专利名称：多重反射层电极以及含有该电极的化合物半导体发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的多重反射层电极，更具体而言，涉及一 种具有改善的热稳定性和欧姆接触特性的多重反射层电极以及含有该电极 的化合物半导体发光器件。
背景技术：
图1是常规化合物半导体发光器件(LED) 50以及形成在p型氮化物 半导体层16上的常规p型电极30的结构剖面图。图2是示出其上p型电 极30被退火的化合物半导体LED 50的表面的照片，图3是示出经退火的p 型电极30的聚结以及由于聚结导致的形成在p型电极30中的空洞(void) 32的扫描电子显微镜(SEM)剖面照片。参照图1，常规半导体LED 50包括顺序形成在蓝宝石衬底10上的n 型氮化物半导体层12、有源层14和p型氮化物半导体层16，形成在n型 氮化物半导体层12 —侧的n型电极20以及形成在p型氮化物半导体层16 上的p型电极30。此处，如果将正向电压施加到LED电极、即n型电极20 和p型电极30，则有源层14的导带中的电子与价带中的空穴复合，并且由 于对应于带隙的能量而从有源层14发出光，所述对应于带隙的能量是价带 与导带之间的能量差。从有源层14发出的光被p型电极30反射并通过蓝 宝石衬底IO发射到半导体LED 50之外。在其中半导体LED 50以这种方式 产生的光不直接发射到蓝宝石衬底10而是被p型电极30反射并通过蓝宝 石衬底IO发出的LED (下文中称为倒装芯片LED)中，由于p型电极30 必须反射光，所以p型电极30由具有高反射率的导电金属形成，比如Ag。同时，具有大的直接带隙能量(约2.8 eV或更大)的半导体对于蓝光 发射是必须的。起初已经开发了主要利用II-VI族三元系材料发射蓝或绿光 的半导体器件。然而，由于相对短的操作时间，在应用半导体器件时存在 问题。近来，在III-V族半导体中，已经研究了用于蓝光发射的半导体器件。 其中，III族氮化物(主要是与GaN相关的化合物)半导体对于光、电和热
刺激非常稳定并具有高的发光效率，因此被特别关注。如图1所示，在利用III族氮化物半导体、比如GaN的LED中，作为 半导体发光器件，为了改善光提取效率，在p型氮化物半导体层16上，p 型电极30由比如Ag的具有高反射率的金属形成。为了在p型氮化物半导 体层16上形成p型电极30，在p型氮化物半导体层16上沉积电极，然后 为了减小电阻而需要进行退火。然而，氮化物半导体的表面能和用于形成p型电极30的比如Ag的金 属材料的表面能通常彼此显著不同。众所周知的是，由于表面能的差异， 在退火期间在p型电极30中发生聚结，如图2和3的照片中所示。图2是 其中在退火之后发生表面聚结的p型电极30的捕捉图像的平面图，图3是 其中在退火之后发生聚结的p型电极30的SEM剖面照片。如图2和3所 示，在p型氮化物半导体层16和p型电极30之间的界面处形成了多个空 洞32。可见，当在p型电极30中产生聚结时，就形成了多个空洞32。因 而，Ag电极30的反射率降低，整个LED的光输出可能降低。发明内容本发明提供了一种氮化物基半导体发光器件，其防止了在制造半导体 发光器件时在p型电极中发生的聚结，由此抑制了利用氮化物半导体的发 光器件(LED)的光输出的降低并显示出高亮度。根据本发明的一个方面，提供了一种形成在化合物半导体发光器件的p 型半导体层上的多重反射层电极，所述化合物半导体发光器件包括n型半 导体层、有源层和p型半导体层，所述多重反射层电极包括叠置在所述p 型半导体层上的反射层；叠置在所述反射层上从而防止所述反射层聚结的 APL (聚结防止层)；以及插入在所述反射层和所述APL之间从而防止APL 的扩散的扩散阻挡物。所述多重反射层电极还可以包括接触电极层，所述接触电极层插入在 所述p型半导体层与所述反射层之间从而减小所述p型半导体层与所述反 射层之间的接触电阻。所述接触电极层可以由La基合金、Ni基合金、Zn 基合金、Cu基合金、热电氧化物、掺杂氧化物(doped in oxide )、 ITO和 ZnO构成的组中选取的至少 一种材料形成。所述反射层可以由Ag、 Ag基合金和Ag基氧化物构成的组中选取的一
