本发明涉及一种提高多晶陶瓷电输运性能的方法，尤其涉及一种提高la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷电输运性能的方法，属于电子陶瓷技术领域。
背景技术
钙钛矿结构锰氧化物r1-xaxmno3具有超巨磁阻效应（cmr）和其他优异的物理性能，在电阻式传感器、自旋电子设备、磁记录和辐射热测定器等敏感器件上有重要的应用价值。la1-xcaxmno3和la1-xsrxmno3作为r1-xaxmno3体系中的重要成员，分别具有高tcr（电阻温度系数）低tp（金属-绝缘转变温度）和高tp低tcr的特点，从而使得其在敏感器件上的应用更加经济有利。
但目前的工艺技术存在以下缺点：（1）la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷的调控温度范围相对低，无法接近于可大规模应用的室温范围，且tcr和tp的调控效果一般；（2）为使得la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷的调控效果稳定和提高调控范围，需要大量掺杂性价比低的元素，一来不利于过渡至中试生产甚至是后续的量产，无法商用普及，二来会因为掺杂量大使得陶瓷内物相结构变化或不稳定，使得陶瓷寿命降低甚至无法保障产品质量。
技术实现要素：
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种提高la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷电输运性能的方法，具体包括以下步骤：
1、la1-xcaxsrymno3基体粉末合成：
1.1按x和y值计算并称取la(no3)3、ca(no3)2、sr(no3)2、mn(no3)2和柠檬酸，依次倒入去离子水中并配合同步搅拌得到过程物ⅰ，过程物ⅰ为液态，其中柠檬酸作为胶体制备反应过程中的螯合剂，柠檬酸与mn(no3)2的摩尔比为3~6:1；
1.2向步骤1.1所得过程物ⅰ滴入乙二醇得到过程物ⅱ，过程物ⅱ为液态，其中乙二醇作为胶体制备反应过程中的分散剂，可使得液态过程物ⅰ中的原料混合均匀，不产生凝絮沉淀，从而得到混合均匀的过程物ⅱ，乙二醇与过程物ⅰ的体积比为3~6%；
1.3对步骤1.2所得过程物ⅱ进行高温蒸发处理，得到呈非流动凝胶态的过程物ⅲ，过程物ⅲ的流动状态作为反应停止判据，该步骤作用是去除宏观水分；
1.4对步骤1.3所得过程物ⅲ进行高温烘干处理，得到干凝胶态的过程物ⅳ，烘干处理温度为120~170℃，烘干处理时间为6~24h，该步骤作用是去除结晶水分；
1.5对步骤1.4中所得过程物ⅳ进行充分球磨粉碎，得到过程物ⅴ，过程物ⅴ为粉末状，过程物ⅴ的粒径尺寸范围为0.1~1mm，若粒径尺寸大于该范围会因为接触不充分影响后续的保护性烧结；
1.6对步骤1.5中所得过程物ⅴ作保护性烧结处理，得到la1-xcaxsrymno3基体粉末，其中保护性烧结处理可保证过程物v不被氧化，表面氧化层少，以免后续作业中石墨烯因氧化层阻隔无法掺入；
2、合成相材料制备：
2.1称取多层石墨烯倒入步骤1.6所得的la1-xcaxsrymno3基体粉末，对其进行球磨搅拌得到过程物ⅵ，过程物ⅵ为粉末状，球磨搅拌转速为200~400r/min，球磨搅拌时长为5~10h；
2.2用薄膜和密封橡胶依次对步骤2.1所得过程物ⅵ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅶ，过程物ⅶ为粉末状，挤压操作压强为150~200mpa，挤压操作时长为2~4h，该步骤是为了使石墨烯与基体粉末在大压力下产生挤压渗透，紧密粘连在一起，同时使得表面氧化层无法生成或没面积生成；
2.3对步骤2.2中所得过程物ⅶ进行压片操作，得到过程物ⅷ，过程物ⅷ为块材，压片操作压强为15~25mpa，压片操作时长为15~30min；
