被配置为至少局部地确定所述多个沉积开口与所述背面图案之间的偏移；和沉积源，布置在所述掩模的前侧，并且被配置成在所述基板上沉积一种或多种材料。

根据本公开内容的另一方面，提供一种真空处理系统。真空系统包括：根据本文所述的实施方式的设备；基板，耦接到所述对准装置的第一固定件(mount)；和掩模，耦接到所述对准装置的第二固定件。

附图说明

为了能够详细地理解本公开内容的上述特征，上文简要概述的本公开内容的更特定描述可通过参考实施方式来进行。附图涉及本公开内容的实施方式，并且描述于下：

图1示出根据本文所述的实施方式的用于基板的真空处理的设备的示意图；

图2示出根据本文所述的实施方式的基板和掩模的示意图；

图3a和图3b示出根据本文所述的实施方式的保持布置的示意图；

图4a、图4b和图4c示出根据本文所述的实施方式的检查布置的示意图；

图5示出根据本文所述的实施方式的对准的掩模和基板布置以及与基板的光学检查相关的不同特征的主视图的示意表示；

图6示出根据本文所述的实施方式的用于光学检查的检查系统的示意表示；

图7示出用于图示根据本文所述的实施方式的用于处理基板的方法的流程图；和

图8示出根据本文所述的实施方式的用于真空处理基板的系统的示意表示。

具体实施方式

现在将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示于图中。在以下对附图的描述内，相同参考数字表示相同部件。一般，仅描述相对于各别实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供，而不意味着对本公开内容的限制。另外，被图示或描述为一个实施方式的部分的特征可以用于其它实施方式或结合其它实施方式使用以产生又进一步的实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。

在oled装置的生产中，为了实现高分辨率oled装置，关于蒸发材料的沉积存在技术挑战。特别地，基板相对于掩模的精确对准有益于实现高质量处理结果，例如，用于生产高分辨率oled装置。此外，如果沉积工艺省时且快速，以及提供高产量的待处理的oled装置，那么是有益的。

竖直取向的掩模与竖直取向的基板的对准(例如，在微米范围内)是有挑战性的。掩模像素受重力的影响，并且掩模在基板处理系统中的运输可能影响掩模。因此，可以在将基板和掩模运输到处理腔室之后并且在开始沉积工艺之前提供最终掩模布置。在处理腔室中，进行掩模和基板相对于彼此的最终对准。同时，此工艺阶段可以被认为是其中可向掩模和/或基板以及工艺(例如，工艺参数，特别是关于掩模和基板的对准)施加最后变化的阶段。然而，对准检查是困难的，因为必须暂停工艺并必须对每个单个沉积工艺或每个单个掩模进行校正动作。

本公开内容涉及成像技术，包括例如照相机和视频。本公开内容的实施方式使用一个或多个捕获装置来对真空环境中的一个或多个对象成像。特别地，本文提供的方法、设备和系统旨在用于在发起沉积工艺之前对对准的掩模和基板布置的自动光学检查。

因此，光学检查装置用于捕获包括部分的掩模和基板布置的部分或检查区域的图像。检查可以与处理腔室中的沉积工艺组合。

图1示出根据本文所述的实施方式的用于基板的真空处理的设备100的示意图。

设备100包括对准装置，对准装置被配置为使具有背面图案的基板相对于具有多个沉积开口的掩模(即，精细金属掩模)对准。光学检查装置被配置为至少局部地确定多个沉积开口与例如背面图案之间的偏移。沉积源布置在相对于基板对准的掩模的前侧上，并且被配置为在基板上沉积一种或多种材料。

设备100可以包括处理腔室，处理腔室包括侧壁101和至少一个沉积源130。沉积源130可以是可移动的。可移动源可以是能够移动经过基板10的。例如，沉积源可以是线源。线源可以基本上竖直地取向。设备可以进一步包括至少一个轨道布置布置。典型地，设备包括至少两个轨道布置。

处理腔室可以是真空腔室。如本公开内容的全文中使用的术语“真空”可理解为具有小于例如10毫巴的真空压力的技术真空。真空腔室中的压力可以在10^-5毫巴至约10^-8毫巴之间，具体地在10^-5毫巴至10^-7毫巴之间，并且更具体地在约10^-6毫巴至约10^-7毫巴之间。可以提供连接到真空腔室以在真空腔室内产生真空的一个或多个真空泵，诸如涡轮泵和/或低温泵。

设备100可以包括基板载体15，基板载体15可以包括提供支撑表面17的支撑结构或主体，支撑表面17可以是基本上平坦的表面，被配置为用于接触例如基板10的背表面。特别地，基板10可以具有前表面(也称为“处理表面”)，前表面与背表面相对并在诸如真空沉积工艺的真空处理期间在所述前表面上沉积层。前表面可以设有背面图案，背面图案例如由先前处理工具提供并包括例如诸如晶体管或像素电极的电子器件。包括有机材料的像素将以预定图案沉积在背面图案上。根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，基板载体15可以是静电吸盘(e吸盘，esc)，所述静电吸盘提供静电力以至少将基板10保持在基板载体15处并特别是保持在支撑表面17处。例如，基板载体15包括电极布置(未示出)，电极布置被配置为提供作用在基板10上的吸引力。

术语“基本上”可理解为描述特定特征可以包括与精确结构的偏差。例如，“基本上平坦的表面”应理解为可包括小凸起和/或凹陷但具有总体平坦外观的表面。

设备100可以包括掩模载体，掩模载体应理解为被配置为用于保持掩模的载体。例如，掩模可以是边缘排除掩模或阴影掩模。边缘排除掩模是被配置为用于掩蔽基板的一个或多个边缘区域的掩模，使得在基板的涂覆期间没有材料沉积在一个或多个边缘区域上。阴影掩模或精细金属掩模是被配置为用于掩蔽将要沉积在基板上的多个特征的掩模。例如，阴影掩模可以包括多个小开口或沉积开口，例如，小开口的图案。精细金属掩模具有多个开口，例如，开口的大小在微米范围内。多个精细开口对应于显示器(例如，oled显示器)的像素图案。

在重力在竖直取向上沿着精细金属掩模的表面作用的意义上，用精细金属掩模(ffm)对大面积基板进行的沉积工艺的基本上竖直的取向是进一步超出预期的。与水平取向相比，在微米范围内的像素定位和对准对于竖直取向来说更复杂。因此，针对水平真空沉积系统开发的概念不能被转移到用于大面积系统的竖直真空沉积系统，特别是利用ffm的真空沉积系统。

