专利名称：制造三－邻－金属化有机金属络合物的方法以及这种络合物在OLEDs中的应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及三-邻-金属化铱络合物的制备方法、可通过本发明的方法制备的Ir络合物、此Ir络合物作为发射体分子在有机发光二极管(OLEDs)中的应用、含有此Ir络合物的发光层、含有此发光层的OLED，以及含有本发明的OLED的装置。
三(苯基吡啶)铱络合物(Irppy3)是三重态发射体领域最重要的构件之一。在现有技术中，在许多出版物中描述了Irppy3在该领域的应用。这类化合物的一个优点在于，与通常使用的荧光染料(其在75％populatedtriplet态下也可用于发射)相比，只要发生快速系间窜越(ISC)，它们就能产生100％的理论量子产率。
R.J.Watts等，J.Am.Chem.Soc.1984，106，6647-6653，描述了利用苯基吡啶将IrCl3×3H2O直接环金属化的第一种生成Irppy3的途径。然而，所需Irppy3的产率只有10％，而所得Ir络合物主要由双核μ-氯络合物构成。
R.J.Watts等，Inorg.Chem.1991，30，1685-1687涉及由上述μ-氯络合物通过用2，4-戊二酮使该单元分解、再用苯基吡啶进一步(第三)环金属化来制备Irppy3。此外，公开了在200℃在甘油中由Ir(acac)3(acac＝乙酰丙酮化物)直接制备Irppy3。其缺点在于，该反应产生范围复杂的副产物，通过常规的提纯操作(结晶、色谱法、升华)将它们完全去除即使是可行的，也是非常麻烦的。
Bürgi等，Inorg.Chem.1994，33，545-550涉及由μ-氯络合物通过与AgOTf(Tf＝三氟乙酸盐)反应(从而可以引发与苯基吡啶的进一步反应)来制备Irppy3。
上述μ-氯络合物的化学式为 除了在电磁谱的绿色区域发光的Ir络合物Irppy3之外，在电磁谱的红色区域发光的有效发射体分子也受到关注。
A.Tsuboyama等，J.Am.Chem.Soc.2003，125，12971-12979公开了在电磁谱的红色区域发光的苯基异喹啉的Ir(III)络合物。它们是由Ir(acac)3通过与苯基异喹啉的反应制备的。所需络合物的产率为27％。
Su等，Adv.Mater，2003，15，884-888涉及取代的Ir-苯基异喹啉络合物的制备。它们是通过多级反应制备的，其中氯桥Ir二聚物与过量配体在存在Ag(CF3SO3)的情况下反应以产生所需的Ir络合物。
EP-A 1 191 612涉及含有Ir、Rh或Pd的三-邻-金属化络合物的发光二极管。除了其它化合物，还尤其公开了2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶的Ir络合物。它们是由Ir(acac)3通过与2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶的反应合成的。所需络合物的产率为23％。
WO 03/103341涉及在发光层中含有磷和发光材料的OLEDs。使用苯基异喹啉的三-邻-金属化Ir络合物作为发红光的材料。没有指出制备Ir络合物的方法。
WO 03/040256涉及发射红-橙光或红光的Ir(III)络合物。除了其它化合物，还尤其公开了氘化的苯基异喹啉的三-邻-金属化Ir络合物。该络合物经由μ-氯络合物的制备而制得。此外，公开了含有两个苯基异喹啉配体和一个乙酰丙酮化物配体的Ir(III)络合物。
EP-A 1 239 526涉及式MLmL’n的金属络合物，其中M尤其可以是Ir，L和L’是不同的二齿配体，如果合适，n可以是0。该络合物是经由μ-氯络合物的制备或由相应的乙酰丙酮化物络合物制得。
Vladimir V.Grushin等，Chem.Commun.，2001，1494-1495涉及含有氟化苯基吡啶作配体的Ir(III)络合物和它们在OLEDs中的应用。该Ir(III)络合物是通过使IrCl3与氟化2-芳基吡啶在存在AgO2CCF3的情况下反应制得的。然而，含有所述Ir(III)络合物的OLEDs的设备数据还能够改进。
WO 02/02714涉及含有氟化苯基吡啶、苯基嘧啶或苯基喹啉作配体的场致发光Ir(III)络合物，还涉及其活性层含有场致发光Ir(III)络合物的电子器件。含有氟化苯基吡啶的铱(III)络合物可以通过氟化苯基吡啶与水合IrCl3在存在Ag(OTf)但不存在溶剂的情况下反应制得。
DE-A 101 04 426涉及一种制备高纯三-邻-金属化有机铱化合物(例如Ir(ppy)3)的方法。所述化合物的制备如下使Ir(acac)3(acac＝乙酰丙酮化物)与合适的有机配体(在是Ir(ppy)3苯基吡啶的情况下)在两极质子溶剂中反应，或者使合适的有机配体(在是Ir(ppy)3苯基吡啶的情况下)反应，形成相应的锂盐，并随后使其在低温下与Ir(III)化合物(例如氯化铱(III))反应。只是在复杂的HPLC之后才获得了高纯形式的化合物。
本发明的目的是提供一种制备三-邻-金属化Ir络合物的方法，该方法简单(一步)并且在该方法中无需复杂的提纯步骤即可制备高纯Ir络合物。
我们已经发现，通过下述制备式(I)的化合物的方法可以实现该目的
其中X是-CR7＝CR8-、-S-、-NR9-、-O-、-Se-；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8，各自互相独立地为H；直链或支链C1-20烷基、环状C3-20烷基，其中烷基的一个或多个不相邻CH2基团可以被-O-、-S-、-NR10-或-CONR11-代替，而且烷基的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br或CN代替；骨架中含有4至14个碳原子的芳基或杂芳基，其中一个或多个碳原子可以被选自-O-、-S-、-N-和-P-的杂原子代替，而且碳原子和任何杂原子可以被如对R1至R8所述的非芳族取代基取代；F、Cl、Br或CN；或者R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8之中两个相邻基团一起构成环状基团，其又可以被对R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8所述的基团取代，其中环状基团的两个相邻取代基又可以构成环状基团；R9、R10，R11各自互相独立地为H；直链或支链C1-20烷基、环状C3-20烷基，其可以如对基团R1至R8所述被取代；或如对R1至R8所述的芳基或杂芳基；该方法是通过在存在选自Ag、Hg、Sb和Al盐的卤化物清除剂的情况下使式(II)的配体与式IrZ3或IrZ3·Lx的卤化铱或拟卤化铱反应来制备式(I)的化合物， 