一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置的制作方法

本发明属于化学气相沉积技术领域，特别是一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置。

背景技术：

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。

利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)技术制备新材料已经成为越来越重要的方法，最典型的例子就是化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)技术大面积生长石墨烯异质结。现有装置中，用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)制备石墨烯异质结时，通常直接把生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上，而把生产石墨烯异质结的悬浮催化剂放置在基本上方。由于在制备石墨烯异质结的过程中，悬浮催化剂和基板之间的距离要控制在极小的反应距离内，通常是100μm，优选20μm到50μ。反映过程中，悬浮催化剂易于基板接触进而影响生产得到的石墨烯异质结的质量，为实现基板和催化剂之间的接触检测判断，常设置电路检测系统。

现有装置存在以下缺陷和不足：

1.把生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上，缩短了加热器本身离承载悬浮催化剂的载板之间的距离，进而易导致载板受热形变，载板受热形更易导致悬浮催化剂与基板的接触，进而更难保证生产得到的石墨烯异质结的质量。

2.把生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上，导致载板和加热器之间相对距离较近，约等于反应距离，且两者的相对表面积大，使得载板易受加热器影响而存在受热形变现象，该现象的存在加上载板和加热器两者的相对表面积大的具体装置环境以使得加热器朝向悬浮催化剂的表面和载板的接触，加热器和载板的接触将影响的用于基板和催化剂之间的接触检测判断的电路检测系统的准确度，进而不能有效保证生产得到的石墨烯异质结的质量。

综上，现有技术的生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上的装置不能有效保证生产得到的石墨烯异质结的质量。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，以解决现有技术中的不足，它能够提高石墨烯异质结的质量保证。

本发明采用的技术方案如下：

一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，所述装置包括：

设置在竖直方向上的彼此相对的可升降的上加热器和可升降的下加热器；

支撑架，固定设置在所述下加热器上，且位于所述下加热器和所述上加热器之间；

托盘，设置在所述支撑架远离所述下加热器的一侧，用于承载基板；

悬浮催化剂装置，用于提供催化剂至所述基板正上方；

所述支撑架的平行所述下加热器和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器至所述托盘逐渐减小，且所述托盘用于承载基板的表面高于所述支撑架；

所述支撑架可导电，所述基板通过所述托盘内嵌装的导电线电连接所述支撑架。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述支撑架的材质为钨、钼、钽之一。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述支撑架包括多根第一支撑柱；

各所述第一支撑柱均匀设置在所述下加热器上，并背离所述下加热器延伸，并共同连接且承载所述托盘。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述第一支撑柱连接所述托盘的一端端面设置有用于固定连接所述托盘的钳口。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，意两相邻所述第一支撑柱之间均设置有子架；

所述子架支撑固定与该子架相邻的两所述第一支撑柱。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述子架包括交叉设置的第一纵柱和第一横柱；

所述第一纵柱的一端固定连接所述下加热器，所述第一纵柱的另一端固定连接所述第一横柱的中间部位，所述第一横柱的两端分别固定连接两相邻的所述第一支撑柱。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述第一横柱包括两固定连接的第一子横柱；

所述第一子横柱的一端固定连接与之相邻的所述第一支撑柱，所述第一子横柱的另一端固定连接与之相邻的所述第一纵柱；且所述第一子横柱固定连接所述第一纵柱的一端低于所述第一子横柱固定连接所述第一支撑柱的一端。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述托盘用于承载所述基板的表面上设置有第一凹槽，所述第一凹槽内放置有第一导电板，第一导电板上可放置所述基板；

所述托盘内设置有第一通槽，所述第一通槽垂直并连通所述第一凹槽，且延伸至所述托盘的相对侧表面；

所述第一通槽内嵌装有第一导电线，所述第一导电线的一端连接所述第一导电板，所述第一导电线的另一端连接所述支撑架。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述托盘包括平行放置且固定连接的第一盘和第二盘；

所述第一盘位于所述第二盘的上方，且两者同轴设置，及所述第一盘的面积小于所述第二盘的面积；

所述第二盘固定连接所述支撑架；

所述第一盘远离所述第二盘的表面设置有所述第一凹槽，所述第一凹槽内可放置所述第一导电板；

所述第一盘内设置有一部分所述第一通槽，所述第一通槽垂直并连通所述第一凹槽，且所述第一通槽的另一部分延伸至所述第二盘远离所述第一盘的表面；

所述第一盘远离所述第二盘的表面高于所述支撑架。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述第二盘远离所述第一盘的表面上设置有第二凹槽；