设备100可以包括被配置为用于运输基板载体15的第一轨道布置110和被配置为用于运输掩模载体25的第二轨道布置120。第一轨道布置110包括第一部分，诸如第一轨道112，被配置为在基板10的第一端处支撑基板载体15，并且包括第二部分，诸如第二轨道114，被配置为在基板10的与基板10的第一端相对的第二端处支撑基板载体15。第二轨道布置120包括另外的第一部分，诸如另外的第一轨道122，被配置为在掩模20的第一端处支撑掩模载体25，并且包括另外的第二部分，诸如另外的第二轨道124，被配置为在掩模20的与掩模20的第一端相对的第二端处支撑掩模载体25。

真空腔室可以包括腔室壁。如图1中示例性示出的，第一轨道布置110和第二轨道布置120可以布置在真空腔室的侧壁101与一个或多个可移动沉积源130之间。一个或多个沉积源130可以被配置为用于蒸发沉积材料的蒸气源。例如，可以经由沉积源130沉积有机材料。此外，沉积源可以是可旋转的，并且可以包括设有蒸气喷嘴的第一侧和可包括附接到沉积源的光学检查装置的第二侧(例如，相对侧)。

如图3a和图3b所示，可以利用第一方向(y方向)、第二方向(z方向)和第三方向(x方向)来描述处理腔室。第一方向可以是基本上竖直的，即，平行于重力或具有约±15°的小偏差。如图1中示例性示出的，根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，第一轨道布置110和第二轨道布置120在第三方向(图3a和图3b中的x方向)上延伸，第三方向可以是基本上水平的方向。在一些实现方式中，第一轨道布置110被配置为用于至少在第三方向上运输基板载体15。同样，第二轨道布置120可以被配置为用于至少在第三方向上运输掩模载体25。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，设备100可以被配置为用于基板载体15和/或掩模载体25的非接触悬浮和/或非接触运输。例如，设备100可以包括导向结构，导向结构被配置为用于基板载体15和/或掩模载体25的非接触悬浮。设备100可以进一步包括驱动结构，驱动结构被配置为用于基板载体15和/或掩模载体25的非接触运输。

在本公开内容中，被配置为用于非接触运输的轨道或轨道布置应理解为被配置为用于载体、特别是基板载体或掩模载体的非接触运输的轨道或轨道布置。术语“非接触”可理解为载体(例如，基板载体或掩模载体)的重量不是由机械接触或机械力保持而是由磁力保持的意义。特别地，可使用磁力而不是机械力将载体保持在悬浮或浮置状态。

例如，在一些实现方式中，在载体与运输轨道之间可以没有机械接触，特别是在基板载体和/或掩模载体的悬浮、移动和定位期间。载体的非接触悬浮和/或运输的益处在于在运输期间不会产生颗粒，例如因与导轨的机械接触产生的颗粒。可以提供沉积在基板10上的层的改善的纯度和均匀性，因为当使用非接触悬浮和/或运输时，最小化颗粒产生。

可以在真空腔室中提供一个或多个可移动沉积源130。基板载体15可以被配置为在真空沉积工艺期间保持基板10。真空工艺可以被配置为用于蒸发例如用于制造oled装置的有机材料。例如，一个或多个沉积源130可以是蒸发源，具体是用于在基板上沉积一种或多种有机材料以形成oled装置的层的蒸发源。材料可以从一个或多个沉积源130在发射方向上朝向待涂覆的基板10所在的沉积区域发射。

根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，载体被配置为在大体上竖直的取向上保持或支撑基板和掩模。如本公开内容的全文所使用的，“大体上竖直的”特别地在提到基板取向时将理解为允许与竖直方向或取向有±20°或更小的(例如，±10°或更小的)的偏差。此偏差可以例如因为与竖直取向有一定偏差的基板支撑件可产生更稳定的基板位置而提供。此外，当基板向前倾斜时，更少颗粒到达基板表面。然而，例如在真空沉积工艺期间，基板取向被认为是大体上竖直的，这被认为是不同于水平基板取向，水平基板取向可以被认为是水平的±20°或更小。

术语“竖直取向”或“竖直方向”将理解为区别于“水平方向”或“水平取向”。也就是说，“竖直方向”或“竖直取向”涉及例如基板和掩模的大体上竖直的取向，其中与严格竖直方向或竖直取向有几度偏差(例如，大至10°或甚至大至20°)仍被视为“大体上竖直的方向”或“大体上竖直的取向”。竖直方向可以大体上平行于重力。术语“基本上竖直的(方向)”和/或“基本上水平的(方向)”也是如此。

设备100可以进一步包括对准装置(图1中未示出；示例性对准装置在图3a和图3b中图示)，对准装置被配置为使掩模布置(或掩模20)和基板布置(或基板10)相对于彼此对准，例如，以获得对准的掩模和基板布置。对准装置可以被配置为基于接收到的位置信息而使掩模20和基板10相对于彼此对准。例如，对准装置可以基于从捕获装置接收的位置信息而执行相对对准。接收到的位置信息可以从分析相对于彼此对准的掩模布置和/或基板布置的参考标记(诸如基准点)提取。

设备100进一步包括光学检查装置(图1中未示出)。根据本公开内容的一些实施方式，光学检查装置可以附接到沉积源，特别是当沉积源能够移动经过基板时。

在一些实现方式中，光学检查装置可以可移动地安装。例如，光学检查装置可以固定到设在沉积源与掩模或掩模载体之间的可移动或可折叠臂。

在一些实现方式中，光学检查装置可以被布置和配置为从真空腔室的壁的侧面捕获图像。可以通过支撑基板的基板载体的至少一个切口来捕获图像。

光学检查装置可以具有设在上述位置中的一个、两个或三个位置处的照相机。

此外，光学检查装置可以包括一个、两个或更多个照相机。参考图4a至图4c和图6更详细地描述光学检查装置。还将理解，术语“检查装置”和“光学检查装置”在本公开内容的全文中同义地使用。

在本公开内容的全文中，当关于掩模、掩模布置和/或基板、基板布置或掩模和基板布置使用时，术语“前侧”和“后侧”或“背侧”应理解为与沉积源有关。术语“前侧”可理解为面向沉积源的一侧。“前侧”可以对应于处理侧。“后侧”或“背侧”可理解为与前侧相对的一侧或背对沉积源的一侧。典型地，后侧或背侧是面向真空腔室的壁的那侧。

关于沉积源，“前侧”可理解为发生沉积的那侧。因此，前侧可理解为放置用于沉积材料的喷嘴的那侧。在本公开内容的全文中，前侧也可以被称为“第一侧”。沉积源的“后侧”或“背侧”可以被认为是与沉积源的前侧相对的那侧。沉积源的后侧或背侧可理解为沉积源的不发生沉积的那侧。因此，后侧或背侧可理解为与前侧相对的那侧。在本公开内容的全文中，后侧或背侧也可以被称为“第二侧”。