其中符号R1、R2、R3、R4、R5、R6和X的定义如上，在式IrZ3或IrZ3·Lx中，Z是卤化物或拟卤化物，L是有机或无机分子，x是分子L的数并且为1至3，优选3；例如IrZ3·Lx可以是 X优选为-CR7＝CR8-或-S-，其中R7和R8各自优选互相独立地为H、F或直链或支链C1-10烷基，特别优选为H或F。特别优选的是至少R7或R8为H，另一个基团为H、F或直链或支链C1-10烷基，优选H或F。非常特别优选的是R7或R8各自是H。X因此特别优选为-CH＝CH-或-S-。
R1、R2、R3、R4、R5和R6各自优选互相独立地为H；直链或支链C1-10烷基，其中烷基的一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-或-NR10-代替，也就是说，R1至R6可以是烷氧基或氨基，而且烷基的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br或CN代替；骨架中含有5或6个碳原子的芳基或杂芳基，其中一个或多个碳原子可以被选自-O-、-S-和-N-的杂原子取代；或者R1至R6之中两个相邻基团一起构成环状基团，该环状基团又可以被对R1至R6所述的基团取代，优选为可以是饱和或不饱和且可以被取代或未被取代的5元或6元环状基团，特别优选为未被取代的6元芳族基团；非常特别优选的是R3和R4或R5和R6一起构成未被取代的6元芳族基团，而其它基团不构成环状基团。
R9、R10、R11各自优选互相独立地为H、如对R1至R6所述的直链或支链C1-10烷基或芳基或杂芳基。非常特别优选的是R9、R10、R11各自互相独立地为H、C1-3烷基或C6芳基，它们可以任选地被取代。非常特别优选的是R9、R10、R11各自互相独立地为H、甲基、乙基或苯基。
在特别优选的具体实施方案中，X是-CR7＝CR8-，其中R7和R8各自优选互相独立地为H、F或直链或支链C1-10烷基，特别优选为H或F，非常特别优选的是至少R7或R8为H，特别是-CH＝CH-，且R1、R2、R3、R4、R5、R6各自互相独立地为H、直链或支链C1-10烷基，其中烷基的一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-或-NR10-代替，也就是说，R1至R6可以是烷氧基或氨基，而且烷基的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br或CN代替；骨架中含有5或6个碳原子的芳基或杂芳基，其中一个或多个碳原子可以被选自-O-、-S-和-N-的杂原子代替；优选的是R1、R2、R3、R4、R5和R6各自是H。
在另一优选的具体实施方案中，X是-CR7＝CR8-，其中R7和R8各自优选互相独立地为H、F或直链或支链C1-10烷基，特别优选为H或F，非常特别优选的是至少R7或R8为H，特别是-CH＝CH-，且R1、R2、R5和R6各自互相独立地为H、直链或支链C1-10烷基，其中烷基的一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-或-NR10-代替，也就是说，R1、R2、R5和R6可以是烷氧基或氨基，而且烷基的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br或CN代替；骨架中含有5或6个碳原子的芳基或杂芳基，其中一个或多个碳原子可以被选自-O-、-S-和-N-的杂原子代替；优选的是R1、R2、R5和R6各自是H；且R3和R4一起构成环状基团，该环状基团又可以被对R1、R2、R5和R6所述的基团取代，优选为可以是饱和或不饱和且可以被取代或未被取代的5元或6元环状基团，特别优选为未被取代的6元芳族基团。
在另一优选的具体实施方案中，X是-S-，且R1、R2、R3和R4各自互相独立地为H、直链或支链C1-10烷基，其中烷基的一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-或-NR10-代替，也就是说，R1、R2、R3和R4可以是烷氧基或氨基，而且烷基的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br或CN代替；骨架中含有5或6个碳原子的芳基或杂芳基，其中一个或多个碳原子可以被选自-O-、-S-和-N-的杂原子代替；优选的是R1、R2、R3和R4各自是H；且R5、R6一起构成环状基团，该环状基团又可以被对R1、R2、R3和R4所述的基团取代，优选为可以是饱和或不饱和且可以被取代或未被取代的5元或6元环状基团，特别优选为未被取代的6元芳族基团。
本发明非常特别优选地提供了通过式IIa、IIb和IIc的相应配体的反应制备具有下列化学式Ia、Ib和Ic的Ir络合物的方法
本发明的制备式I的化合物的方法是如下进行的使式II的化合物与式IrZ3或IrZ3·Lx的卤化铱或拟卤化铱反应，其中Z是卤化物(优选Br或Cl，特别优选为Cl)或拟卤化物(优选氰化物、氰酸盐或硫代氰酸盐)，L是含有供电子原子的有机或无机分子，例如四氢呋喃、吡啶、四氢噻吩或水，x优选为1至3。
该反应是在存在选自Ag、Hg、Sb和Al盐的卤化物清除剂的情况下进行的。
对于本发明，卤化物清除剂或拟卤化物清除剂是与卤化物离子或拟卤化物离子构成微溶盐的化合物(通常是盐)。
优选的卤化物清除剂是Ag(I)盐。合适的Ag(I)盐，例如，选自诸如AgNO3、Ag2CO3、Ag2SO4、AgClO4的无机盐和诸如Ag(OAc)、Ag(OTf)的有机盐。Ag(OTf)特别优选。
