专利名称：含有硅氧烷化合物和苯酚化合物的组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及在具有-HSiRO-(R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基)的硅氧烷化合物中加入特定的苯酚化合物作为稳定剂的组合物。该组合物适合用作薄膜制造用原料。
背景技术：
具有-HSiRO-(R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基)的硅氧烷化合物被用作氧化硅类薄膜的前体，并且从其电特性和光学特性出发，该氧化硅类薄膜被用作半导体的多层配线之间的低介电常数绝缘膜、显微透镜等光学零件。
但是，上述硅氧烷化合物在使用时，存在的问题是因高分子化而产生的变质。例如，在包含溶胶凝胶法的湿式涂敷法中，由于涂敷液的粘度增加或凝胶化，存在不能制造稳定的薄膜的问题，在伴有气化的薄膜制造法中，难以使前体以恒定量稳定地进行气化，另外还存在由高分子化物而引起的装置或薄膜的污染、以及管道堵塞的问题。
对于上述问题，在专利文献1中，报道了与硅氧烷化合物一起使用2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚等苯酚化合物的方法，在专利文献2中，报道了与硅氧烷化合物一起使用以4-甲氧基苯酚为代表的苯酚化合物的方法。
但是，这些以往的苯酚化合物的稳定化效果不充分。
专利文献1特开2003-238578号公报专利文献2国际公开第2004/27110号小册子发明内容因此，本发明的目的在于提供一种稳定性优异、适合用作薄膜制造用原料的含有硅氧烷化合物的组合物。
本发明者等经过反复研究，结果发现特定的苯酚化合物对硅氧烷化合物可表现出非凡的稳定化效果，从而实现了本发明。
本发明提供了一种组合物，其包含具有-HSiRO-的硅氧烷化合物，以及作为稳定剂成分的至少一种用下述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物，其中，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基；相对于100质量份的上述硅氧烷化合物，上述稳定剂成分为0.0001～1质量份；[化学式1] (式中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，p和q表示1或2，R1～R4表示碳原子数为1～4的烷基，X1和X2表示碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或卤素基，Y表示碳原子数为1～4的烷二基(alkanediyl)，R1～R4、X1、X2和Y在分子内存在多个时可以相同也可以不同。)具体实施方式
首先，对本发明的硅氧烷化合物进行说明。
本发明的硅氧烷化合物在其分子结构中具有至少一个-HSiRO-(R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基)。该硅氧烷化合物具有与硅氧烷基的硅原子直接键合的氢。而且，通过由该部分产生的高分子化，在把该硅氧烷化合物用作前体的以往的薄膜形成用原料中，可引起固体成分生成或凝胶化等不良现象。
作为本发明的硅氧烷化合物，可列举出例如用下述通式(I)表示的环状硅氧烷化合物、用下述通式(II)表示的直链硅氧烷化合物。该环状硅氧烷化合物和该直链硅氧烷化合物特别适合用作CVD法或MOD法中使用的薄膜制造用前体。
(式中，n表示2～7，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基，分子内存在的多个R可以相同也可以不同。)[化学式3] (式中，n表示0～5，R的至少一个表示氢原子，其它R表示碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基，分子内存在的多个R可以相同也可以不同。)本发明的硅氧烷化合物中，作为以R表示的碳原子数为1～8的烃基，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等烷基；乙烯基、1-甲基乙烯-1-基、丙烯-1-基、丙烯-2-基、丙烯-3-基、丁烯-1-基、丁烯-2-基、2-甲基丙烯-3-基、1，1，-二甲基乙烯-2-基、1，1，-二甲基丙烯-3-基等烯基；苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基等芳基；苄基、2-甲基苄基、3-甲基苄基、4-甲基苄基、苯乙烯基等芳烷基等，作为以R表示的碳原子数为1～8的烷氧基，可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、异庚氧基、叔庚氧基、辛氧基、异辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基等。