根据实施方式，设备100可以包括至少一个控制单元。控制单元可以用于例如控制掩模20和基板10(和/或它们各自的载体)的对准。因此，控制单元可以被配置为用于控制对准装置。此外，控制单元可以被配置为用于控制参考图4a-图4c和图6描述的检查装置。例如，控制单元可以被配置成确定和/或控制检查装置的位置。此外，控制单元可以被配置为用于处理数据。例如，控制单元可以能够处理图像并计算偏移值。换句话说，控制单元可以被配置为基于由光学检查装置捕获的至少一个图像而确定偏移值，并且基于偏移值而将重新对准值发送到对准装置。

图2示出根据本文所述的实施方式的基板和掩模的示意图。

为了制造oled，可以通过沉积源130产生有机分子(例如，蒸发、溅射、喷涂等)并使有机分子沉积在基板10上。包括掩模20的掩模布置定位在基板10与可移动沉积源130之间。掩模20包括例如由多个沉积开口21提供的图案，使得有机分子穿过沉积开口21(例如，沿着路径32)以在基板10上沉积有机化合物的层或膜。沉积开口的图案可以不限于图2中所示的图案。掩模可以是掩模布置的一部分，其中掩模布置可以包括承载掩模的掩模载体。

可以使用不同掩模在基板10上沉积多个层或膜，例如，以产生具有不同颜色性质的像素。作为一个示例，可以沉积第一材料以产生红色像素，可以沉积第二材料以产生绿色像素，并且可以沉积第三材料以产生蓝色像素。例如有机材料的材料可以布置在两个电极之间，两个电极诸如阳极和阴极(未示出)。两个电极中的至少一个电极可以是透明的。掩模可以包括数百万个沉积开口，以用于产生数百万个像素。例如，在掩模上可以存在1亿个或更多个沉积开口。典型地，掩模可以是具有多于100,000个沉积开口的精细金属掩模。

基板10和掩模20可以在沉积工艺期间布置在竖直方向上。在图2中，箭头指示如上所述的竖直方向(y方向)和水平方向(x方向)。

本文所述的实施方式可以例如用于提供例如用于所制造的显示器的大面积经涂覆的基板。本文描述的设备和方法被配置用于的基板或基板接收区域可以是具有例如1m²或更大的大小的大面积基板。例如，大面积基板或载体可以是第4.5代(对应于约0.67m²基板(0.73m×0.92m))、第5代(对应于约1.4m²基板(1.1m×1.3m))、第7.5代(对应于约4.29m²基板(1.95m×2.2m))、第8.5代(对应于约5.7m²基板(2.2m×2.5m))、或甚至第10代(对应于约8.7m²基板(2.85m×3.05m))。可以类似地实现甚至更高的代(诸如第11代和第12代)和对应的基板面积。例如，对于oled显示器制造，可以通过用于蒸发材料的设备的蒸发来涂覆上述代的基板(包括第6代)的一半大小。基板产生的一半大小可以得自在全基板大小上进行的一些工艺和在先前处理的基板的一半上进行的后续工艺

如本文所使用的术语“基板”可特别地涵盖大体上非柔性的基板，例如，晶片、透明晶体(诸如蓝宝石等)的片或玻璃板。然而，本公开内容不限于大体上非柔性的基板，并且术语“基板”也可以涵盖柔性基板，诸如卷材或箔。术语“大体上非柔性”应理解为区分于“柔性”。特别地，大体上非柔性的基板可以具有一定程度的柔性，例如具有0.5mm或更小的厚度的玻璃板，其中与柔性基板相比，大体上非柔性的基板的柔性小。

基板可由适于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可以由选自由以下项组成的组的材料制成：玻璃(例如，钙钠玻璃、硼硅酸盐玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料、金属或可通过沉积工艺涂覆的任何其它材料或材料组合。基板可以是透明的。

基板10可以包括背面图案11。本文所使用的背面图案11可以限定沉积材料要沉积在基板上的预定位置。因此，背面图案可以确定例如包括沉积材料的像素的位置。沉积工艺的成功可以取决于掩模布置和基板布置可对准的良好程度。基板可以是基板布置的一部分和/或掩模和基板布置的一部分。

如图2所示，掩模20和基板可以进一步在拐角处设有参考标记547。例如，参考标记可以是基准点。可以使用参考标记以使基板10相对于掩模20对准。在沉积之前执行利用基准点的对准。

图3a和图3b示出根据本文所述的实施方式的保持布置300的示意图。保持布置可以用于在可在根据本文所述的系统和设备中使用的真空腔室中在层沉积期间支撑基板载体15和掩模载体25。图3b示出图3a中所示的保持布置300的主视图。

在一些实现方式中，本公开内容的用于真空处理的设备和/或系统可以包括用于(特别是在对准和沉积工艺期间)保持基板载体15和掩模载体25的保持布置300。保持布置300可以包括一个或多个保持装置，诸如被配置为用于保持掩模载体25的一个或多个第一保持装置326和/或被配置为用于保持基板载体15的一个或多个第二保持装置316。一个或多个保持装置可以被配置为能够在与基板运输方向不同的移动方向上移动。例如，一个或多个保持装置可以被配置为在可在大体上垂直于基板表面的平面的方向上、例如在第一方向和第二方向上移动。在图3a中，一个或多个保持装置的移动方向由一个或多个保持装置上绘出的双向箭头指示。

在一些实现方式中，掩模载体25可以在第二轨道布置上运输到预定位置，在所述预定位置，提供保持布置300。一个或多个第一保持装置326可以朝向掩模载体25移动，以便将掩模载体25保持在预定位置，例如，通过使用诸如磁力或电磁力的吸附力来吸附掩模载体25。此后，基板载体15可以在第一轨道布置上运输到对应于掩模载体25的预定位置。一个或多个第二保持装置316中的至少一个保持装置可以朝向基板载体15移动，以便保持基板载体15处于预定位置，例如通过使用诸如磁力或电磁力的吸附力吸附基板载体15。然后，基板载体15可以相对于掩模载体25对准，或者掩模载体25可以相对于基板载体15对准。