本发明的方法是在溶剂中进行的，该溶剂选自芳族溶剂和两性溶剂，例如通常含有1至10个碳原子、优选1至6个碳原子的醇，或烷氧基醇(例如乙氧基乙醇)或芳氧基醇。该溶剂优选具有≥100℃、特别优选120至200℃的沸点。非常特别优选的是，使用选自由单芳氧基乙醇(例如苯氧基乙醇)、单烷氧基乙醇、单取代的芳族化合物、多取代的芳族化合物、萘烷、甘油和水组成的组的溶剂。还可以使用上述溶剂的混合物。非常特别优选的是使用甘油、苯氧基乙醇和/或水。
在本发明的方法中，卤化铱或拟卤化铱、式II的化合物和卤化物清除剂的比率通常为1∶4-20∶3-6，优选1∶6-10∶3.1-3.5。
本发明的方法通常在140至230℃、优选180至200℃、特别优选在185至195℃下进行。反应时间通常为0.1至24小时，优选0.5至6小时，特别优选0.5至2小时。因此本发明的方法明显比现有技术的方法(例如DE-A 101 04 426实施例260小时)进行得快，因此从经济角度看该方法是有利的并明显优于现有技术。
通常选择溶剂的量，以使1毫升溶剂中存在0.01至2.5毫摩尔，优选0.2至2毫摩尔，特别优选0.25至0.6毫摩尔的卤化铱或拟卤化铱。
使用本发明的方法，所需的式I的Ir络合物(作为粗产物)的产率通常为至少70％，优选至少80％，特别优选至少90％(基于所用卤化铱或拟卤化铱)。对于本发明，粗产物是在反应之后未经提纯操作可以分离出来的产物。
本发明的方法与按照现有技术由Ir(acac)3制备相应Ir络合物的方法相比，反应对H2O和O2的存在不那么敏感，也就是说，可以使用仅靠通入保护气体(优选达1至2小时)或简单施加至少0.1巴的真空并随后注入保护气体来脱气的溶剂，而不用通过冷冻对溶剂进行复杂的脱气。
由于副产物范围有利，因此可以通过简单的提纯步骤获得纯相的、优选结晶形式的式(I)的高纯Ir络合物。提纯优选通过升华、结晶、色谱法和/或简单的柱过滤(column filtration)进行。提纯的反应条件和工艺步骤是本领域技术人员已知的。柱过滤通常使用非质子无极性溶剂通过硅胶进行。优选使用二氯甲烷作为柱过滤的溶剂。
提纯之后，通常使用本领域技术人员已知的方法，例如在高温下、在室温减压下、或在高温减压下干燥所得式(I)的高纯Ir络合物。
当使用本发明的方法时，在上述简单提纯步骤后，获得的式(I)的高纯Ir络合物的纯度通常＞97％，优选＞99.5％，更优选＞99.9％。
通过本发明的方法制备的式(I)的高纯Ir络合物优选以结晶形式存在。
与传统用于制备式(I)的Ir络合物的以Ir(acac)3为原料的制备法相比，本发明的方法提供了下列优点-明显缩短的反应时间，-更稳固的反应条件(对O2/H2O的敏感性降低，所用溶剂的脱气弱化)-通过柱过滤法简单提纯和-不含有机污染的明显提高的产品质量。
特别地，在按照本发明制备的式(I)的Ir络合物汽化时，不含有机污染的明显提高的产品质量变得更加明显。它们完全汽化，不留残渣，而现有技术的相应Ir络合物汽化时会留下黑色的有机物质残渣。
此外，本发明的方法还适合大量产物的制备，这对该方法的工业应用是重要的。
通过本发明的方法制备的式Ia的Ir络合物通常主要是2至10微米长1至3微米宽的片状形式，而相应的常规制备的含有苯基吡啶基配体的Ir络合物(由Ir(acac)3制得)是1至10微米长0.2微米宽的针状(这些值是通过TEM检查测定的)。
本发明因此进一步提供了能够通过本发明的方法制备的式(I)的Ir络合物。优选的Ir络合物如上所述。本发明的式(I)的Ir络合物是高纯的，优选是结晶的，而且特别是不含任何有机杂质。因此，本发明的式(I)的Ir络合物样品的蒸发不留任何残渣。
本发明的方法可以获得纯相的、优选结晶形式的式(Ia)的Ir络合物。对于本专利申请，“纯相的、优选结晶形式”是指通常含有0至5重量％、优选0至2重量％、特别优选0至0.5重量％的异相。非常特别优选的是，只存在单晶相，也就是完全不含(0重量％)异相。
在另一优选的具体实施方案中，本发明提供了纯相的、结晶形式的式(Ia)的Ir络合物 (三(苯基吡啶)铱络合物；Irppy3)，其具有下列选定的使用CuKα辐射通过粉末衍射法(XRD)测定的布拉格反射(CuKα)2θ＝10.5、11.4、12.9、15.5、16.7、17.0、18.2、19.7、21.0和21.5。测定上述布拉格反射所用的线位置的测量值具有+/-0.2°的测量精度。
具有本发明的结构数据的式Irppy3的化合物从现有技术中无法获知。本发明的化合物与现有技术的Irppy3相比，在用于OLEDs时表现出明显提高的效率。如本专利申请的实施例和对比例明确表示的那样，如果使用本发明的式(Ia)的Ir络合物作为OLEDs中的发射体分子，效率明显高于使用按照现有技术制备的相应化合物。将本发明化合物的亮度和效率与现有技术所述的数据进行客观比较是困难的，因为所测效率不单取决于各自的发射体，还相当容易受到确切的器件构造、测量几何学和测量参数的影响。因此，在本专利申请的实施例和对比例中在相同构造的器件(OLED)中比较市售化合物(H.W.Sands Corp.，USA)和本发明的化合物。
在下述OLED结构中，在50纳米的发射体层厚度下，本发明的化合物的最大亮度为100000cd/m2。市售材料(H.W.Sands Corp.，USA)的相应值为80000cd/m2。最大亮度因此明显高于(高大约25％)现有技术的Irppy3化合物。
所用OLEDs的结构ITO(铟-锡-氧化物)/NPD(层厚大约40纳米)/CBP-Ir(ppy)3(大约6体积％)(层厚10至40纳米)/BCP(层厚大约6纳米)/Alq3(层厚大约20纳米)/LiF(层厚大约2纳米)/AlOLEDs的效率可以通过下列参数界定亮度L(cd/m2)这是光强度和发光面积的商。亮度可以直接用亮度测量仪器测定。
发光效率ηph(cd/A)ηph＝L/J发光效率是亮度和电流密度的商。
内量子效率可以进一步分解成下方物理部件活动的量子效率。这里必须在主材料的荧光发光体或者例如磷光三重态发光体之间进行区分。
