技术特征：
技术总结
本发明公开了一种压电晶体的制造方法，使用泡生法来生长压电晶体，晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒,所述泡生法是在长晶过程进入等径段时，采用停止向上提拉或微提拉的方式让晶体自然生长，所述提拉速度<0.1mm/h，同时晶体不旋转，所述长晶过程中，晶体顶端位置不高于坩埚口。本发明晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒，来满足声表面波滤波器（SAW）设计时各种晶体轴向的要求，特别是解决一些传统提拉法（CZ）无法生长的晶体轴向。
技术研发人员：徐秋峰;张寒贫;张忠伟;张鸿;张坚;陈晓强;沈礼东;陈铖;沈晓燕
受保护的技术使用者：天通控股股份有限公司
技术研发日：2017.06.16
技术公布日：2017.11.03