根据一些实施方式，基板载体15在x方向上的延度(例如，长度)和掩模载体25在x方向上的延度(例如，长度)是不同的。特别地，基板载体15和掩模载体25可以具有相同高度但具有不同长度。特别地，基板载体15的长度可以小于掩模载体25的长度。长度差值可以经选择以使得可安装在真空腔室的侧壁上的一个或多个第一保持装置412可以经过基板载体15的边缘以抓住并保持掩模载体25。特别地，一个或多个第一保持装置412可以经过基板载体15而不干扰基板载体15。

根据一些实施方式，保持布置300可以包括对准装置，对准装置被配置为使基板布置(或基板载体15)相对于掩模布置(或掩模载体25)对准，或使掩模布置(或掩模载体25)相对于基板布置(或基板载体15)对准。特别地，对准装置可以被配置为调整基板载体15相对于掩模载体25的位置，或调整掩模载体25相对于基板载体15的位置。例如，对准装置可以被配置为用于使保持基板10的基板载体15相对于保持掩模20的掩模载体25对准，以便在材料(例如，有机材料)沉积期间提供基板10与掩模20之间的适当对准。

在一些实现方式中，对准装置包括一个或多个对准致动器，以用于使基板载体15和掩模载体25相对于彼此定位。例如，两个或更多个对准致动器可以是压电致动器，以用于使基板载体15和掩模载体25相对于彼此定位。然而，本公开内容不限于压电致动器。例如，两个或更多个对准致动器可以是电动致动器或气动致动器。两个或更多个对准致动器可以是线性对准致动器。在一些实现方式中，两个或更多个对准致动器可以包括选自由以下项组成的组的至少一个致动器：步进致动器、无刷致动器、dc(直流)致动器、音圈致动器、压电致动器和以上项的任何组合。

根据一些实施方式，一个或多个对准致动器可以设在第一轨道布置与第二轨道布置之间。特别地，一个或多个对准致动器可以设在基板载体15与掩模载体25之间。一个或多个对准致动器可以以节省空间的方式实现，以减小设备的占地面积。

对准装置可以被配置为用于在限定平面的至少两个方向上的相对对准，所限定的平面基本上平行于基板的平面和掩模的平面。例如，对准可以至少在x方向和y方向上进行，即限定上述平行平面的两个笛卡尔方向。典型地，掩模和基板可以基本上平行于彼此。具体地，可以进一步在基本上垂直于基板的平面和掩模的平面的方向上进行对准。因此，对准单元被配置为至少用于x-y对准，并且具体地用于掩模和基板相对于彼此的x-y-z对准。可与本文所述的其它实施方式组合的一个具体示例是将基板在x方向、y方向和z方向上对准到掩模，掩模可以在真空处理腔室中保持静止。

根据实施方式，掩模和基板或掩模载体和基板载体的对准可以通过使用设在掩模和/或基板上的参考标记或基准点来执行。例如，可视化装置可以用于检查掩模20和基板10上的参考标记547。可视化装置可以例如是光学检查装置。可视化装置可以经过掩模和/或基板上的参考标记(诸如基准点)，并且可以确定所述参考标记的位置，以如上所述地执行掩模相对于基板的对准。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式，可以执行掩模相对于基板的对准的光学检查。检验对准的这种方式可以在掩模相对于基板的对准之后并且在沉积开始之前立即(directly)执行。检验可以由光学检查装置执行。光学检查装置可以捕获布置在基板前面的掩模的图像。参考图4a至图4c描述光学检查装置的布置。.

例如，可以在沉积开始之前在真空处理腔室中的基板10上进行光学检查。特别地，检查装置可以被配置为用于对在基本上竖直的位置的基板10进行光学检查。检查装置可以检测偏移值，所述偏移值对应于基板10相对于掩模20的相对位置。根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，偏移值可以通过检测对准的掩模-基板-组件的图像提供。例如，掩模-基板对准例如基于处理腔室中的基准点而提供。在基于基准点的对准之后，可以使用本文所述的检查方法来检验对准，例如，通过基于多个沉积开口和基板的背面图案的相对定位用检查装置检测偏移值。

基准点典型地不邻近实际上沉积材料的背面图案而设，而是设在基板和/或掩模的边缘区域上。因此，经由基准点的对准可能不够准确，例如，由于基板的在基准点与背面图案之间的区域中的局部温度变化。根据本文所述的实施方式，通过检查背面图案和沉积开口的相对定位来检验对准。换句话说，在实际上发生沉积的位置处检验基板-掩模布置的对准。可以准确地检测对准是否准确和基板-掩模布置是否准备好用于进行沉积。

检查装置可以包括用于照射基板10的光源和/或用于拍摄基板10的至少一部分的一个或多个图像的一个或多个图像捕获装置，和用于处理捕获的图像的处理装置，这关于图6进一步描述。

图4a、图4b和图4c示出根据本文所述的实施方式的检查布置400、400'和400”的示意图。

根据本公开内容的可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，可以定位光学检查装置440以检查保持在真空条件下的基板10。可以静态地或动态地执行光学检查。

根据一个实施方式，检查布置400包括检查装置440。检查装置440可以附接到可移动沉积源130。

沉积源可以具有设有蒸气喷嘴的第一侧和不同于第一侧的第二侧，其中光学检查装置可以附接到可移动沉积源的第二侧。例如，第二侧可以与第一侧相对。例如，检查装置440可以安装在沉积源的后侧。沉积源的后侧可理解为沉积源的没有材料沉积的那侧。换句话说，沉积源的后侧是与材料沉积侧相邻的那侧。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的另外实施方式，可以在处理腔室中提供两个掩模和基板布置。如本文所使用的“掩模和基板布置”可理解为相对于彼此对准的掩模布置和基板布置。换句话说，“掩模和基板布置”可以描述掩模20和基板10的组合、相对于彼此对准的掩模和基板和/或相对于彼此对准的相应的掩模载体25和基板载体15。例如，两个掩模和基板布置可以彼此相对。基板载体的支撑表面17可以指向沉积源的方向。

根据可与其它实施方式组合的实施方式，沉积源130可以是可移动的。典型地，沉积源可以设在源支撑件831处。源支撑件831可以被配置为用于沉积源130沿着线性导件的平移移动。沉积源的移动可以进一步包括旋转移动。沉积源可以围绕旋转轴线旋转。旋转可以包括360°旋转。将理解，旋转可以包括0°到360°的每个旋转角度。换句话说，沉积源可以是可旋转的并且可线性地移动的。可以在每个所述角度处停止旋转。例如，可移动沉积源可以在第一基板和掩模布置上沉积材料。

