单晶金刚石材料、单晶金刚石芯片和穿孔工具的制作方法

文档序号:11446640阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
在单晶金刚石材料中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中,非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下,置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具,其包含单晶金刚石拉丝模,其中在所述单晶金刚石拉丝模中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面,所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。

技术研发人员:西林良树;辰巳夏生;角谷均;植田晓彦;小林丰
受保护的技术使用者:住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社
技术研发日:2016.07.22
技术公布日:2017.08.29
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