所述第二凹槽垂直并连通位于所述第二盘内的所述第一通槽，且所述第二凹槽用于在所述第二盘远离所述第一盘的表面上嵌装所述第一导电线连接所述支撑架的一端。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述悬浮催化剂装置包括：

设置在所述上加热器和所述托盘之间的具有一个或多个用于安放催化剂的穿孔的可转动载板。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述托盘为耐高温的透明材料。

如上所述的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其中，优选的是，所述下加热器和所述上加热器均包括加热器壳体、设置在所述加热器壳体内的加热盘和缠绕在所述加热盘上的加热丝；

所述加热器壳体朝向所述托盘的一侧固定设置有陶瓷板；

所述支撑架固定设置在所述下加热器的陶瓷板上。

与现有技术相比，本发明提供的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，通过支撑架支撑用于承载基板的托盘，避免了生产石墨烯异质结的基板直接近距离放置在下加热器上，而是利用上加热器和下加热器两个热源的热量辐射场进行空间非接触式的辐射加热。该过程中，确保了基板处的温度，即反映温度，通常为900～1200℃。同时，也使得该温度只聚焦在反应区附近，而反应区周围热量分布可以得到适当降低，处于反应区周围空间的悬浮催化剂装置的受热变形将会减小。所述悬浮催化剂装置包括设置在所述上加热器和所述托盘之间的具有一个或多个用于安放催化剂的穿孔的载板。悬浮催化剂装置的受热变形减小一方面包括悬浮催化剂本身的受热变形的减小，该现象能够一定程度上减少基板和悬浮催化剂的接触频率，进而保证得到的石墨烯异质结的质量。悬浮催化剂装置的受热变形减小另一方面包括加载悬浮催化剂的载板的受热变形的减小，该现象也能够一定程度上减少基板和悬浮催化剂的接触频率，进而保证得到的石墨烯异质结的质量。在装置结构的宏观表现上，悬浮催化剂装置整体离加热器的距离变大，一方面避免了悬浮催化剂装置与加热器，指下加热器两者之间存在的接触，另一方面，悬浮催化剂装置整体受到的热辐射形变作用减小。另外，通过“所述支撑架的平行所述下加热器和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器至所述托盘逐渐减小，且所述托盘用于承载基板的表面高于所述支撑架”的设置，设置了一个下大上小的金字塔形的支撑架，支撑架的顶部设置托盘，“托盘用于承载基板的表面高于所述支撑架”可以理解为托盘用于承载基板的表面高于所述支撑架的最高处，因此，进一步保证了悬浮催化剂装置不仅不会与下加热器接触，悬浮催化剂装置也不会与支撑架接触导通。在此基础上，当连接在支撑架和悬浮催化剂装置之间的电路检测装置导通时，检测到的只能是基板和催化剂之间的接触导通，提高了用于基板和催化剂之间的接触检测判断的电路检测系统的准确度，进而能有效保证生产得到的石墨烯异质结的质量。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置的价结构示意图；

图2是支撑架设置在下加热器上的一个方向的结构示意图；

图3是支撑架承载托盘的一方向结构示意图；

图4是托盘的一个方向结构示意图。

附图标记说明：

1-上加热器；

2-下加热器；

3-支撑架，31-第一支撑柱，311-第一直柱，312-第一弯柱，313-第二弯柱，32-钳口，33-子架，331-第一纵柱，332-第一横柱；

4-托盘，41-第一盘，42-第二盘；

5-陶瓷板；

6-悬浮催化剂装置；

7-基板。

具体实施方式

下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

本申请的申请人经过大量实验发现，基于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)生产石墨烯异质结时，基板直接放置在加热器上，存在着加热器与载板之间距离较近而导致的一系列缺陷和不足，具体为：

1.把生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上，缩短了加热器本身离承载悬浮催化剂的载板之间的距离，进而易导致载板受热形变，载板受热形更易导致悬浮催化剂与基板的接触，进而更难保证生产得到的石墨烯异质结的质量。

2.把生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上，导致载板和加热器之间相对距离较近，约等于反应距离，且两者的相对表面积大，使得载板易受加热器影响而存在受热形变现象，该现象的存在加上载板和加热器两者的相对表面积大的具体装置环境易使得加热器朝向悬浮催化剂的表面和载板发生接触，加热器和载板的接触将影响用于基板和催化剂之间的接触检测判断的电路检测系统的准确度，进而不能有效保证生产得到的石墨烯异质结的质量。

基于以上缺陷和不足，本申请的申请人对现有装置进行了改进工作，并提出一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置的专利申请。