例如，当沉积工艺完成时，沉积源可以执行例如180°转动，并且在与第一掩模和基板布置相对的第二掩模和基板布置处执行另外的沉积工艺。沉积源可以进一步经由源支撑件831平移移动。换句话说，可移动沉积源可以沿着设在第二基板(或第二基板布置或第二掩模和基板布置)与第一基板板(或第一基板布置或第一掩模和基板布置)之间的源轨道或源支撑件移动，其中可以由沉积源涂覆第一基板，同时可以(在第二基板处)检查偏移。

因此，根据实施方式，可移动沉积源可以具有可设有蒸气喷嘴的第一侧和与第一侧相对的第二侧，其中光学检查装置440可以附接到可移动沉积源的第二侧。

根据另外的实施方式，在沉积源将材料沉积在第一掩模和基板布置上的同时，光学检查装置可以检查第二掩模和基板布置。光学检查装置可以被配置为从掩模和基板布置的前侧(即，从布置有沉积源的那侧)执行光学检查。因此，检查装置可以采用在对准的掩模和基板布置的前方的检查位置。

例如，光学检查装置可以固定到沉积源。可移动沉积源可以移动经过基板，并且检查装置可以捕获基板的图像。在第一掩模和基板布置处沉积材料之后，可以将第一基板从处理腔室运输走。可以将新的基板运输到处理腔室中，并且可以将所述新的基板与掩模对准。任选地，还可以更换掩模。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式，光学检查装置440可以是可移动的。例如，可以安装光学检查装置，使得装置可以在不同方向上朝向掩模和基板布置和/或掩模布置和/或基板布置移动。附加地或替代地，沉积源可以被配置为适应光学检查装置相对于掩模和基板布置和/或掩模布置和/或基板布置的位置。例如，可以改变沉积源相对于检查装置的位置的位置。

本文所述的检查和沉积提供若干优点。检查和沉积工艺加快。因此，可以实现更有效的沉积工艺。此外，还在能耗和成本方面优化工艺。

图4b示出根据本文所述的实施方式的检查布置400'，类似于图4a中描绘的实施方式。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式，检查布置400'可以包括可移动和/或可折叠固定件442。固定件442可以例如是“臂”或任何可移动固定件，被配置为到达(笛卡尔坐标系的)x、y和z方向的不同位置。固定件或臂可以由控制单元控制。因此，光学检查装置可以可移动地安装，特别是光学检查装置可以固定到可移动或可折叠臂，可移动或可折叠臂可以设在掩模或掩模和基板布置的前侧。检查装置可以附加地或替代地被配置为从对准装置和/或基板的前侧和/或后侧执行光学检查。

固定件可以直接地或间接地附接到处理腔室，例如，附接到顶壁402。然而，将理解，固定件442可以替代地附接到处理腔室的另一个壁。固定件442的控制单元可以设在处理腔室外。

附加地或替代地，检查装置可以附接到沉积源。因此，参考图4a描述的检查装置的移动可以是可能的。

根据实施方式，检查装置440可以固定到固定件442。附加地或替代地，检查装置可以固定到臂，使得光学检查装置可以独立于臂移动。换句话说，光学检查装置可以可移动地固定到臂。例如，检查装置可以是在水平面内围绕旋转轴线可旋转的(在x方向上旋转)。

图4c示出根据本文所述的实施方式的检查布置400”，类似于图4a和图4b中描绘的实施方式。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式，光学检查装置可以被配置为从掩模和基板布置的后侧(即，例如从基板载体后方)执行光学检查。光学检查装置440可以安装在处理腔室的侧壁101处，侧壁101在基板载体15后方。侧壁101可以在掩模和基板布置的后侧。

根据实施方式，检查装置440可以可移动地安装到处理腔室。例如，检查装置可以安装到固定件442(图4c中未示出)。固定件可以连接到处理腔室。与关于图4b描述的内容类似地，检查装置可以在(笛卡尔坐标系的)x、y和/或z方向上移动。

根据实施方式，基板载体可以是透明的，或可以具有透明区域或部分。特别地，基板载体可以对光透明。透明度可以通过不同方式实现，例如，通过省略基板载体的部分和/或通过使用透明材料作为基板载体。例如，基板载体可以包括至少一个切口，使得光学检查装置可以通过至少一个切口从基板的后侧捕获至少一个图像。此外，基板载体可以仅在基板的拐角处附接到基板，使得能够捕获在相应附接区域之间的图像。检查装置可以被安装成使得检查装置的视野能够从后侧经过基板载体以捕获基板和相对于基板对准的掩模的图像。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式，检查布置400、400'、400”可以提供原位检查系统。原位检查系统允许在处理腔室内进行检查。与在两个处理腔室之间的一列式(inline)检查相比，可以在相应处理或沉积之前直接地检验对准。这可以使处理系统的产量提高。此外，可以更节省和/或更有效地使用在处理期间使用的材料。另外，加快光学检查以及沉积工艺。

图5示出根据本文所述的实施方式的对准的掩模和基板布置以及与基板的光学检查相关的不同特征的主视图的示意表示。

根据实施方式，掩模布置和基板布置(和因此的掩模和基板)可以相对于彼此对准。可以在对准之后和在沉积工艺开始之前检验掩模相对于基板的对准。

示例性地，图5示出与掩模20对准的基板10。例如，掩模和基板被对准以进行有机材料沉积，以便形成根据本公开内容的设备和系统中采用的具有例如不同位置的像素的器件。根据实施方式，掩模和基板布置的不同区域或部分(也被称为检查区域)可以由上述检查装置检查。

如图5中进一步所示，掩模20和/或基板可以设有参考标记547，例如在相应拐角处的参考标记。例如，参考标记可以是基准点。可以使用基准点，以便在沉积工艺之前将基板10与掩模20对准。

如本文所使用的术语“基准点”可理解为图案识别标记，图案识别标记可以例如是在基板上和/或在掩模上的例如在中心有圆形裸铜的开口或标记。特别地，基准点可以被蚀刻和/或电铸在掩模和/或基板的边缘区域中。例如，基准点可以位于基板/掩模的边缘附近。可以使用可视化装置和/或检查装置来检测基准点，可视化装置和/或检查装置可以将检测到的图像与例如存储的信息数据进行比较。通过获得关于掩模基准点相对于基板基准点的位置的数据(例如存储在系统的存储器中)，可以计算零件(例如掩模)应相对于基板移动的程度，以确保准确放置。

根据各个实施方式，对准的掩模和基板布置可以分成检查区域545(图5中的虚线)。例如，检查区域545可以位于对准的掩模和基板布置的拐角处和/或位于所述布置的中心。检查区域可以跨掩模的表面分布。例如，可以提供4×6或8×10的检查区域的阵列。然而，检查区域545的位置不限于图5中所示的那些位置。

