在各个基材保持器313上的基材组之间施加交流电压，在两组基材彼此之间即一对基材保持器313彼此之间产生辉光放电，在基材W上形成皮膜。
[0101]此时，由于等离子体主要形成在基材保持器313间的空间中，所以形成的皮膜向面对该空间的部分偏倚。因此，在成膜室301的内表面上几乎不形成皮膜。当皮膜形成完成时，将等离子体产生电源10的输出停止，将加工气体的导入也停止。由此，成膜工序完成。
[0102]接着，将加载互锁真空室330与成膜室301之间的隔离阀43打开，将基材W与基材保持器313 —起从成膜室301向加载互锁真空室330移送。在移送完成后，将两室301、330间的隔离阀43闭合，成膜室301再次成为等待来自加载互锁真空室20的基材W运入的状态。
[0103]加载互锁真空室330内在经过了基材W的预定的冷却时间后，接受大气或惰性气体的导入而成为大气压状态。然后，将隔离阀44打开，将基材W与基材保持器313 —起从加载互锁真空室330运出。由此，成膜的处理完成。在将隔离阀44闭合后，将加载互锁真空室330再次排气，成为等待来自成膜室301的下个批次的移送的状态。
[0104]根据第3实施方式的等离子体化学气相沉积装置300，皮膜形成在基材及基材保持器上发生，但在成膜室的壁面等上几乎不发生。由于将基材及基材保持器按照每一个批次运出，所以能够将向成膜室的皮膜形成维持为最小限度。结果，即使进行对于许多批次的成膜，也不会污染成膜室，不会发生导致缺陷的皮膜薄片的飞散、以及伴随着绝缘皮膜的形成的工艺的变动。
[0105]〈第4实施方式〉
以下，对图7所示的本发明的第4实施方式的等离子体化学气相沉积装置400进行说明。另外，第4实施方式的等离子体化学气相沉积装置400是不包括上述第3实施方式的等离子体化学气相沉积装置300中的下游侧的加载互锁真空室330的所谓往复式的装置。除此以外与第3实施方式是相同的，所以关于与上述说明重复的部分在这里不重复说明。
[0106]图7表不第4实施方式的等离子体化学气相沉积装置400。该图7对应于图6A。该等离子体化学气相沉积装置400具有包括等离子体化学气相沉积机构的成膜室401 (真空腔室402)和配置在其上游侧的加载互锁真空室320，但在成膜装置401的下游侧没有设置加载互锁真空室。因此，成膜室401 (真空腔室402)不具有下游侧的开口部。
[0107]在该等离子体化学气相沉积装置400中，如图7所示，在成膜室401中的成膜处理完成后，将基材W及基材保持器313向上游侧的加载互锁真空室320逆向输送，再在大气状态下从等离子体化学气相沉积装置400运出。
[0108]在该等离子体化学气相沉积装置400中，与第3实施方式的等离子体化学气相沉积装置300相比，隔室数较少，能够抑制设备成本。
[0109]〈第5实施方式〉
以下，对图8A所示的本发明的第5实施方式的等离子体化学气相沉积装置500进行说明。另外，第5实施方式的等离子体化学气相沉积装置500与上述第I实施方式的等离子体化学气相沉积装置100相比，基材W的配置不同。除此以外与第I实施方式是相同的，所以关于与上述说明重复的部分在这里不重复说明。
[0110]图8A表不第5实施方式的等离子体化学气相沉积装置500。该图8A对应于图4A。该等离子体化学气相沉积装置500包括:作为包括等离子体化学气相沉积机构的成膜室501的具有真空腔室502的室；加载互锁真空室520，配置在其上游侧；和加载互锁真空室530，配置在其下游侧。在该等离子体化学气相沉积装置500中，对如图SB所示的平板状或大致平板状的多个基材W进行处理。将这些基材W隔开间隔地配置为多层。将这些基材W每隔一个分类到不同的组。换言之，将排列为多层的基材W以每隔一个为相同电位的方式电气地连接，并且与不同的组及真空腔室至少在成膜室501中绝缘。
[0111]作为变形例，如图SC所示，也可以将平板状的基材保持器513隔开间隔配置为多层，在各基材保持器513的两面上安装基材W。
[0112]这样，将以多层隔开间隔地重叠的基材W或设置了基材W的基材保持器513向等离子体化学气相沉积装置500运入。
[0113]被运入到成膜室501中的基材W的成膜如下所述进展。向被真空排气的成膜室501的基材W彼此之间或基材保持器513彼此之间的空间供给加工气体(成膜原料气体、反应气体、辅助气体)，由此将该空间的压力维持为预定压力。在该状态下，交流的等离子体产生电源10对多层配置的基材W或基材保持器513供给高频的交流功率。结果，对A组或B组的基材W (或固定在基材保持器513上的基材W)之间施加交流电压，在两组基材W彼此之间(或两组基材保持器513间)产生辉光放电，在基材W上形成皮膜。在该情况下，等离子体在层叠为多层的基材W之间(或基材保持器513间)的空间中产生。由此，能够在基材W的两面或基材保持器513的两面上进行皮膜形成。
[0114]〈第6实施方式〉
以下，对图9所示的本发明的第6实施方式的等离子体化学气相沉积装置600进行说明。另外，第6实施方式的等离子体化学气相沉积装置600与上述实施方式的等离子体化学气相沉积装置相比，隔室的配置及基材工作台的动作不同。除此以外与上述其他实施方式是相同的，所以关于与上述说明重复的部分在这里不重复说明。