如图1至图4所示，本申请的实施例提供的一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置包括：设置在竖直方向上的彼此相对的可升降的上加热器1和可升降的下加热器2；固定设置在所述下加热器2上且位于所述下加热器2和所述上加热器1之间的支撑架3、设置在所述支撑架3远离所述下加热器2的一侧用于承载基板7的托盘4、用于提供催化剂至所述基板7正上方的悬浮催化剂装置6。且该结构中，所述支撑架3的平行所述下加热器2和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器2至所述托盘4逐渐减小，且所述托盘4用于承载基板7的表面高于所述支撑架3；同时，所述支撑架3可导电，所述基板7通过所述托盘4内嵌装的导电线电连接所述支撑架3。

以上结构的化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，通过支撑架3支撑用于承载基板7的托盘4，避免了生产石墨烯异质结的基板7直接近距离放置在下加热器2上，而是利用上加热器1和下加热器2两个热源的热量辐射场进行空间非接触式的辐射加热。该过程中，确保了基板7处的温度，即反映温度，通常为900～1200℃。同时，也使得该温度只聚焦在反应区附近，而反应区周围热量分布可以得到适当降低，处于反应区周围空间的悬浮催化剂装置的受热变形将会减小。所述悬浮催化剂装置6包括设置在所述上加热器1和所述托盘4之间的具有一个或多个用于安放催化剂的穿孔的载板。悬浮催化剂装置6的受热变形减小一方面包括悬浮催化剂本身的受热变形的减小，该现象能够一定程度上减少基板7和悬浮催化剂的接触频率，进而保证得到的石墨烯异质结的质量。悬浮催化剂装置的受热变形减小另一方面包括加载悬浮催化剂的载板的受热变形的减小，该现象也能够一定程度上减少基板7和悬浮催化剂的接触频率，进而保证得到的石墨烯异质结的质量。在装置结构的宏观表现上，悬浮催化剂装置6整体离加热器的距离变大，一方面避免了悬浮催化剂装置6与加热器，指下加热器2，两者之间存在的接触，另一方面，悬浮催化剂装置6整体受到的热辐射形变作用减小。另外，通过“所述支撑架3的平行所述下加热器2和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器2至所述托盘4逐渐减小，且所述托盘4用于承载基板7的表面高于所述支撑架3”的设置，设置了一个下大上小的金字塔形的支撑架3，支撑架3的顶部设置托盘4，“托盘4用于承载基板7的表面高于所述支撑架3”可以理解为托盘4用于承载基板7的表面高于所述支撑架3的最高处，因此，进一步保证了悬浮催化剂装置6不仅不会与下加热器2接触，悬浮催化剂装置6也不会与支撑架3接触导通。在此基础上，当连接在支撑架3和悬浮催化剂装置6之间的电路检测装置未图示导通时，检测到的只能是基板7和催化剂之间的接触导通，提高了用于基板7和催化剂之间的接触检测判断的电路检测系统的准确度，进而能有效保证生产得到的石墨烯异质结的质量。

在该实施例中，该托盘4为耐高温的透明绝缘材料，优选透明石英材质，透明石英一方面可以保证被加热基板7的受热均匀性；另一方面，石英可以承受高达1000℃的高温，可以确保被加热基板7的受热效果；再者，石英还可以作为阻隔材料阻隔加热器可能带来的粉尘污染。

另外，在该实施例中，所述上加热器1和所述下加热器2用于对所述反应区，即所述上加热器1和所述下加热器2之间所述托盘4上方的区域，提供适合新材料即石墨烯异质结的生长温度。

在实施例中，设置在竖直方向上可升降的的彼此相对的下加热器2和上加热器1为彼此间隔开一定距离的两个加热器，下加热器2和上加热器1的可升降例如可借助于电机轴或其他固定件实现，位于下方的下加热器2例如用于直接加热基板7，位于上方的上加热器1用于直接加热基板7和/或悬浮在载板上的催化剂，由此在反应区中提供适合待制备新材料的温度，例如石墨烯和/或石墨烯异质结在基板7上生长的温度，例900～1200℃的范围内。位于下方的下加热器2表面上设置有托盘4，其用于放置基板7，示例性的，基板7可以为硅片、或表面有六方氮化硼覆层的基底等。

所述下加热器2和所述上加热器1均包括加热器壳体、设置在所述加热器壳体内的加热盘和缠绕在所述加热盘上的加热丝；加热丝例如但不限于为钽加热丝，也可以选用钨作为加热丝，所述加热器壳体朝向所述托盘4的一侧固定设置有陶瓷板5；所述支撑架3固定设置在所述下加热器2的陶瓷板5上。陶瓷板5具有均匀的导热作用，确保热源散发热量的均匀性，同时，陶瓷板5可以作为阻隔材料阻隔加热器可能带来的粉尘污染。再者，在被加热元件端采用耐高温透明材料再次保证热量的有效传输，即保证被加热基板7的热辐射吸收。在具体实施的时候，陶瓷板5优选氮化硼陶瓷板。