术语“检查区域”可理解为光学检查装置可以被布置来捕获掩模和基板布置的图像的区域。检查区域可以包括对准的局部检查。可以根据所使用的掩模和/或基板调适区域的数量和位置。因此，所述区域可以由二维坐标(在笛卡尔坐标系中)定义。检查区域可理解为偏移值的计算所基于的区域。

根据一个实施方式，检查装置440可以从至少一个检查区域545捕获至少一个图像。典型地，从一个检查区域捕获多于一个图像。典型地，光学检查装置可以包括一个、两个或更多个照相机。根据一个实施方式，光学检查装置可以捕获基板的至少四个拐角区域的图像。

在实施方式中，通过捕获至少一个检查区域的图像来局部地检查掩模的多个沉积开口与基板的背面图案之间的偏移。

根据实施方式，为了执行对掩模20相对于基板10的位置的调整，可以执行光学检查，以便检验相对于正确对准的可能的变化或偏差。为此目的，可以考虑基准参考标记。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式，检查装置440可以被配置为用于检测偏移掩模值，所述偏移掩模值对应于基板10相对于掩模20的相对位置。可以从用检查装置捕获的图像确定偏移值。

如本文所使用的偏移或偏移值可理解为掩模相对于基板的对准的偏差和/或变化的直接测量或间接测量。因此，偏移值可理解为沉积开口21相对于基板的背面图案11(图5中的阴影圆圈)的移位的直接测量。因此，直接偏移值可以示出距离。例如，可以针对每个检查区域提供偏移值。附加地或替代地，偏移还可以描述所述移位的间接测量。可以关于可为了确定偏移而捕获的若干图像来理解间接测量。因此，偏移值可以是组合彼此独立地测量的若干单个直接值的值。因此，偏移值可理解为平均值或中值。检查装置可以被配置为确定直接和/或间接偏移值。

通过使用根据本公开内容的检查装置440来检测基板10上的偏移值，可以在沉积可以开始之前控制掩模20相对于基板10的对准。可以处理捕获的图像，以便确定偏移值。可以从处理的图像计算偏移值。偏移值可以采用不同的值。未对准可能造成超过或低于预定公差值的偏移值。公差值可以是例如基于相应沉积工艺确定。可以针对一个掩模-基板布置计算一个偏移值或针对每个检查区域和/或所使用的基准点计算一个偏移值。总偏移值可以例如是若干确定的偏移值的中值或平均值。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式，偏移值可以用于使掩模相对于基板(或分别地，使掩模布置相对于基板布置)重新对准。例如，计算偏移值，并且偏移值超过预定公差值或范围。然后，可以将偏移重新转换为例如掩模相对于基板的位置坐标。通过分别作用在对准装置和/或对准致动器上，基板可以通过偏移值或从偏移值确定的对准值来相对于掩模重新对准。因此，可以在检查之后补偿偏移。例如，控制单元可以被配置为基于由光学检查装置捕获的至少一个图像而确定偏移值。控制单元可以进一步被配置为基于偏移值将重新对准值发送到对准装置。重新对准值可理解为例如掩模必须相对于基板移位以补偿先前确定的偏移的校正值。

可以设定预定公差值，使得检测到的偏移值仍然可以被认为是最终产品可接受的，或使得偏移值是最终产品不可接受的。在两种情况下，对准装置可以作用在基板载体上或存在于处理腔室中的掩模载体上。载体可以例如被致动(经由对准装置)以补偿检测到的偏移。

以此方式，可以实时地直接地作用于掩模20和/或基板10的对准致动器，以便微调或重新调整掩模和基板布置的对准。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式，检查装置可以捕获来自不同检查区域的图片。例如，图片显示若干沉积开口21和基板的背面图案11，如图5所示。重新对准可取决于沉积开口与相应背面图案之间的偏移。

根据一个示例，背面图案可以是完全地可见的。可以通过检查装置检测到沉积开口与背面图案之间没有偏移或仅有很小偏移。重新调整可能是多余的。

根据另一个示例，背面图案可以是可见的，但是可以检测到沉积开口与背面图案之间的偏移。10μm或更小、特别是5μm或更小、更特别是3μm或更小的偏移值可以被认为是可接受的。重新调整可能是多余的。

根据又一个示例，背面图案可以仅部分地可见，并且可以检测到沉积开口与相应背面图案之间的偏移。例如，偏移值可以是10μm或更大，特别是20μm或更大。可以根据检测到的偏移值来执行基板相对于掩模的重新对准。

有利地，可以在开始材料沉积之前实时地使用光学检查的结果来调整例如沉积参数，诸如对准参数。因此，可以在最终进行沉积之前重新调整掩模和基板的对准，从而减少处理时间并降低废品率。

如本文所使用的术语“实时”旨在描述光学检查可以在基板相对于掩模的对准之后和在基板上沉积之前进行。因此，掩模偏移的重新对准值可以直接地传递到例如对应的对准致动器。另外，反馈可以涉及例如在一个特定腔室中的特定掩模。

图6示出根据本文所述的实施方式的用于光学检查的检查系统600的示意图。检查系统600可以被配置为光学地检查基板10。检查系统600可以包括用于执行光学检查的检查装置布置，如例如关于图4a至图4c所述的。

检查系统600包括检查装置440，例如用于光学地检查掩模20相对于基板10的相对位置，掩模20用于在处理腔室中处理基板10。掩模和基板可以相对于彼此对准。

根据一个实施方式，在基板10保持在真空条件下的情况下，检查装置440的一些部件，诸如光源644和图像捕获装置646，可以在正常气压(normalairpressure)条件或更低真空条件下位于单独空间中。有利地，可以有助于检查装置440的这些部件的维护过程。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式，检查装置440可以包括用于分别照射基板10或掩模20的光源644、用于拍摄基板10和掩模20的至少一部分的一个或多个图像的一个或多个图像捕获装置646、和/或用于处理捕获的图像的处理装置650。

光源644和/或图像捕获装置646可以根据(预)确定的位置定位，以正确地照射和捕获要研究的基板10的部分的图像。附加地或替代地，入射光和测量的光信号可以由光纤向基板导向和从基板导向。

图像捕获装置646可以是照相机或摄像机，被配置为用于扫描掩模和基板布置的部分。检查装置440可以包括具有单个图像捕获装置的单相机系统，或具有多个图像捕获装置646的多相机系统。具体地，根据本公开内容的一个实施方式的检查装置440可以包括四个图像捕获装置。换句话说，光学检查装置可以包括一个、两个或更多个捕获装置，特别是一个、两个或更多个照相机。

