高温化学气相沉积设备及其加热系统的制作方法_2

文档序号:9246264阅读:来源:国知局
免造成蒸发物质影响外延层的生长质量。
[0035]为减少加热系统的热量散失,在发热体01的下部合适位置设置有隔热部件04,陶瓷绝缘部件03的底部设置在隔热部件04上,隔热部件04是一层或多层隔热屏,隔热屏04由耐高温且隔热效果良好的钨片、钼片或其他金属材料制成,每一层隔热屏04可以采用不同种类的金属,最上层隔热屏04的上表面设计成镜面,镜面可以更好的把发热体01的热量反射上去,从而能更有效的减少加热系统的热量损失,提高加热系统的加热效率。
[0036]参见图2,发热体01包括分离的第一发热组件011和第二发热组件012,第一发热组件Oll和第二发热组件012之间隔开一定的间距,为防止第一发热组件011和第二发热组件012之间接触导通,在第一发热组件011和第二发热组件012之间设置有隔离件。隔离件包括隔离陶瓷08以及隔离陶瓷热防护件09 ;其中,陶瓷隔离08的底部设置在隔热屏04上,隔离陶瓷热防护件09包括与第一发热组件011相对的第一隔离陶瓷热防护部091,以及与第二发热组件012相对的第二隔离陶瓷热防护部092 ;第一隔离陶瓷热防护部091和第二隔离陶瓷热防护部092彼此分开。陶瓷隔离08上设置第一隔离陶瓷热防护部091和第二隔离陶瓷热防护部092,可以防止第一发热组件011和第二发热组件012辐射的热量造成陶瓷隔离08高温熔蚀而出现陶瓷成分分解蒸发,从而造成蒸发物质影响外延层的生长质量。
[0037]本发明实施例提供的高温化学气相沉积设备包括发热体01和被加热体06,以及上述加热系统,可用于外延生长包括GaN、GaAs、InGaN, A1N、AlGaN, AlInGaN, SiC在内的各种II1- V族和I1-VI化合物的半导体材料或对材料的热处理。本发明实施例提供的高温化学气相沉积设备通过发热体01对被加热体06上的各种衬底进行有效加热,不仅可以有效防止加热系统内的热量散失,还可有效防止加热系统内蒸发出有害物质影响外延层的生长质量。
[0038]实施例2
[0039]参见图3,本发明实施例提供的一种用于高温化学气相沉积设备的加热系统,与实施例I提供的加热系统的不同在于:本实施例提供的加热系统的热辐射防护件02的第一防护部021设置在陶瓷绝缘件03的端部上,而第二防护部022沿着第一防护部021的外侧向周围延伸预定的距离,使相邻的两第二防护部022之间存在较小的间距,使热辐射防护件02能够充分遮盖住陶瓷绝缘件03,从而有效防止高温发热体01辐射的热量辐射到陶瓷绝缘件03上,可避免陶瓷绝缘件03的温度升高到它的耐受温度而出现高温熔蚀,而使其陶瓷成分分解蒸发,从而造成蒸发物质影响外延层的生长质量。并且,陶瓷绝缘部件03的底部穿过多层隔热屏04中一层隔热屏04,与支撑部件05配合起到稳定支撑发热体01的作用。
[0040]实施例3
[0041]参见图4,本发明实施例提供的一种用于高温化学气相沉积设备的加热系统,与实施例I提供的加热系统的不同在于:本实施例提供的加热系统的热辐射防护件02的第一防护部021设置在陶瓷绝缘件03的端部上,优选地,可以通过蒸镀或溅射的方式将所述耐高温金属附着在所述陶瓷绝缘部件的端部。而第二防护部022附着在陶瓷绝缘组件的上部侧壁的外侧,沿着陶瓷绝缘件03的侧部向下延伸预定的距离;所述附着方式同样是可以通过蒸镀或溅射的方式将所述耐高温金属附着在所述陶瓷绝缘部件上。从而使陶瓷绝缘件03的大部分表面被热辐射防护件02的第一防护部021和第二防护部022覆盖,也可以减少高温发热体01对陶瓷绝缘部件03的热辐射,避免陶瓷绝缘部件03的温度超过其耐受温度而分解蒸发而影响化学气相沉积设备的外延质量。
[0042]实施例4
[0043]参见图5,本发明实施例提供的一种用于高温化学气相沉积设备的加热系统,与实施例I提供的加热系统的不同在于:本实施例提供的加热系统的热辐射防护件02的第一防护部021设置在陶瓷绝缘件03的端部上,而第二防护部022沿着第一防护部021的外侧向周围延伸预定的距离,使相邻的两第二防护部022之间存在较小的间距,从而使热辐射防护件02能够充分遮盖住陶瓷绝缘件03。并且,在第一防护部021与陶瓷绝缘件03相对的面上设置有凸起07,凸起07由环状或条状的金属形成。此凸起07可以和热辐射防护件02的第一防护部021焊接在一起,也可以用整块金属材料将凸起07和热辐射防护件02的第一防护部021和第二防护部022 —同加工出来。在热辐射防护件02的第一防护部021的下表面设置凸起07,可以减少第一防护部021和陶瓷绝缘件03的接触面积,进而减少辐射热的传导,从而可以降低陶瓷绝缘部件03的温度。当然,按照与本实施例相同的设计,实施例I和实施例3中的第一防护部021的下表面上都可以设置凸起07,以减少热辐射防护件02的第一防护部021和陶瓷绝缘件03的接触面积,进而减少辐射热的传导,从而可以降低陶瓷绝缘件03的温度。