种材料形成。所述Ag基合金可以包括从Al、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和 Pt构成的溶质元素组中选取的至少一种元素。所述扩散阻挡物可以由透明导电材料形成。所述透明导电材料可以包 括从Ti-N、 Mo-0 、 Ru-0 、 Ir-O和In-O构成的组中选取的至少 一种材料。 所述In-O还可以包括从Sn、 Zn、 Ga、 Cu和Mg构成的组中选取的至少一 种掺杂剂。添加到所述In-0的掺杂剂的含量可以是O.l -49原子百分比。的另一层的材料引起的对于所述Ag基反射层的热稳定性和欧姆接触特性 的影响。因而，所述扩散阻挡物防止了在氮化物基半导体层和所述Ag基反 射层之间的界面处形成空洞并防止了表面聚结的发生。所述APL可以由Al或Al基合金形成从而防止所述反射层的聚结。所 述Al基合金可以包括从Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶质元 素组中选耳又的至少 一种元素。根据本发明的另一方面，提供了一种形成在化合物半导体发光器件的p 型半导体层上的多重反射层电极，所述化合物半导体发光器件包括n型半 导体层、有源层和p型半导体层，所述多重反射层电极包括叠置在所述p 型半导体层上的反射层；叠置在所述反射层上从而防止所述反射层聚结的 APL (聚结防止层)；插入在所述反射层和所述APL之间从而防止APL的 扩散的扩散阻挡物；以及形成在所述APL上从而防止所述APL的氧化的氧 化防止层。所述扩散阻挡物的材料与所述p型半导体层的材料之间的表面 能差异可以比所述反射层的材料与所述p型半导体层的材料之间的表面能 的差异更小。所述氧化防止层可以由Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的组 中选取的至少一种材料形成。所述氧化防止层可以以单层或多层结构形成。根据本发明的另一方面，提供了一种化合物半导体发光器件，所述化 合物半导体发光器件包括n型电极；n型半导体层；有源层；p型半导体层；以及p型电才及，其中所述p型电极包括叠置在所述p型半导体层上 的反射层；叠置在所述反射层上从而防止所述反射层聚结的APL(聚结防 止层)；以及插入在所述反射层和所述APL之间从而防止APL的扩散的扩 散阻挡物述APL的氧化的氧化防止层。
通过参照附图对其示例性实施例的详细描述，本发明的以上和其他特征及优点将变得更加明显，其中图1是常规化合物半导体发光器件的结构的示意性剖面图；图2是示出其上p型电极被退火的图1的化合物半导体LED的表面的照片；图3是扫描电子显微镜(SEM)剖面照片，示出了经退火的p型电极 的聚结以及由于聚结导致的形成在p型电极中的空洞；图4是根据本发明 一 实施例的多重反射层电极的结构的剖面图；图5是根据本发明另一实施例的多重反射层电极的结构的剖面图；以及图6是含有根据本发明一实施例的多重反射层电极的化合物半导体发 光器件的示意性剖面图。 d具体实施方式
现将参照附图更充分的描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实 施例。图4是根据本发明一实施例的多重反射层电极(p型电极)的结构的剖 面图。参照图4，根据本发明一实施例的多重反射层电极130包括顺序叠置 在p型氮化物半导体层100上的反射层122、扩散阻挡物124以及聚结防止 层(APL) 126。反射层122由具有良好光反射特性的材料形成并反射入射到反射层 122上的光。反射层122可以由银(Ag)、银基合金或呈Ag-0形式的银基 氧化物形成。此处，所述银基合金可以包括从铝(Al)、铑(Rh)、铜(Cu)、 钯(Pd)、镍(Ni)、钌(Ru)、铱(Ir)和铂(Pt)所构成的溶质元素(solute element)组中选取的至少一种元素。为了减小p型氮化物半导体层100与反 射层122之间的接触电阻，反射层122可以是具有光反射特性和欧姆接触 特性两者的反射欧姆接触层。APL 126防止反射层122的聚结。APL 126可以由Al或Al基合金形成。