处理装置650处理和/或分析由图像捕获装置646捕获的图像并且/或者控制光源644的照射状况。因此，处理装置650可以包括连接到光源以及图像捕获装置646的处理单元(诸如cpu)。具体地，处理装置650可以将捕获的图像与存储的数据或另一个捕获的图像进行比较，以(例如，通过偏移值)获得关于掩模20相对于基板10的对准质量的信息数据。换句话说，处理装置650可以被配置为用于从一个图像或从多个捕获的图像计算偏移值。

处理装置650可以提供所获得的信息数据，以用于掩模相对于基板的重新对准。所述信息可以影响对准装置。在这方面，对准装置设有专用控制单元，专用控制单元从检查装置440接收信息数据。控制单元可以直接地控制基板载体和/或掩模载体上的对准装置，以调整掩模20相对于基板10的位置。将注意，控制单元可以位于处理腔室外。

图7示出用于图示根据本文所述的实施方式的用于处理基板的方法700的流程图。方法700可以利用根据本文所述的实施方式的布置、设备和系统。同样，设备和系统可以使用方法700。

例如，可以执行方法以将材料沉积在基板上。沉积源可以执行材料沉积。可以将材料沉积到基板上的限定区域。典型地，可以将有机材料沉积在基板上。有机材料可以例如用于形成像素。像素可以包括不同颜色。因此，方法700可以在基板上执行若干次。例如，在一个处理腔室中将用于一次有色(colored)沉积(红色、绿色或蓝色)的材料沉积在基板上。然后，可以在不同处理腔室中将用于其它有色沉积(红色、绿色或蓝色)的材料沉积在基板上。

方法700包括在框760中将具有多个沉积开口的掩模运输到处理腔室中。

掩模可以包括沉积开口，沉积开口可以以相应图案布置。典型地，掩模可以是具有多于100,000个沉积开口的精细金属掩模。

方法700进一步包括在框770中将具有背面图案的基板运输到处理腔室中。

可以经由相应掩模和/或基板载体运输掩模和基板。因此，可以将掩模布置以及基板布置运输到处理腔室中。可以经由关于图1描述的轨道布置将掩模布置和/或基板布置运输到处理腔室。例如，可以经由第一轨道布置将基板10运输到处理腔室。可以经由第二轨道布置将掩模20运输到相同的处理腔室。

如上所述，轨道布置还可以用于运输基板和/或掩模进出处理腔室。特别地，随后，可以将基板运输到第一处理腔室、第二处理腔室和/或第三处理腔室。可以在竖直取向上运输基板和/或掩模。或者，也可以在水平取向上运输基板和掩模。

方法700进一步包括框780，框780将基板相对于掩模对准。

可以使掩模布置和基板布置或掩模和基板布置相对于彼此对准。例如，可以使基板相对于掩模对准。

可以在对准之前和/或对准期间由根据关于图3a和图3b的描述的保持布置将掩模和基板保持在合适位置。参考标记、特别是可设在掩模和基板中的至少一个上的基准标记可以用作对准的参考点。因此，可以基于掩模和/或基板的拐角处的基准点来执行对准。对准可以由对准装置执行。保持布置可以包括对准装置。对准装置可包括对准致动器，对准致动器可以改变掩模和/或基板相对于彼此的位置。掩模和基板布置可以特别是在竖直取向上对准。

方法700进一步包括框790，框790用光学检查装置至少局部地检查多个沉积开口与背面图案之间的偏移。

为了检查掩模与基板之间的偏移，检查装置可以采用若干配置。附加地或替代地，检查装置可以在处理腔室内移动。光学检查装置可以可移动地安装。光学检查装置可以例如附接到处理腔室，并且可以特别地安装到处理腔室的顶壁或侧壁101。

根据一个实施方式，光学检查装置可以附接到可移动固定件。可移动固定件可以包括可移动或可折叠臂，如关于图4b所述。光学检查装置可以固定到可移动固定件。可移动固定件可以附接到处理腔室。可移动固定件可以是在掩模和基板布置的前侧上可移动的。或者，固定件可以附接在腔室的其它地方，例如，在沉积源处或在处理腔室的侧壁处。

根据一个实施方式，检查装置可以附接到可移动沉积源。例如，光学检查装置可以安装到可移动沉积源的背侧，在背侧不释放沉积材料。光学检查装置可以直接地或间接地可移动地附接或可移动地固定到沉积源。间接地固定到沉积源可以包括可移动地固定到可移动臂，可移动臂可移动地固定到沉积源。典型地，光学检查装置可以固定到可移动沉积源。因此，方法可以进一步包括使可移动沉积源移动经过基板并用光学检查装置捕获基板的图像。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式，光学检查装置可以移动到基板的前侧上的检查位置，并且可以捕获至少一个图像，至少一个图像显示在多个沉积开口后方的背面图案的部分。例如，检查装置可以固定到沉积源，并且沉积源可以布置在掩模和基板布置的前侧上。因此，可以捕获至少一个图像，至少一个图像可以包括“掩模-基板”或“沉积开口-背面图案”透视图。

根据一个实施方式，检查装置可以附接到基板载体的后侧，如关于图4c所述。基板载体可以设有至少一个切口，使得光学检查装置可以通过至少一个切口从基板的后侧捕获至少一个图像。基板可以是至少部分地透明的。因此，光学检查装置可以捕获具有“基板-掩模”和/或“背面图案-沉积开口”透视图的图像。

方法700可以进一步包括光学检查装置，光学检查装置捕获相对于掩模对准的基板(或相对于基板对准的掩模)的一个或多个部分的图像，并且处理捕获的图像以确定至少一个偏移值，如关于图5所述。处理捕获的图像可以由控制单元执行。通过处理捕获的图像，可以获得包括偏移掩模值的数据，所述偏移掩模值对应于基板10相对于掩模20的相对位置。

计算的偏移掩模值可以用作反馈数据，以用于在处理腔室中沉积有机层之前重新调整掩模20相对于基板10的对准。

方法700可以进一步包括基于至少一个偏移值而使基板相对于掩模重新对准。因此，可以检验和/或监视掩模相对于基板的对准。在已经检验对准之后，可以发起材料沉积。

根据一个实施方式，方法700可以进一步包括照射掩模和基板布置，捕获至少一部分(例如，基板的检查区域、特别是掩模和基板布置的检查区域)的图像，并且处理在不同照明(lighting)条件下拍摄的掩模和基板布置的图像。