含有本发明的式(Ia)的Ir络合物作为发射体的OLEDs与含有现有技术的化合物(H.W.Sands Corp.，USA)作为发射体的OLEDs相比，表现出下列更加有利的性质●含有本发明的化合物的OLEDs在10毫安/平方厘米电流密度下的亮度高于含有现有技术的化合物的OLEDs。在具有上述结构的OLED中，在50纳米的发射体层厚度下，10毫安/平方厘米电流密度下的亮度为2565cd/m2。现有技术中已知的材料(H.W.SandsCorp.，USA)的相应值为2331cd/m2。
●含有本发明的化合物的OLEDs的最大发光效率高于含有现有技术的化合物的OLEDs。在具有上述结构的OLED中，在50纳米的发射体层厚度下，最大发光效率为25-26cd/A。按照现有技术制备的材料(H.W.Sands Corp.，USA)的相应值为23-24cd/A。
●含有本发明的化合物的OLEDs在100cd/m2亮度下的发光效率高于含有现有技术的化合物的OLEDs。在具有上述结构的OLED中，在30或40纳米的发射体层厚度下，100cd/m2亮度下的发光效率为17.8-18.8cd/A。现有技术中已知材料(H.W.Sands Corp.，USA)的相应值为16-15cd/A。
因此，与相应的市售化合物(Irppy3)相比，本发明的式(Ia)(Irppy3)的Ir络合物表现出更高的最大亮度、在10毫安/平方厘米电流密度下更高的亮度、更高的最大发光效率、在100cd/m2亮度下更高的发光效率和在100cd/m2亮度下更高的光输出。
图2显示了通过本发明的方法制备的Irppy3的XRD粉末衍射图。作为比较，图3显示了市售(H.W.Sands Corp.，USA)Irppy3的XRD粉末衍射图。可以清楚地看出，通过本发明的方法制备的Irppy3是纯相形态的，而市售Irppy3则为多相形式。
与本发明的化合物的上述数据不同，在无溶剂法中制备并且必须提纯的Vladimir V.Grushin等，Chem.Commun.，2001，1494-1495的Ir(III)络合物表现出只有3.8cd/A的发光效率。
在另一具体实施方案中，本发明提供了结晶形式的式(Ib)的Ir络合物 (三(2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶)铱络合物，Ir(btp)3)，其具有下列选定的使用CuKα辐射通过粉末衍射法(XRD)测定的特征性布拉格反射(CuKα)2θ＝9.24、10.66、11.91、14.09、15.08、19.21、20.65、23.26、23.87、24.47。测定上述布拉格反射所用的线位置的测量值具有+/-0.2°的测量精度。
具有本发明的结构数据的通式(Ib)的Ir络合物从现有技术中无法获知。本发明的式(Ib)的化合物与现有技术的相应Ir络合物相比，在用于OLEDs时表现出明显提高的效率。本发明的式(Ib)的Ir络合物用作OLEDs中的发射体分子时表现出非常好的效率。
本发明的式(Ia)和(Ib)的Ir络合物以及可通过本发明的方法制备的式(I)的Ir络合物，在用作OLEDs中的发射体分子时具有高效率。
本发明因此还提供了按照本发明的或通过本发明方法制备的式I的Ir络合物在有机发光二极管(OLEDs)中作为发射体分子的应用。
有机发光二极管(OLEDs)具有
图1所示的基本结构。
在该图中，参考数字代表1阳极2空穴传输层3发光层4电子传输层和5阴极在OLEDs中，施加电势来激活发光层。优选使用本发明的式(Ia)的Ir络合物作为发光层(3)中的发射体分子。然而，还可以在电子传输层(4)中使用本发明的Ir络合物。本发明因此还提供了含有本发明的Ir络合物或通过本发明的方法制备的Ir络合物的发光层。
除本发明的式(I)的Ir络合物外，发光层中还可以存在其它化合物。例如，可以存在荧光染料以改变用作发射体分子的Ir络合物发出的颜色。而且还可以存在稀释材料。这种稀释剂材料可以是聚合物，例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷。然而，稀释剂材料也可以是小分子，例如4，4’-N，N’-联咔唑基联苯(CBP)或叔芳胺。如果使用稀释剂材料，发光层中本发明的Ir络合物的比例通常低于20重量％，优选为3至10重量％。
为了获得特别高效的OLEDs，空穴传输层(2)的HOMO(最高已占据的分子轨道)应该与阳极的功函数相配，电子传输层(4)的LUMO(最低已占据的分子轨道)应该与阴极的功函数相配。
本发明进一步提供了含有按照本发明的发光层的OLED。
OLED的其它层可以由这些层中惯常使用的任何材料构成。
阳极(1)是提供正电荷载流子的电极。其可以，例如，由含有金属、不同金属的混合物、金属合金、金属氧化物或不同金属氧化物的混合物的材料构成。作为一种选择，阳极可以是导电聚合物。合适的金属包括元素周期表第11、4、5和6族的金属和第8至10族的过渡金属。如果阳极要是透明的，通常使用元素周期表第12、13和14族元素的混合金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)。阳极(1)也可以含有有机材料，例如，如Nature，Vol.357，477至479页(1992年6月11日)中所述的聚苯胺。至少阳极或阴极应该是至少部分透明的，以使产生的光能够射出。
例如在Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technologie，第四版，卷18，837至860页，1996中公开了适合本发明OLED的层(2)使用的空穴传输材料。空穴传输分子和聚合物都可以用作空穴传输材料。常用的空穴传输分子选自4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(TPD)、1，1-二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(4-甲基苯基)-N，N’-二(4-乙基苯基)[1，1’-(3，3’-二甲基)联苯]-4，4’-二胺(ETPD)、N，N，N’，N’-四(3-甲基苯基)亚苯基-2，5-二胺(PDA)、α-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、二[4-(N，N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、反式-1，2-二(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TTB)和卟啉化合物，例如铜酞菁。常用的空穴传输聚合物选自聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷和聚苯胺。也可以通过在聚苯乙烯和聚碳酸酯之类的聚合物中掺入空穴传输分子来获得空穴传输聚合物。合适的空穴传输分子是上述分子。