此处，Al基合金可以包括从Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶 质元素组中选取的至少一种元素。扩散阻挡物124插入在反射层122和APL 126之间并防止用于形成APL 126的材料朝向反射层122扩散。扩散阻挡物 124可以由透明导电材料形成。此处，所述透明导电材料可以包括从氮化钛(Ti-N)、氧化钼(Mo画O)、氧化钌(Ru-O)、氧化铱(Ir-O)和氧化铟(In-0 ) 所构成的组中选取的至少一种材料。In-0可以进一步包括从锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)、铜(Cu)和镁(Mg)构成的组中选取的至少一种掺杂齐寸。 添加到In-0的掺杂剂的含量被控制在0.1-49原子百分比，从而能够改善 扩散阻挡物124的欧姆接触特性。在图4中，反射层122、扩散阻挡物124和APL126中的每一个可以形 成至1 - 1000nm的厚度。当APL 126的厚度过大时，可能增大电阻。另一 方面，当APL126的厚度过小时，聚结防止效果下降，APL126的厚度需要 被适当地调整。可以根据整个半导体器件的尺寸和反射层122的厚度来决 定APL 126的厚度。例如，反射层122的厚度在50nm至1000nm的范围并 且可以是200nm。因此，当反射层122的厚度为200nm时，APL 126的厚 度可以在1 -200nm之内。更优选地，APL 126的厚度可以是约100-200nm。 在这种情况下，扩散阻挡物124的厚度可以是50 - 100nm。在顺序沉积反射层122、扩散阻挡物124和APL126之后，可以在300。C 至600°C下对叠置的所得结构进行退火。可以利用半导体制造工艺中常用的 气相沉积或者利用电子束蒸镀来形成各个材料层，所述气相沉积例如是化 学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)或物理气相沉积(PVD )。现将更详细的描述图4所示的多重反射层电极(P型电极)的特性。更 具体而言，由于比如Ag、 Ag基合金或呈Ag-O形式的Ag基氧化物的反射 层122材料的表面能与p型氮化物半导体层100的材料的表面能大大不同， 所以在叠置反射层122之后的退火期间发生聚结。在图4中，为了防止聚 结，在反射层122之上叠置由导电材料、即Al或Al基合金形成的APL 126， 所述导电材料与p型氮化物半导体层100的表面能之间的表面能差异较小。 Al基合金包括从Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶质金属(solute metal)组中选取的至少一种材料。由于这些所选材料与p型氮化物半导体 层100的材料的表面能之间具有小的表面能差异并具有良好的电导率，所10 以所述材料叠置在反射层122之上，可以执行聚结防止功能并可以用作电 极。在APL 126的叠置方法中，利用普通电子束蒸镀器通过电子束产生的 反射层材料的金属蒸汽和聚结防止层材料的金属蒸汽顺序暴露于衬底并因 此以多重薄膜结构叠置。接着，在300。C至600。C下执行退火5分钟。可以 在至少包括氧的气氛下进行退火。在这种情况下，在本发明中退火时间和 气氛并非非常重要，可以进行30分钟或更长时间的退火。当在反射层122 上叠置APL 126时，APL 126的材料的表面能与p型氮化物半导体层100 的材料的表面能之间的差异较小。因此，可能在APL 126和p型氮化物半 导体层100中类似地产生在后续退火期间有可能产生的变形。因此，APL 126 防止了反射层122在退火期间聚结，使得反射层122的表面保持在平坦状 态。