臂712的前端的分隔板720及工作台730的立体图。
[0131]如图1OA和图1OB所示，在该等离子体化学气相沉积装置700中，与第6实施方式的等离子体化学气相沉积装置600同样，包括配置在中央的转换腔室610和配置在其周围的多个隔室。详细地讲，从等离子体化学气相沉积装置700的上方观察，在中央配置有转换腔室610，在其周围，在图的右侧即上游侧配置有加热室21，在上侧配置有将中间层成膜的中间层成膜室40，在左侧即下游侧配置有成膜室I的真空腔室2，在下侧配置有加载互锁真空室30。在加载互锁真空室30上设置有作为基材W的运入及运出用的门的隔离阀65。该隔室的配置等与等离子体化学气相沉积装置700和等离子体化学气相沉积装置600不同。进而，以下的结构不同。
[0132]与等离子体化学气相沉积装置600不同，在转换腔室610中配置有旋转移送机构710。该旋转移送机构710具有能够旋转的中心轴711和在其周围以90°间隔配置的能够伸缩的4个臂712，在该臂712的前端安装着分隔板720。如图1OA所示，通过各臂712伸长，各分隔板720能够将4个隔室的开口部分别锁闭，能够使4个各隔室成为独立的环境。进而，在分隔板720上设置有能够搭载基材W的工作台730。此外，如图1OB所示，在臂712收缩的状态下，4个分隔板720及工作台730能够绕中心轴711旋转移动(在图10中向逆时针方向的旋转移动)。
[0133]如图1OC所示，基材W搭载在配置有两个自转工作台4的工作台730上。将基材W搭载在工作台730上方的自转工作台4上，从该等离子体化学气相沉积装置600的外部向加载互锁真空室30运入。利用设置在转换腔室610中的旋转移送机构710，将基材W向加热室21、中间层成膜室40、成膜室I (真空腔室2)、原来的加载互锁真空室30依次移送，从加载互锁真空室30向该等离子体化学气相沉积装置700的外部运出。将该公转工作台5的移送顺序在图1OA中用中空箭头表示。
[0134]在该实施方式中，在工作台730上配置两个自转工作台4，在各自转工作台4上搭载基材W，但是工作台的形式及基材W的搭载形式也可以是上述其他实施方式所示的形式。
[0135]对该等离子体化学气相沉积装置700中的基材W的成膜处理的次序进行说明。该等离子体化学气相沉积装置700中的成膜工艺与等离子体化学气相沉积装置600同样，是真空排气一加热一中间层成膜一利用等离子体化学气相沉积的成膜一冷却一大气取出。将搭载在工作台730上的基材W如下所述处理。图1OA表示初始状态。在该初始状态下，设隔离阀65是闭合状态，在加载互锁真空室30中存在成膜处理结束了的基材W。
[0136]在利用分隔板720将加载互锁真空室30从其他隔室独立的状态下，向该加载互锁真空室30导入大气。然后，将隔离阀65打开而将加载互锁真空室30内向大气暂且开放，将成膜处理结束后的基材W从工作台730拆下。将下个基材W搭载到工作台730上并向加载互锁真空室30运入。然后，将隔离阀65闭合，将加载互锁真空室30排气直到成为真空状态。
[0137]在加载互锁真空室30内的排气完成后，在旋转移送机构710的臂712收缩的状态下，中心轴711向逆时针旋转90°。在旋转结束后，旋转移送机构710的臂712伸长，将工作台730向加热室21移送。此时，分隔板720使加热室21成为从其他隔室独立的状态(4个隔室全部独立的状态)。然后，自转工作台4 一边旋转，设置在加热室21内的加热器17一边升温，将基材W加热。
[0138]在加热室21中的基材W的加热完成后，在旋转移送机构710的臂712收缩的状态下，中心轴711向逆时针旋转90°。在旋转结束后，旋转移送机构710的臂712伸长并将工作台730向中间层成膜室40移送。此时，分隔板720使中间层成膜室40成为从其他隔室独立的状态。然后，自转工作台4 一边旋转，皮膜供给源(溅镀蒸发源)6 一边动作，在基材W的表面上形成作为化学气相沉积层的基底的中间层。
[0139]在中间层成膜室40中的中间层的成膜完成后，在旋转移送机构710的臂712收缩的状态下，中心轴711向逆时针旋转90°。在旋转结束后，旋转移送机构710的臂712伸长，将工作台730向成膜室I移送。此时，分隔板720使成膜室I成为从其他隔室独立的状态。然后，自转工作台4 一边旋转，两组基材W—边被分别连接到等离子体产生电源10的两极上，进行导入加工气体的同时的成膜。
[0140]在成膜室I中的化学气相沉积层的成膜完成后，旋转移送机构710的臂712收缩，使中心轴711向逆时针旋转90°。在旋转结束后，旋转移送机构710的臂712伸长，将工作台730向加载互锁真空室30移送。此时，分隔板720使加载互锁真空室30成为从其他隔室独立的状态。然后，等待两组基材W被冷却到适当的温度。在基材W被冷却到适当的温度后，向加载互锁真空室30导入大气，隔离阀65打开，将基材W从加载互锁真空室30运出。
[0141]这样在隔离阀65闭合的状态下进行的成膜处理(真空排气一加热一中间层成膜—利用等离子体化学气相沉积的化学气相沉积层成膜一冷却)在4个隔室都处于真空的状态下进行。在该状态下，如果臂712收缩，则4个分隔板720在基材W搭载在工作台730上的状态下被向转换腔室610的中央附近拉近，在该状态下，中心轴711能够向逆时针旋转90°。然后，如果臂712伸长，则能够将各基材W移送到进行成膜工艺的下个处理的隔室中。
[0142]这样的成膜处理也可以将基材W容纳在4个隔室的各自中并同时推进来进行。这样使得处理效率大幅地提高。
