1.一种液相法生长碳化硅晶体用的石墨坩埚，包括坩埚体(3)、盖在坩埚体(3)上端的坩埚盖(1)，其特征在于：在所述坩埚体(3)上端的内侧壁上对应于坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙处设有一沿坩埚体内侧壁周向设置的环槽(2)，所述环槽(2)开口向上，所述环槽(2)的内侧边与坩埚体(3)的内侧壁封闭连接，坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙位于所述环槽(2)内。
2.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体用的石墨坩埚，其特征在于：所述环槽(2)内放置有高纯石墨。
3.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体用的石墨坩埚，其特征在于：所述环槽(2)的外侧边的上沿高度与坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙处平齐或高于该缝隙。
4.根据权利要求1或2或3所述的液相法生长碳化硅晶体用的石墨坩埚，其特征在于：所述的环槽(2)的外侧边的直径大于坩埚盖(1)上的开孔的直径。