然而，另一方面，当APL 126叠置在反射层122上并被退火时，用于 形成APL 126的材料的一部分朝向反射层122扩散，银基反射层122的热 稳定性和欧姆接触特性可能受到严重影响。因此，需要防止APL 126与反 射层122之间的扩散但不扰乱APL 126的功用的层。因此，为了满足这种 需求，如图4所示，在反射层122与APL 126之间附加的插入扩散阻挡物 124。这样，与现有技术相比，能够改善反射层122的热稳定性和欧姆接触 特性。此外，扩散阻挡物124防止了在p型氮化物半导体层IOO和Ag基反 射层122之间的界面处形成空洞并防止了表面聚结的产生。如果防止了反射层122的聚结以及从另一电极层到反射层122的杂质 材料的扩散，反射层122的反射率就不会降低且能够保持高反射状态。由 于与现有技术相比，含有根据图4制造的多重反射层电极130的半导体发 光器件可以具有非常小的反射率减小量，所以可以期望得到光输出特性的 改善。当在反射层122上仅形成扩散阻挡物124和APL 126时，可能增大 多重反射层电极130的整个接触电阻。因此，可以在p型氮化物半导体层 IOO与反射层122之间插入可降低接触电阻的附加电极。可以在p型氮化物 半导体层100和反射层122之间进一步插入降低p型半导体层100和反射 层122之间的接触电阻的接触电极层(未示出)。p型氮化物半导体发光器 件产生的光必须穿过接触电极层(未示出)并必须到达反射层122。此外， 由于从反射层122反射的光必须再次穿过接触电极层(未示出)，所以接触 电极层(未示出)必须具有高透明度。'因此，为了满足这种要求，接触电 极层(未示出)可以由La基合金、Ni基合金、Zn基合金、Cu基合金、热 电氧化物、掺杂氧化物(doped in oxide )、 ITO和ZnO构成的组中选取的至 少一种材料形成。特别是，在其中，Zn-Ni合金、Ni-Mg合金和Zn-Mg合金 可以是更好的材料。此处，掺杂氧化物中的掺杂元素可以包括从Mg、 Ag、 Zn、 Sc、 Hf、 Zr、 Te、 Se、 Ta、 W、 Nb、 Cu、 Si、 Ni、 Co、 Mo、 Cr、 Mn、 Hg、 Pr和La构成的组中选取的至少一种。接触电极层(未示出)可以形成至0.1 _200nm的厚度。如果接触电极 层的厚度过大，整个反射率降低，如果接触电极层的厚度过小，叠置效果 降低。因此，需要适当调整接触电极层的厚度。可以根据整个半导体器件 的尺寸和反射层122的厚度来确定接触电极层(未示出)的厚度。例如， 当反射电极层122的厚度是200nm时，接触电极层的厚度可以是l - 200nm。 更优选地，接触电极层的厚度可以是约3nm。优选地，在顺序叠置接触电 极层(未示出)、反射层122、扩散阻挡物124和APL 126之后，可以在300 。C至60(TC下退火叠置的所得结构。图5是根据本发明另一实施例的多重反射层电极的结构的剖面图。参 照图5,多重反射层电极140包括顺序叠置在p型氮化物半导体层100上的 反射层122、扩散阻挡物124、聚结防止层(APL) 126和氧化防止层128。 此处，已经描述了反射层122、扩散阻挡物124和APL126的功能、用于形 成它们的材料及其形成方法，因此，将省略对其的重复描述。当比如Cu的金属材料用于形成APL 126时，由于APL 126的表面的氧 化，可能劣化电极的电流-电压特性。'更具体而言，当为了防止在反射层 122中发生的聚结而在反射层122上形成扩散阻挡物124和APL 126时，在 反射层122表面上的聚结几乎消失，然而，APL 126的表面被部分地氧化。 如果APL 126的表面以这种方式被氧化，则电极的电流-电压特性劣化， 从而会大大提高化合物半导体发光器件的操作电压。这种氧化会在半导体 发光器件的大批量生产时引起很大问题。因此，为了抑制APL 126的表面 氧化，可以在APL126上附加的形成氧化防止层128。特别是，氧化防止层 128叠置在APL 126上并抑制APL 126的氧化。因此，以这种方式，在APL 126上进一步形成了氧化防止层128，从而能够抑制反射层122的聚结(这 是APL 126的作用)并能够抑制APL 126的氧化(这是氧化防止层128的 作用)。氧化防止层128可以由Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的组