[0044]本发明实施例提供的用于高温化学气相沉积设备的加热系统,可以起到支撑、绝缘、辐射防护及保持温度的作用,特别是在陶瓷绝缘件上设置热辐射防护件,可以防止加热系统内的高温发热体对陶瓷绝缘件的高温熔蚀作用,阻止陶瓷在高温下蒸发,避免因陶瓷蒸发影响化学气相沉积设备外延质量,对高温化学气相沉积设备的有效使用起到了完好的防护作用。
[0045]最后所应说明的是,以上【具体实施方式】仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照实例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
【主权项】
1.一种用于高温化学气相沉积设备的加热系统,包括发热体;其特征在于,所述用于高温化学气相沉积设备的加热系统还包括: 发热体支撑件,所述发热体支撑件的一端支撑连接于所述发热体的下部; 陶瓷绝缘件,所述陶瓷绝缘件与所述发热支撑件的另一端连接;所述陶瓷绝缘件包括端部和侧部; 热辐射防护件,所述热辐射防护件设置于所述发热体和所述陶瓷绝缘件之间,由对高温的耐受能力大于陶瓷的材料制成;所述热辐射防护件包括第一防护部和第二防护部;所述第一防护部设置于所述发热体与所述陶瓷绝缘件的端部之间,所述第二防护部设置在所述发热体与所述陶瓷绝缘件的侧部之间。2.根据权利要求1所述的加热系统,其特征在于,所述热辐射防护件的第一防护部设置在所述陶瓷绝缘件的端部上,所述第二防护部沿着所述第一防护部的外侧向周围延伸预定的距离。3.根据权利要求1所述的加热系统,其特征在于,所述热辐射防护件的第一防护部设置在所述陶瓷绝缘部件的端部上,所述第二防护部从所述陶瓷绝缘部件的端部外侧向下延伸预定的距离。4.根据权利要求1-3中任一项所述的加热系统,其特征在于,所述第一防护部与所述陶瓷绝缘件相对的面上设置有凸起。5.根据权利要求4所述的加热系统,其特征在于,所述凸起由环状或条状的金属形成。6.根据权利要求1-4中任一项所述的加热系统,其特征在于,所述加热系统还包括隔热部件,所述隔热部件设置在所述陶瓷绝缘件的底部;所述隔热部件包括一层或多层隔热屏,所述隔热部件最上层的隔热屏的上表面为镜面。7.根据权利要求1-4中任一项所述的加热系统,其特征在于,所述发热体包括分离的第一发热组件和第二发热组件,所述第一发热组件和第二发热组件之间隔开预定的间距,相邻的发热组件之间设置有隔离件。8.根据权利要求7所述的加热系统,其特征在于,所述隔离件包括隔离陶瓷以及隔离陶瓷热防护件;所述隔离陶瓷热防护件包括与所述第一发热组件相对的第一隔离陶瓷热防护部,以及与所述第二发热组件相对的第二隔离陶瓷热防护部;所述第一隔离陶瓷热防护部和第二隔离陶瓷热防护部彼此分开。9.根据权利要求7所述的加热系统,其特征在于,所述第一发热组件和第二发热组件包括片状或弹簧丝状发热组件。10.一种化学气相沉积设备,所述设备包括被加热体;以及如权利要求1-9中任一项所述的用于高温化学气相沉积设备的加热系统。
【专利摘要】本发明公开了一种高温化学气相沉积设备及其加热系统,所述用于高温化学气相沉积设备的加热系统包括发热体,支撑在所述加热体下部的发热体支撑部件,与所述发热体支撑部件连接的陶瓷绝缘件,设置在所述陶瓷绝缘件上部的热辐射防护件,以及设置在所述陶瓷绝缘部件底部的隔热部件。本发明提供的用于高温化学气相沉积设备的加热系统,可以起到支撑、绝缘、辐射防护及保持温度的作用,特别是对高温化学气相沉积设备的有效使用起到了完好的防护作用。
【IPC分类】C23C16/46
【公开号】CN104962881
【申请号】CN201510324880
【发明人】胡国新, 胡强, 冉军学, 梁勇, 段瑞飞, 王军喜, 李晋闽, 曾一平
【申请人】新泰中科优唯电子科技有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年6月12日
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