专利名称：发光元件用材料的制造方法、发光元件用材料前体及发光元件的制造方法
技术领域：
本发明涉及发光元件用材料的前体、发光元件用材料的制造方法以及发光元件的制造方法。发光元件能够在显示元件、平板显示器、背光、照明、内饰、标识、广告牌、电子照相机和光信号发生器等领域中利用。
背景技术：
有机EL元件为在阳极与阴极之间夹持了有机发光层的结构的发光元件，其利用从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在有机发光层内再结合而产生的能量来发光。有机EL元件的特征在于薄型、轻量、低驱动电压下的高亮度发光和通过发光材料的选择进行的多色发光，作为下一代的显示器件而备受关注。
作为有机EL兀件的发光层中使用的材料，优选具有电化学稳定性和良好的发光特性。能够满足这些条件的多环芳香族烃(蒽、芘、并四苯等)的衍生物作为发光材料使用的情况多(參照专利文献I 3)。在将多环芳香族烃作为发光材料使用的情况下，为了调整发光波长、提高元件的耐久性，通常制成导入了取代基的衍生物。特别是从耐久性的提高这样的方面出发，通过取代基的立体位阻抑制凝聚是有效果的，因此，对于各种取代基进行了研究。其中，在蒽衍生物、并四苯衍生物这样的多并苯系的材料中，具有相对于多并苯骨架所成的平面而互相位于顺式位置的取代基的材料与具有相同组成且互相位于反式位置的取代基的材料，在耐久性方面有大差异，包含反式体多的材料被认为耐久性优异(參照专利文献4)。专利文献I :日本特开2007 — 63501号公报专利文献2 日本特开2009 — 246354号公报专利文献3 日本特开2002 — 8867号公报专利文献4 :国际公开W02007/097178号小册子
发明内容
发明要解决的课题通过在合成目标化合物后在200°C以上的高温处理I小时以上进行异构化，来制造上述包含反式体多的多并苯衍生物，因此由热引起的材料的劣化成为问题。特别是如果并四苯衍生物、并五苯衍生物这样的易于被氧化的化合物在空气中或微量的氧残存的惰性气氛下进行高温处理，则容易被氧化，产生的氧化产物对元件的特性带来不良影响。本发明解决这些问题，提供在温和的条件下制造耐久性优异的发光元件用材料的方法。用于解决课题的方法S卩，本发明为ー种发光元件用材料的制造方法，其是通过加热和/或光照射将通式(I)或通式(2)所示的发光元件用材料前体进行转化来制造发光元件用材料的方法，所得的发光元件用材料包含比顺式体多的反式体，
权利要求
1.ー种发光元件用材料的制造方法，其是通过加热和/或光照射将通式(I)或通式(2)所示的发光元件用材料前体进行转化来制造发光元件用材料的方法，所得的发光元件用材料包含比顺式体多的反式体，
2.根据权利要求I所述的发光元件用材料的制造方法，所述发光元件用材料前体由通式⑶或通式⑷表示，
3.根据权利要求2所述的发光元件用材料的制造方法，通式(3)或通式(4)中的X为C = O。
4.根据权利要求I 3的任ー项所述的发光元件用材料的制造方法，通式(I) (4)中的Ar1 Ar8选自下式所示的结构，
5.根据权利要求I 4的任ー项所述的发光元件用材料的制造方法，所述转化方法为光照射。
6.ー种发光元件用材料前体，其由通式(I)或通式(2)表示，
7.根据权利要求6所述的发光元件用材料前体，所述发光元件用材料前体由通式(3)或通式⑷表示，
8.根据权利要求7所述的发光元件用材料前体，通式(3)或通式(4)中的X为C= O。
9.根据权利要求8所述的发光元件用材料前体，通式(I) ⑷中的Ar1 Ar8选自下式所示的结构，
10.ー种墨，其包含权利要求6 9的任一项所述的发光兀件用材料前体。
11.ー种发光元件的制造方法，其包括以下エ序在基板上形成包含权利要求6 9的任ー项所述的发光元件用材料前体的层的エ序；以及通过加热和/或光照射将所述发光元件用材料前体转化成发光元件用材料的エ序。
12.根据权利要求11所述的发光元件的制造方法，其包括以下エ序在发光元件的基板上形成包含权利要求6 9的任ー项所述的发光元件用材料前体的层的エ序；以及将所述发光元件用材料前体转化成发光元件用材料的エ序。
13.根据权利要求11所述的发光元件的制造方法，其包括在供体基板上形成包含权利要求6 9的任ー项所述的发光元件用材料前体的层的エ序；以及将所述供体基板上的包含发光元件用材料前体的层转印至发光元件的基板上的エ序， 并包括在所述转印前、转印当中和转印后的任意时期将所述发光元件用材料前体向发光元件用材料转化的エ序。
14.根据权利要求11 13的任ー项所述的发光元件的制造方法，所得的发光元件用材料包含比顺式体多的反式体。
全文摘要
一种发光元件用材料的制造方法，其是通过加热和/或光照射将通式(1)或通式(2)所示的发光元件用材料前体进行转化来制造发光元件用材料的方法，所得的发光元件用材料包含比顺式体多的反式体。本发明提供在温和的条件下制造耐久性优异的发光元件用材料的方法。此处，Ar1～Ar4可以分别相同或不同，其选自烷基、环烷基、链烯基、环烯基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基和杂芳基；其中这些取代基为相对于所结合的苯环的面可存在顺式、反式的异构体的结构；R1～R24可以分别相同或不同，其选自氢、羟基、烷基、环烷基、链烯基、环烯基、烷氧基、烷基硫醚基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基和杂芳基，相邻的取代基可以彼此结合而形成环；R1或R2与R7或R8可以结合而形成二环骨架，R13或R14与R17或R18可以结合而形成二环骨架。
文档编号C07C4/08GK102656130SQ20108005699
公开日2012年9月5日 申请日期2010年12月3日 优先权日2009年12月16日
发明者由香里 城, 信彦 白泽, 藤森 茂雄 申请人:东丽株式会社