2.4对步骤2.3中所得过程物ⅷ进行合成性烧结处理，得到合成相材料，合成相材料为块材，该步骤是使得石墨烯与基体粉末在无氧环境中相互高温渗透掺杂，生成所需陶瓷物相；
3、多晶陶瓷制备：
3.1将步骤2.4所得合成相材料捣碎，而后采用球磨粉碎作业将其粉碎成粉末状的过程物ⅸ，球磨粉碎作业时长为10~20h，过程物ⅸ的粒径尺寸范围为100~500nm；
3.2对步骤3.1所得过程物ⅸ进行富氧烧结得到过程物ⅹ，过程物ⅹ为粉末状，烧结氧压为0.02~0.05mpa，烧结时长为6~10h；通过富氧烧结让粉末状的过程物x充分氧化，使得后续产物的氧含量达标到目标多晶陶瓷，同时能够起到择优生长的作用；
3.3对步骤3.2所得过程物ⅹ进行压片操作，得到过程物ⅺ，过程物ⅺ为块材，压片操作压强为15~25mpa，压片操作时长为15~30min；
3.4用薄膜和密封橡胶依次对步骤3.3所得过程物ⅺ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅻ，过程物ⅻ为块材，挤压操作压强为200~250mpa，挤压操作时长为1~2h，其中冷等静压处理保证过程物ⅻ块材得到全方位挤压，使得过程物ⅻ块材更加致密，减少过程物ⅻ块材的缺陷；
3.5对步骤3.4所得过程物ⅻ进行富氧烧结得到多晶陶瓷，多晶陶瓷为块材，烧结氧压为0.04~0.08mpa，烧结时长为8~14h；通过富氧烧结让紧密压实的过程物ⅻ充分氧化，强化择优生长的作用和进一步确保氧含量；
优选地，la1-xcaxsrymno3中的x为0.05~0.8，y为0.01~0.15。
优选地，步骤1.6中所述保护性烧结处理为真空烧结处理，真空度≤10pa，烧结温度为500~600℃，烧结时长为8~10h，在200℃、400℃的烧结温度节点处分别保温0.5~1h。
优选地，步骤2.1中la1-xcaxsrymno3基体粉末与多层石墨烯质量比为1:0.0001~1:0.1，若石墨烯掺杂量超出该范围上限，会导致石墨烯自团聚现象加重，掺杂效果变差，而超出该范围下限则无明显的性能优化效果。
优选地，步骤2.1中所述多层石墨烯厚度≤10nm，若超过该厚度范围，容易造成石墨烯多层堆叠覆盖于基体粉末上，会导致后续产物成分不均。
优选地，步骤2.4中所述合成性烧结处理为气氛增压烧结，气氛为n2，气氛压强为1.5~2mpa，烧结温度为600~1000℃，烧结时长为0.5~5h。
优选地，步骤3.2中所述富氧烧结的烧结温度为1000~1100℃，因为粉末所需烧结温度可低于块材烧结温度，且烧结温度过高容易造成自团聚。
优选地，步骤3.5中所述富氧烧结的烧结温度为1250~1450℃。
本发明的有益效果：
本发明将石墨烯掺入la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷，使其调控温度范围提高至可大规模应用的室温范围，且tcr和tp的调控效果得以改善；将la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷调控至效果稳定和可大规模应用的室温范围，仅需要掺杂少量石墨烯，一来有利于过渡至中试生产甚至是后续的量产，成本低廉，有益于普及商用，二来因为掺杂量少不会使得陶瓷内物相结构变化或不稳定，从而提高陶瓷寿命，保障产品质量，更好的满足用户的需求。
附图说明
图1为实施例1中多晶陶瓷块材的ρ-t测试曲线；
图2为实施例2中多晶陶瓷块材的ρ-t测试曲线；
图3为实施例3中多晶陶瓷块材的ρ-t测试曲线；
图4为实施例4中多晶陶瓷块材的ρ-t测试曲线；
图5为对比例中多晶陶瓷块材的ρ-t测试曲线；
图6为实施例1中多晶陶瓷块材的电学性能测试图；
图7为实施例2中多晶陶瓷块材的电学性能测试图；
图8为实施例3中多晶陶瓷块材的电学性能测试图；
图9为实施例4中多晶陶瓷块材的电学性能测试图；
图10为对比例中多晶陶瓷块材的电学性能测试图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明，但本发明的保护范围并不限于所述内容。