[0115]图9是第6实施方式的等离子体化学气相沉积装置600的平面图。该图9对应于图2。该等离子体化学气相沉积装置600包括:转换腔室610，从上方观察配置在中央的位置；配置在其周围的多个室，即在图的左侧配置在上游侧的加载互锁真空室20、配置在上侧而将中间层成膜的中间层成膜室40、作为配置在下侧的成膜室I的具有真空腔室2的室、和在图的右侧的配置在下游侧的加载互锁真空室30。在加载互锁真空室20上设置有作为基材W的运入用的门的隔离阀65，在加载互锁真空室30上设置有作为基材W的运出用的门的隔离阀66。
[0116]在转换腔室610与其周围的各室之间分别配置有隔离阀。详细地讲，分别开闭自如地在转换腔室610与加载互锁真空室20之间设置有隔离阀61，在转换腔室610与成膜室I之间设置有隔离阀62，在转换腔室610与中间层成膜室40之间设置有隔离阀63，在转换腔室610与加载互锁真空室30之间设置有隔离阀64。这些隔离阀能够将转换腔室610、成膜室I及中间层成膜室40在等离子体化学气相沉积装置600的运转过程中维持为被排气为真空状态的状态。
[0117]如图9所示，基材W与第I实施方式同样，搭载在配置有6个自转工作台4的公转工作台5上。基材W保持搭载在公转工作台5上的状态被从该等离子体化学气相沉积装置600的外部向上游侧的加载互锁真空室20运入，经由转换腔室610被向中间层成膜室40、成膜室I的真空腔室2、下游侧的加载互锁真空室30依次移送，被从下游侧的加载互锁真空室30向该等离子体化学气相沉积装置600的外部运出。将该公转工作台5的移送顺序在图9中用中空箭头表示。
[0118]关于公转工作台5的移送机构，使用与第I实施方式所示的工作台台车50相同或与其类似的机构。在图9所示的例子中，基材W与第I实施方式同样地搭载在配置有6个自转工作台4的公转工作台5上，但工作台的形式及基材W的搭载形式也可以是上述其他实施方式所示的形式。
[0119]对该等离子体化学气相沉积装置600中的基材W的成膜处理的次序进行说明。
[0120]在该等离子体化学气相沉积装置600的成膜工艺中，在经过真空排气并进行了中间层成膜后，依次进行利用等离子体化学气相沉积的成膜、冷却及基材W向大气的取出。将搭载在公转工作台5上的基材W如下所述处理。另外，在初始状态下，设隔离阀61?66是闭合状态，转换腔室610、成膜室I及中间层成膜室40是真空状态。
[0121]将隔离阀65打开，将搭载有基材W的公转工作台5向加载互锁真空室20运入。然后，将隔离阀65闭合，将加载互锁真空室20排气直到成为真空状态。
[0122]在加载互锁真空室20内的排气完成后，将隔离阀61及隔离阀62打开，搭载有基材W的公转工作台5经由转换腔室610向中间层成膜室40移动。如果移动完成，则将隔离阀61闭合。
[0123]在隔离阀61闭合后，将加载互锁真空室20向大气开放，通过将隔离阀65打开，成为等待接下来运入的基材W的状态。在中间层成膜室40中，皮膜供给源(溅镀蒸发源)6动作，在基材W的表面上形成作为化学气相沉积层的基底的中间层。
[0124]在中间层成膜室40中的中间层的成膜完成后，将隔离阀62及隔离阀63打开，搭载有基材W的公转工作台5经由转换腔室610向成膜室I移动。中间层成膜室40成为等待接下来从加载互锁真空室20移送的基材W的状态。
[0125]在成膜室I中，在隔离阀63闭合后，将搭载在公转工作台5上的两组基材W连接到等离子体产生电源10的两极上，进行导入加工气体的同时的成膜。
[0126]在成膜室I中的化学气相沉积层的成膜完成后，将隔离阀63及隔离阀64打开，搭载有基材W的公转工作台5经由转换腔室610向加载互锁真空室30移动。成膜室I成为等待接下来从中间层成膜室40移送的基材W的状态。
[0127]在加载互锁真空室30中，在将隔离阀64闭合后，等待搭载在公转工作台5上的两组基材W被冷却到适当的温度。在基材W被冷却到适当的温度后，将大气向加载互锁真空室30内导入，将隔离阀66打开，将搭载有基材W的公转工作台5从加载互锁真空室30运出。
[0128]如上所述，根据该等离子体化学气相沉积装置600，化学气相沉积皮膜形成在基材W及公转工作台5上，而几乎不形成在成膜室I的壁面等上。由于将基材W及基材保持器按照每一个批次向该等离子体化学气相沉积装置600的外部运出，所以能够将向成膜室I的皮膜形成维持在最小限度。结果，即使进行对于许多批次的成膜，也不会污染成膜室1，不会发生导致缺陷的皮膜薄片的飞散及伴随着绝缘皮膜的形成的工艺的变动。特别是在该等离子体化学气相沉积装置600中，由于能够将成膜室I维持为真空状态而进行连续成膜处理，由此能够进行许多批次的高效的处理，所以能够抑制成膜室I的污染，这成为用来使该等离子体化学气相沉积装置600持续长时间稳定地运转的非常有效的对策。
[0129]〈第7实施方式〉
以下，对图1OA和图1OB所示的本发明的第7实施方式的等离子体化学气相沉积装置700进行说明。第7实施方式的等离子体化学气相沉积装置700与上述实施方式的等离子体化学气相沉积装置相比，隔室的配置及基材工作台的动作不同。除此以外与上述其他实施方式是相同的，所以关于与上述说明重复的部分在这里不重复说明。
[0130]图1OA和图1OB表示第7实施方式的等离子体化学气相沉积装置700。图1OA是表示将后述的旋转移送机构710的臂712伸长而在隔室中进行处理的状态的平面图，图1OB是表示将臂712收缩而从隔室向隔室将基材W旋转移送的状态的平面图。图1OC是表示安装在