作为用上述通式(I)表示的环状硅氧烷化合物的具体例子，可列举出2，4，6-三甲基环三硅氧烷、2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基环五硅氧烷、2，4，6，8，10，12-六甲基环六硅氧烷、2，4，6，8，10，12，14-七甲基环七硅氧烷、2，4，6，8，10，12，14，16-八甲基环八硅氧烷、2，4，6-三乙基环三硅氧烷、2，4，6，8-四乙基环四硅氧烷、2，4，6，8，10-五乙基环五硅氧烷、2，4，6，8，10，12-六乙基环六硅氧烷、2，4，6-三苯基环三硅氧烷、2，4，6，8-四苯基环四硅氧烷、2，4，6，8，10-五苯基环五硅氧烷、2，4，6，8，10，12-六苯基环六硅氧烷等。
作为用上述通式(II)表示的直链硅氧烷化合物的具体例子，可列举出1，3-二甲基二硅氧烷、1，1，3-三甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，1，1，3，3-五甲基二硅氧烷、1，3-二乙基二硅氧烷、1，1，3，3-四乙基二硅氧烷、1，1，3-三乙基二硅氧烷、1，1，1，3，3-五乙基二硅氧烷、1，3-二苯基二硅氧烷、1，1，3，3-四苯基二硅氧烷、1，1，3-三苯基二硅氧烷、1，3-二甲基-1，3-二苯基二硅氧烷、1，3-二乙基-1，3-二苯基二硅氧烷、1，1，3，3，5，5，5-七甲基三硅氧烷、1，1，1，3，5，5，5-七甲基三硅氧烷、1，1，1，5，5，5-六甲基-3-乙基三硅氧烷、1，1，1，5，5，5-六甲基三硅氧烷、1，1，3，3，5，5-六甲基三硅氧烷、1，1，1，3，3，5-六甲基三硅氧烷、1，1，3，5，5-五甲基三硅氧烷、1，1，3，3，5-五甲基三硅氧烷、1，1，1，3，5-五甲基三硅氧烷、1，1，3，3-四甲基三硅氧烷、1，1，1，3-四甲基三硅氧烷、1，1，3，5-四甲基三硅氧烷、1，3，5-三甲基三硅氧烷、1，1，5，5-四甲基-3-苯基三硅氧烷、3-甲基-1，1，1，5，5，5-六苯基三硅氧烷、1，1，1，3，5，7，7，7-八甲基四硅氧烷、1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷等。
在本发明的硅氧烷化合物中，以R表示的烷基是甲基的化合物可以得到介电常数小的SiO类薄膜(Low-k薄膜)，就这一点而言特别有用。另外，用上述通式(I)表示的环状硅氧烷化合物也相同，得到的薄膜的电特性好，就这一点而言特别有用。特别是2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷，其蒸气压大，得到的薄膜特性也好，因此特别适合于将本发明的组合物用作包含ALD法的CVD法等伴有前体气化的薄膜制造工艺用途中使用的薄膜形成用原料。
下面，对本发明的苯酚化合物进行说明。
本发明的用上述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物对具有-HSiRO-(R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基)的本发明的硅氧烷化合物的高分子量化起稳定剂的作用。
在上述通式(1)和(2)中，作为以R1～R4表示的碳原子数为1～4的烷基，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基。另外，作为X1和X2表示的碳原子数为1～4的烷基，可列举出上述作为R1～R4所例示的基团，作为碳原子数为1～4的烷氧基，可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基；作为卤素基，可列举出氟、氯、溴、碘。另外，作为以Y表示的碳原子数为1～4的烷二基，可列举出甲烷二基、乙烷-1，2-二基、乙烷-1，1-二基、丙烷-1，3-二基、丙烷-1，2-二基、丙烷-1，1-二基、丁烷-1，4-二基、丁烷-1，3-二基、丁烷-1，2-二基、丁烷-1，1-二基、2-甲基丙烷-1，1-二基、2-甲基丙烷-1，2-二基、2-甲基丙烷-1，3-二基等。
作为本发明的苯酚化合物的具体例子，可列举出下述所示的化合物No.1～No.36。而且，化合物No.1～No.20是用上述通式(1)表示的苯酚化合物，化合物No.21～No.36是用上述通式(2)表示的苯酚化合物。
[化学式5] [化学式6] 在上述本发明的苯酚化合物中，在苯酚的邻位具有取代基“-Y-O-R1”或“-(O)m-SiR2R4-R3”的化合物、即用下述通式(3)或(4)表示的化合物相对于具有-HSiRO-(R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基)的本发明的硅氧烷化合物表现出特别优异的稳定化效果，因此是优选的。