在本申请实施例中，可升降的下加热器2和可升降的上加热器1优选通过电机带动加热器实现时，使用的电机优选为步进电机，例如可购自英飞凌公司，其用于控制下加热器2和上加热器1在竖直方向上的运动。在本申请实施例中，下加热器2和上加热器1均可以在竖直方向上自由移动，方便了基板7和/或悬浮催化剂装置6的放置。

另外，基于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)生产石墨烯异质结等新材料时，通常需要在900℃～1200℃作为新材料的生长温度，在如此高的温度下，需要充分相关设备所采用材料的受热形变。在本实施例中，尤其需要考虑支撑架3的受热形变。在本实施例中，通过材料的选择和结构的设计来提供支撑架3。

具体的，在材料选择方面，可以选择导电的耐高温高强度的金属，例如钨、钼、钽；也可以选择不导电的高强度的陶瓷，例如碳化硅、氮化硼、石英等。本实施例综合成本和加工的方便性优选钨。

具体的，在结构设计方面，提供了如下结构的支撑架3。所述支撑架3包括多根第一支撑柱31；各所述第一支撑柱31均匀设置在所述下加热器2上，并背离所述下加热器2延伸，并共同连接且承载所述托盘4。

在具体设置的时候，如图2所示，可以设置至少3根第一支撑柱31，以保证支撑架3结构整体的稳定性。本实施例优选采用4根第一支撑柱31，4根第一支撑柱31均采用钨材质制备，并均匀设置在所述下加热器2，4根第一支撑柱31远离下加热器2的一端共同连接且承载所述托盘4，保证了托盘4的稳定性。

为了保证第一支撑柱31与托盘4之间的稳定连接，本实施例中，在所述第一支撑柱31连接所述托盘4的一端端面设置有用于固定连接所述托盘4的钳口32。托盘4的边缘嵌装在所述钳口32内，实现了第一支撑柱31的端部与托盘4面接触连接，避免了仅通过第一支撑柱31的端部与托盘4之间点接触连接的不牢靠性，避免了托盘4的意外脱落。在托盘4的周侧均匀设置四根第一支撑柱31，四根第一支撑柱31与托盘4均通过钳口32连接，可以有效避免第一支撑柱31受热变形时导致的托盘4意外脱落情况的发生。

同时，作为本申请的优选实施方式，任意两相邻所述第一支撑柱31之间均设置有子架33；所述子架33支撑固定与该子架33相邻的两所述第一支撑柱31。通过子架33可以起到加强固定各第一支撑柱31形成的支撑架3的作用，有效的保证了托盘4的稳定性。子架33也优先钨材料制备。

作为本实施例的优选技术方案，请参阅图2和图所示，所述子架33包括交叉设置的第一纵柱331和第一横柱332；所述第一纵柱331的一端固定连接所述下加热器2，所述第一纵柱331的另一端固定连接所述第一横柱332的中间部位，所述第一横柱332的两端分别固定连接两相邻的所述第一支撑柱31。通过第一纵柱331和第一横柱332组成的子架33是纵横交错型支架，结构更加稳定。同时，4根第一支撑柱31配合任意两相邻第一支撑柱31之间均设置的具有纵横交错结构的子架33形成的一个稳定的笼子型支撑架3，稳定性较好。

作为本实施例的优选技术方案，所述第一横柱332包括两固定连接的第一子横柱；所述第一子横柱的一端固定连接与之相邻的所述第一支撑柱31，所述第一子横柱的另一端固定连接与之相邻的所述第一纵柱331；两所述第一子横柱之间成一定夹角。两所述第一子横柱之间的夹角可以根据两相邻第一支撑柱31的摆布设置，在此不做具体限制，以达到更好支撑支撑架3的效果为准。

作为本实施例的优选技术方案，所述第一子横柱固定连接所述第一纵柱331的一端低于所述第一子横柱固定连接所述第一支撑柱31的一端。该设置不仅为相邻两第一支撑柱31提供了左右方向的支撑力，也为第一支撑柱31提供向上支撑力的作用，后者为第一支撑柱31的高温形变导致托盘4下沉具有一定的抑制作用。