中选取的至少一种材料形成，并且氧化防止层128可以以单层或多层结构 形成。氧化防止层128可以形成至1 - 1000nm的厚度，特别是20 - 500nm的厚度。在于p型氮化物半导体层IOO上顺序叠置反射层122、扩散阻挡物124、 APL 126和氧化防止层128之后，可以在300。C至600。C下退火叠置的所得 结构。可以在p型氮化物半导体层100与反射层122之间进一步插入减小p 型半导体层IOO和反射层122之间的接触电阻的接触电极层(未示出)。接 触电极层(未示出)可以形成至0.1 -200nm的厚度。已经描述了用于形成 接触电极层(未示出)的材料，因此，将省略对其的详细描述。在于p型 氮化物半导体层100上顺序叠置接触电极层(未示出)、反射层122、扩散 阻挡物124、 APL 126和氧化防止层128之后，可以在300。C至600。C下退 火叠置的所得结构。图6是含有根据本发明一实施例的多重反射层电极的化合物半导体发 光器件的示意性剖面图。在图6中示出了含有图5所示的多重反射层电极140的化合物半导体 发光器件150。特别是，化合物半导体发光器件150包括顺序叠置在衬底 IIO上的n型半导体层112、有源层114和p型半导体层116。化合物半导 体发光器件150进一步包括形成在n型半导体层112的蚀刻表面上的n型电 极120以及形成在p型半导体层116上的p型电极140。此处，将图5所示 的多重反射层电极140用作p型电极140。更具体而言，p型电极140包括 顺序叠置在p型半导体层116上的反射层122、扩散阻挡物124、聚结防止 层(APL) 126和氧化防止层128。已经描述了图5所示的多重反射层电极 140的详细结构并对其进行了说明，因此，将省略对其的重复描述。衬底110可以是Si、 GaAs、 SiC、 GaN和蓝宝石衬底之一。n型半导体 层112是n-GaN基III-V族氮化物半导体层并且尤其可以是n-GaN层或 n-GaN/AlGaN层。p型半导体层116是p-GaN基III-V族氮化物半导体层并 且尤其可以是p-GaN层或p-GaN/AlGaN层。有源层114是GaN基III-V族氮化物半导体层，其由InxAlyGai-x-yN (O^x^l, OSy$l ， O^x+y^l )形成，并且尤其可以是InGaN层或AlGaN层。 此处，有源层114可以具有多量子阱(MQW)和单量子阱之一，并且有源 层114的结构不限制本发明的技术范围。最优选地，例如，有源层114可以 形成为GaN/InGaN/GaN MQW或GaN/AlGaN/GaN MQW结构。在根据本发明的化合物半导体发光器件的结构中，如果在n型电极120 和p型电极140之间施加正向电压，则有源层114的导带中的电子与价带 中的空穴复合，并且由于对应于带隙的能量而从有源层14发出光，所述对 应于带隙的能量是价带与导带之间的能量差。在这种情况下，从有源层114 发出的光被p型电极140反射并且可以通过村底110发射到半导体发光器 件150之外。在根据本发明的化合物半导体发光器件中，n型电极120可以由比如 Al、 Ag、 Au和Pd的金属材料形成。此外，根据本发明的多重反射层电极 可以用作n型电极120。换言之，n型电极120可以包括顺序叠置在n型半 导体层112上的反射层122、扩散阻挡物124、 APL 126和氧化防止层128。由于与现有技术相比，含有根据本发明的多重反射层电极140的化合 物半导体发光器件具有更小的反射率减小量，所以能够期望得到光输出特 性的改善。根据本发明，能够得到具有改善的热稳定性和欧姆接触特性的多重反 射层电极以及含有该电极的化合物半导体发光器件。特别是，根据本发明， 使用了扩散阻挡物和聚结防止层(APL)，从而防止在反射层的表面上发生从而改善了反射层的热稳定性和欧姆接触特性。此外，在APL上叠置了氧 化防止层从而防止了 APL的氧化。因此，根据本发明，能够得到具有非常 低的电阻的半导体发光器件的电极，并且能够得到具有小的功耗的半导体 发光器件。此外，根据本发明，能够进行半导体发光器件的稳定的大批量生产。尽管已经参考其示例性实施例具体表示并描述了本发明，但本领域普 通技术人员应理解的是，在不偏离由所附权利要求限定的本发明的精神和 范围的前提下，可以对本发明进行形式和细节上的各种变化。