方法700可以进一步包括在运输、对准和检查中的至少一个的期间基本上竖直取向的掩模和基板。此外，掩模和基板在沉积材料期间可以基本上竖直地取向。典型地，一种或多种材料可以通过多个沉积开口沉积在基板上。因此，可以实现特定图案。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式，方法700可以进一步包括通过对来自由多个图像捕获装置拍摄的并针对基板和掩模布置或相应掩模和基板的多个部分的捕获的图像的信息数据进行平均来计算偏移值。以此方式，可以获得关于掩模和基板的对准的更精确的数据。

使用多个图像捕获装置646可以产生(例如，以相同的视角)同时收集基板10的不同部分的图像的优点。例如，如果图像捕获装置646位于距基板10相同的距离处，具有相同视场，那么就可以达成这一优点。或者，多个图像捕获装置646可以位于距基板10不同的距离处，具有不同视场，以便从不同视角捕获基板10或基板10的部分。可以用可通过例如机械臂在基板10上移动的单个图像捕获装置来获得类似的结果。

所述的方法包括还与关于图1至图6描述的设备和布置相关联的优点，因为方法可以利用相应实施方式。

图8示出根据本文所述的实施方式的用于真空处理基板的系统800的示意表示。

根据本公开内容的布置、设备、系统和方法可以是系统800或类似的制造系统的一部分。

系统800一般可以包括如本文所述的设备。基板可以耦接到对准装置的第一固定件，并且掩模可以耦接到对准装置的第二固定件。固定件可以是关于图3a和图3b描述的保持布置的一部分。此外，对准装置可以是关于图3a和图3b描述的对准装置。

根据可与本文所述的任何其它实施方式组合的一些实施方式，系统800包括真空腔室(例如，真空处理腔室805)，所述真空腔室具有根据本文所述的实施方式的检查装置和对准装置。系统800可以包括至少一个另外的腔室802，所述至少一个另外的腔室具有关于图1描述的轨道布置。至少一个另外的腔室802可以是旋转模块、转接模块或以上项的组合。在旋转模块中，轨道布置和布置在轨道布置上的载体可以围绕旋转轴线(诸如竖直旋转轴线)旋转。例如，载体可以从系统800的左侧传送到系统800的右侧，或从系统800的右侧传送到系统800的左侧。转接模块可以包括交叉轨道，使得载体可以在不同方向(例如，彼此垂直的方向)上传送通过转接模块。

真空处理腔室805可以被配置为用于沉积有机材料。沉积源130，特别是蒸发源，可以设在真空处理腔室805中。沉积源130可以设在轨道或线性导件438上，如图8中示例性示出。线性导件438可以被配置为用于沉积源130的平移移动。此外，可以提供用于提供沉积源130的平移移动的驱动器。特别地，可以提供用于沉积源130的非接触运输的运输设备。

可以提供被配置为用于沉积源130的沿着线性导件438的平移移动的源支撑件831。源支撑件831可以支撑蒸发坩埚834和设在蒸发坩埚834上方的分配组件836。因此，蒸发坩埚中产生的蒸气可以向上移动并从分配组件的一个或多个出口移出。分配组件836被配置为用于从分配组件向基板提供蒸发的有机材料，特别是蒸发的源材料的羽流。

如图8中示例性示出，真空处理腔室805可以具有栅阀807，真空处理腔室805可以经由栅阀807来连接到相邻的另外的腔室802，例如路由模块或相邻维修模块。特别地，栅阀807允许对相邻另外的腔室进行真空密封，并且可以打开和关闭以使基板和/或掩模移入或移出真空处理腔室805。

示例性参考图8，根据可与本文所述的任何其它实施方式组合的实施方式，两个基板，例如第一基板10a和第二基板10b，可以支撑在相应运输轨道上，诸如如本文所述的相应第一轨道布置110。此外，可以提供用于在轨道上提供掩模载体25的两个轨道，例如，如本文所述的两个第二轨道布置120。在一些实施方式中，基板的涂覆可以包括使用相应掩模来掩蔽基板，例如，使用边缘排除掩模或阴影掩模。根据一些实施方式，掩模(例如，对应于第一基板10a的第一掩模20a和对应于第二基板10b的第二掩模20b)设在掩模载体25中，以将掩模保持在预定和对准的位置。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，基板由基板载体支撑，基板载体可以连接到保持布置828。保持布置828可以如关于图3a和图3b所述的那样配置。特别地，保持布置828可以包括对准装置，对准装置被配置为用于调整基板相对于掩模的位置。将理解，基板可相对于掩模移动，以便在有机材料的沉积之前和/或在有机材料沉积期间提供基板与掩模之间的适当对准。根据可与本文所述的其它实施方式组合的另外实施方式，替代地或附加地，保持掩模的掩模载体25可以连接到保持布置828。因此，掩模可相对于基板定位，或掩模和基板两者可相对于彼此定位。如本文所述的对准系统可以允许在沉积工艺期间适当对准掩模，这有益于高质量oled显示器制造。

虽然图8中示出一个单独真空处理腔室，但是将理解，系统可以包括两个或更多个真空处理腔室。不同真空处理腔室可以被配置为用于在基板上沉积不同的材料或材料层。

例如，可以使用不同掩模或掩模相对于基板的位置在基板上沉积多个层或膜，例如，以产生例如具有不同颜色性质的像素。作为一个示例，可以沉积第一层或膜以产生红色像素，可以沉积第二层或膜以产生绿色像素，并且可以沉积第三层或膜以产生蓝色像素。

每个有色像素的沉积可以在不同的真空腔室中进行。基板可以经由轨道布置在相应腔室之间运输。因此，可能发生空白基板或已涂覆的基板相对于掩模对准，或者掩模相对于空白基板或已涂覆的基板对准。本公开内容的检查装置可以改善不同真空处理腔室中的这种对准，使得也可以改善沉积在基板上的多个层的相对对准。

例如，本公开内容的实施方式可以提供至少±3μm的对准准确度。

根据本公开内容的实施方式具有若干优点，包括以有效的方式检验掩模(诸如精细金属掩模)与基板之间的对准的可能性，特别是在沉积有机层之前通过使用对保持在基本上竖直的位置的基板的自动光学检查。

此外，根据本公开内容的实施方式具有以下优点：在有机层的沉积期间存在的相同条件(例如，基板取向和压力)下，在不中断生产线的情况下执行对准的掩模和基板的光学检查。

另外，根据本公开内容的实施方式具有以下优点：使得能够在沉积工艺开始之前使掩模相对于基板重新对准，由此节省用于沉积工艺的材料。这是可能的，因为光学检查的结果可以实时使用。因此，可以在进行沉积之前重新调整掩模和基板的对准，从而减少处理时间。

虽然前述内容针对的是本公开内容的实施方式，但是可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其它和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。