在具体实施的时候，所述第一子横柱相对水平方向朝上的倾斜度为8°到15°，包括端点值。优选的，该倾斜角度为10°。

作为本实施例的优选技术方案，所述第一支撑柱31包括依次连接且一体成型的第一直柱311、第一弯柱312和第二弯柱313；所述第一直柱311远离所述第一弯柱312的一端固定连接所述下加热器2；所述第一弯柱312相对水平方向朝上的倾斜度大于第二弯柱313相对水平方向朝上的倾斜度；所述第一纵柱331远离所述下加热器2的一端高于所述第一弯柱312远离所述第一直柱311的一端，且低于所述第二弯柱313远离所述第一弯柱312的一端。

在具体操作的时候，可以通过下加热器2的热量分布寻找托盘4的最佳放置位置，然后根据托盘4的最佳放置位置，设置第一支撑柱31的结构。在本实施例中，请继续参阅图2和图3所示，设置依次连接且一体成型的第一直柱311、第一弯柱312和第二弯柱313，第一弯柱312和第二弯柱313两者的弯折方向基本保持一致，4根形状一致的第一支撑柱31在空间排布上，其相同侧的一端均匀设置在一个圆周上，即下加热器2上，另一相同侧的一端均延伸朝向另一个圆周上，即托盘4的周缘，且托盘4的面积小于下加热器2上4根第一支撑柱31排布的圆周的面积，则4根第一支撑柱31空间呈现球形排布，具有更好的稳定性。

为了确保连接在支撑架3和悬浮催化剂装置6之间的电路检测装置的正常实施例，不仅设置支撑架3为可导电的，也针对对支撑架3和基板7之间的导电做了设计，具体为：所述托盘4用于承载所述基板7的表面上设置有第一凹槽，所述第一凹槽内放置有第一导电板，第一导电板上可放置所述基板7；所述托盘4内设置有第一通槽，所述第一通槽垂直并连通所述第一凹槽，且延伸至所述托盘4的相对侧表面；所述第一通槽内嵌装有第一导电线，所述第一导电线的一端连接所述第一导电板，所述第一导电线的另一端连接所述支撑架3。通过以上结构实现了第一导电线在托盘4的嵌装，该嵌装结构稳定牢靠，能够保证连接在支撑架3和悬浮催化剂装置6之间的电路检测装置的可靠性。

为确保悬浮催化剂装置6不会与支撑架3接触导通，作为本实施例的优选技术方案，请参阅图4所示，本实施例提供的所述托盘4包括平行放置且固定连接的第一盘41和第二盘42；所述第一盘41位于所述第二盘42的上方，且两者同轴设置，及所述第一盘41的面积小于所述第二盘42的面积；所述第二盘42固定连接所述支撑架3；所述第一盘41远离所述第二盘42的表面设置有所述第一凹槽，所述第一凹槽内可放置所述第一导电板；所述第一盘41内设置有一部分所述第一通槽，所述第一通槽垂直并连通所述第一凹槽，且所述第一通槽的另一部分延伸至所述第二盘42远离所述第一盘41的表面；所述第一盘41远离所述第二盘42的表面高于所述支撑架3。

进一步的，所述第二盘42远离所述第一盘41的表面上设置有第二凹槽；所述第二凹槽垂直并连通位于所述第二盘42内的所述第一通槽，且所述第二凹槽用于在所述第二盘42远离所述第一盘41的表面上嵌装所述第一导电线连接所述支撑架3的一端。

在具体实施例的时候，可以将铂箔裁剪成条状长触须作为第一导电线，将条状长触须的放入挖好的第一通槽和第二凹槽实现基板7与支撑架3的电连接。需要说明的是，第一通槽和第二凹槽两者数量均与支撑架3包含的第一支撑柱31的数量至一致的，以保证基板7的全方位检测。

优选的，所述悬浮催化剂装置6包括设置在所述上加热器1和所述托盘4之间的具有一个或多个用于安放催化剂的穿孔的载板，载板优先耐高温的高强度的钨、钼、钽之一制备，优选钨制备。悬浮催化剂装置6可以通过穿设在载板中心的转轴实现空间放置，此时，载板为可转动载板。悬浮催化剂装置6可以通过设置在载板下发的滑轨实现空间空间，本实施例并不做具体限制。

综上，本实施例提供了一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，该装置，采用设置在下加热器2上的支撑架3承载基板7的托盘4，实现了热量在反应区的聚焦，避免了热量对其它装置设备的影响，减少了其它装置设备的热形变对生产石墨烯异质结的影响，也通过个转置设备空间位置的对应性改变，确保了用于基板7和催化剂之间的接触检测判断的电路检测系统的准确度，进而共同保证生产得到的石墨烯异质结的质量。

以上依据图式所示的实施例详细说明了本发明的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本发明的较佳实施例，但本发明不以图面所示限定实施范围，凡是依照本发明的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本发明的保护范围内。