技术特征：
技术总结
本发明涉及一种新型多铁性材料及其制备方法，所述多铁性材料是位于P212121(19)空间群的正交结构，所述多铁性材料的结构式为AVMnO5，其中A为Ca或Sr。本发明方法操作简单。本发明所制备的材料为从未报道过的新化合物，并且具有铁电、铁磁性能，时制备高密度存储器、多态记忆元件、电场控制的压电传感器和电场控制的压磁传感器等器件的潜在材料。
技术研发人员：黄富强;隋丽芳;张弦
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2016.04.18
技术公布日：2017.10.31