一种用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，其包括一分解炉炉体；于所述分解炉炉体内设有一内衬层；于所述分解炉炉体的外表面包裹一层保温隔热棉；于所述保温隔热棉内设有一电加热器；所述分解炉炉体内的下端设布气板；于所述布气板上设有若干出气管。本实用新型的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉利用电加热器加热，给硅烷分解提供热量，加热器间接加热炉体的内衬层，防止了污染；利用布气板使气体混合均匀，通过控制进气量，使炉体内床层处于节涌状态，保证了硅烷分解的温度和浓度，预防了粘壁，同时降低了磨损，且设备简单易控。
【专利说明】—种用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉
【【技术领域】】
[0001]本实用新型涉及一种多晶硅制造设备，具体涉及一种用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，属于多晶硅制造设备【技术领域】。
【【背景技术】】
[0002]随着电子工业发展，硅烷法多晶硅以其流程简单，设备投资少，低能耗、高纯度等优点被更广泛的关注。尤其是粒状多晶硅可实现连续投料，提高了铸锭过程自动化程度，增加了产量降低了成本。
[0003]现有技术的用于硅烷法粒状多晶硅工艺的硅烷分解设备多采用流化床，其缺点是:设备结构复杂；设备受热功率输入、气体流速、流化参数等多因素制约，床层不稳定；同时多晶硅易结壁与磨损问题并存。
[0004]因此，为避免上述技术问题，确有必要提供一种新型的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，以克服现有技术中的所述缺陷。
【实用新型内容】
[0005]为解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种结构简单、容易控制且无污染的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉。
[0006]为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为:一种用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，其包括一分解炉炉体；于所述分解炉炉体内设有一内衬层；于所述分解炉炉体的外表面包裹一层保温隔热棉；于所述保温隔热棉内设有一电加热器；所述分解炉炉体内的下端设布气板；于所述布气板上设有若干出气管。
[0007]本实用新型的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉进一步设置为:所述内衬层具体为碳化娃、氮化娃或金属娃内衬层。
[0008]本实用新型的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉进一步设置为:所述分解炉炉体包括扩大段和直筒段；所述电加热器位于直筒段外的保温隔热棉内。
[0009]本实用新型的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉还设置为:所述扩大段由锥段，直筒和封头组成。
[0010]与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果:本实用新型的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉利用电加热器加热，给硅烷分解提供热量，加热器间接加热炉体的内衬层，防止了污染；利用布气板使气体混合均匀，通过控制进气量，使炉体内床层处于节涌状态，保证了硅烷分解的温度和浓度，预防了粘壁，同时降低了磨损，且设备简单易控。
【【专利附图】
【附图说明】】
[0011]图1是本实用新型的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉的示意图。【【具体实施方式】】
[0012]请参阅说明书附图1所示，本实用新型为一种用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，其安装在硅烷纯化设备后，包括一分解炉炉体I。所述分解炉炉体I包括扩大段2和直筒段3。所述扩大段2由锥段，直筒和封头组成，从而可降低气速。所述直筒段3为截涌床体主要区域。
[0013]于所述分解炉炉体I内设有一内衬层4,该内衬层4具体为碳化娃、氮化娃或金属娃内衬层4,其能防止污染。
[0014]于所述分解炉炉体I的外表面包裹一层保温隔热棉5，该保温隔热棉5能增加硅烷分解炉的保温效果。于所述保温隔热棉5内设有一电加热器6，具体的说，该电加热器6位于直筒段3外的保温隔热棉5内。
[0015]所述分解炉炉体I内的下端设布气板7 ;于所述布气板7上设有若干出气管8,使气体混合均匀。可通过控制气体的气量控制床层状态，使其保持节涌状态，从而抑制多晶硅粘壁，同时降低了磨损。进一步的，所述出气管8为带帽出气管8。
[0016]以上的【具体实施方式】仅为本创作的较佳实施例，并不用以限制本创作，凡在本创作的精神及原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本创作的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，其特征在于:包括一分解炉炉体；于所述分解炉炉体内设有一内衬层；于所述分解炉炉体的外表面包裹一层保温隔热棉；于所述保温隔热棉内设有一电加热器；所述分解炉炉体内的下端设布气板；于所述布气板上设有若干出气管。
2.如权利要求1所述的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，其特征在于:所述内衬层具体为碳化娃、氮化娃或金属娃内衬层。
3.如权利要求1所述的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，其特征在于:所述分解炉炉体包括扩大段和直筒段；所述电加热器位于直筒段外的保温隔热棉内。
4.如权利要求3所述的用于硅烷法多晶硅生产的节涌床式硅烷分解炉，其特征在于:所述扩大段由锥段，直筒和封头组成。
【文档编号】C01B33/03GK203558858SQ201320735467
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年11月21日 优先权日:2013年11月21日
【发明者】李耀文, 耿彩军, 刘斌, 张增玉, 孙佳杰 申请人:李耀文