(式中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，r和s表示0或1，R1～R4表示碳原子数为1～4的烷基，X1和X2表示碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或卤素基，Y表示碳原子数为1～4的烷二基，R1～R4、X1、X2和Y在分子内存在多个时可以相同也可以不同。)本发明的组合物是含有在分子结构中具有至少一个-HSiRO-(R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基)的上述硅氧烷化合物、以及由用上述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物中的至少一种组成的稳定剂成分的组合物。作为稳定剂成分的该苯酚化合物的含量，若相对于100质量份的该硅氧烷化合物小于0.0001质量份时，则不能获得所需的使用效果，而若超过1质量份时，则不仅不能看到使用效果的提高，而且有时会影响到制造得到的薄膜特性，所以其含量为0.0001～1质量份，优选为0.001～0.1质量份，更优选为0.002～0.05质量份。
下面，对本发明的组合物的用途进行说明。
本发明的组合物适合用作含有硅原子的薄膜制造用原料。特别适合用作包含ALD法的化学气相沉积(CVD)法等伴有气化工序的氧化硅类薄膜制造用的原料。另外，本发明的组合物除了CVD法以外，还可以用作湿式涂敷法等的薄膜制造用原料。
当由本发明的组合物组成的薄膜形成用原料是化学气相沉积(CVD)用原料时，其形式可根据使用的CVD法的输送供给方法等手段进行适当选择。
作为上述的输送供给方法，有将CVD用原料在原料容器中通过加热和/或减压使其气化、并与根据需要而使用的氩、氮、氦等载气一起导入沉积反应部的气体输送法；将CVD用原料以液体或溶液的形式输送至气化室、在气化室中通过加热和/或减压使其气化、然后导入沉积反应部的液体输送法。在气体输送法的情况下，由上述硅氧烷化合物和苯酚化合物组成的本发明的组合物本身为CVD用原料，在液体输送法的情况下，由上述硅氧烷化合物和苯酚化合物组成的本发明的组合物、或者将上述硅氧烷化合物和苯酚化合物溶解于有机溶剂而形成溶液的本发明的组合物为CVD用原料。
另外，作为在制造多成分类薄膜时的多成分类CVD法中的输送供给方法，还有将CVD用原料以各成分进行独立气化、供给的方法(以下有时也记载为“单一源法”)、和将多成分原料按照预先所希望的组成进行混合而形成的混合原料气化、供给的方法(以下有时也记载为“混合源法”)。
作为用于本发明的组合物的上述有机溶剂，没有特别限制，可以使用公知普通的有机溶剂。作为该有机溶剂，可列举出醋酸乙酯、醋酸丁酯、醋酸甲氧基乙酯等醋酸酯类；四氢呋喃、四氢吡喃、吗啉、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、二丁醚、二噁烷等醚类；甲基丁基酮、甲基异丁基酮、乙基丁基酮、二丙酮、二异丁酮、甲基戊基酮、环己酮、甲基环己酮等酮类；己烷、环己烷、甲基环己烷、二甲基环己烷、乙基环己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等烃类；1-氰基丙烷、1-氰基丁烷、1-氰基己烷、氰基环己烷、氰基苯、1，3-二氰基丙烷、1，4-二氰基丁烷、1，6-二氰基己烷、1，4-二氰基环己烷、1，4-二氰基苯等具有氰基的烃类；吡啶、二甲基吡啶，这些溶剂根据溶质的溶解性、使用温度与沸点以及闪点的关系等，可单独使用或者作为二种以上的混合溶剂使用。当使用这些有机溶剂时，该有机溶剂中的硅氧烷化合物成分和后述的根据需要使用的其它前体的总量优选为0.01～2.0摩尔/升，特别优选为0.05～1.0摩尔/升。
另外，当使用本发明的组合物作为使用了单-源法或混合源法的多成分类CVD用原料时，作为本发明的组合物中与上述本发明的硅氧烷化合物同时使用的其它前体，没有特别限制，可以使用能够用于CVD用原料的公知普通的前体。
作为上述其它的前体，可列举出挥发性的金属或无机元素的化合物。作为这些前体的元素种类，可列举出锂、钠、钾、铷、铯等1族元素；铍、镁、钙、锶、钡等2族元素；钪、钇、镧系元素(镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥)、锕系元素等3族元素；钛、锆、铪的4族元素；钒、铌、钽的5族元素；铬、钼、钨的6族元素；锰、锝、铼的7族元素；铁、钌、锇的8族元素；钴、铑、铱的9族元素；镍、钯、铂的10族元素；铜、银、金的11族元素；锌、镉、汞的12族元素；硼、铝、镓、铟、铊的13族元素；锗、锡、铅的14族元素；磷、砷、锑、铋的15族元素；硒、碲、钋的16族元素。