对于本发明OLEDs的层(4)合适的电子传输材料包括oxinoid化合物螯合的金属，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；基于菲咯啉的化合物，例如2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DDPA)或4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DPA)；和唑化合物，例如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)和3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)。层(4)可用于辅助电子传输或用作缓冲层或隔离层以防止OLED各层界面处的激子猝熄。层(4)优选提高电子的可动性并减少激子猝熄。
阴极(5)是用于引入电子或负电荷载流子的电极。阴极可以是功函数低于阳极的任何金属或非金属。合适的阴极材料选自元素周期表第1族的碱金属(例如Li、Cs)、第2族的碱土金属和第12族的金属，包括稀土金属和镧系和锕系元素。还可以使用例如铝、铟、钙、钡、钐和镁之类的金属和它们的组合。此外，可以在有机层和阴极之间使用含锂的有机金属化合物以降低操作电压。
本发明的OLED还可以包括本领域技术人员已知的其它层。例如，在层(2)和发光层(3)之间可以有一层有助于正电荷传输和/或垫平(match)层间带隙的层。作为一个选择，这种附加层可用作保护层。类似地，在发光层(3)和层(4)之间可以存在其它层以辅助负电荷传输和/或垫平层间带隙。作为一个选择，该层可用作保护层。
在优选具体实施方案中，除层(1)至(5)外，本发明的OLED包括至少一层下述附加层-在阳极(1)和空穴传输层(2)之间的空穴注入层；-在空穴传输层(2)和发光层(3)之间的电子阻挡层；-在发光层(3)和电子传输层(4)之间的空穴阻挡层；-在电子传输层(4)和阴极(5)之间的电子注入层。
对于各层合适的物质是本领域技术人员已知的，而且公开于例如WO00/70655中。
此外，本发明的OLED的上述各层都可以由两层或多层构成。层(1)、(2)、(3)、(4)和(5)中一些或所有层的表面还可以经过处理以提高电荷载流子传输的效率。优选对所述各层的材料进行选择以获得高效率OLED。
可以通过本领域技术人员已知的方法制造本发明的OLED。通常在合适的基材上依次气相沉积每个层，由此制造OLED。合适的基材是，例如，玻璃或聚合物膜。可以使用热汽化、化学气相沉积和其它常规技术进行气相沉积。在可供选择的方法中，可以使用本领域技术人员已知的涂布技术由在合适溶剂中的溶液或分散体涂敷有机层。
一般而言，各层具有下列厚度阳极(2)500至5000，优选1000至2000；空穴传输层(3)50至1000，优选200至800；发光层(4)10至1000，优选100至800；电子传输层(5)50至1000，优选200至800；阴极(6)200至10000，优选300至5000。可通过各层的相对厚度影响本发明的OLED中空穴和电子重组区的位置，并因而影响OLED的发射光谱。这意味着电子传输层的厚度应该优选，以使得电子-空穴重组区位于发光层中。OLED中各层的厚度比取决于所用材料。如果合适，所用附加层的厚度是本领域技术人员已知的。
在本发明的OLEDs的发光层中使用本发明的式(I)的Ir络合物作为发射体分子，可以获得高效率OLEDs。还可以通过使其它层最优化来提高本发明的OLEDs的效率。例如，可以使用Ca、Ba或LiF之类的高效阴极。在本发明的OLEDs中也可以使用降低操作电压或提高量子效率的成型基底和新型空穴传输材料。此外，在OLEDs中可以存在附加层以调节各层的能级并有助于场致发光。
可以在可利用场致发光的所有装置中使用本发明的OLEDs。合适的装置优选选自固定和移动VDUs。固定VDUs有，例如，电脑、电视的VDUs、打印机、厨房电器和广告牌中的VDUs、照明和信息显示装置。移动VDUs有，例如，移动电话、便携电脑、汽车中的VDUs及公交车和火车上的目的地显示器。
本发明的式(I)的Ir络合物还可以用于本发明的OLEDs以外的其它应用。这种应用的例子包括使用本发明的式(I)的Ir络合物作为对氧敏感的指示剂、作为生物测定中的磷光指示剂和作为催化剂。
此外，本发明的式(I)的Ir络合物可用于具有逆转结构的OLEDs中。在这些逆转OLEDs中，式(I)的Ir络合物优选用于发光层。逆转OLEDs的结构和其中常用的材料是本领域技术人员已知的。
下列实施例举例阐述本发明。
1.Irppy3的制备
1.1Irppy3的制备(K.Dedeian等，Inorg.Chem.1991，30，1685-1687)(对比实验，“acac途径”) 原材料Ir(acac)32.50克 5.10毫摩尔2-苯基吡啶，蒸馏过的 3.17克 20.4毫摩尔甘油 100毫升程序将3.17克苯基吡啶与100毫升冻干的甘油一起放入配有回流冷凝器和双向活塞的四颈烧瓶中，并使氩气通过混合物达1小时，从而将其脱气。在80℃下，与氩气逆流向混合物中加入Ir(acac)3。将所得黄色悬浮液加热至200℃并在此温度保持18小时。冷却后，通过75毫升G4玻璃料过滤悬浮液。用母液清洗反应烧瓶。用总共200毫升去离子水(每次加入少量)洗涤残余物。随后用总共45毫升(分成小份加入)甲醇洗涤。抽吸去除洗液后，将残余物干燥。
在室温下，将所得2.20克粗制产物在130克二氯甲烷中搅拌1小时。通过125毫升G4玻璃料过滤悬浮液。洗涤滤饼时，其溶于二氯甲烷。使溶液通过填有大约670毫升用二氯甲烷润湿的硅胶的1升G3玻璃料。
