技术特征：
技术总结
本发明涉及一种MPCVD法制备石墨烯包覆Co3O4粉体的方法，属于微波等离子与复合材料技术领域。将Co3O4基底粉体平铺，抽真空至压强1mTorr以内，然后Ar、H2、CH4按照气体流量比为9:10:1～5通入，保持压强为1～90Torr，开启微波等离子体，在温度为300～500℃下沉积反应30～120min，反应结束后，切断CH4气体，保持通入非氧化气体冷却至室温后关闭非氧化气体，抽真空至压强为1mTorr，通入空气至常压得到石墨烯包覆Co3O4粉体。本发明制备过程中采用Co3O4粉体为镀覆基体，制备得到的石墨烯包覆Co3O4粉体，与常规石墨烯包覆复合粉体材料相比，本发明的石墨烯包覆Co3O4粉体中石墨烯为少层鳞片状石墨烯，包覆均匀性好。
技术研发人员：杨黎;段钰;郭胜惠;冯双龙;彭金辉;侯明;王梁;刘花
受保护的技术使用者：昆明理工大学
技术研发日：2018.03.13
技术公布日：2018.08.17