实施例1
一种提高la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷电输运性能的方法，包括以下步骤：
1、la0.95ca0.05sr0.01mno3基体粉末合成：
1.1称取0.95molla(no3)3、0.05molca(no3)2、0.01molsr(no3)2、1molmn(no3)2和3mol柠檬酸，依次倒入去离子水中并配合同步搅拌得到过程物ⅰ；
1.2向步骤1.1所得过程物ⅰ滴入6ml乙二醇（乙二醇与过程物ⅰ的体积比为3%）得到过程物ⅱ；
1.3对步骤1.2所得过程物ⅱ进行高温蒸发处理，得到呈非流动凝胶态的过程物ⅲ；
1.4对步骤1.3所得过程物ⅲ进行高温烘干处理，得到干凝胶态的过程物ⅳ，烘干处理温度为120℃，烘干处理时间为6h；
1.5对步骤1.4所得过程物ⅳ进行充分球磨粉碎，得到过程物ⅴ，粒径为0.1mm；
1.6对步骤1.5所得过程物ⅴ作保护性烧结处理，得到la0.95ca0.05sr0.01mno3基体粉末；所述保护性烧结处理为真空烧结处理，真空度≤10pa，烧结温度为500℃，烧结时长为8h，在200℃、400℃的烧结温度节点处分别保温0.5h；
2、合成相材料制备：
2.1称取多层石墨烯（0.5nm）倒入步骤1.6所得的la0.95ca0.05sr0.01mno3基体粉末，la0.95ca0.05sr0.01mno3基体粉末与多层石墨烯质量比为1:0.0001，对其进行球磨搅拌得到过程物ⅵ，球磨搅拌转速为200r/min，球磨搅拌时长为5h；
2.2用薄膜和密封橡胶依次对步骤2.1所得过程物ⅵ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅶ，过程物ⅶ为粉末状，挤压操作压强为150mpa，挤压操作时长为2h；
2.3对步骤2.2所得过程物ⅶ进行压片操作，得到过程物ⅷ，过程物ⅷ为块材，压片操作压强为15mpa，压片操作时长为15min；
2.4对步骤2.3所得过程物ⅷ进行合成性烧结处理，得到合成相材料，合成相材料为块材，所述合成性烧结处理为气氛增压烧结，气氛为n2，气氛压强为1.5mpa，烧结温度为600℃，烧结时长为0.5h；
3、多晶陶瓷制备：
3.1将步骤2.4所得合成相材料捣碎，而后采用球磨粉碎作业将其粉碎成粉末状的过程物ⅸ，球磨粉碎作业时长为10h，过程物ⅸ的粒径尺寸为100nm；
3.2对步骤3.1所得过程物ⅸ进行富氧烧结得到过程物ⅹ，烧结氧压为0.02mpa，烧结时长为6h，烧结温度为1000℃；
3.3对步骤3.2所得过程物ⅹ进行压片操作，得到过程物ⅺ，过程物ⅺ为块材，压片操作压强为15mpa，压片操作时长为15min；
3.4用薄膜和密封橡胶依次对步骤3.3所得过程物ⅺ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅻ，挤压操作压强为200mpa，挤压操作时长为1h；
3.5对步骤3.4所得过程物ⅻ进行富氧烧结得到多晶陶瓷，多晶陶瓷为块材，烧结氧压为0.04mpa，烧结时长为8h，烧结温度为1250℃；
4、采用四探针测试法进行电输运性能测试。
实施例2
一种提高la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷电输运性能的方法，包括以下步骤：
1、la0.85ca0.15sr0.03mno3基体粉末合成：
1.1称取0.85molla(no3)3、0.15molca(no3)2、0.03molsr(no3)2、1molmn(no3)2和4mol柠檬酸，依次倒入去离子水中并配合同步搅拌得到过程物ⅰ；
1.2向步骤1.1所得过程物ⅰ滴入8ml乙二醇（乙二醇与过程物ⅰ的体积比为4%）得到过程物ⅱ；
1.3对步骤1.2所得过程物ⅱ进行高温蒸发处理，得到呈非流动凝胶态的过程物ⅲ，过程物ⅲ的流动状态作为反应停止判据；