产率反复进行色谱分离或HPLC之后，获得800毫克纯净Irppy3(23.8％)。
分析1H-NMR(CD2Cl2，400MHz)δ＝6.74(ddd，1H，3J＝7.6Hz，4J＝1.7Hz，5J＝0.6Hz，1-H)，6.79(td，3J＝6.8Hz，4J＝1.4Hz，2-H)，6.88(ddd，1H，3J＝7.7Hz，3J＝6.8Hz，4J＝1.7Hz，3-H)，6.92(ddd，1H，3J＝7.4Hz，3J＝5.5Hz，4J＝1.3Hz，7-H)，7.57(ddd，1H，3J＝5.5Hz，4J＝1.7Hz，5J＝0.9Hz，8-H)，7.65(ddd，1H，3J＝8.2Hz，3J＝7.3Hz，4J＝1.6Hz，6-H)，7.67(ddd，1H，3J＝7.7Hz，4J＝1.5Hz，5J＝0.6Hz，4-H)，7.92(dt，1H，3J＝8.3Hz，4J＝1.0Hz，5-H)。
1.2通过银盐法制备Irppy3(按照本发明，“Ag途径”) 原材料IrCl3·3H2O 2.56克 7.26毫摩尔2-苯基吡啶，蒸馏过的 10.0克 64.5毫摩尔AgOTf5.05克 22.4毫摩尔甘油(无水)30毫升程序将包括四颈烧瓶、回流冷凝器、进气管、双向活塞和磁搅拌器的反应装置用氮吹扫30分钟。在烧瓶中加入甘油和2-苯基吡啶后，获得不均匀混合物，将其用80℃氮气吹洗1小时。与氮气逆流加入三水合氯化铱(深绿色粉末)。然后加入AgOTf。
缓慢加热至185℃(在调节器上设定温度)时，在100℃获得棕色悬浮液。在185℃两小时后，停止加热并使反应混合物在N2下搅拌的同时冷却。
整理通过75毫升G3玻璃料抽吸过滤混合物，并将残余物用200毫升水、然后用100毫升甲醇洗涤。然后在室温下将残余物在370毫升二氯甲烷中搅拌半小时，并通过柱过滤法提纯。
在真空干燥炉中将所得大量浅黄色产物在55℃干燥过夜。
产率获得3.50克(73％)所需产物。
分析1H-NMR(CD2Cl2，400MHz)δ＝6.74(ddd，1H，3J＝7.6Hz，4J＝1.7Hz，5J＝0.6Hz，1-H)，6.79(td，1H，3J＝6.8Hz，4J＝1.4Hz，2-H)，6.88(ddd，1H，3J＝7.7Hz，3J＝6.8Hz，4J＝1.7Hz，3-H)，6.92(ddd，1H，3J＝7.4Hz，3J＝5.5Hz，4J＝1.3Hz，7-H)，7.57(ddd，1H，5J＝5.5Hz，4J＝1.7Hz，5J＝0.9Hz，8-H)，7.65(ddd，1H，3J＝8.2Hz，3J＝7.3Hz，4J＝1.6Hz，6-H)，7.67(ddd，1H，3J＝7.7Hz，4J＝1.5Hz，5J＝0.6Hz，4-H)，7.92(dt，1H，3J＝8.3Hz，4J＝1.0Hz，5-H)。
通过X-射线粉末衍射法检测所得产物。可以根据粉末衍射图测定化合物结构。获得纯相的、结晶形式的Irppy3，其具有下列选定的通过粉末衍射法(XRD)测定的布拉格反射2θ＝10.5、11.4、12.9、15.5、16.7、17.0、18.2、19.7、21.0和21.5。
图2显示了本发明的Irppy3的X-射线粉末衍射图(CuKα)。在横坐标上显示角度(2θ标度)，在纵坐标上显示强度(计数)。
图3显示了市售Irppy3(H.W.Sands Corp.，USA)的X-射线粉末衍射图(CuKα)。在横坐标上显示角度(2θ标度)，在纵坐标上显示强度(计数)。
X-射线粉末衍射图的对比显示，本发明的Irppy3为纯相形式，而市售Irppy3为多相形式。此外，与图3中较差的信噪比相比，图2中良好的信噪比表明本发明的Irppy3的纯度明显高于市售Irppy3。
2.Ir(btp)3的制备2.1使用乙酰丙酮化铱制备Ir(btp)3(对比实验，“acac途径”) 一次投料量乙酰丙酮化铱0.60克 1.22毫摩尔2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶 1.03克 4.87毫摩尔甘油50毫升程序将氩气通入已经在高真空中脱气并正在60℃下搅拌的甘油中达一个半小时。与氩气逆流加入乙酰丙酮化铱和2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶。使反应混合物避光并在氩气氛(橡皮瓶)和回流下(185℃)搅拌18小时。将混合物在80℃过滤。刮下沉积在磁搅拌器上的黑色结晶产物并加到玻璃料上的残余物中。玻璃料上的残余物非常不均匀。可以看见黄色、白色和深褐色颗粒。残余混合物在紫外线下仅显示出非常弱的红光。清澈的黄色母液在紫外线下不发光并被弃置。用去离子水、随后用甲醇洗涤残余物。黄色甲醇滤液在紫外线下不发光并被弃置。随后用100毫升二氯甲烷洗涤残余物。
洗出的深褐色残余物(在紫外线下不发光)被弃置。二氯甲烷滤液在紫外线下发橙色-红色光。将其蒸发。
产品重量0.24克/产率理论值的24％TLC(薄层色谱法)产物被污染(Rf＝0.93，在硅胶上，洗脱液CH2Cl2)2.2通过银盐法制备Ir(btp)3(按照本发明，“Ag途径”) 一次投料量
三水合三氯化铱 0.93克 2.65毫摩尔2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶 5.00克 23.7毫摩尔三氟乙酸银 1.85克 8.20毫摩尔甘油 35毫升程序将氮气通入正在100℃下搅拌的甘油中达2小时。与氮气逆流加入2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶。同样与氮气逆流地在该白色悬浮液中加入三水合三氯化铱。
三分钟后，获得橙色的几乎完成的溶液，其在紫外线下不发光。加入银盐，这使混合物明显变暗。使烧瓶避光并加热至反应混合物的回流温度(185℃)。在两小时反应时间的最后，获得在紫外线下不发光的红棕色悬浮液。将混合物在搅拌的同时冷却至100℃。在此温度下通过50毫升G4玻璃料分离黄色混合物(其中红棕色固体已经沉积在磁搅拌棒上)。将仍留在烧瓶中和留在磁搅拌器上的产物合并，在研钵中碾碎并在甲醇中制浆。将红棕色甲醇悬浮液通过相同的玻璃料过滤，并用甲醇洗涤残余物直至洗液清澈无色。将红棕色残余物吸干(sucked dry)并在二氯甲烷中搅拌，通过50毫升G4玻璃料分离所得悬浮液。