另外，本发明的组合物中，为了赋予本发明的硅氧烷化合物和根据需要使用的其它前体以稳定性，也可以根据需要含有苯酚化合物以外的亲核性试剂。作为该亲核性试剂，可列举出1，2-二甲氧基乙烷(glyme)、二(1，2-二甲氧基乙烷)、三(1，2-二甲氧基乙烷)、四(1，2-二甲氧基乙烷)等乙二醇醚类；18-冠-6、二环己基-18-冠-6、24-冠-8、二环己基-24-冠-8、二苯并-24-冠-8等冠醚类；乙二胺、N，N’-四甲基乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、1，1，4，7，7-五甲基二亚乙基三胺、1，1，4，7，10，10-六甲基三亚乙基四胺、三乙氧基三乙二胺等多胺类；四氮杂环十四烷(cyclam)、四氮杂环十二烷(cyclen)等环状多胺类；吡啶、吡咯烷、哌嗪、吗啉、N-甲基吡咯烷、N-甲基哌嗪、N-甲基吗啉、四氢呋喃、四氢吡喃、1，4-二噁烷、噁唑、噻唑、氧硫杂环戊烷(oxathiolane)等杂环化合物类；乙酰醋酸甲酯、乙酰醋酸乙酯、乙酰醋酸-2-甲氧基乙酯等β-酮酯类或乙酰丙酮、2，4-己二酮、2，4-庚二酮、3，5-庚二酮、二新戊酰甲烷等β-二酮类等，相对于1摩尔前体，作为稳定剂的这些亲核性试剂的使用量优选为0.1摩尔～10摩尔，更优选为1～4摩尔。
在本发明的组合物中，要尽量不含有除了构成该组合物的成分以外的杂质金属元素成分、杂质氯等杂质卤素成分、以及杂质有机成分。杂质金属元素成分以每个元素计优选为100ppb以下，更优选为10ppb以下，以总量计优选为1ppm以下，更优选为100ppb以下。杂质卤素成分优选为100ppm以下，更优选为10ppm以下，进一步优选为1ppm以下。杂质有机成分以总量计优选为500ppm以下，更优选为50ppm以下，进一步优选为10ppm以下。另外，水分是薄膜制造用原料中产生颗粒或由CVD法产生颗粒的原因，所以对于前体、有机溶剂和亲核性试剂来说，最好在使用时尽可能预先除去水分，以便减少各自的水分。前体、有机溶剂和亲核性试剂各自的水分量优选为10ppm以下。
另外，为了降低或防止所制造的薄膜的颗粒污染，在本发明的组合物中，当在液相中用光散射式液中粒子检测器测量颗粒时，优选大于0.3μm的粒子数在1ml液相中为100个以下，更优选大于0.2μm的粒子数在1ml液相中为1000个以下，进一步优选大于0.2μm的粒子数在1ml液相中为100个以下。
在薄膜形成用原料中，本发明的组合物还特别适合作为CVD用原料，在将本发明的组合物用作CVD用原料的CVD法的薄膜制造中，对原料的输送供给方法、沉积方法、制造条件、制造装置等没有特别的限制，可以使用公知普通的条件、方法等。
在将本发明的组合物用作CVD用原料的CVD法的薄膜制造中，当使本发明的硅氧烷化合物和根据需要使用的其它前体发生分解和/或反应时，可以根据需要并用反应性气体。作为根据需要使用的该反应性气体，例如，作为氧化性的气体，可列举出氧、臭氧、二氧化氮、一氧化氮、水蒸气、过氧化氢、甲酸、乙酸、醋酸酐等，作为还原性的气体，可列举出氢，另外，作为制造氮化物的物质，可列举出单烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、亚烷基二胺等有机胺化合物、肼、氨、氮等。
另外，作为上述的输送供给方法，可列举出上述的气体输送法、液体输送法、单一源法、混合源法等。
另外，作为上述的沉积方法，可列举出使原料气体、或原料气体和反应性气体仅通过热而反应并使薄膜沉积的热CVD；使用热和等离子体的等离子体CVD；使用热和光的光CVD；使用热、光和等离子体的光等离子体CVD；将CVD的沉积反应划分为单元过程，在分子水平上进行阶段性沉积的ALD(Atomic Layer Deposition)。
此外，作为上述的制造条件，可列举出反应温度(基板温度)、反应压力、沉积速度等，对于反应温度，优选为能使本发明的上述硅氧烷化合物充分地进行反应的温度即160℃以上，更优选为250～800℃。另外，反应压力优选为大气压～100Pa。另外，沉积速度可以根据原料的供给条件(气化温度、气化压力)、反应温度、反应压力进行控制。沉积速度大时，有时得到的薄膜的特性差，而沉积速度小时，有时在生产率方面产生问题，所以优选为0.5～5000nm/分钟，更优选为1～1000nm/分钟。另外，在ALD的情况下，膜厚可通过循环的次数进行控制，以便获得所希望的膜厚。
另外，在薄膜的制造方法中，在薄膜沉积后，为了获得更好的电特性，也可以在不活泼气氛下、氧化性气氛下或还原性气氛下进行退火处理，当需要阶梯覆盖时，也可以设置回流工序。此时的温度通常为400～1200℃，优选为500～800℃。
作为由本发明的组合物组成的薄膜制造用原料制造的薄膜的用途，可列举出在使用了铜配线时的防止铜扩散用屏蔽绝缘膜、高集成化的LSI的层间绝缘膜等。另外，由本发明的薄膜形成用原料形成的薄膜的厚度可根据薄膜的用途适当选择，优选为选自1～1000nm。
另外，本发明的组合物除了用于薄膜制造用原料，还可以用于树脂用改性剂、玻璃用改性剂、陶瓷用改性剂等用途。
实施例下面，以实施例和比较例为基础更加详细地说明本发明。但是，本发明并不受以下的实施例等的任何限制。
