反射率高于35%，适于 营造光明舒适的室内和室外光环境；同时，其传热系数冬季低于I. 63W/m2 ?K，夏季低于 1.537W/m2*K，遮阳系数（Sc)低于0. 36。太阳能的总透过率低于32%，相对热增低于240w/m2,热工性能良好，能有效阻挡阳光热量向室内辐射，节能性能好，降低制冷能耗，控光节能 效果更佳。
[0071] 5、本发明的金色低辐射镀膜玻璃在制备过程中可以通过改变各镀膜膜层的厚度 获得不同光学和热学性能的金色低辐射镀膜玻璃，也可制成不同类型的中空玻璃，以适应 市场不同需求。
[0072] 6、本发明制备的金色低辐射镀膜玻璃的热稳定性高，可以实现异地热处理加工， 比阳光控制玻璃在产品加工时的热稳定性高。
【附图说明】
[0073] 图1为本发明金色低辐射镀膜玻璃的剖面示意图。
[0074] 附图标记：1、玻璃基片；2、第一娃错合金膜层；3、第二镍铬合金膜层；4、第三金属 银膜层；5、第四镍铬合金膜层；6、第五硅铝合金膜层。
【具体实施方式】
[0075] 下面通过实施例对本发明进行进一步说明，本发明的优点和特点将会随着描述而 更为清楚。但这些实施例仅是范例性的，并不对本发明的范围构成任何限制。本领域技术 人员应该理解的是，在不偏离本发明的精神和范围下可以对本发明技术方案的细节和形式 进行修改或替换，但这些修改和替换均落入本发明的保护范围内。
[0076] 如图1所示，本发明的金色低辐射镀膜玻璃依次由玻璃基片1、第一膜层2、第二 膜层3、第三膜层4、第四膜层5、第五膜层6组成，第一膜层2紧密贴合在玻璃基片1的表 面上，第二膜层3紧密贴合在第一膜层2上，第三膜层4紧密贴合在第二膜层3上，第四膜 层5紧密贴合在第三膜层4上，第五膜层6紧密贴合在第四膜层5上。第一膜层为硅铝合 金膜，第二膜层为镍铬合金膜，第三膜层为金色银膜，第四膜层为镍铬合金膜，第五膜层为 硅铝合金膜。第一硅铝合金膜层的厚度为32. 0-40.Onm，优选为33. 0-39.Onm;第二镍铬合 金膜层的厚度为5. 0-6.Onm，优选为5. 3-5. 7nm;第三膜金色银膜层的厚度为7-9nm，优选为 7. 8-8. 2nm;第四镍铬合金膜层的厚度为5. 0-6.Onm,优选为5. 3-5. 7nm;第五娃错合金膜层 的厚度为163-180nm，优选为167-176nm。
[0077] 实施例1
[0078] 1、靶材烧结
[0079] 在真空磁控溅射镀膜机（福建省新福兴玻璃有限公司，型号：XFXDM_01D)的第一 至第九靶室内，将预压成型的靶材分别烧结在第一至第九靶室的相应靶位上，其中：烧结 在第一、第二、第六至九靶室靶位上的靶材为烧结纯度为> 99. 5%、密度为> 2.lg/cm3、熔 点为580°C的硅铝合金靶材，其中Al含量为8-12±2wt%，其余为Si;烧结在第三和第五 靶室靶位上的靶材为烧结纯度为彡99.7%、密度为彡8.58/(^ 3、熔点为14201：的镍铬合金 靶材，其中Cr含量为20±lwt%，其余为Ni;烧结在第四靶室靶位上的靶材为烧结纯度为 彡99. 99%，密度为彡10. 5g/cm3 ;熔点为960°C的银靶材，
[0080] 其中，硅铝合金的烧结时间为90min;镍铬合金的烧结时间为90min;银的烧结时 间为60min。
[0081] 硅铝合金符合国家行业标准JC/T2068-2011中硅铝靶的成分要求；所述镍铬合 金符合国家行业标准JC/T2068-2011中镍铬靶的成分要求；所述银符合国家行业标准JC/ T2068-2011中银靶的成分要求。
[0082] 2、清洗玻璃
[0083] 2A)将厚度为6.Omm的浮法玻璃原片置于玻璃镀膜清洗机（德国GTA公司生产，型 号：GTA01-M)中，采用温度为37°C、矿物质的含量彡/cm/m2的去离子水进行清洗处理， 清洗速度为4m/min;
[0084] 本发明中的玻璃原片除了选用厚度为6mm的浮法玻璃原片之外，其他厚度的玻璃 原片也适用于本发明。采用去离子水清洗玻璃，不仅能去除玻璃表面的油污或其他杂质，也 避免了用自来水清洗引入其他金属离子的问题。
[0085] 2B)将清洗后的浮法玻璃在50°C下进行干燥处理，其中干燥速度为4m/min，去除 玻璃表面的水滴，制得干玻璃原片。