权利要求
1.一种形成在化合物半导体发光器件的p型半导体层上的多重反射层电极，所述化合物半导体发光器件包括n型半导体层、有源层和所述p型半导体层，所述多重反射层电极包括叠置在所述p型半导体层上的反射层；叠置在所述反射层上从而防止所述反射层聚结的聚结防止层；以及插入在所述反射层和所述聚结防止层之间从而防止所述聚结防止层的扩散的扩散阻挡物。
2. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，还包括形成在所述聚结防 止层上从而防止所述聚结防止层的氧化的氧化防止层。
3. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述反射层是反射欧 姆接触层。
4. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述反射层由Ag、 Ag基合金和Ag基氧化物构成的组中选取的一种材料形成。
5. 根据权利要求4所述的多重反射层电极，其中所述Ag基合金包括 从Al、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶质元素组中选取的至少一 种元素。
6. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述扩散阻挡物由透 明导电材料形成。
7. 根据权利要求6所述的多重反射层电极，其中所述透明导电材料包 括从Ti-N、 Mo-O、 Ru-O、 Ir-0和In-0构成的组中选取的至少一种材料。
8. 根据权利要求7所述的多重反射层电极，其中所述In-O还包括从 Sn、 Zn、 Ga、 Cu和Mg构成的组中选取的至少一种4参杂剂。
9. 根据权利要求8所述的多重反射层电极，其中添加到所述In-O的 掺杂剂的含量是0.1 - 49原子百分比。
10. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述聚结防止层由 Al或Al基合金形成。
11. 根据权利要求10所述的多重反射层电极，其中所述A1基合金包 括从Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶质元素组中选取的至少 一种元素。
12. 根据权利要求2所述的多重反射层电极，其中所述氧化防止层由 Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的组中选取的至少一种材料形成。
13. 根据权利要求12所述的多重反射层电极，其中所述氧化防止层以 单层或多层结构形成。
14. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，还包括接触电极层，所 述接触电极层插入在所述p型半导体层与所述反射层之间并减小所述p型 半导体层与所述反射层之间的接触电阻。
15. 根据权利要求14所述的多重反射层电极，其中所述接触电极层由 La基合金、Ni基合金、Zn基合金、Cu基合金、热电氧化物、掺杂氧化物、 ITO和ZnO构成的组中选取的至少 一种材料形成。
16. 根据权利要求15所述的多重反射层电极，其中所述掺杂氧化物中 的掺杂元素包括从Mg、 Ag、 Zn、 Sc、 Hf、 Zr、 Te、 Se、 Ta、 W、 Nb、 Cu、 Si、 Ni、 Co、 Mo、 Cr、 Mn、 Hg、 Pr和La构成的组中选取的至少一种。