1.4对步骤1.3所得过程物ⅲ进行高温烘干处理，得到干凝胶态的过程物ⅳ，烘干处理温度为140℃，烘干处理时间为12h；
1.5对步骤1.4所得过程物ⅳ进行充分球磨粉碎，得到过程物ⅴ，粒径为0.2mm；
1.6对步骤1.5所得过程物ⅴ作保护性烧结处理，得到la0.85ca0.15sr0.03mno3基体粉末；所述保护性烧结处理为真空烧结处理，真空度≤10pa，烧结温度为550℃，烧结时长为9h，在200℃、400℃的烧结温度节点处分别保温0.8h；
2、合成相材料制备：
2.1称取多层石墨烯（1nm）倒入步骤1.6所得的la0.85ca0.15sr0.03mno3基体粉末，la0.85ca0.15sr0.03mno3基体粉末与多层石墨烯质量比为1:0.001，对其进行球磨搅拌得到过程物ⅵ，过球磨搅拌转速为300r/min，球磨搅拌时长为8h；
2.2用薄膜和密封橡胶依次对步骤2.1所得过程物ⅵ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅶ，过程物ⅶ为粉末状，挤压操作压强为160mpa，挤压操作时长为3h；
2.3对步骤2.2所得过程物ⅶ进行压片操作，得到过程物ⅷ，过程物ⅷ为块材，压片操作压强为16mpa，压片操作时长为20min；
2.4对步骤2.3所得过程物ⅷ进行合成性烧结处理，得到合成相材料，合成相材料为块材，所述合成性烧结处理为气氛增压烧结，气氛为n2，气氛压强为1.6mpa，烧结温度为800℃，烧结时长为2h；
3、多晶陶瓷制备：
3.1将步骤2.4所得合成相材料捣碎，而后采用球磨粉碎作业将其粉碎成粉末状的过程物ⅸ，球磨粉碎作业时长为15h，过程物ⅸ的粒径尺寸为200nm；
3.2对步骤3.1所得过程物ⅸ进行富氧烧结得到过程物ⅹ，烧结氧压为0.03mpa，烧结时长为8h，烧结温度为1050℃；
3.3对步骤3.2所得过程物ⅹ进行压片操作，得到过程物ⅺ，过程物ⅺ为块材，压片操作压强为16mpa，压片操作时长为20min；
3.4用薄膜和密封橡胶依次对步骤3.3所得过程物ⅺ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅻ，挤压操作压强为220mpa，挤压操作时长为1.5h；
3.5对步骤3.4中所得过程物ⅻ进行富氧烧结得到多晶陶瓷，多晶陶瓷为块材，烧结氧压为0.05mpa，烧结时长为10h，所述富氧烧结的烧结温度为1300℃；
4、采用四探针测试法进行电输运性能测试。
实施例3
一种提高la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷电输运性能的方法，包括以下步骤：
1、la0.685ca0.315sr0.06mno3基体粉末合成：
1.1称取0.685molla(no3)3、0.315molca(no3)2、0.06molsr(no3)2、1molmn(no3)2和5mol柠檬酸，依次倒入去离子水中并配合同步搅拌得到过程物ⅰ；
1.2向步骤1.1所得过程物ⅰ滴入10ml乙二醇（乙二醇与过程物ⅰ的体积比为5%）得到过程物ⅱ；
1.3对步骤1.2所得过程物ⅱ进行高温蒸发处理，得到呈非流动凝胶态的过程物ⅲ，过程物ⅲ的流动状态作为反应停止判据；
1.4对步骤1.3所得过程物ⅲ进行高温烘干处理，得到干凝胶态的过程物ⅳ，烘干处理温度为150℃，烘干处理时间为18h；
1.5对步骤1.4所得过程物ⅳ进行充分球磨粉碎，得到过程物ⅴ，粒径为0.3mm；
1.6对步骤1.5所得过程物ⅴ作保护性烧结处理，得到la0.685ca0.315sr0.06mno3基体粉末；所述保护性烧结处理为真空烧结处理，真空度≤10pa，烧结温度为550℃，烧结时长为9h，在200℃、400℃的烧结温度节点处分别保温0.8h；
2、合成相材料制备：