使用洗脱液二氯甲烷在硅胶板上对红色母液进行的TLC产物(Rf＝0.98)被配体污染(Rf＝0.68)。
因此，将二氯甲烷溶液蒸发至大约25毫升并在吸滤漏斗中分离结晶出的红色晶体。用大约10毫升甲醇将晶体洗涤至红色母液。甲醇滤液最后是清澈无色的。将晶体彻底吸干。
产品重量1.67克/产率理论值的79％Rf＝0.93(硅胶，CH2Cl2)
1H-NMR(CDCl3，400MHz)δ＝6.58(d，1H，J＝8.3Hz)，6.66(dt，1H，J＝7.2Hz，J＝1.1Hz)，6.78(t，1H，J＝5.5Hz)，7.08(t，1H，J＝8.1Hz)，7.37(d，1H，J＝5.0Hz)，7.52-7.61(m，2H)，7.76(d，1H，J＝7.0Hz)3.Ir(piq)3的制备3.1使用乙酰丙酮化铱制备Ir(piq)3(对比实验，“acac途径”) 一次投料量乙酰丙酮化铱 0.60克 1.22毫摩尔1-苯基异喹啉 1.00克 4.87毫摩尔甘油 50毫升程序将氩气通入已经在高真空中脱气过并正在60℃下搅拌的甘油中达一个半小时。与氩气逆流加入乙酰丙酮化铱和1-苯基异喹啉。使反应混合物避光并在氩气氛(橡皮瓶)和回流下(185℃)搅拌21小时。在反应时间的最后，最初为橙色的溶液变成深橙色悬浮液。将悬浮液在大约100℃通过玻璃料过滤，并用去离子水洗涤残余物。
产物重量无。与使用三水合三氯化铱和银盐进行的合成不同，深褐色残余物及其二氯甲烷溶液以及用二氯甲烷萃取过的母液不显示任何发光！不再整理该实验。
3.2通过银盐法制备Ir(btp)3(按照本发明，“Ag途径”) 一批投料量三水合三氯化铱 0.97克 2.75毫摩尔1-苯基异喹啉 5.03克 24.5毫摩尔三氟乙酸银 1.92克 8.50毫摩尔甘油 40毫升程序将氮气通入正在100℃下搅拌的甘油中达一个半小时。与氮气逆流加入1-苯基异喹啉。同样与氮气逆流地在该清澈无色的溶液中加入三水合三氯化铱和三氟乙酸银。使反应混合物避光并在氮气氛(橡皮瓶)下在回流下(185℃)搅拌2小时。将悬浮液在大约100℃通过玻璃料过滤，并用甲醇和去离子水(1∶1)的160毫升混合物洗涤残余物，并随后在热二氯甲烷中搅拌并通过玻璃料过滤。蒸发二氯甲烷母液。
产品重量1.68克/产率理论值的76.4％
质量(EI)804.0、805.0、806.0(M+)4.金属化实施例1至3的结果概要表1
上表1的结果表明，本发明的方法(“Ag途径”)在下列方面明显由于现有技术的方法(“acac途径”)-反应时间-提纯简易性-产率。
5.来自实施例2.2和3.2的Ir络合物Ir(btp)3和Ir(biq)3的物理结果在甲苯中以2毫克/升的浓度测量Ir络合物Ir(btp)3和Ir(biq)3的吸收和发射光谱。在用空气饱和的甲苯溶液中以大约2毫克/升的浓度测量发光量子产率。结果概括在下表2中。
表2所得环金属化化合物的光谱数据综述
在表2中，缩写符号具有下列含义Solv. 溶剂λabsmax 最大吸收的波长λemmax最大发射的波长QY 量子产率(量子产率通过以J.W.Eastman，J.Photochem.
Photobiol.，6.55-72，1967；J.N.Demas，G.A.Crossby，J.
Phys.Chem.75，991-1025，1971(Review)和D.F.Eaton，J.
Photochem.Photobiol.，2，523-531，1988中公开的方法为基础的方法测定)CIE 1931Commission Internationale de L’Eclairage，色度坐标量子产率QY是内量子产率，并且是指发出的光子数与吸收的光子总数的比率。
表2首先记录了在甲苯中(也就是在溶液中)的上述物理性质，其次记录了散装(也就是粉末形式)时的上述性质。
图4显示了本发明的Ir(btp)3的X-射线粉末衍射图(CuKα)。在横坐标上显示角度(2θ标度)，在纵坐标上显示强度(计数)。
6.Irppy3在OLEDs中的应用在具有下列结构的OLED中测试市售Irppy3(H.W.Sands Corp.，USA)和按照本发明制备的Irppy3(实施例1.2，“Ag途径”)
阳极 ITO(氧化铟-锡)空穴传输层α-NPD(4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯)(厚度大约40纳米)发光层CBP(4，4’-N，N’-二咔唑基联苯)含有6体积％的Irppy3(厚度大约20-50纳米)空穴阻挡层BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)(厚度大约6纳米)电子传输层Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)(厚度大约20纳米)电子注入层 LiF(厚度大约2纳米)阴极 Al使用本发明的Irppy3(“Ag途径”)的OLEDs与使用来自H.W.SandsCorp.，USA(“Sands”)的市售Irppy3的OLEDs的性能对比见下表3。
表3使用Irppy3的OLEDs的性能
此表格栏中使用的术语具有下列含义
化合物 所用的Irppy3或制备所用Irppy3的方法(“Sands”对比实验，ex.1.2本发明的实施例1.2)厚度 单位为纳米的发射体层厚度最大亮度 在右侧下一栏中所示电压下的最大亮度，单位为cd/m2100cd/m2处的 在100cd/m2的亮度且在右侧下一栏中所示电压下的发光效率 发光效率，单位为cd/A最大发光效率 在右侧下一栏中所示电压下的最大发光效率，单位为cd/A从表中可以看出，-对于厚度为30、40和50纳米的发射体层，使用本发明的Irppy3(实施例1.2)时获得更高的最大亮度，-对于厚度为30和40纳米的发射体层，使用本发明的Irppy3(实施例1.2)时在100cd/m2的亮度下获得更高的发光效率，-对于厚度为30、40和50纳米的发射体层，使用本发明的Irppy3(实施例1.2)时在10毫安/平方厘米的电流密度下获得更高的亮度，-对于厚度为30、40和50纳米的发射体层，使用本发明的Irppy3(实施例1.2)时获得更高的最大发光效率。
权利要求
