技术总结
本发明涉及一种合成高稳定性γ‑Pr2S3粉体的方法，在较低的制备温度，较短的保温时间条件下，可以获得在室温～1340℃温度范围下立方结构、热力学稳定的高纯度γ‑Pr2S3粉体。解决了现有技术中硫化温度高、时间长、成本高，或者产物稳定性低，纯度低、易于存在碳污染和硫氧化物杂质等问题。由于γ相Pr2S3在温度高于1340℃时属于稳定相，因此本发明制备的硫化镨粉体为在全温度范围内可以稳定保持为γ相结构的硫化镨粉体。同时，它工艺简单，成本低，适合于大规模制备稳定性高的高纯γ相硫化镨，具有广阔的应用前景。
技术研发人员：李焕勇;朱娜娜
受保护的技术使用者：西北工业大学
文档号码：201610905618
技术研发日：2016.10.18
技术公布日：2017.03.22