17. 根据权利要求15所述的多重反射层电极，其中所述接触电极层的 厚度为0.1 -200nm。
18. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述反射层、所述 扩散阻挡物和所述聚结防止层中每一个的厚度为1 - 1000nm。
19. 根据权利要求2所述的多重反射层电极，其中所述氧化防止层的 厚度为1 _ 1000nm。
20. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中在顺序叠置所述反 射层、所述扩散阻挡物和所述聚结防止层之后，在300。C至600。C下退火叠 置的所得结构。
21. 根据权利要求2所述的多重反射层电极，其中在顺序叠置所述反 射层、所述扩散阻挡物、所述聚结防止层和所述氧化防止层之后，在300 。C至600。C下退火叠置的所得结构。
22. 根据权利要求15所述的多重反射层电极，其中在顺序叠置所述接 触电极层、所述反射层、所述扩散阻挡物、所述聚结防止层和所述氧化防 止层之后，在300。C至600。C下退火叠置的所得结构。
23. —种化合物半导体发光器件，包括 n型电才及；n型半导体层；有源层；p型半导体层；以及 p型电羊及，其中所述p型电极包括 叠置在所述p型半导体层上的反射层；插入在所述反射层和所述聚结防止层之间从而防止所述聚结防止层的 扩散的扩散阻挡物。
24. 根据权利要求23所述的化合物半导体发光器件，还包括形成在所 述聚结防止层上从而防止所述聚结防止层的氧化的氧化防止层。
25. 根据权利要求23所述的化合物半导体发光器件，其中所述反射层 由Ag、 Ag基合金和Ag基氧化物构成的组中选取的一种材料形成。
26. 根据权利要求25所述的化合物半导体发光器件，其中所述Ag基 合金包括从A1、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶质元素组中选取 的至少一种元素。
27. 根据权利要求23所述的化合物半导体发光器件，其中所述扩散阻 挡物由透明导电材料形成。
28. 根据权利要求27所述的化合物半导体发光器件，其中所述透明导 电材料包括从Ti-N、 Mo-O、 Ru-O、 Ir-0和In-O构成的组中选取的至少一 种材料。
29. 根据权利要求23所述的化合物半导体发光器件，其中所述聚结防 止层由Al或Al基合金形成。
30. 根据权利要求29所述的化合物半导体发光器件，其中所述A1基 合金包括从Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶质元素组中选取 的至少一种元素。
31. 根据权利要求24所述的化合物半导体发光器件，其中所述氧化防 止层由Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的组中选取的至少一种材 料形成。
32. 根据权利要求24所述的化合物半导体发光器件，还包括接触电极 层，所述接触电极层插入在所述p型半导体层与所述反射层之间并减小所 述p型半导体层与所述反射层之间的接触电阻。
33.根据权利要求32所述的化合物半导体发光器件，其中所述接触电极层由La基合金、Ni基合金、Zn基合金、Cu基合金、热电氧化物、掺杂 氧化物、ITO和ZnO构成的组中选取的至少一种材料形成。
全文摘要
提供了一种多重反射层电极以及含有该电极的化合物半导体发光器件。所述多重反射层电极包括叠置在所述p型半导体层上的反射层；叠置在所述反射层上从而防止所述反射层聚结的聚结防止层；以及插入在所述反射层和所述聚结防止层之间从而防止所述聚结防止层的扩散的扩散阻挡物。
文档编号H01L33/46GK101165928SQ200710105189
公开日2008年4月23日 申请日期2007年5月24日 优先权日2006年10月18日
发明者宋俊午, 崔光基, 成泰连, 洪贤其, 金庆国, 金显秀 申请人:三星电机株式会社