1.制备式(I)的化合物的方法 其中X是-CR7＝CR8-、-S-、-NR9-、-O-、-Se-；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自互相独立地为H；直链或支链C1-20烷基、环状C3-20烷基，其中烷基的一个或多个不相邻CH2基团可以被-O-、-S-、-NR10-或-CONR11-代替，而且烷基的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br或CN代替；骨架中含有4至14个碳原子的芳基或杂芳基，其中一个或多个碳原子可以被选自-O-、-S-、-N-和-P-的杂原子代替，而且碳原子和任何杂原子可以被如对R1至R8所述的非芳族取代基取代；F、Cl、Br或CN；或者R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8之中两个相邻基团一起构成环状基团，该环状基团又可以被对R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8所述的基团取代，其中环状基团的两个相邻取代基又可以构成环状基团；R9、R10、R11各自互相独立地为H；直链或支链C1-20烷基、环状C3-20烷基，其可以如对基团R1至R8所述被取代；或如对R1至R8所述的芳基或杂芳基；该方法是通过在存在选自由Ag、Hg、Sb和Al盐组成的组的卤化物清除剂的情况下使式(II)的配体与式IrZ3或IrZ3·Lx的卤化铱或拟卤化铱反应来制备式(I)的化合物， 其中符号R1、R2、R3、R4、R5、R6和X的定义如上，在式IrZ3或IrZ3·Lx中，Z是卤化物或拟卤化物，L是有机或无机分子，x是分子L的数并且为1至3。
2.按照权利要求1的方法，其中X是-CH＝CH-或-S-。
3.按照权利要求2的方法，其中X是-CH＝CH-且R1、R2、R3、R4、R5和R6各自是H；或X是-CH＝CH-且R1、R2、R5和R6各自是H，且R3和R4一起构成未被取代的6元芳族基团；或X是-S-，且R1、R2、R3、R4各自是H，且R5、R6一起构成未被取代的6元芳族基团。
4.按照权利要求1至3的方法，其中卤化铱或拟卤化铱、式II的化合物和卤化物清除剂的比率通常为1∶4-20∶3-6，优选1∶6-10∶3.1-3.5。
5.按照权利要求1至4任一项的方法，其在140至230℃、优选180至200℃、特别优选在185至195℃下进行。
6.按照权利要求1至5任一项的方法，其在溶剂中进行，并且其中优选选择溶剂的量以使1毫升溶剂中存在0.01至2.5毫摩尔、优选0.2至2毫摩尔、特别优选0.25至0.6毫摩尔的卤化铱或拟卤化铱。
7.按照权利要求1至6任一项的方法，其中通过升华、结晶、色谱法或简单的柱过滤来提纯所得的式(I)的化合物。
8.可通过按照权利要求1至7任一项的方法制备的式(I)的化合物 其中X是-CR7＝CR8-、-S-、-NR-、-O-、-Se-；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自互相独立地为H；直链或支链C1-20烷基、环状C3-20烷基，其中烷基的一个或多个不相邻CH2基团可以被-O-、-S-、-NR10-或-CONR11-代替，而且烷基的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br或CN代替；骨架中含有4至14个碳原子的芳基或杂芳基，其中一个或多个碳原子可以被选自-O-、-S-、-N-和-P-的杂原子代替，而且碳原子和任何杂原子可以被如对R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8所述的非芳族取代基取代；F、Cl、Br或CN；或者R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8之中两个相邻基团一起构成环状基团，该环状基团又可以被对R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8所述的基团取代，其中环状基团的两个相邻取代基又可以构成环状基团；R9、R10、R11各自互相独立地为H；直链或支链C1-20烷基、环状C3-20烷基，其可以如对基团R1至R8所述被取代；或如对R1至R8所述的芳基或杂芳基。
9.按照权利要求8的化合物，其中X是-CH＝CH-且R1、R2、R3、R4、R5和R6各自是H；或X是-CH＝CH-且R1、R2、R5和R6各自是H，且R3和R4一起构成未被取代的6元芳族基团；或X是-S-，且R1、R2、R3、R4各自是H，且R5、R6一起构成未被取代的6元芳族基团。
10.式(Ia)的化合物 其是纯相、结晶形式，具有下列选定的使用CuKα辐射通过粉末衍射法(XRD)测定的布拉格反射2θ＝10.5、11.4、12.9、15.5、16.7、17.0、18.2、19.7、21.0和21.5。
11.式(Ib)的化合物 其是结晶形式，具有下列选定的使用CuKα辐射通过粉末衍射法(XRD)测定的布拉格反射2θ＝9.24、10.66、11.91、14.09、15.08、19.21、20.65、23.26、23.87、24.47。
12.按照权利要求8至11任一项的化合物的用途，用作有机发光二极管中的发射体分子。
13.一种发光层，其含有权利要求8至11任一项的化合物作为发射体分子。
14.含有权利要求13的发光层的OLED。
15.含有权利要求14的OLED的装置，其选自固定VDUs和移动VDUs，固定VDUs有例如，电脑、电视的VDUs、打印机、厨房电器和广告牌中的VDUs、照明和信息显示装置，移动VDUs有例如，移动电话、便携电脑、汽车中的VDUs及公交车和火车上的目的地显示器。
全文摘要
本发明涉及制备式(I)的三－邻－金属化铱络合物的方法。其中R
文档编号C07F15/00GK1816556SQ200480019086
公开日2006年8月9日 申请日期2004年4月30日 优先权日2003年5月5日
发明者M·博尔德, P·埃尔克, M·哈多, I·亨尼希, H-W·施密特, M·贝特, M·特拉卡特 申请人:巴斯福股份公司