2.1称取多层石墨烯（5nm）倒入步骤1.6所得的la0.685ca0.315sr0.06mno3基体粉末，la0.685ca0.315sr0.06mno3基体粉末与多层石墨烯质量比为1:0.01，对其进行球磨搅拌得到过程物ⅵ，球磨搅拌转速为350r/min，球磨搅拌时长为9h；
2.2用薄膜和密封橡胶依次对步骤2.1所得过程物ⅵ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅶ，过程物ⅶ为粉末状，挤压操作压强为180mpa，挤压操作时长为3.5h；
2.3对步骤2.2所得过程物ⅶ进行压片操作，得到过程物ⅷ，过程物ⅷ为块材，压片操作压强为20mpa，压片操作时长为25min；
2.4对步骤2.3所得过程物ⅷ进行合成性烧结处理，得到合成相材料，合成相材料为块材，所述合成性烧结处理为气氛增压烧结，气氛为n2，气氛压强为1.8mpa，烧结温度为900℃，烧结时长为4h；
3、多晶陶瓷制备：
3.1将步骤2.4所得合成相材料捣碎，而后采用球磨粉碎作业将其粉碎成粉末状的过程物ⅸ，球磨粉碎作业时长为18h，过程物ⅸ的粒径尺寸为300nm；
3.2对步骤3.1所得过程物ⅸ进行富氧烧结得到过程物ⅹ，烧结氧压为0.04mpa，烧结时长为9h，烧结温度为1050℃；
3.3对步骤3.2所得过程物ⅹ进行压片操作，得到过程物ⅺ，过程物ⅺ为块材，压片操作压强为20mpa，压片操作时长为25min；
3.4用薄膜和密封橡胶依次对步骤3.3所得过程物ⅺ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅻ，挤压操作压强为240mpa，挤压操作时长为1.8h；
3.5对步骤3.4所得过程物ⅻ进行富氧烧结得到多晶陶瓷，多晶陶瓷为块材，烧结氧压为0.06mpa，烧结时长为12h，所述富氧烧结的烧结温度为1400℃；
4、采用四探针测试法进行电输运性能测试。
实施例4
一种提高la1-xcaxsrymno3基多晶陶瓷电输运性能的方法，包括以下步骤：
1、la0.2ca0.8sr0.15mno3基体粉末合成：
1.1称取0.2molla(no3)3、0.8molca(no3)2、0.15molsr(no3)2、1molmn(no3)2和6mol柠檬酸，依次倒入去离子水中并配合同步搅拌得到过程物ⅰ；
1.2向步骤1.1所得过程物ⅰ滴入12ml乙二醇（乙二醇与过程物ⅰ的体积比为6%）得到过程物ⅱ；
1.3对步骤1.2所得过程物ⅱ进行高温蒸发处理，得到呈非流动凝胶态的过程物ⅲ，过程物ⅲ的流动状态作为反应停止判据；
1.4对步骤1.3所得过程物ⅲ进行高温烘干处理，得到干凝胶态的过程物ⅳ，烘干处理温度为170℃，烘干处理时间为24h；
1.5对步骤1.4所得过程物ⅳ进行充分球磨粉碎，得到过程物ⅴ，粒径为1mm；
1.6对步骤1.5所得过程物ⅴ作保护性烧结处理，得到la0.2ca0.8sr0.15mno3基体粉末；所述保护性烧结处理为真空烧结处理，真空度≤10pa，烧结温度为600℃，烧结时长为10h，在200℃、400℃的烧结温度节点处分别保温1h；
2、合成相材料制备：
2.1称取多层石墨烯（10nm）倒入步骤1.6所得的la0.2ca0.8sr0.15mno3基体粉末，la0.2ca0.8sr0.15mno3基体粉末与多层石墨烯质量比为1:0.1，对其进行球磨搅拌得到过程物ⅵ，球磨搅拌转速为400r/min，球磨搅拌时长为10h；
2.2用薄膜和密封橡胶依次对步骤2.1所得过程物ⅵ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅶ，过程物ⅶ为粉末状，挤压操作压强为200mpa，挤压操作时长为4h；
2.3对步骤2.2所得过程物ⅶ进行压片操作，得到过程物ⅷ，过程物ⅷ为块材，压片操作压强为25mpa，压片操作时长为30min；
2.4对步骤2.3所得过程物ⅷ进行合成性烧结处理，得到合成相材料，合成相材料为块材，所述合成性烧结处理为气氛增压烧结，气氛为n2，气氛压强为2mpa，烧结温度为1000℃，烧结时长为5h；
