温工艺气体完全隔开，避免了焊缝开裂后水分子进入工艺气体中，从而导致进气装置损坏甚至发生爆炸的危险。
[0021]本实施例中，内水套组件I还包括套筒封板12、管道13和分水板14，套筒11呈喇叭状结构，套筒11的喇叭口底部封装套筒封板12以形成冷却腔，管道13沿轴向插设于冷却腔至套筒封板12上方，分水板14沿平行于套筒封板12的方向套设于管道13的一端，管道13的另一端与套筒11之间套设套筒封环15，套筒封环15上设有与冷却腔连通的通孔。冷却水通过管道13进入冷却腔，经过分水板14分流后，沿套筒11内壁流动至套筒封环15的通孔处流出，从而冷却进气装置。
[0022]本实施例中，多层进气圈20的卷折面210延伸至出气口 220处齐平，相邻两层进气圈20之间、最内层进气圈20与套筒11之间形成进气通道，进气通道与进气口 200、出气口 220均连通。高温工艺气体从进气口 200进入，经过进气通道、沿卷折面210流动至出气P 220处喷出。
[0023]本实施例中，每一个出气口 220的周缘对应焊接一个匀气环230，匀气环230上开设若干与进气通道连通的匀气通孔，此结构使得各层流气体能均匀、稳定喷出。
[0024]本实施例中，每一个进气口 200包括沿进气圈20的周缘均匀阵列的若干进气孔。若干进气孔均布置于密封环4内。
[0025]本实施例中，进气组件2包括三层进气圈20，三层进气圈20由外至内依次为外层进气圈21、中层进气圈22和内层进气圈23，外层进气圈21的顶端、中层进气圈22的顶端以及内层进气圈23的顶端均与对应的密封环4齐平。中层进气圈22内的工艺气体喷出时，其外层进气圈21和内层进气圈23内均有气体喷出，使得中层进气圈22内的工艺气体夹在中间，形成三层稳定的层流气体喷出。当然，在其他实施例中，也可以有其他多层的层流布置方式。
[0026]虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围的情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均应落在本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种用于Sic外延的耐高温水平多层进气装置，包括由内至外依次同轴套设的内水套组件(1)、进气组件(2)和安装法兰(3)，其特征在于，所述进气组件(2)包括同轴间隔套设的多层进气圈(20)和密封环(4)，多层进气圈(20)由外至内逐层伸长，每一个进气圈(20)的顶端均开设进气口( 200)，末端沿径向向外卷折形成喇叭口状的卷折面(210)，进气口(200)的周缘焊接密封环(4)，所述多个密封环(4)均设置于安装法兰(3)的外侧且多个密封环(4 )之间、最外层的密封环(4 )与安装法兰(3 )之间均间隔布置。2.根据权利要求1所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，其特征在于，所述最外层进气圈(20)的卷折面(210)向上延伸形成深槽(5)，所述安装法兰(3)覆盖于深槽(5)上并与深槽(5)的外周缘配合焊接固定，所述安装法兰(3)上设有与深槽(5)连通的进水孔。3.根据权利要求1所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，其特征在于，所述内水套组件(1)包括将冷却水和高温工艺气体隔开的套筒(11 )，所述套筒(11) 一体成型且间隔套设于最内层的进气圈(20)内，所述套筒(11)的一端相对于最内层的进气圈(20)向外伸出，另一端呈喇叭口状结构布置于最内层进气圈(20)的卷折面(210)下方。4.根据权利要求3所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，其特征在于，所述内水套组件(1)还包括套筒封板(12 )、管道(13 )和分水板(14 )，所述套筒(11)的喇叭口底部封装套筒封板(12)以形成冷却腔，所述管道(13)沿轴向插设于冷却腔至套筒封板(12)上方，所述分水板(14)沿平行于套筒封板(12)的方向套设于管道(13)的一端，所述管道(13)的另一端与套筒(11)之间套设套筒封环(15)，所述套筒封环(15)上设有与冷却腔连通的通孔。5.根据权利要求3所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，其特征在于，所述多层进气圈(20)的卷折面(210)延伸至出气口(220)处齐平，相邻两层进气圈(20)之间、最内层进气圈(20)与套筒(11)之间形成进气通道，所述进气通道与进气口(200)、出气口(220)均连通。6.根据权利要求5所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，其特征在于，每一个所述出气口( 220 )的周缘对应焊接一个匀气环(230 )，所述匀气环(230 )上开设若干与进气通道连通的匀气通孔。7.根据权利要求1所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，其特征在于，每一个所述进气口( 200 )包括沿进气圈(20 )的周缘均匀阵列的若干进气孔。8.根据权利要求1至7中任一项所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，其特征在于，所述进气组件(2 )包括三层进气圈(20 )，所述三层进气圈(20 )由外至内依次为外层进气圈(21)、中层进气圈(22)和内层进气圈(23)，所述外层进气圈(21)的顶端、中层进气圈(22)的顶端以及内层进气圈(23)的顶端均与对应的密封环(4)齐平。
【专利摘要】本发明公开了一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，包括由内至外依次同轴套设的内水套组件、进气组件和安装法兰，所述进气组件包括同轴间隔套设的多层进气圈和密封环，多层进气圈由外至内逐层伸长，每一个进气圈的顶端均开设进气口，末端沿径向向外卷折形成喇叭口状的卷折面，进气口的周缘焊接密封环，所述多个密封环均设置于安装法兰的外侧且多个密封环之间、最外层的密封环与安装法兰之间均间隔布置。本发明的有益效果为：各密封环与对应的各进气圈之间形成的焊缝均暴露在进气装置的外表面，方便检修，且各密封环之间间隔布置，方便补焊。
【IPC分类】C30B25/14
【公开号】CN105256369
【申请号】CN201510679240
【发明人】胡凡, 陈特超
【申请人】中国电子科技集团公司第四十八研究所
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年10月20日