[0143]如上所述，根据该等离子体化学气相沉积装置700，与等离子体化学气相沉积装置600同样，由于化学气相沉积皮膜几乎不形成在成膜室I的壁面等上，所以能够将向成膜室I的皮膜形成维持在最小限度。结果，即使进行对于许多批次的成膜，也不会污染成膜室1，不会发生导致缺陷的皮膜薄片的飞散及伴随着绝缘皮膜的形成的工艺的变动。这样能够抑制成膜室I的污染，这成为用来使该等离子体化学气相沉积装置700持续长时间稳定且高效率地运转的非常有效的对策。
[0144]另外，根据处理工序的数量变更所配置的隔室的数量，也变更旋转移送机构710中的每I次的旋转角度。
[0145]另外，本发明并不限定于上述各实施方式，在不变更发明的本质的范围内能够适当变更各部件的形状、结构、材质、组合等。此外，在此次公开的实施方式中，没有明示公开的事项，例如运转条件及作业条件、各种参数、构成物的尺寸、重量、体积等不脱离本领域的技术人员通常实施的范围，采用只要是通常的本领域的技术人员就能够容易想到的事项。
[0146]如上所述，根据本发明，提供一种等离子体化学气相沉积装置，是连续式等离子体化学气相沉积装置，化学气相沉积皮膜不易堆积在基材以外的部分，能够持续长期不进行清扫地稳定作业，并且生产效率高。该连续式等离子体化学气相沉积装置包括成膜室和与上述成膜室分开的隔室，在上述成膜室与上述隔室之间输送基材。上述成膜室包括真空腔室、将上述真空腔室内的空气排出的泵、向上述真空腔室内供给原料气体的气体供给部、和使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子体的交流型的等离子体产生电源。在上述成膜室中，上述基材被分为两组，属于与上述等离子体产生电源的一极连接的第I组和与上述等离子体产生电源的另一极连接的第2组中的某一组。
[0147]在本发明中优选的是可以构成为，上述两组基材是对置配置的平板状的基材。
[0148]更优选的是可以构成为，上述两组基材是固定在交替地隔开间隔配置的保持器上的平板状的基材、或交替地隔开间隔配置的平板状的基材，上述两组基材或基材保持器交替地属于不同的组。
[0149]更优选的是可以构成为，上述两组基材搭载于在成膜过程中分别旋转的基材保持器上。
[0150]更优选的是可以构成为，上述两组基材搭载于在成膜过程中分别自公转的基材保持器上。
[0151]更优选的是可以构成为，上述两组基材搭载于自公转的基材保持器上，属于第I组的自转工作台的数量和属于第2组的自转工作台相互是相同数量，并且绕上述公转轴一个个地交替地排列配备。
【主权项】
1.一种连续式等离子体化学气相沉积装置，包括成膜室和与上述成膜室分开的隔室，在上述成膜室与分开的隔室之间输送基材，并在上述基材上成膜，其特征在于， 上述成膜室包括真空腔室、将上述真空腔室内的空气排出的泵、向上述真空腔室内供给原料气体的气体供给部、和使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子体的交流型的等离子体产生电源； 在上述成膜室中，上述基材被分为两组，属于与上述等离子体产生电源的一极连接的第I组和与上述等离子体产生电源的另一极连接的第2组中的某一组。2.如权利要求1所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于， 上述两组基材是对置配置的平板状的基材。3.如权利要求1所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于， 上述两组基材是固定在交替地隔开间隔配置的保持器上的平板状的基材、或交替地隔开间隔配置的平板状的基材， 上述两组基材或基材保持器交替地属于不同的组。4.如权利要求1所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于， 上述两组基材搭载于在成膜过程中分别旋转的基材保持器上。5.如权利要求1所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于， 上述两组基材搭载于在成膜过程中分别自公转的基材保持器上。6.如权利要求1所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于， 上述两组基材搭载于自公转的基材保持器上，属于第I组的自转工作台的数量和属于第2组的自转工作台相互是相同数量，并且绕上述公转轴一个个地交替地排列配备。
【专利摘要】提供一种即使持续长时间使用也不花费清扫等工夫、能够在维持稳定的成膜条件的同时以高生产效率进行成膜处理的等离子体化学气相沉积装置（100）。等离子体化学气相沉积装置（100）包括成膜室（1）和与成膜室（1）分开的加载互锁真空室（20、30），是在这些室间输送基材并在基材上生成成膜的连续式。成膜室（1）包括真空腔室（2）、将真空腔室（2）内的空气排出的真空排气机构（3）、向真空腔室（2）内供给原料气体的气体供给部（9）、和使真空腔室（2）内产生等离子体的等离子体产生电源（10）。在成膜室（1）中，基材被分为与等离子体产生电源（10）的一极连接的第1组（18）、和与等离子体产生电源（10）的另一极连接的第2组（19），在相互为不同极性的第1组（18）的基材与第2组（19）的基材之间产生等离子体。
【IPC分类】C23C16/503, C23C16/44, C23C16/458
【公开号】CN104903491
【申请号】CN201380068470
【发明人】玉垣浩, 芳贺润二
【申请人】株式会社神户制钢所
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2013年12月12日
【公告号】EP2940183A1, US20150329968, WO2014103228A1