在干燥氩置换的100ml烧瓶中，装入2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷(以下有时也记为TMCTS)20g、以及表1中记载的苯酚化合物4mg。而且，对加入苯酚化合物前的2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷，用具有FID检测器的气相色谱法(柱007-1-25W-5.0F；QUADREX社制)进行分析。
接着，将装入了2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷和苯酚化合物的烧瓶保温为120℃，一边以1.20升/小时的流量吹入氧气边进行搅拌，24小时后，用具有FID检测器的气相色谱法(柱007-1-25W-5.0F；QUADREX社制)进行分析。
在这些分析中检测到的峰是2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、以及多个2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷被高分子化的高分子化物。把2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷和上述高分子化物的峰面积的和规定为100时，2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷的峰值比如表1所示。
由上述表1的结果可以确认，含有特定的苯酚化合物的本发明的组合物对硅氧烷化合物的高分子量化的稳定化效果特别大。因此，本发明的组合物适合用作薄膜制造用原料。
本发明的组合物是稳定性优异、适合用作薄膜制造用原料的含有硅氧烷化合物的组合物。
权利要求
1.一种组合物，其包含具有-HSiRO-的硅氧烷化合物、以及作为稳定剂成分的至少一种用下述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物，其中，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基；相对于100质量份的所述硅氧烷化合物，所述稳定剂成分为0.0001～1质量份； 所述通式(1)和(2)中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，p和q表示1或2，R1～R4表示碳原子数为1～4的烷基，X1和X2表示碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或卤素基，Y表示碳原子数为1～4的烷二基，R1～R4、X1、X2和Y在分子内存在多个时可以相同也可以不同。
2.一种组合物，其包含具有-HSiRO-的硅氧烷化合物、以及作为稳定剂成分的至少一种用下述通式(3)或(4)表示的苯酚化合物，其中，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基；相对于100质量份的所述硅氧烷化合物，所述稳定剂成分为0.0001～1质量份； 所述通式(3)和(4)中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，r和s表示0或1，R1～R4表示碳原子数为1～4的烷基，X1和X2表示碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或卤素基，Y表示碳原子数为1～4的烷二基，R1～R4、X1、X2和Y在分子内存在多个时可以相同也可以不同。
3.权利要求1或2所述的组合物，其中，所述硅氧烷化合物是用下述通式(I)表示的环状硅氧烷化合物， 式中，n表示2～7，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基，分子内存在的多个R可以相同也可以不同。
4.权利要求1或2所述的组合物，其中，所述硅氧烷化合物是2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷。
5.权利要求1～4中任一项所述的组合物，其被用作薄膜制造用原料。
全文摘要
本发明提供一种组合物，其包含具有－HSiRO－的硅氧烷化合物，以及作为稳定剂成分的至少一种用下述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物，其中，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基；相对于100质量份的所述硅氧烷化合物，所述稳定剂成分为0.0001～1质量份；在通式(1)和(2)中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，p和q表示1或2，R
文档编号C07F7/21GK1981069SQ20058002272
公开日2007年6月13日 申请日期2005年12月21日 优先权日2005年1月18日
发明者小笠原国郎, 小野泽和久, 佐藤宏树, 东野贵志 申请人:株式会社艾迪科