[0086] 3、排湿、脱气处理
[0087] 3A)将干玻璃原片用输送辊道传送至真空磁控溅射镀膜机的第一真空室，对干玻 璃原片进行第一次排湿、脱气处理，其中第一次排湿、脱气处理的时间为45s，传动速度为 0? 7m/min;第一次排湿、脱气处理的温度为_140°C，绝对压力为5. 0X10 _2mbar;
[0088] 3B)将经过第一次排湿、脱气处理的干玻璃原片输送至第二真空室，进行第二次排 湿、脱气处理,其中第二次排湿、脱气处理的时间为90s;传动速度为I. 8m/min;第二次排 湿、脱气处理的温度为90°C，绝对压力为3. 5X10 3mbar，制得待镀膜玻璃；
[0089] 本发明中玻璃传动速度以I. 8m/min为例进行说明，玻璃传动速度为I. 8-2.Om/ min均适用于本发明。
[0090] 在对浮法玻璃原片进行的多次排湿、脱气处理的过程中，处理温度逐渐升高，相对 压力依次降低，尤其是在第二排湿、脱气处理阶段相应延长处理时间，排除了沉积在玻璃表 面的水气和气体，使得待镀膜浮法玻璃的表面洁净，增加了玻璃表面和镀膜层间的附着力， 使所镀膜层不易脱落；同时，2次排湿、脱气处理，使浮法玻璃原片处在与磁控溅射时相同 的环境条件下，便于后续操作的进行，缩短了玻璃镀膜时间，提供了玻璃镀膜的效率。
[0091] 4、镀膜处理
[0092] 4A)开启真空磁控溅射镀膜机的溅射室的电源，加热，使溅射室（包括第一至第九 靶室）内的温度达到80-KKTC，绝对压力降低为2. 0-4. 0X103mbar(本发明实施例中绝对 压力以3.OX10 3Hibar为例进行说明），待镀膜玻璃从第一至第九靶室依次进行磁控溅射镀 膜处理；
[0093] 4B)将经过2次排湿、脱气处理制得的待镀膜玻璃以I. 8m/min的传送速度依次送 入镀膜溅射室的第一至第九靶室内，进行镀膜处理，制得镀膜玻璃，工艺参数如表1所示， 其中：
[0094] 待锻膜玻璃原片在第一革巴室内进行第一次锻覆娃错合金膜处理，第一革巴室内 通入氮气和氩气，氮气的流量为900sc/cm，氩气的流量为600sc/cm(即控制氮气和氩气 的体积之比为3:2)，电压为445V，电流为50A，功率为18Kw，第一靶室内的绝对压力为 2. 0-4.OX10 3mbar之内；第一祀室祀位上烧结的娃错合金祀材的金属原子从祀材的表面 溅射出，沉积在浮法玻璃玻璃原片的表面，第一硅铝合金膜层的第一次镀覆厚度为18.Onm， 制得第一镀膜玻璃；
[0095] 第一镀膜玻璃在第二靶室内进行第一硅铝合金膜层的第二次镀覆处理，第二靶室 内通入氮气、氦气，氮气的流量为900sc/cm，氦气的流量为600sc/cm(即控制氧气和氦气的 体积之比为3:2)，电压为532V，电流为39. 6A，功率为18.OKw，控制第二靶室内的绝对压力 为2. 0-4. OX 10 3mbar(选择3. OX 10 3mbar)之内；第二靶室靶位上烧结的硅铝合金合金靶 材的金属原子从靶材的表面溅射出，沉积在第一镀膜玻璃的表面，第一硅铝合金膜层的第 二次镀覆厚度为15.Onm的第二硅铝合金膜层，形成厚度为33.Onm的第一硅铝合金膜层，制 得第二镀膜玻璃；
[0096] 第二镀膜玻璃在第三靶室内进行第三次镀膜处理，第三靶室内通入氩气，氩气的 流量为1200sc/cm，电压为322. 7V，电流为5. 0A，功率为I. 8Kw，控制第三靶室内绝对压力为 2. 0-4.OX103mbar(3.OX103mbar)之内；第三革E室革E位上烧结的镍铬合金革E材的原子从 靶材的表面射出，沉积在第二镀膜玻璃的表面，形成厚度为5. 5nm的第二镍铬合金膜层，制 得第三镀膜玻璃；
[0097] 第三镀膜玻璃在第四靶室内进行第四次镀膜处理，第四靶室内通入氩气，氩气的 流量为1000sc/cm，电压为410. 0V，电流为8. 0A，功率为3. 2Kw，控制第四靶室内的绝对压力 为2. 0-4. 0X10 3mbar (3. 0X10 3mbar)之内；第四革巴室革巴位上烧结的银革巴材的金属原子从 靶材的表面射出，沉积在第三镀膜玻璃的表面，形成厚度为Snm的第三银膜层，制得第四镀 膜玻璃。