3、多晶陶瓷制备：
3.1将步骤2.4所得合成相材料捣碎，而后采用球磨粉碎作业将其粉碎成粉末状的过程物ⅸ，球磨粉碎作业时长为20h，过程物ⅸ的粒径尺寸为500nm；
3.2对步骤3.1所得过程物ⅸ进行富氧烧结得到过程物ⅹ，烧结氧压为0.05mpa，烧结时长为10h，烧结温度为1100℃；
3.3对步骤3.2所得过程物ⅹ进行压片操作，得到过程物ⅺ，过程物ⅺ为块材，压片操作压强为25mpa，压片操作时长为30min；
3.4用薄膜和密封橡胶依次对步骤3.3所得过程物ⅺ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅻ，挤压操作压强为250mpa，挤压操作时长为2h；
3.5对步骤3.4所得过程物ⅻ进行富氧烧结得到多晶陶瓷，多晶陶瓷为块材，烧结氧压为0.08mpa，烧结时长为14h，所述富氧烧结的烧结温度为1450℃；
4、采用四探针测试法进行电输运性能测试。
对比例
1、la0.685ca0.315sr0.06mno3基体粉末合成：
1.1称取0.685molla(no3)3、0.315molca(no3)2、0.06molsr(no3)2、1molmn(no3)2和5mol柠檬酸，依次倒入离子水中并配合同步搅拌得到过程物ⅰ；
1.2向步骤1.1所得过程物ⅰ滴入10ml乙二醇（乙二醇与过程物ⅰ的体积比为5%）得到过程物ⅱ；
1.3对步骤1.2所得过程物ⅱ进行高温蒸发处理，得到呈非流动凝胶态的过程物ⅲ；
1.4对步骤1.3所得过程物ⅲ进行高温烘干处理，得到干凝胶态的过程物ⅳ，烘干处理温度为150℃，烘干处理时间为18h；
1.5对步骤1.4所得过程物ⅳ进行充分球磨粉碎，得到过程物ⅴ，粒径为0.1mm；
1.6对步骤1.5所得过程物ⅴ作保护性烧结处理，得到la0.685ca0.315sr0.06mno3基体粉末；所述保护性烧结处理为真空烧结处理，真空度≤10pa，烧结温度为550℃，烧结时长为9h，在200℃、400℃的烧结温度节点处分别保温0.8h；
2、多晶陶瓷制备：
2.1对步骤1.6所得的la0.685ca0.315sr0.06mno3进行富氧烧结得到过程物ⅵ，烧结氧压为0.04mpa，烧结时长为9h，烧结温度为1050℃；
2.2对步骤2.1所得过程物ⅵ进行压片操作，得到过程物ⅶ，过程物ⅶ为块材，压片操作压强为20mpa，压片操作时长为25min；
2.3用薄膜和密封橡胶依次对步骤2.2中所得过程物ⅶ进行封装，而后将其放入冷等静压机中作挤压操作得到过程物ⅷ，挤压操作压强为240mpa，挤压操作时长为1.8h；
2.4对步骤2.3所得过程物ⅷ进行富氧烧结得到多晶陶瓷，多晶陶瓷为块材，烧结氧压为0.06mpa，烧结时长为12h，烧结温度为1400℃；
3、采用四探针测试法进行电输运性能测试。
图1-4为实施例1-4制得的多晶陶瓷块材的ρ-t曲线，图5为对比例制得的多晶陶瓷块材的ρ-t曲线。由图可以看出随着掺入石墨烯量的增加，多晶陶瓷块材的电阻率显著降低，金属-绝缘体转变温度（tp）保持不变，即多晶陶瓷的物相没有发生改变。当掺入石墨烯的量增加到某一限度以后，样品的电阻率反而升高。这可能是由于石墨烯在晶界之间形成了一条新的导电通道，从而降低了样品的电阻率，而当石墨烯的掺入量达到某一限度以后，石墨烯之间成团絮状，不能跟基体粉末混合均匀，增加了晶界阻碍，从而使电阻率升高。
图6-9为实施例1-4制得的多晶陶瓷块材的tcr曲线，图10为对比例制得的多晶陶瓷块材的tcr曲线。由图可以看出随着石墨烯掺杂量的增加，tk（tcr曲线峰值温度）及tcr值提升到一定程度（以图8为例，tk为300.96k左右，tcr为31.57%k-1左右）后开始降低。当la1-xcaxsrymno3基体粉末与石墨烯质量比为1:0.01时样品的tcr最大，说明适度添加石墨烯有助于改善样品的tcr，这种改善可以归因于石墨烯对样品颗粒之间连通性的改善，但当石墨烯的量继续增加时会增大样品内部的形貌缺陷，对tcr值具有反作用。